JPH035906A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH035906A JPH035906A JP1141710A JP14171089A JPH035906A JP H035906 A JPH035906 A JP H035906A JP 1141710 A JP1141710 A JP 1141710A JP 14171089 A JP14171089 A JP 14171089A JP H035906 A JPH035906 A JP H035906A
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- film
- magnetic
- ferrite
- core
- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体からデータを読みだしたり、磁
気記録媒体にデータを書寺込んだりする磁気記録再生装
置に用いられ、ギャップ対向面に金属磁性膜を形成した
磁気ヘッドに関するものである。
気記録媒体にデータを書寺込んだりする磁気記録再生装
置に用いられ、ギャップ対向面に金属磁性膜を形成した
磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録分野においては、記録密度の高密度化が
進められており、そのために高い保磁力と高い残留磁束
密度を有した磁気記録媒体の開発が進められている。そ
して、この種の磁気記録媒体を十分に飽和記録させるた
めに、磁気ヘッドから高密度の磁束を飛び出させる事が
要求される。
進められており、そのために高い保磁力と高い残留磁束
密度を有した磁気記録媒体の開発が進められている。そ
して、この種の磁気記録媒体を十分に飽和記録させるた
めに、磁気ヘッドから高密度の磁束を飛び出させる事が
要求される。
そこで、磁気ヘッドのギャップ対向面にフェライトに比
べて高い飽和磁束密度を有する金属磁性膜を形成した磁
気ヘッドが開発された。
べて高い飽和磁束密度を有する金属磁性膜を形成した磁
気ヘッドが開発された。
この種の磁気ヘッドに用いられる金属磁性膜としては、
Co−Nb−Zr系の非結晶質合金膜。
Co−Nb−Zr系の非結晶質合金膜。
Fe−A!−8i系合金膜、さらに最近になって、Fe
−Ga−8i合金膜等があり、それらの膜は各種スパッ
タリング、真空蒸着法により形成されている。しかしこ
のように構成された磁気ヘッドでは、金属磁性膜とフェ
ライトコアとの界面に疑似ギャップが形成されるため、
再生出力を示す波形の裾の方に疑似出力がでるという問
題かあり、実用化を防げる原因となっている。この疑似
ギャップの発生原因としては、コア同志をガラスで接合
する際の磁気ヘッド製造工程時の高温熱処理により、金
属磁性膜中の構成原子がフェライトコア内に拡散したり
、拡散した原子がフェライト中の#素と反応したりして
、フェライトコアの金属磁性膜と接している部分及びそ
の近傍部分が磁気的に著しく劣化するためであると考え
られる。この拡散・反応の現象について以下具体的に説
明する。Co−Nb−Zr系結晶質合金などのようにC
Oを含んだ合金をフェライト上に膜付けすると、Co原
子がフェライトの中へ拡散し、この拡散によってフェラ
イトの金属磁性膜と接している部分及びその近傍では、
磁気的に劣化した部分ができ、その劣化した部分が疑似
ギャップの原因となる。次にFe−Al−8i系合金や
FeGa−3i系合金などの材料をフェライトコアの上
に膜付けした時を説明する。Fe−Al−Si系合金磁
性膜にはAIやSiの活性元素が含まれており、又Fe
−Ga−8i系合金磁性膜にはGaやSiの活性元素が
含まれている。A1.Si、Gaがフェライト中に入り
こんでいくとフェライト中の酸素とこれら原子が反応し
、Al2O2、S i 02 、G a203の非磁性
酸化物がフェライトの金属磁性膜近傍に形成され、疑似
ギャップが形成される。従来より、この疑似ギャップの
発生を防止するため、非磁性酸化物や非磁性窒化物等の
反応防止膜をフェライトコアと金属磁性膜の間に形成す
ることで、金属磁性膜中の原子がフェライトの方に拡散
するのを防止する試みがなされている。
−Ga−8i合金膜等があり、それらの膜は各種スパッ
タリング、真空蒸着法により形成されている。しかしこ
のように構成された磁気ヘッドでは、金属磁性膜とフェ
ライトコアとの界面に疑似ギャップが形成されるため、
再生出力を示す波形の裾の方に疑似出力がでるという問
題かあり、実用化を防げる原因となっている。この疑似
ギャップの発生原因としては、コア同志をガラスで接合
する際の磁気ヘッド製造工程時の高温熱処理により、金
属磁性膜中の構成原子がフェライトコア内に拡散したり
、拡散した原子がフェライト中の#素と反応したりして
、フェライトコアの金属磁性膜と接している部分及びそ
の近傍部分が磁気的に著しく劣化するためであると考え
られる。この拡散・反応の現象について以下具体的に説
明する。Co−Nb−Zr系結晶質合金などのようにC
Oを含んだ合金をフェライト上に膜付けすると、Co原
子がフェライトの中へ拡散し、この拡散によってフェラ
イトの金属磁性膜と接している部分及びその近傍では、
磁気的に劣化した部分ができ、その劣化した部分が疑似
ギャップの原因となる。次にFe−Al−8i系合金や
FeGa−3i系合金などの材料をフェライトコアの上
に膜付けした時を説明する。Fe−Al−Si系合金磁
性膜にはAIやSiの活性元素が含まれており、又Fe
−Ga−8i系合金磁性膜にはGaやSiの活性元素が
含まれている。A1.Si、Gaがフェライト中に入り
こんでいくとフェライト中の酸素とこれら原子が反応し
、Al2O2、S i 02 、G a203の非磁性
酸化物がフェライトの金属磁性膜近傍に形成され、疑似
ギャップが形成される。従来より、この疑似ギャップの
発生を防止するため、非磁性酸化物や非磁性窒化物等の
反応防止膜をフェライトコアと金属磁性膜の間に形成す
ることで、金属磁性膜中の原子がフェライトの方に拡散
するのを防止する試みがなされている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記従来の磁気ヘッドでは、金属磁性膜と
コアの間の拡散や反応を防止する事ができるが、反応防
止膜は非磁性体であるので、や゛はり再生出力を示す波
形の裾に疑似出力がでる。今日までの記録密度では前記
疑似出力は問題では無かったが、将来的に記録密度がま
すます高(なっていくと、やはり疑似出力が記録再生特
性に悪影響を与えると思われる。
コアの間の拡散や反応を防止する事ができるが、反応防
止膜は非磁性体であるので、や゛はり再生出力を示す波
形の裾に疑似出力がでる。今日までの記録密度では前記
疑似出力は問題では無かったが、将来的に記録密度がま
すます高(なっていくと、やはり疑似出力が記録再生特
性に悪影響を与えると思われる。
本発明は、前記従来の問題点を解決するもので、疑似出
力の発生を防止することにより、良好な記録再生特性を
有する磁気ヘッドを提供することを目的としている。
力の発生を防止することにより、良好な記録再生特性を
有する磁気ヘッドを提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために金属磁性膜とフェライトの間
にFe膜を設けた。
にFe膜を設けた。
作 用
Fe膜の結晶構造はち密であるために、金属磁性1漠中
の活性原子はFe膜を通ってフェライトの中に拡散する
事はな(、シからFetllはフェライトおよび金属磁
性膜の主成分と同一であるために、Fe)l’Aの部分
で磁気特性の急激な変化はない。
の活性原子はFe膜を通ってフェライトの中に拡散する
事はな(、シからFetllはフェライトおよび金属磁
性膜の主成分と同一であるために、Fe)l’Aの部分
で磁気特性の急激な変化はない。
実 施 例
第1図は本発明の一実施例における磁気ヘッドを示す斜
視図である。第1図において1はフェライトで構成され
た1型のコア、2はフェライトで構成されたC型のコア
、3はFe膜でできた反応防止膜で、反応防止膜3は、
Feのターゲットを用いてスパッタリングを行ってコア
1の上に形成されている。4は反応防止jiff 3の
上に形成された金属磁性膜で、金属磁性膜4はFe−A
l−Si合金系磁性材料をスパッタして形成される。5
は磁気ギャップとなるギャップ材である。6はコア1と
コア2とを接合する接着ガラスである。
視図である。第1図において1はフェライトで構成され
た1型のコア、2はフェライトで構成されたC型のコア
、3はFe膜でできた反応防止膜で、反応防止膜3は、
Feのターゲットを用いてスパッタリングを行ってコア
1の上に形成されている。4は反応防止jiff 3の
上に形成された金属磁性膜で、金属磁性膜4はFe−A
l−Si合金系磁性材料をスパッタして形成される。5
は磁気ギャップとなるギャップ材である。6はコア1と
コア2とを接合する接着ガラスである。
以上の様に構成された本実施例の磁気ヘッドについて以
下その製造方法を説明する。先ずフェライトによってコ
アlを形成し、コアlの上にFeでできた反応防止ff
f13を形成する。反応防止膜3はFeのターゲットを
用いてスパッタリングを行って形成する。この時反応防
止膜3の厚さは0.1μmにした。次に反応防止膜3の
上に金属磁性膜4を形成する。金属磁性膜4はFe−A
l−Si合金系磁性材料ターゲットにしてスパッタリン
グを行って形成する。この時金属磁性膜4の厚さは4μ
mにした。次にフェライトでできた磁性ブロックに巻線
溝を形成してコア2を形成し、コア2のギャップ対向面
に二酸化シリコンでできたギャップ材5を形成し、ギャ
ップ材5を介して金属磁性膜4とコア2を突き合わせる
。最後にコア1とコア2に渡って接着ガラス6を付着さ
せ、コア1とコア2を接合する。最後にコア1かもしく
はコア2に巻線を施して完成させる。
下その製造方法を説明する。先ずフェライトによってコ
アlを形成し、コアlの上にFeでできた反応防止ff
f13を形成する。反応防止膜3はFeのターゲットを
用いてスパッタリングを行って形成する。この時反応防
止膜3の厚さは0.1μmにした。次に反応防止膜3の
上に金属磁性膜4を形成する。金属磁性膜4はFe−A
l−Si合金系磁性材料ターゲットにしてスパッタリン
グを行って形成する。この時金属磁性膜4の厚さは4μ
mにした。次にフェライトでできた磁性ブロックに巻線
溝を形成してコア2を形成し、コア2のギャップ対向面
に二酸化シリコンでできたギャップ材5を形成し、ギャ
ップ材5を介して金属磁性膜4とコア2を突き合わせる
。最後にコア1とコア2に渡って接着ガラス6を付着さ
せ、コア1とコア2を接合する。最後にコア1かもしく
はコア2に巻線を施して完成させる。
第2図は本実施例の磁気ヘッド及び従来の磁気ヘッドの
再生出力の波形を示すグラフである。第1のヘッドとし
て本実施例の磁気ヘッド、第2のヘッドとしてコアと金
属磁性膜の間に非磁性酸化物や非磁性富化物等でできた
反応防止膜を設けた磁気ヘッド、第3のヘッドとしてコ
アの上に直接金属磁性膜を形成した従来の磁気ヘッドを
それぞれ作成した。第2図に示す様に第3のヘッドは金
属磁性膜の原子がコアに拡散し、反応するために、コア
の金属磁性膜と接する部分及びその近傍に磁気的に劣化
した層が形成されて疑似ギャップが形成されるため、再
生出力の波形の裾の方に疑似ギャップによる疑似出力が
でている。しかも疑似ギャップによって再生出力の最大
相対出力は他のヘッドに比べて小さい。第2のヘッドで
は第3のヘッドの疑似出力はど大きくはないか、やはり
疑似出力がでている。又相対出力は第3のヘッドに比べ
て大きくなっているが、第1のヘッドに比べると小さい
。第1のヘッドは疑似出力は出ておらず、再生出力の相
対出力も他のヘッドに比べて最も大きい。この様にコア
1と金属磁性膜4の間にFeでできた反応防止膜3を形
成する事によって、疑似ギャップの発生を防止する事が
でき、疑似出力を抑える事ができる。又最大の再生出力
も太き(なる。
再生出力の波形を示すグラフである。第1のヘッドとし
て本実施例の磁気ヘッド、第2のヘッドとしてコアと金
属磁性膜の間に非磁性酸化物や非磁性富化物等でできた
反応防止膜を設けた磁気ヘッド、第3のヘッドとしてコ
アの上に直接金属磁性膜を形成した従来の磁気ヘッドを
それぞれ作成した。第2図に示す様に第3のヘッドは金
属磁性膜の原子がコアに拡散し、反応するために、コア
の金属磁性膜と接する部分及びその近傍に磁気的に劣化
した層が形成されて疑似ギャップが形成されるため、再
生出力の波形の裾の方に疑似ギャップによる疑似出力が
でている。しかも疑似ギャップによって再生出力の最大
相対出力は他のヘッドに比べて小さい。第2のヘッドで
は第3のヘッドの疑似出力はど大きくはないか、やはり
疑似出力がでている。又相対出力は第3のヘッドに比べ
て大きくなっているが、第1のヘッドに比べると小さい
。第1のヘッドは疑似出力は出ておらず、再生出力の相
対出力も他のヘッドに比べて最も大きい。この様にコア
1と金属磁性膜4の間にFeでできた反応防止膜3を形
成する事によって、疑似ギャップの発生を防止する事が
でき、疑似出力を抑える事ができる。又最大の再生出力
も太き(なる。
次に本実施例の磁気ヘッド及び従来の磁気ヘッドのオー
ジェ分光分析を行ない、各構成原子の拡散状況を説明す
る。そこで先ず本実施例及び従来の磁気ヘッドのサンプ
ルを下記の様に作成する。
ジェ分光分析を行ない、各構成原子の拡散状況を説明す
る。そこで先ず本実施例及び従来の磁気ヘッドのサンプ
ルを下記の様に作成する。
Mn−Znフェライト基板上に、Co−Nb−Zr非結
晶質合金をスパッタリング法により500A形成し、C
o−Nb−Zr非結晶質合金膜を安定化するために55
0℃の熱処理を行った第1のサンプルと、Mn−Znフ
ェライト基板上に、Fe−Al−8i合金をスパッタリ
ング法により500A形成し、550℃の熱処理を行っ
た第2のサンプルと、Mn−Znフェライト基板上にF
e膜を50OA形成後、Fe−Al−8i合金をスパッ
タリング法により500人形成し、550℃の熱処理を
行った第3のサンプルを作成する。この様に作成したサ
ンプルを金属磁性膜の膜表面からオージェ分光分析によ
り、拡散・反応の観察を行った。第1のサンプル及び第
2のサンプル及び第二3のナンブルの測定結果を、それ
ぞれ第3図。
晶質合金をスパッタリング法により500A形成し、C
o−Nb−Zr非結晶質合金膜を安定化するために55
0℃の熱処理を行った第1のサンプルと、Mn−Znフ
ェライト基板上に、Fe−Al−8i合金をスパッタリ
ング法により500A形成し、550℃の熱処理を行っ
た第2のサンプルと、Mn−Znフェライト基板上にF
e膜を50OA形成後、Fe−Al−8i合金をスパッ
タリング法により500人形成し、550℃の熱処理を
行った第3のサンプルを作成する。この様に作成したサ
ンプルを金属磁性膜の膜表面からオージェ分光分析によ
り、拡散・反応の観察を行った。第1のサンプル及び第
2のサンプル及び第二3のナンブルの測定結果を、それ
ぞれ第3図。
i4図、第5図に示す。図において、縦軸はオージェ電
子の強度、横軸は金属磁性膜の表面からの深さである。
子の強度、横軸は金属磁性膜の表面からの深さである。
第3図から判る様に、M n −Znフェライト上にC
o−Nb−Zr非晶質合金を形成した場合には、co原
子がMn−Znフェライト基板+uqへ拡散している様
子が判る。また、第4図のから判る様に、Fe−Al−
8I合金膜を直接Mn−Znフェライト上に形成した場
合には、M rl−Z nフェライトのFe−Al−8
i合金1摸上近傍部分に反応が起きており、Al5iの
酸化物が形成されている。一方、第5図の結果より、F
e膜を反応防止膜として用いた場合には、Fe−Al
−3i合金j摸注のAIやSiはMn20フェライト中
即ち第5図に示す1000八以上の部分には存在せず、
AIやSiはMn−Znフェライト中には拡散していな
いことが判る。以上の様にFe1Iを反応防止膜として
用いることでフェライト基板と、金属磁性膜との界面近
傍での拡散・反応は防止できる。又Fe膜とフェライト
および金属磁性膜の主成分は同じであるので、Fet1
1部分での磁気特性の大きな変化はないので、Fetl
I近傍からの磁束の漏れはない。なお、Fe膜上に形成
する金属磁性膜として、Fe−Ni系合金、Fe−8I
系合金、及びFe−Ga−8I系合金を用いても同様の
効果が得られる。なお、本実施例においては、片方の磁
気コアに金属磁性膜が形成された複合磁気ヘッドについ
て説明したが、本発明は両方の磁気コアに金属磁性膜が
形成された複合磁気ヘッドにも応用できる。又反応防止
膜であるFe膜に耐食性を向上させるために′FiやC
rやNiや白金属元素等を添加しても同様の効果を得る
事ができた。
o−Nb−Zr非晶質合金を形成した場合には、co原
子がMn−Znフェライト基板+uqへ拡散している様
子が判る。また、第4図のから判る様に、Fe−Al−
8I合金膜を直接Mn−Znフェライト上に形成した場
合には、M rl−Z nフェライトのFe−Al−8
i合金1摸上近傍部分に反応が起きており、Al5iの
酸化物が形成されている。一方、第5図の結果より、F
e膜を反応防止膜として用いた場合には、Fe−Al
−3i合金j摸注のAIやSiはMn20フェライト中
即ち第5図に示す1000八以上の部分には存在せず、
AIやSiはMn−Znフェライト中には拡散していな
いことが判る。以上の様にFe1Iを反応防止膜として
用いることでフェライト基板と、金属磁性膜との界面近
傍での拡散・反応は防止できる。又Fe膜とフェライト
および金属磁性膜の主成分は同じであるので、Fet1
1部分での磁気特性の大きな変化はないので、Fetl
I近傍からの磁束の漏れはない。なお、Fe膜上に形成
する金属磁性膜として、Fe−Ni系合金、Fe−8I
系合金、及びFe−Ga−8I系合金を用いても同様の
効果が得られる。なお、本実施例においては、片方の磁
気コアに金属磁性膜が形成された複合磁気ヘッドについ
て説明したが、本発明は両方の磁気コアに金属磁性膜が
形成された複合磁気ヘッドにも応用できる。又反応防止
膜であるFe膜に耐食性を向上させるために′FiやC
rやNiや白金属元素等を添加しても同様の効果を得る
事ができた。
発明の効果
本発明は、金属磁性膜とフェライトの間にFe膜を設け
た事により、Fe膜の結晶構造はち密であるために、金
属磁性膜中の活性原子はFe膜を通ってフェライトの中
に拡散する事はないので、フェライトの金属磁性膜近傍
部分の磁気的劣化を防ぎ、しかもFe膜はフェライトお
よび金属磁性膜の主成分と同一であるために、Fe膜の
部分で磁気特性の急激な変化はないのでFe膜の部分で
磁束が漏れる事はな(、疑似ギャップが出来ない様にす
る事ができ、疑似出力が発生を押させる事ができる。
た事により、Fe膜の結晶構造はち密であるために、金
属磁性膜中の活性原子はFe膜を通ってフェライトの中
に拡散する事はないので、フェライトの金属磁性膜近傍
部分の磁気的劣化を防ぎ、しかもFe膜はフェライトお
よび金属磁性膜の主成分と同一であるために、Fe膜の
部分で磁気特性の急激な変化はないのでFe膜の部分で
磁束が漏れる事はな(、疑似ギャップが出来ない様にす
る事ができ、疑似出力が発生を押させる事ができる。
第1図は本発明の一実施例における磁気ヘッドを示す斜
視図、第2図は従来の磁気ヘッドおよび本発明の一実施
例の複合磁気ヘッドの再生出力の波形を示す特性図であ
る。第3図及び第4図は従来の磁気ヘッドのオージェ分
光分析による深さ方向の組成分布を示すグラフ、第5図
は本実施例の磁気ヘッドのオージェ分光分析による深さ
方向の組成分布を示すグラフである。
視図、第2図は従来の磁気ヘッドおよび本発明の一実施
例の複合磁気ヘッドの再生出力の波形を示す特性図であ
る。第3図及び第4図は従来の磁気ヘッドのオージェ分
光分析による深さ方向の組成分布を示すグラフ、第5図
は本実施例の磁気ヘッドのオージェ分光分析による深さ
方向の組成分布を示すグラフである。
Claims (2)
- (1)フェライトコアの少なくともギャップ対向面の上
に金属磁性膜を設けた第1のコアチップと、前記第1の
コアチップと対向する第2のコアチップを備え、前記第
1のコアチップのフェライトコアと前記金属磁性膜の間
にFe膜を設けた事を特徴とする磁気ヘッド。 - (2)Fe膜にTi、Cr、Ni、白金属元素の内少な
くとも一つを添加した事を特徴とする請求項第1項記載
の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141710A JPH035906A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141710A JPH035906A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035906A true JPH035906A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15298402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141710A Pending JPH035906A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH035906A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11773758B2 (en) | 2019-12-25 | 2023-10-03 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Variable valve mechanism |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
| JPH01241007A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141710A patent/JPH035906A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279404A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 複合型磁気ヘッド |
| JPH01241007A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11773758B2 (en) | 2019-12-25 | 2023-10-03 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Variable valve mechanism |
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