JPH07210819A

JPH07210819A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07210819A
Application number: JP6005656A
Authority: JP
Inventors: Hirosuke Mikami; 寛祐三上; Koichi Osano; 浩一小佐野; Kenta Ito; 健太伊藤; Hiroshi Sakakima; 博榊間
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-01-24
Filing date: 1994-01-24
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＩＧヘッドの再生時の疑似ギャップ出力を
抑制すると同時に、磁性膜の基体からの剥離を抑制す
る。【構成】酸化物磁性材料基体１と金属磁性膜２または
金属窒化磁性膜の界面に挿入する拡散防止膜５を、磁気
ギャップ４形成面及びそれに平行面においては膜厚を５
ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし、磁気ギャップ形成面に非平
行面では０ｎｍ以上４ｎｍ以下とする。拡散防止膜には
酸化アルミニウム、酸化けい素、（Ｃｒ ₂Ｎ＋ＣｒＮ）
混合膜を用いる。さらには金属窒化磁性膜の場合には拡
散防止膜を形成せずに、金属窒化磁性膜の酸化物磁性材
料基体との界面付近を５ｎｍ以上の範囲にわたって、組
成変調構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に用
いられる磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高密度磁気記録に対する要求は極めて強
いものであるが、これを実現するには磁気ヘッドの記録
再生特性の改善が必須である。磁気ヘッドの形式には種
々あるが、近年多く用いられている形式は、高透磁率フ
ェライトコア上に高飽和磁束密度の金属磁性膜を形成し
た磁気ヘッドコア半体同士を、磁気ギャップを介してガ
ラスにより接合した、いわゆるＭＩＧ（ＭｅｔａｌＩ
ｎＧａｐ）ヘッドと呼ばれる形式のものである。

【０００３】（図１）にその構造の一例を示す。トラッ
ク幅規制溝、巻線溝等が形成された酸化物磁性材料基体
上１に金属磁性膜２等がスパッタ法等の薄膜形成法によ
り成膜された一対の高透磁率コア半体が、高透磁率コア
半体側面及び後背部のガラス３により、磁気ギャップを
介して相対向するように接着されている。

【０００４】（図２）にはその磁気ギャップ近傍の構造
の拡大図を示す。酸化物磁性材料基体１上のほぼ全面に
酸化けい素等から成る拡散防止膜５が形成されている。
次いでその上に高透磁率・高飽和磁束密度の金属磁性膜
２が数μｍの厚さに形成される。さらにその上に非磁性
酸化物からなる磁気ギャップ規制膜６が、必要な磁気ギ
ャップ長を得るために０．１〜０．２μｍの厚さに形成
され、最後に接着用ガラス３との濡れ性を改善するため
のＣｒ膜７が０．１μｍ以下の厚さで形成されている。

【０００５】ここで拡散防止膜とはフェライト基体と金
属磁性膜間の拡散を防止するためのものであり、広く実
施されているものである（例えば特公昭６２−１４５５
１０号公報）。つまり５００℃以上の温度に加熱して行
うガラス接着の際に、フェライト基体中の酸素や鉄が金
属磁性膜中に拡散することによりフェライトが変質して
透磁率が低下するために、磁気ギャップと平行な部分が
疑似ギャップとして作用することを防止するための薄膜
であり、通常は厚さ数ｎｍ〜数１０ｎｍの酸化物が用い
られる。

【０００６】しかしながらフェライトを構成する原子が
金属磁性膜中に拡散することは、両者が一体となって接
着力が高まることでもあり、逆に拡散を防止することは
両者の金属磁性膜の密着力を弱めることでもある。

【０００７】実際我々が作製した磁気ヘッドにおいて
は、拡散防止膜を設けた場合には疑似ギャップの発生が
抑制されて再生特性は向上したものの、逆に拡散防止膜
と金属磁性膜の界面で両者が剥離する現象が多発した。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は拡散防止膜を
改善することにより、疑似ギャップの発生を抑制して再
生特性の低下を防止すると同時に、金属磁性膜の剥離も
防止して生産性の改善を行うものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記問題
点を解決するために、磁気ギャップ形成面及び磁気ギャ
ップ形成面と平行な面には拡散防止膜を必要な厚さだけ
形成するが、それ以外の部分にはそれ以下の厚さとする
か、または全く形成しない構成とした。そのような構成
を実現する手段としてはスパッタエッチング法を用い、
スパッタガス粒子を主に磁気ギャップ形成面の法線方向
から入射させることにより、磁気ギャップ形成面に非平
行な面を優先的にエッチングした。

【００１０】また磁性膜に金属窒化膜を用いる場合に
は、磁気ギャップ形成面も含めて拡散防止膜を全く形成
せず、代わりに酸化物磁性材料との界面近傍を組成変調
構造とすることで、金属磁性膜自体に拡散防止効果をも
たせることでも、上記問題点を解決可能とした。

【００１１】

【作用】前述のように拡散層が問題になるのは、その部
分の透磁率が低下して疑似ギャップとして作用するから
である。しかしながら厳密に述べれば、疑似ギャップと
して作用するのは、磁気ギャップと平行な拡散層のみで
あり非平行の部分には拡散層が存在しても問題とはなら
ない。

【００１２】従って磁気ギャップ形成面及び磁気ギャッ
プ形成面と平行な面には拡散防止膜を疑似ギャップの発
生を抑制するのに必要な厚さだけ形成する必要がある
が、それ以外の面に関しては、それ以下の厚さで形成し
ても、または全く形成しなくても疑似ギャップの発生に
は何等支障は無い。

【００１３】しかも金属磁性膜と酸化物磁性材料基体と
の接着力を考えれば、拡散防止膜の厚さが薄いか、また
は全く形成されないことにより拡散が進行すれば、両者
の接着力は向上することになり、磁気ヘッド作製時の各
種機械加工により、金属磁性膜が酸化物磁性材料基体か
ら剥離する現象を低減することができる。

【００１４】この場合、拡散防止膜の厚さが５ｎｍ以下
では拡散層の発生を抑制できない。また２０ｎｍ以上で
は拡散防止膜自体が疑似ギャップとして作用する。従っ
て磁気ギャップ形成面及び磁気ギャップ形成面に平行な
面に形成される拡散防止膜の厚さは５ｎｍ以上２０ｎｍ
以下でなければならない。同時に磁気ギャップ形成面に
非平行な面についてはそれ以下の厚さが望ましいのであ
るから、その厚さは０ｎｍ以上４ｎｍ以下となる。

【００１５】拡散防止膜の材質としては酸化アルミニウ
ムや酸化けい素でも可能であるが、窒化クロム系の材料
でＣｒ₂ＮとＣｒＮが混在する組織を主成分とするもの
が望ましい。

【００１６】そしてこのような構成を実現する手段とし
ては、スパッタ率の入射角度依存性を利用する方法があ
る。つまり一旦は、磁気ギャップ形成面にもそれに非平
行な面にも同様に拡散防止膜を成膜する。しかしその後
磁気ギャップ形成面の法線方向からスパッタガス粒子が
入射するようにコア半体をスパッタエッチングする。

【００１７】（図３）にＭｎＺｎ単結晶フェライト基板
上に各種材料を成膜した試料を、アノード電極に対して
０゜、３０゜、４５゜、６０゜、９０゜傾けた際のエッ
チングレートを示すが、材料はアノード電極に対して３
０゜から６０゜傾いた角度からスパッタガスが入射した
際にスパッタ率は最大となる。（図３）はスパッタガス
にＡｒガスを用い、その圧力を４ｍＴｏｒｒ（Ａｒガス
導入口近傍に設置したバラトロンゲージで測定）、投入
電力２００Ｗの場合についての測定結果をまとめた図で
あるが、Ａｒガス圧が２〜５ｍＴｏｒｒの範囲では殆ど
同じ結果が得られた。

【００１８】（図３）の結果から、磁気ギャップ形成面
の法線方向からスパッタガスを入射させれば、磁気ギャ
ップ形成面及びそれに平行な面のエッチバック速度は遅
く、逆に磁気ギャップ形成面に非平行な面ではエッチバ
ック速度は速くなり、結果として本発明のような構成を
実現することが可能となる。

【００１９】一方上記のような構成では、磁気ギャップ
形成面に非平行な面に形成した拡散防止膜を磁気ギャッ
プ形成面や磁気ギャップ形成面に平行な面よりも薄くす
る工程が必要となる。そこで磁性膜が金属窒化膜の場合
には、拡散防止膜を全く形成せず、金属磁性膜自体に拡
散防止機能を持たせる手法も可能である。

【００２０】つまり近年実用化され始めた金属窒化磁性
膜の酸化物磁性材料基体との界面近傍を、窒化層と非窒
化層が微細に積層された組成変調構造とする。このよう
な構造とすることにより、現在実用化されている金属窒
化磁性膜には必ず含有されているＮｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚ
ｒ等の酸素や窒素との親和力が大きい元素は、非窒化層
において酸化物磁性材料基体から拡散して来た酸素を反
応・捕捉し、よって酸素のより広範囲の拡散を抑制し、
拡散層の厚さを疑似ギャップが問題とならない程度にま
で抑制するものである。またこの手法の長所は、界面近
傍では金属磁性膜と酸化物磁性材料との間に拡散が発生
するので、両者が一体化して接着力が向上することであ
る。

【００２１】

【実施例】以下、具体的な実施例により本発明の効果を
説明する。

【００２２】（実施例１）組成がＦｅ₂Ｏ₃：５４．５モ
ル％、ＭｎＯ：２７モル％、ＺｎＯ：１８．５モル％の
ＭｎＺｎ単結晶フェライトを用いて、（図４）に示す形
状及び面方位の磁気ヘッド、即ちそれぞれがベース部か
ら凸状に突き出した突出部分８を有し、この突出部分同
士が磁気ギャップ４を介して相互に向き合うように対向
配置された一対のコア半体と、一対のコア半体の両サイ
ド面に溶着されて一対のコア半体を相互に連結する一対
の接着ガラス３から構成され、各突出部分８は磁気ギャ
ップ４にほぼ直交する両サイド面にトラック幅を決定す
るトラック幅規制溝を有し、各ベース部分のトラック幅
方向長は前記突出部分から遠ざかるに従って徐々に大き
くなり、前記突出部分の突出長が５μｍ〜１５μｍであ
る形状を持ち、主磁路面が｛１１０｝面に平行で、磁気
ギャップ形成面を（１００）面、磁気記録媒体との摺動
面が（１１０）面を中心に３０度以内の面であり、フェ
ライト基体１上に酸化アルミニウムを主成分とする拡散
防止膜５と、Ｆｅ₈₆Ｔａ₁₁Ｎ₁₃磁性膜２、結晶化ガラス
から成るギャップ規制膜６と、Ｃｒ膜７を成膜した磁気
ヘッドを作製した。

【００２３】本発明による磁気ヘッドにおいては、拡散
防止膜５は最初は１０ｎｍ成膜し、その後Ａｒガス圧４
ｍＴｏｒｒ（Ａｒガス導入口近傍に設置したバラトロン
ゲージで測定）、投入電力２００Ｗでスパッタエッチす
ることにより、（図５ａ）に示すように、磁気ギャップ
形成面においては膜厚が７ｎｍであるが、磁気ギャップ
形成面に非平行な面の膜厚は３ｎｍ以下とした。また従
来技術による磁気ヘッドでは最初から拡散防止膜を７ｎ
ｍ成膜し、（図５ｂ）に示すように磁気ギャップ形成面
での膜厚を７ｎｍ、それに非平行な面での膜厚を７ｎｍ
以下とした。各場合の再生出力特性を（図６）に示す
が、いずれの場合も疑似ギャップによるうねりは１ｄＢ
以下であり、実用的には問題の無いレベルとなった。

【００２４】一方、ＦｅＴａＮ磁性膜２のフェライト基
体１からの剥離は（表１）に示すように、非平行部の拡
散防止膜の膜厚が薄い本発明の場合は低い発生率を示し
た。

【００２５】

【表１】

【００２６】（実施例２）実施例１に示した組成のＭｎ
Ｚｎ単結晶フェライトとＦｅＴａＮ磁性膜を用いて実施
例１と同じ形状及び面方位の磁気ヘッドを作製した。た
だし拡散防止膜５は、当初は１４ｎｍ成膜し、次いでＡ
ｒガス圧３ｍＴｏｒｒ、投入電力２００Ｗでスパッタエ
ッチングすることにより、（図７）に示すように、磁気
ギャップ形成面に非平行な面上の拡散防止膜５を全て除
去し、磁気ギャップ形成面にのみ７ｎｍ形成した。その
再生出力特性を（図８）に示すが、疑似ギャップによる
うねりは１ｄＢ以下となり、実用的には問題の無いレベ
ルとなった。

【００２７】一方、磁性膜のフェライト基体からの剥離
は（表２）に示すように、従来技術に比べて改善され
た。

【００２８】

【表２】

【００２９】（実施例３）実施例１に示した組成のＭｎ
Ｚｎ単結晶フェライトとＦｅＴａＮ磁性膜を用いて実施
例１と同じ形状及び方位の磁気ヘッドを作製した。ただ
し拡散防止膜には酸化けい素を用い、膜厚は磁気ギャッ
プ形成面には８ｎｍ、磁気ギャップ形成面に非平行な面
には８ｎｍ以下（従来技術）、４ｎｍ以下（本発明）の
２種類とした。スパッタエッチング条件も実施例１と同
じである。その再生出力特性を（図９）に示すが、疑似
ギャップによるうねりは１ｄＢ以下であり、実用的には
問題の無いレベルであった。

【００３０】一方、磁性膜のフェライト基体からの剥離
は（表３）に示すように、従来技術に比べて改善され
た。

【００３１】

【表３】

【００３２】（実施例４）実施例１に示した組成のＭｎ
Ｚｎ単結晶フェライトとＦｅＴａＮ磁性膜を用いて実施
例１と同じ形状及び方位の磁気ヘッドを作製した。ただ
し拡散防止膜には（ａ）Ｃｒ膜、（ｂ）（Ｃｒ₂Ｎ＋Ｃ
ｒＮ）混合膜、（ｃ）ＣｒＮ膜の３種類を用い、膜厚
はいずれも磁気ギャップ形成面で７ｎｍ、磁気ギャップ
形成面に非平行な面では４ｎｍ以下とした。スパッタエ
ッチング条件も、実施例１と同じとした。その再生出力
特性を（図１０）に示すが、（ｂ）と（ｃ）の（Ｃｒ₂
Ｎ＋ＣｒＮ）混合膜とＣｒＮ膜では疑似ギャップによる
うねりは１ｄＢ以下であり実用的には問題の無いレベル
であった。しかしながら（ａ）のＣｒ膜では疑似ギャッ
プによるうねりは２ｄＢ以上となり、実用には適さな
い。

【００３３】一方、金属磁性膜のフェライト基体からの
剥離は（表４）に示すように、Ｃｒ膜が最も発生率が低
く、次いで（Ｃｒ₂Ｎ＋ＣｒＮ）、ＣｒＮ膜の順に発生
率が高くなる。

【００３４】

【表４】

【００３５】以上の結果より、（Ｃｒ₂Ｎ＋ＣｒＮ）膜
を拡散防止膜に用いれば、疑似ギャップも抑制できると
同時に、金属磁性膜のフェライト基体からの剥離も抑制
できることが分かった。

【００３６】（実施例５）実施例１に示した組成のＭｎ
Ｚｎ単結晶フェライトとＦｅＴａＮ磁性膜を用いて、実
施例１と同じ形状及び方位の磁気ヘッドを作製した。た
だし拡散防止膜は成膜せず、酸化物磁性材料との界面か
ら（ａ）４ｎｍ、（ｂ）８ｎｍ、（ｃ）２０ｎｍの３種
類の範囲でＦｅＴａＮ膜を組成変調化した。つまり（図
１１）に示すように、成膜時に非窒化層９を１ｎｍ、窒
化層１０を１ｎｍ、非窒化層９を１ｎｍ．．．の順に２
周期、４周期、１０周期積層後、一様な組成のＦｅ₈₆Ｔ
ａ₁₁Ｎ₁₃を成膜、熱処理することにより、Ｎ濃度を０〜
１３ａｔ％の間で周期的に変化させてある。なお当然の
ことながら、ＦｅとＴａはＮ濃度と逆の傾向でその組成
が変化する。

【００３７】各場合の再生出力特性を（図１２）に示
す。（ａ）の組成変調範囲が４ｎｍの場合では、厚さが
薄くて拡散防止効果が不十分なためか、３ｄＢ以上の疑
似ギャップによるうねりが発生した。しかし（ｂ）
（ｃ）では拡散防止効果が十分なため、疑似ギャップに
よるうねりは１ｄＢ以下であり、実用的に問題の無い値
となった。

【００３８】本実施例における組成変調化膜は、それ自
体が透磁率の非常に高い、優れた特性を持つ磁性材料で
あることが特徴である。そのため他の実施例と異なり、
拡散防止のための組成変調部分が疑似ギャップとして作
用することは無い。よって本実施例のより、組成変調範
囲が５〜６ｎｍ以上あれば、疑似ギャップの発生を抑制
することができる。

【００３９】一方、金属窒化膜のフェライト基体からの
剥離は（表５）に示すように、各場合とも低い値を示し
た。

【００４０】

【表５】

【００４１】以上の結果より、金属窒化磁性膜を酸化物
磁性材料基体の界面から５ｎｍ以上の範囲にわたって組
成変調化すれば、疑似ギャップの発生を抑制できると同
時に、金属窒化磁性膜の酸化物磁性材料基体からの剥離
も抑制できることが分かった。

【００４２】

【発明の効果】本発明により、磁気記録用ＭＩＧヘッド
において、疑似ギャップの発生が抑制されると同時に、
金属磁性膜のフェライト基体からの剥離も抑制できるの
で、磁気ヘッドの再生特性が改善されると同時に生産性
を向上することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術によるＭＩＧヘッドの外観図

【図２】従来技術によるＭＩＧヘッドの磁気ギャップ近
傍の構造図

【図３】アノード電極に対して角度を持って配置した各
種材料をスパッタエッチングした時の、基板角度とスパ
ッタエッチング速度との関係を示した図。

【図４】本発明によるＭＩＧヘッドの外観図

【図５】（ａ）は従来技術を用いたＭＩＧヘッドの磁気
ギャップ近傍の構造図（ｂ）は本発明を用いた実施例１におけるＭＩＧヘッド
の磁気ギャップ近傍の構造図

【図６】（ａ）は従来技術を用いたＭＩＧヘッドの再生
出力特性図（ｂ）は本発明を用いた実施例１におけるＭＩＧヘッド
の再生出力特性図

【図７】本発明を用いた実施例２におけるＭＩＧヘッド
の磁気ギャップ近傍の構造図

【図８】本発明を用いた実施例２におけるＭＩＧヘッド
の再生出力特性図

【図９】（ａ）は従来技術を用いたＭＩＧヘッドの再生
出力特性図（ｂ）は本発明を用いた実施例３におけるＭＩＧヘッド
の再生出力特性図

【図１０】（ａ）は本発明を用いた実施例４におけるＭ
ＩＧヘッドにおいて、拡散防止膜にＣｒ膜を用いた場合
の再生出力特性図（ｂ）は本発明を用いた実施例４におけるＭＩＧヘッド
において、拡散防止膜に（Ｃｒ₂Ｎ＋ＣｒＮ）混合膜を
用いた場合の再生出力特性図（ｃ）は本発明を用いた実施例４におけるＭＩＧヘッド
において、拡散防止膜にＣｒＮ膜を用いた場合の再生出
力特性図

【図１１】（ａ）は本発明を用いた実施例５におけるＭ
ＩＧヘッドの金属窒化磁性膜の酸化物磁性材料基体界面
近傍の構造図で、組成変調範囲が２周期の場合（ｂ）は本発明を用いた実施例５におけるＭＩＧヘッド
の金属窒化磁性膜の酸化物磁性材料基体界面近傍の構造
図で、組成変調範囲が４周期の場合（ｃ）は本発明を用いた実施例５におけるＭＩＧヘッド
の金属窒化磁性膜の酸化物磁性材料基体界面近傍の構造
図で、組成変調範囲が１０周期の場合

【図１２】（ａ）は本発明を用いた実施例５におけるＭ
ＩＧヘッドにおいて、組成変調範囲が４ｎｍの場合の再
生出力特性図（ｂ）は本発明を用いた実施例５におけるＭＩＧヘッド
において、組成変調範囲が８ｎｍの場合の再生出力特性
図（ｃ）は本発明を用いた実施例５におけるＭＩＧヘッド
において、組成変調範囲が２０ｎｍの場合の再生出力特
性図

【符号の説明】

１酸化物磁性材料基体２金属磁性膜３接着ガラス４磁気ギャップ５拡散防止膜６ギャップ規制膜７Ｃｒ膜８凸状の突出部分９非窒化層１０窒化層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者榊間博大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ギャップを介して相対向する一対の高
透磁率コア半体の少なくとも一方が、単結晶または単結
晶と多結晶の複合構造を有する酸化物磁性材料より成る
基体上に金属磁性膜が形成されていると共に、一対のコ
ア半体を相互に連結するガラス部がコア半体の両側面ま
たは後背部に形成された磁気ヘッドにおいて、酸化物磁
性材料基体と金属磁性膜の界面に、両者を構成する原子
の拡散を防止する薄膜が形成され、かつ磁気ギャップ形
成面に対して非平行な面に形成された拡散防止膜の膜厚
が、磁気ギャップ形成面及び磁気ギャップ形成面と平行
な面に形成された拡散防止膜の膜厚よりも薄いことを特
徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】磁気ギャップ形成面に対して非平行な面に
形成された拡散防止膜の膜厚が４ｎｍ以下であり、また
磁気ギャップ形成面及び磁気ギャップ形成面に平行な面
に成膜された拡散防止膜の膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】磁気ギャップを介して相対向する一対の高
透磁率コア半体の少なくとも一方が、単結晶または単結
晶と多結晶の複合構造を有する酸化物磁性材料より成る
基体上に金属磁性膜が形成されていると共に、一対のコ
ア半体を相互に連結するガラス部がコア半体の両側面ま
たは後背部に形成された磁気ヘッドにおいて、磁気ギャ
ップ形成面及び磁気ギャップ形成面に平行な面にのみ、
酸化物磁性材料基体と金属磁性膜を構成する原子の拡散
を防止する薄膜が形成されたことを特徴とする磁気ヘッ
ド。
【請求項４】拡散防止膜が、少なくともＣｒ₂ＮとＣｒ
Ｎが混在する薄膜で形成されていることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】拡散防止膜が酸化けい素または酸化アルミ
ニウムを主成分とする薄膜で形成されていることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】拡散防止膜を一旦成膜後、スパッタエッチ
ング法を用い、スパッタガス粒子を主に磁気ギャップ形
成面の法線方向から入射させることで、磁気ギャップ形
成面に非平行な面上の拡散防止膜を優先的に薄くするこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項７】金属磁性膜に組成がＦｅ_XＭ_YＮ_Zで表され
る薄膜を用いたことを特徴とする請求項１〜６にいずれ
かに記載の磁気ヘッド。ただしＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｎｂ，Ｖ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎの群から選ばれ
た１種類以上の金属、Ｎは窒素を表し、３≦Ｙ≦３０、
１≦Ｚ≦２０、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００である。
【請求項８】磁気ギャップを介して相対向する一対の高
透磁率コア半体の少なくとも一方が、単結晶または単結
晶と多結晶の複合構造を有する酸化物磁性材料より成る
基体上に金属窒化磁性膜が形成されていると共に、一対
のコア半体を相互に連結するガラス部がコア半体の両側
面または後背部に形成された磁気ヘッドにおいて、酸化
物磁性材料基体と金属窒化磁性膜の界面近傍の金属窒化
磁性膜が膜厚方向に組成変調されていることを特徴とす
る磁気ヘッド。
【請求項９】金属窒化磁性膜の組成変調部分の厚さが５
ｎｍ以上であることを特徴とする請求項８記載の磁気ヘ
ッド。
【請求項１０】金属窒化磁性膜に組成がＦｅ_XＭ_YＮ_Zで
表される薄膜を用いたことを特徴とする請求項８または
９記載の磁気ヘッド。ただしＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｖ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎの群から選ばれた
１種類以上の金属、Ｎは窒素を表し、３≦Ｙ≦３０、１
≦Ｚ≦２０、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００である。