JPH04254361A - 樹脂封止型半導体デバイス用リードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体デバイス用リードフレーム

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Publication number
JPH04254361A
JPH04254361A JP3014646A JP1464691A JPH04254361A JP H04254361 A JPH04254361 A JP H04254361A JP 3014646 A JP3014646 A JP 3014646A JP 1464691 A JP1464691 A JP 1464691A JP H04254361 A JPH04254361 A JP H04254361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
sealing resin
lead frame
semiconductor device
heat radiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3014646A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyoshi Hashimoto
一義 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP3014646A priority Critical patent/JPH04254361A/ja
Publication of JPH04254361A publication Critical patent/JPH04254361A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体デバイ
ス用リードフレームに関し、特に放熱板を有する樹脂封
止型半導体デバイス用リードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体デバイ
ス用リードフレームは、図2(A),(B)に示すよう
に、半導体素子10を搭載固着するための半導体素子搭
載部1と、半導体素子10の各電極とそれぞれ対応して
接続するための複数のリード2と、半導体素子搭載部1
とつながり、各リード2の所定の部分,半導体素子10
及び半導体素子搭載部1等を封入するための封止樹脂部
20の内部にこの封止樹脂部20の一つの外表面に沿う
ように平板状に形成された放熱板3aとを有する構造と
なっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体デバイス用リードフレームは、放熱板3aが
封止樹脂部20の一つの外表面に沿うように平板状に形
成された構造となっているので、封止樹脂部20の寸法
を制限すると放熱板3aの寸法が限定されて半導体素子
に流せる電流の最大値が制約され、半導体素子に流す電
流を大きくすると封止樹脂部20の寸法が大きくなると
いう問題点があった。
【0004】本発明の目的は、封止樹脂部の寸法を大き
くすることなく半導体素子に流せる電流の値を大きくす
ることができる樹脂封止型半導体デバイス用リードフレ
ームを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体デバイス用リードフレームは、半導体素子を搭載固着
するための半導体素子搭載部と、前記半導体素子の各電
極とそれぞれ対応して接続するための複数のリードと、
前記半導体素子搭載部とつながり、前記各リードの所定
の部分,前記半導体素子,及び前記半導体素子搭載部を
封入するための封止樹脂部の内部でこの封止樹脂部の複
数の外表面に沿うように屈曲して形成された放熱板とを
有している。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【0007】図1(A),(B)はそれぞれ本発明の一
実施例を示す平面図及び断面側面図である。
【0008】この実施例が図2(A),(B)に示され
た従来の樹脂封止型半導体デバイス用リードフレームと
相違する点は、半導体素子搭載部1とつながる放熱板3
を、封止樹脂部20の内部でこの封止樹脂部20の複数
の外表面に沿うように屈曲して形成した点にある。
【0009】このように放熱板3を形成することにより
、放熱板3の表面積が大きくなり、しかもこの放熱板3
が封止樹脂部20の外表面に近接しているので、放熱能
力が向上し、半導体素子10に流せる電流の値を大きく
することができる。すなわち、半導体素子20が有する
特性,能力を十分活用することができる。また、半導体
素子10に流せる電流値を同一にした場合には、封止樹
脂部20の寸法を従来例より小さくすることができる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、放熱板を
、封止樹脂部の内部でこの封止樹脂部の複数の外表面に
沿うように屈曲して形成する構造とすることにより、封
止樹脂部の寸法を同一にした場合、放熱板の表面積を大
きくすることができるので、放熱能力が向上し半導体素
子に流せる電流の値を大きくすることができ、また半導
体素子に流せる電流の値を同一にすると封止樹脂部の寸
法を小さくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す平面図及び断面側面図
である。
【図2】従来の樹脂封止型半導体デバイス用リードフレ
ームの一例を示す平面図及び断面側面図である。
【符号の説明】
1    半導体素子搭載部 2    リード 3,3a    放熱板 10    半導体素子 20    封止樹脂部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体素子を搭載固着するための半導
    体素子搭載部と、前記半導体素子の各電極とそれぞれ対
    応して接続するための複数のリードと、前記半導体素子
    搭載部とつながり、前記各リードの所定の部分,前記半
    導体素子,及び前記半導体素子搭載部を封入するための
    封止樹脂部の内部でこの封止樹脂部の複数の外表面に沿
    うように屈曲して形成された放熱板とを有することを特
    徴とする樹脂封止型半導体デバイス用リードフレーム。
JP3014646A 1991-02-06 1991-02-06 樹脂封止型半導体デバイス用リードフレーム Pending JPH04254361A (ja)

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