JPH04255252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04255252A JPH04255252A JP1614691A JP1614691A JPH04255252A JP H04255252 A JPH04255252 A JP H04255252A JP 1614691 A JP1614691 A JP 1614691A JP 1614691 A JP1614691 A JP 1614691A JP H04255252 A JPH04255252 A JP H04255252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- bonding pad
- substrate
- polyimide film
- cover insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特にチップ上に被覆されたカバー絶縁膜上に保護
膜を形成する方法に関する。
係り，特にチップ上に被覆されたカバー絶縁膜上に保護
膜を形成する方法に関する。
【０００２】近年，チップ表面の保護と耐湿性の改善に
より半導体装置の信頼性を向上するため，従来のカバー
絶縁膜の上に保護膜としてポリイミド膜を被覆すること
が必要となってきている。
より半導体装置の信頼性を向上するため，従来のカバー
絶縁膜の上に保護膜としてポリイミド膜を被覆すること
が必要となってきている。
【０００３】本発明はこの必要性に対応し，特にボンデ
ィングパッド部において安定した保護膜の形成に利用で
きる。
ィングパッド部において安定した保護膜の形成に利用で
きる。
【０００４】
【従来の技術】従来例では，アルミニウム（Ａｌ）配線
が２層のものと３層のものではボンディングパッド部の
ポリイミドの膜厚の差は １．５〜２μｍ程度もあり，
パッドを露出させるためにポリイミド膜を溶解させよう
とすると， 同一溶解時間では溶解できなかった。
が２層のものと３層のものではボンディングパッド部の
ポリイミドの膜厚の差は １．５〜２μｍ程度もあり，
パッドを露出させるためにポリイミド膜を溶解させよう
とすると， 同一溶解時間では溶解できなかった。
【０００５】また，同一ウエハ内でもスクライブライン
上ではボンディングパッド上よりもポリイミド膜は２μ
ｍ程度厚く被着し，ボンディングパッド上のポリイミド
膜を正規の寸法に溶解除去した場合に，スクライブライ
ン上には厚さ２μｍのポリイミド膜が残ることになる。
上ではボンディングパッド上よりもポリイミド膜は２μ
ｍ程度厚く被着し，ボンディングパッド上のポリイミド
膜を正規の寸法に溶解除去した場合に，スクライブライ
ン上には厚さ２μｍのポリイミド膜が残ることになる。
【０００６】また逆に，スクライブライン上のポリイミ
ド膜を全部溶解しようとすると，ボンディングパッド上
の開口寸法は約２μｍ大きくなり，形状もいびつになる
。図２（Ａ），（Ｂ） は従来例を説明する断面図であ
る。
ド膜を全部溶解しようとすると，ボンディングパッド上
の開口寸法は約２μｍ大きくなり，形状もいびつになる
。図２（Ａ），（Ｂ） は従来例を説明する断面図であ
る。
【０００７】図２（Ａ） において，１はシリコン（Ｓ
ｉ）ウエハ，２は１層目Ａｌ配線， ３は層間絶縁膜で
りん珪酸ガラス（ＰＳＧ） 膜， ４は２層目Ａｌ配線
， ５はカバー絶縁膜でＰＳＧ 膜， ６は保護膜でポ
リイミド膜，７はパッド窓開口のためのレジスト膜であ
る。
ｉ）ウエハ，２は１層目Ａｌ配線， ３は層間絶縁膜で
りん珪酸ガラス（ＰＳＧ） 膜， ４は２層目Ａｌ配線
， ５はカバー絶縁膜でＰＳＧ 膜， ６は保護膜でポ
リイミド膜，７はパッド窓開口のためのレジスト膜であ
る。
【０００８】ここで，Ａｌ配線２，４はボンディングパ
ッドである。ＰＳＧ 膜５は通常のリソグラフィを用い
てパッド窓が開口されて２層目Ａｌ配線４の表面が露出
されている。その上にポリイミド膜６が回転塗布されて
いる。
ッドである。ＰＳＧ 膜５は通常のリソグラフィを用い
てパッド窓が開口されて２層目Ａｌ配線４の表面が露出
されている。その上にポリイミド膜６が回転塗布されて
いる。
【０００９】その上にレジスト膜７を被着し，投影露光
または密着露光によりボンディングパッド部を露光する
。図２（Ｂ） において，露光後，アルカリ現像液でパ
ッド窓開口部のレジスト膜７を溶解するとともにポリイ
ミド膜６も同じ現像液で溶解させる。
または密着露光によりボンディングパッド部を露光する
。図２（Ｂ） において，露光後，アルカリ現像液でパ
ッド窓開口部のレジスト膜７を溶解するとともにポリイ
ミド膜６も同じ現像液で溶解させる。
【００１０】このとき，ボンディングパッド部のポリイ
ミド膜６の塗布膜厚はカバーＰＳＧ 膜５上より厚く付
着しており，多層配線の層数が変わるたびにポリイミド
膜６の溶解時間が変わることになる。
ミド膜６の塗布膜厚はカバーＰＳＧ 膜５上より厚く付
着しており，多層配線の層数が変わるたびにポリイミド
膜６の溶解時間が変わることになる。
【００１１】また，上記のようにスクライブライン等の
深い部分にポリイミド膜６が残ってしまう。
深い部分にポリイミド膜６が残ってしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そのため，ポリイミド
膜をウエハ内およびデバイスの品種間で同一膜厚で被着
することが必要となる。
膜をウエハ内およびデバイスの品種間で同一膜厚で被着
することが必要となる。
【００１３】本発明は保護膜をウエハ内および品種間で
同一膜厚で被着できるようにし，特にボンディングパッ
ド部における保護膜の開口寸法の均一性とその形状の安
定化をはかることを目的とする。
同一膜厚で被着できるようにし，特にボンディングパッ
ド部における保護膜の開口寸法の均一性とその形状の安
定化をはかることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，半導
体基板（１） 上に導電膜からなるボンディングパッド
（４）を形成する工程と，該ボンディングパッド（４）
を覆ってカバー絶縁膜（５） を該基板上に被着する工
程と，該カバー絶縁膜（５） にボンディングパッド窓
を開口して該ボンディングパッド（４）の表面を露出さ
せる工程と，次いで該基板上にスピンオングラス膜（８
） を塗布して該基板の表面を平坦化する工程と，次い
で該基板上にポリイミド膜（６） を被着する工程と，
該ボンディングパッド窓上の該ポリイミド膜（６） と
該スピンオングラス膜（８） を開口する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法により達成さ
れる。
体基板（１） 上に導電膜からなるボンディングパッド
（４）を形成する工程と，該ボンディングパッド（４）
を覆ってカバー絶縁膜（５） を該基板上に被着する工
程と，該カバー絶縁膜（５） にボンディングパッド窓
を開口して該ボンディングパッド（４）の表面を露出さ
せる工程と，次いで該基板上にスピンオングラス膜（８
） を塗布して該基板の表面を平坦化する工程と，次い
で該基板上にポリイミド膜（６） を被着する工程と，
該ボンディングパッド窓上の該ポリイミド膜（６） と
該スピンオングラス膜（８） を開口する工程とを有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法により達成さ
れる。
【００１５】
【作用】本発明はＳＯＧ 膜の回転塗布による平坦化を
行った後ポリイミド膜を基板上均一の厚さに被着するこ
とにより，ポリイミド膜のエッチング条件をウエハ上で
均一化したものである。
行った後ポリイミド膜を基板上均一の厚さに被着するこ
とにより，ポリイミド膜のエッチング条件をウエハ上で
均一化したものである。
【００１６】この結果， ボンディングパッド窓を精度
よく開口でき， スクライブライン等基板上の深い部分
の残渣を残すことなくポリイミド膜のエッチングができ
るようになった。
よく開口でき， スクライブライン等基板上の深い部分
の残渣を残すことなくポリイミド膜のエッチングができ
るようになった。
【００１７】なお，ＳＯＧ 膜とポリイミド膜の組み合
わせは，信頼性上耐湿性に問題なく，従来のポリイミド
膜単独の場合と相違ないことを確かめた結果採用したも
のである。なお，ＳＯＧ 膜の平坦部での厚さをできる
だけ薄く塗布すればさらに効果的である。
わせは，信頼性上耐湿性に問題なく，従来のポリイミド
膜単独の場合と相違ないことを確かめた結果採用したも
のである。なお，ＳＯＧ 膜の平坦部での厚さをできる
だけ薄く塗布すればさらに効果的である。
【００１８】
【実施例】図１ （Ａ）〜（Ｂ） は本発明の一実施例
を説明する断面図である。図１（Ａ） において，１は
Ｓｉウエハ，２は厚さ４０００Åの１層目Ａｌ配線，
３は層間絶縁膜で厚さ１μｍのＰＳＧ 膜， ４は厚さ
７０００Åの２層目Ａｌ配線， ５はカバー絶縁膜で厚
さ１μｍのＰＳＧ 膜， ６は保護膜で厚さ１μｍのポ
リイミド膜，７はパッド窓開口のための厚さ４μｍのレ
ジスト膜，８は平坦化膜でスピンオングラス（ＳＯＧ）
膜である。
を説明する断面図である。図１（Ａ） において，１は
Ｓｉウエハ，２は厚さ４０００Åの１層目Ａｌ配線，
３は層間絶縁膜で厚さ１μｍのＰＳＧ 膜， ４は厚さ
７０００Åの２層目Ａｌ配線， ５はカバー絶縁膜で厚
さ１μｍのＰＳＧ 膜， ６は保護膜で厚さ１μｍのポ
リイミド膜，７はパッド窓開口のための厚さ４μｍのレ
ジスト膜，８は平坦化膜でスピンオングラス（ＳＯＧ）
膜である。
【００１９】ここで，Ａｌ配線２，４はボンディングパ
ッドである。ＰＳＧ 膜５は通常のリソグラフィを用い
てパッド窓が開口されて２層目Ａｌ配線４の表面が露出
される。 その上にカバー絶縁膜５上での厚さが３０００ÅのＳＯ
Ｇ 膜８が回転塗布され，基板表面は平坦化されている
。
ッドである。ＰＳＧ 膜５は通常のリソグラフィを用い
てパッド窓が開口されて２層目Ａｌ配線４の表面が露出
される。 その上にカバー絶縁膜５上での厚さが３０００ÅのＳＯ
Ｇ 膜８が回転塗布され，基板表面は平坦化されている
。
【００２０】さらにその上にレジスト膜７を被着し，投
影露光または密着露光によりボンディングパッド部を露
光する。図２（Ｂ） において，露光後，アルカリ現像
液でパッド窓開口部のレジスト膜７を溶解するとともに
ポリイミド膜６も同じ現像液で溶解させる。
影露光または密着露光によりボンディングパッド部を露
光する。図２（Ｂ） において，露光後，アルカリ現像
液でパッド窓開口部のレジスト膜７を溶解するとともに
ポリイミド膜６も同じ現像液で溶解させる。
【００２１】ついで，現像後の残ったレジスト膜７をマ
スクにして ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２（１００／１００
／５０ ＳＣＣＭ） のガスにより準異方性エッチング
を行ってＳＯＧ 膜８を開口し，その後， Ｏ２プラズ
マアッシングによりレジスト膜７を除去する。
スクにして ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２（１００／１００
／５０ ＳＣＣＭ） のガスにより準異方性エッチング
を行ってＳＯＧ 膜８を開口し，その後， Ｏ２プラズ
マアッシングによりレジスト膜７を除去する。
【００２２】図２（Ｃ） は以上の工程を経てポリイミ
ド膜６とＳＯＧ 膜８が開口されたパッド部を示す。
ド膜６とＳＯＧ 膜８が開口されたパッド部を示す。
【００２３】
【発明の効果】保護膜をウエハ内および品種間で同一膜
厚で被着できるようになり，ウエハ上の深い部分に残渣
が残ることなく， 安定して保護膜のエッチング処理が
行えるようになった。
厚で被着できるようになり，ウエハ上の深い部分に残渣
が残ることなく， 安定して保護膜のエッチング処理が
行えるようになった。
【００２４】特にボンディングパッド部における保護膜
の開口寸法の均一性とその形状の安定化が達成された。 この結果， チップ上に耐湿性の優れた安定した保護膜
が形成できるようになり， 半導体装置の信頼性向上に
寄与することができた。
の開口寸法の均一性とその形状の安定化が達成された。 この結果， チップ上に耐湿性の優れた安定した保護膜
が形成できるようになり， 半導体装置の信頼性向上に
寄与することができた。
【図１】 本発明の一実施例を説明する断面図
【図２
】 従来例を説明する断面図
】 従来例を説明する断面図
１ Ｓｉウエハ
２ １層目Ａｌ配線
３ 層間絶縁膜でＰＳＧ 膜
４ ２層目Ａｌ配線
５ カバー絶縁膜でＰＳＧ 膜
６ 保護膜でポリイミド膜
７ レジスト膜
８ 平坦化膜でＳＯＧ 膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板（１） 上に導電膜からな
るボンディングパッド（４）を形成する工程と，該ボン
ディングパッド（４）を覆ってカバー絶縁膜（５） を
該基板上に被着する工程と，該カバー絶縁膜（５） に
ボンディングパッド窓を開口して該ボンディングパッド
（４）の表面を露出させる工程と，次いで該基板上にス
ピンオングラス膜（８） を塗布して該基板の表面を平
坦化する工程と，次いで該基板上にポリイミド膜（６）
を被着する工程と，該ボンディングパッド窓上の該ポ
リイミド膜（６） と該スピンオングラス膜（８） を
開口する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1614691A JPH04255252A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1614691A JPH04255252A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255252A true JPH04255252A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11908362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1614691A Withdrawn JPH04255252A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255252A (ja) |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP1614691A patent/JPH04255252A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |