JPH04257262A - イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやイメー
ジスキャナ等の読み取り部として用いられるイメージセ
ンサに係り、特に各電極からの引き出し配線と他の電極
とのショートを少なくすることができるイメージセンサ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のイメージセンサにおいて、特に密
着型イメージセンサは、原稿等の画像情報を１対１に投
影し、電気信号に変換するものである。この場合、投影
した画像を多数の画素（受光素子）に分割し、各受光素
子で発生した電荷を薄膜トランジスタスイッチ素子（Ｔ
ＦＴ）を使って特定のブロック単位で多層配線の配線容
量に一時蓄積して、電気信号として数百ＫＨｚから数Ｍ
Ｈｚまでの速度で時系列的に順次読み出すＴＦＴ駆動型
イメージセンサがある。このＴＦＴ駆動型イメージセン
サは、ＴＦＴの動作により単一の駆動用ＩＣで読み取り
が可能となるので、イメージセンサを駆動する駆動用Ｉ
Ｃの個数を少なくするものである。

【０００３】ＴＦＴ駆動型イメージセンサは、例えば、
その等価回路図を図９に示すように、原稿幅と略同じ長
さのライン状の受光素子アレイ１１と、各受光素子１１
′に１１に対応する複数個の薄膜トランジスタＴｉ，ｊ
　（ｉ＝１〜Ｎ，　ｊ＝１〜ｎ）から成る電荷転送部１
２と、多層配線１３とから構成されている。

【０００４】前記受光素子アレイ１１は、Ｎ（６４）個
のブロックの受光素子群に分割され、一つの受光素子群
を形成するｎ（３８）個の受光素子１１′は、フォトダ
イオードＰｉ，ｊ　（ｉ＝１〜Ｎ，　ｊ＝１〜ｎ）によ
り等価的に表すことができる。各受光素子１１′は各薄
膜トランジスタＴｉ，ｊ　のドレイン電極にそれぞれ接
続されている。そして、薄膜トランジスタＴｉ，ｊ　の
ソース電極は、マトリックス状に形成された多層配線１
３を介して受光素子群毎にｎ本の共通信号線１４にそれ
ぞれ接続され、更に共通信号線１４は駆動用ＩＣ１５に
接続されている。

【０００５】各薄膜トランジスタＴｉ，ｊ　のゲ−ト電
極には、ブロック毎に導通するようにゲートパルス発生
回路１６が接続されている。各受光素子１１′で発生す
る光電荷は一定時間受光素子の寄生容量と薄膜トランジ
スタのドレイン・ゲート間のオーバーラップ容量に蓄積
された後、薄膜トランジスタＴｉ，ｊ　を電荷転送用の
スイッチとして用いてブロック毎に順次多層配線１３の
配線容量Ｃｉ　（ｉ＝１〜ｎ）に転送蓄積される。

【０００６】すなわち、ゲートパルス発生回路１６から
のゲートパルスφＧ１により、第１のブロックの薄膜ト
ランジスタＴ１，１　〜Ｔ１，ｎ　がオンとなり、第１
のブロックの各受光素子１１″で発生して寄生容量等に
蓄積された電荷が各配線容量Ｃｉ　に転送蓄積される。 そして、各配線容量Ｃｉ　に蓄積された電荷により各共
通信号線１４の電位が変化し、この電圧値を駆動用ＩＣ
１５内のアナログスイッチＳＷｉ　（ｉ＝１〜ｎ）を順
次オンして時系列的に出力線１７に抽出する。

【０００７】そして、次にゲートパルスφＧ２　〜φＧ
ｎ　により第２〜第Ｎのブロックの薄膜トランジスタＴ
２，１　〜Ｔ２，ｎ　からＴＮ，１　〜ＴＮ，ｎ　まで
がそれぞれオンすることによりブロック毎に受光素子側
の電荷が転送され、順次読み出すことにより原稿の主走
査方向の１ラインの画像信号を得、ローラ等の原稿送り
手段（図示せず）により原稿を移動させて前記動作を繰
り返し、原稿全体の画像信号を得るものである（特開昭
６３−９３５８号公報参照）。

【０００８】次に、上記従来のイメージセンサにおける
受光素子と薄膜トランジスタの具体的構成について、図
１０の受光素子、薄膜トランジスタ及び多層配線の一部
の断面説明図を使って説明する。

【０００９】従来の受光素子の構成は、図１０に示すよ
うに、ガラスまたはセラミック等の絶縁性の基板２１上
に受光素子１１′の下部の共通電極となるクロム（Ｃｒ
）等による帯状の金属電極２２と、各受光素子１１′毎
（ビット毎）に分割形成された水素化アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層２３と、同様に
分割形成された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成
る上部の透明電極２４とが順次積層するサンドイッチ型
を構成している。

【００１０】尚、ここでは下部の金属電極２２は主走査
方向に帯状に形成され、金属電極２２の上に光導電層が
離散的に分割して形成され、上部の透明電極２４も同様
に離散的に分割して個別電極となるよう形成されること
により、光導電層２３を金属電極２２と透明電極２４と
で挟んだ部分が各受光素子１１′を構成し、その集まり
が受光素子アレイ１１を形成している。そして、図９に
示すように、金属電極２２には、一定の電圧ＶＢ　が印
加されている。

【００１１】また、離散的に分割形成されたそれぞれの
透明電極２４の一端にはアルミニウム等の配線３０ａの
一方が接続され、その配線３０ａの他方が電荷転送部１
２の薄膜トランジスタＴｉ，ｊ　のドレイン電極４１に
接続されている。

【００１２】また、従来のイメージセンサの薄膜トラン
ジスタの構成は、図１０に示すように、前記基板２１上
にゲ−ト電極２５としてのクロム（Ｃｒ１）層、ゲ−ト
絶縁層２６としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ　）、半
導体活性層２７としての水素化アモルファスシリコン（
ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲ−ト電極２５に対向するよう設け
られたトップ絶縁層２９としてのシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎｘ）、オ−ミックコンタクト層２８としてのｎ＋　水
素化アモルファスシリコン（ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、
ドレイン電極４１とソース電極４２としてのクロム（Ｃ
ｒ２）層、その上に層間絶縁層４０としてポリイミド層
、更にその上に配線層３０ａまたはトップ絶縁層２９の
上部においてはａ−Ｓｉ：Ｈ層の遮光用としてのアルミ
ニウム層の遮光用金属層３０とを順次積層した逆スタガ
構造のトランジスタである。

【００１３】遮光用金属層３０は、トップ絶縁層２９を
透過してａ−Ｓｉ：Ｈ層に光が入り込んで光電変換作用
を引き起こすのを防ぐために設けられている。そして、
ドレイン電極４１には受光素子１１′の透明電極２４か
らの配線３０ａが、ソ−ス電極４２には多層配線１３か
らの配線３０ｂが接続されている。

【００１４】ここでオ−ミックコンタクト層２８はドレ
イン電極４１に接触する部分の層２８ａとソース電極４
２に接触する部分の層２８ｂとに分割して形成されてい
る。また、ドレイン電極４１とソース電極４２としての
クロム（Ｃｒ２）層はそのオ−ミックコンタクト層２８
の２８ａ部分と２８ｂ部分をそれぞれ覆うように形成さ
れている。上記クロム（Ｃｒ２）層は、配線３０ａ，３
０ｂのアルミニウム層の蒸着またはスパッタ法による着
膜時のダメージを防ぎ、オ−ミックコンタクト層２８の
ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈの特性を保持する役割を果たしてい
る。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイメージセンサでは、アルミニウム（Ａｌ）等の金
属層を用いてＴＦＴの遮光用金属層３０としているため
、遮光用金属層３０とソース電極４２の引き出し配線３
０ａ又はドレイン電極４１の引き出し配線３０ｂとが接
近しすぎると、ソース電極４２とドレイン電極４１との
間において、遮光用金属層３０を介してショートが発生
するとの問題点があった。

【００１６】また、アルミニウム（Ａｌ）の層で遮光用
金属層３０を形成することになると、遮光用金属層３０
をドレイン・ソース両電極の引き出し配線３０ａ，３０
ｂに接触しないように、すなわち間隙を有するように形
成する必要があり、その間隙のために遮光性が不十分に
なるとの問題点があった。

【００１７】更に、薄膜トランジスタの層間絶縁層４０
の膜厚がソース・ドレイン両電極のエッジ近傍で薄くな
る傾向があるため、ドレイン・ソース両電極の引き出し
配線３０ａ，３０ｂとゲ−ト電極２５との間にショート
が発生することがあり、また層間絶縁層４０にピンホー
ルが存在する場合にも同様にショートが発生するとの問
題点があった。

【００１８】また、受光素子部においても、受光素子の
パターンエッジ近傍にて層間絶縁層４０の膜厚が薄くな
る傾向があるため、受光素子の透明電極２４から引き出
された配線３０ａと受光素子の金属電極２２との間にシ
ョートが発生することがあり、また層間絶縁層４０にピ
ンホールが存在する場合にも同様にショートが発生する
との問題点があった。

【００１９】本発明は、上記実情に鑑みて為されたもの
で、イメージセンサの層間絶縁層上に遮光性と絶縁性を
有する膜を形成することにより、各電極からの引き出し
部　　（引き出し配線）と他の電極との間に発生するシ
ョートを低減することができるイメージセンサを提供す
ることを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、ゲ−ト電極、ドレ
イン電極及びソ−ス電極を具備する薄膜トランジスタ素
子を有するイメ−ジセンサにおいて、前記ドレイン電極
及び前記ソ−ス電極を覆うように形成された層間絶縁層
と、前記層間絶縁層を覆うように絶縁性と遮光性を有す
るよう形成された遮光層と、前記層間絶縁層と前記遮光
層にコンタクトホ−ルを形成して前記ドレイン電極に接
続する配線と前記ソ−ス電極に接続する配線とを設けた
ことを特徴としている。

【００２１】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、ゲ−ト電極、ドレイン電極及びソ−
ス電極を具備する薄膜トランジスタ素子を有するイメ−
ジセンサにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソ−ス電
極を覆うように形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁
層を覆うように上下層部分が絶縁性を有し、中間層部分
が遮光性と絶縁性を有するよう化学組成を変化させて形
成された遮光層と、前記層間絶縁層と前記遮光層にコン
タクトホ−ルを形成して前記ドレイン電極に接続する配
線と前記ソ−ス電極に接続する配線とを設けたことを特
徴としている。

【００２２】上記従来例の問題点を解決するための請求
項３記載の発明は、ゲ−ト電極、ドレイン電極及びソ−
ス電極を具備する薄膜トランジスタ素子を有するイメ−
ジセンサにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソ−ス電
極を覆うように形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁
層を覆うように絶縁性を有するよう形成された第１の遮
光層と、前記第１の遮光層上に遮光性と絶縁性を有する
よう形成された第２の遮光層と、前記第２の遮光層上に
絶縁性を有するよう形成された第３の遮光層と、前記層
間絶縁層と前記第１の遮光層、前記第２の遮光層及び前
記第３の遮光層にコンタクトホ−ルを形成して前記ドレ
イン電極に接続する配線と前記ソ−ス電極に接続する配
線とを設けたことを特徴としている。

【００２３】上記従来例の問題点を解決するための請求
項４記載の発明は、基板上に金属電極、光導電層、透明
電極を順次積層した受光素子を有するイメ−ジセンサに
おいて、前記受光素子を覆うように形成された層間絶縁
層と、前記受光素子の端部を覆うように前記層間絶縁層
を介して形成された絶縁性と遮光性を有する遮光層と、
前記層間絶縁層と前記遮光層にコンタクトホ−ルを形成
して前記透明電極に接続する配線とを設けたことを特徴
としている。

【００２４】上記従来例の問題点を解決するための請求
項５記載の発明は、基板上に金属電極、光導電層、透明
電極を順次積層した受光素子と、ゲ−ト電極、ドレイン
電極及びソ−ス電極を具備する薄膜トランジスタ素子と
を有するイメ−ジセンサにおいて、前記受光素子の前記
透明電極と前記薄膜トランジスタ素子の前記ドレイン電
極及び前記ソ−ス電極を覆うように形成された層間絶縁
層と、前記受光素子部分では前記受光素子の端部を覆う
ように、前記薄膜トランジスタ素子部分では前記層間絶
縁層を覆うように形成された絶縁性と遮光性を有する遮
光層と、前記層間絶縁層と前記遮光層にコンタクトホ−
ルを形成して前記透明電極に接続する配線と、前記ドレ
イン電極に接続する配線と、前記ソ−ス電極に接続する
配線とを設けたことを特徴としている。

【００２４】

【作用】請求項１記載の発明によれば、薄膜トランジス
タ部分において、層間絶縁層を覆うように絶縁性と遮光
性を有する遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光層にコン
タクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス電極に接
続する配線を設けたイメ−ジセンサとしているので、ド
レイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続する配線
との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−ト電極
との間のショ−トも防止することができる。

【００２５】請求項２記載の発明によれば、薄膜トラン
ジスタ部分において、層間絶縁層を覆うように上下層が
絶縁性を有し、中間層が遮光性と絶縁性を有するよう化
学組成を変化させた遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光
層にコンタクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス
電極に接続する配線を設けたイメ−ジセンサとしている
ので、ドレイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続
する配線との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ
−ト電極との間のショ−トも防止することができる。

【００２６】請求項３記載の発明によれば、薄膜トラン
ジスタ部分において、層間絶縁層を覆うように絶縁性を
有する第１の遮光層と、遮光性と絶縁性を有する第２の
遮光層と、絶縁性を有する第３の遮光層とを形成し、層
間絶縁層と第１の遮光層、第２の遮光層、第３の遮光層
にコンタクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス電
極に接続する配線を設けたイメ−ジセンサとしているの
で、ドレイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続す
る配線との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−
ト電極との間のショ−トも防止することができる。

【００２７】請求項４記載の発明によれば、受光素子部
分において、透明電極の端部を覆うように層間絶縁層上
に絶縁性と遮光性を有する遮光層を形成し、層間絶縁層
と遮光層にコンタクトホ−ルを形成して透明電極に接続
する配線を設けたイメ−ジセンサとしているので、透明
電極に接続する配線と金属電極との間におけるショ−ト
を防止することができる。

【００２８】請求項５記載の発明によれば、イメ−ジセ
ンサにおいて、受光素子部分では透明電極の端部を覆う
ように層間絶縁層を介して、薄膜トランジスタ部分では
全体を覆うように層間絶縁層を介して絶縁性と遮光性を
有する遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光層にコンタク
トホ−ルを形成して透明電極に接続し、ドレイン電極に
接続する配線と、ソ−ス電極に接続する配線とを設けた
イメ−ジセンサとしているので、受光素子部分では透明
電極に接続する配線と金属電極との間におけるショ−ト
を防止することができ、薄膜トランジスタ部分ではドレ
イン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続する配線と
の間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−ト電極と
の間のショ−トも防止することができる。

【００２９】

【実施例】本発明の一実施例について、図面を参照しな
がら説明する。図１に本発明の一実施例に係るイメージ
センサの受光素子及び薄膜トランジスタの平面説明図を
、図２に図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図を示す。図９
及び図１０の構成と同一の構成をとる部分については同
一の符号を使って説明する。

【００３０】イメージセンサは、図９に示す等価回路と
同様の構成の回路となっており、ガラス等の絶縁性の基
板上に並設されたｎ個のサンドイッチ型の受光素子（フ
ォトダイオードＰ）１１′を１ブロックとし、このブロ
ックをＮ個有して成る受光素子アレイ１１（Ｐ１，１　
〜ＰＮ，ｎ）と、各受光素子１１′にそれぞれ接続され
た薄膜トランジスタ（Ｔ１，１　〜ＴＮ，ｎ）の電荷転
送部１２と、マトリックス形状の多層配線１３と、電荷
転送部１２から多層配線１３を介してブロック内の受光
素子毎に対応するｎ本の共通信号線１４と、共通信号線
１４が接続する駆動用ＩＣ１５内のアナログスイッチＳ
Ｗ１　〜ＳＷｎ　とから構成されている。

【００３１】受光素子１１′は、図１及び図２に示すよ
うに、ガラスまたはセラミック等の絶縁性の基板２１上
に受光素子１１′の下部の共通電極となるクロム（Ｃｒ
）等による帯状の金属電極２２と、各受光素子１１′毎
（ビット毎）に分割形成された水素化アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層２３と、同様に
分割形成された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成
る上部の透明電極２４とが順次積層するサンドイッチ型
を構成している。

【００３２】尚、ここでは下部の金属電極２２は主走査
方向に帯状に形成され、金属電極２２の上に光導電層２
３が離散的に分割して形成され、上部の透明電極２４も
同様に離散的に分割して個別電極となるよう形成される
ことにより、光導電層２３を金属電極２２と透明電極２
４とで挟んだ部分が各受光素子１１′を構成し、その集
まりが受光素子アレイ１１を形成している。そして、金
属電極２２には、一定の電圧ＶＢ　が印加されている。

【００３３】このように、光導電層２３と透明電極２４
を個別化したのは、ａ−Ｓｉ：Ｈの光導電層２３が共通
層であると、その共通層のために隣接する電極間で干渉
が起こるので、この干渉を少なくするためである。

【００３４】また、離散的に分割形成されたそれぞれの
透明電極２４の一端にはアルミニウム等の配線３０ａの
一方が接続され、その配線３０ａの他方が電荷転送部１
２の薄膜トランジスタＴｉ，ｊ　のドレイン電極４１に
接続されている。

【００３５】尚、受光素子１１′において、水素化アモ
ルファスシリコンの代わりにＣｄＳｅ（カドミウムセレ
ン）等を光導電層とすることも可能である。更に、受光
素子１１′の光導電層２３にａ−Ｓｉ：Ｈ、ｐ−ｉ−ｎ
を用いてもよいし、ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＧｅを用いて
もよい。また、上記受光素子１１′はフォトダイオード
であるが、フォトコンダクタ、フォトトランジスタであ
っても構わない。

【００３６】また、電荷転送部１２を構成する薄膜トラ
ンジスタは、図１及び図２に示すように、前記基板２１
上にゲ−ト電極２５としてのクロム（Ｃｒ１）層、ゲ−
ト絶縁層２６としての窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ　）、
半導体活性層２７としての水素化アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲ−ト電極２５に対向するよう設
けられたトップ絶縁層２９としての窒化シリコン膜、オ
−ミックコンタクト層２８としてのｎ＋　水素化アモル
ファスシリコン（ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ドレイン電
極４１とソース電極４２としてのクロム（Ｃｒ２）層、
その上に層間絶縁層４０としてのポリイミド層、ＴＦＴ
上部を覆うように遮光層４４の酸化ゲルマニュウム（Ｇ
ｅＯｘ　）膜、ドレイン電極４１とソース電極４２に接
続するアルミニウム（Ａｌ）の配線３０ａ，３０ｂとを
順次積層した逆スタガ構造のトランジスタである。

【００３７】遮光層４４は、トップ絶縁層２９を透過し
てａ−Ｓｉ：Ｈ層に光が入り込んで光電変換作用を引き
起こすのを防ぐために設けられている。ここでオ−ミッ
クコンタクト層２８はドレイン電極４１に接触する部分
の層２８ａとソース電極４２に接触する部分の層２８ｂ
とに分割して形成されている。また、ドレイン電極４１
とソース電極４２としてのクロム（Ｃｒ２）層はそのオ
−ミックコンタクト層２８の２８ａ部分と２８ｂ部分を
それぞれ覆うように形成されている。上記クロム（Ｃｒ
２）層は、配線３０ａ，３０ｂのアルミニウム層の蒸着
またはスパッタ法による着膜時のダメージを防ぎ、オ−
ミックコンタクト層２８のｎ＋　ａ−ＳｉＨ層の特性を
保持する役割を果たしている。

【００３８】そして、ドレイン電極４１には受光素子１
１′の透明電極２４からの配線３０ａが接続され、また
、ソース電極４２には多層配線１３へのアルミニウムの
配線３０ｂが接続され、配線３０ｂは多層配線１３の下
部信号線３１に接続し、コンタクトホ−ル３５にて上部
信号線３２に接続する構成となっている。また、上記半
導体活性層２７としてｐｏｌｙ−Ｓｉ等の別の材料を用
いても同様の効果が得られる。

【００３９】また、遮光層４４のＧｅＯｘ　膜は、膜厚
方向に組成勾配を持つように、スパッタ雰囲気のガス分
圧を徐々にコントロールして形成されるもので、具体的
には酸素Ｏ２　の量をＧｅＯｘ　膜形成の最初と最後の
段階で多くし、途中段階で少なくすることで、遮光層４
４の下層部分と上層部分とが絶縁性を有し、中間層は遮
光性を有するように形成されるものである。

【００４０】次に、受光素子１１′部分および薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）部分の製造方法について説明する。

【００４１】まず、検査、洗浄されたガラス等の絶縁性
基板２１上に、薄膜トランジスタのゲート電極２５とな
るクロム（Ｃｒ１）層をＤＣスパッタにより７５０オン
グストロ−ム程度の厚さで約１５０℃の温度にて着膜す
る。

【００４２】次に、クロム（Ｃｒ１）層をフォトリソプ
ロセスと、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水の
混合液を用いたエッチング工程によりパターニングして
、ゲ−ト電極２５のパターンを形成するし、レジストを
剥離する。

【００４３】そして、アルカリ洗浄を行い、クロムパタ
ーン上に薄膜トランジスタのゲ−ト絶縁膜２６と、その
上の半導体活性層２７と、またその上のトップ絶縁層２
９とを形成するために、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ　）
を３０００オングストロ−ム程度の厚さで、水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層を５００オングス
トロ−ム程度の厚さで、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ　）
を１５００オングストロ−ム程度の厚さで順に真空を破
らずにプラズマＣＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）により連続着膜す
る。 真空を破らずに連続的に着膜することでそれぞれの界面
の汚染を防ぐことができ、ＴＦＴの特性の安定化を図る
ことができる。

【００４４】ゲ−ト絶縁層２６の絶縁膜（ｂ−ＳｉＮｘ
　）をＰ−ＣＶＤで形成する条件は、基板温度が３００
〜４００℃で、ＳｉＨ４　とＮＨ３　のガス圧力が０．
１〜０．５Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４　のガス流量が１０〜
５０ｓｃｃｍで、ＮＨ３　のガス流量が１００〜３００
ｓｃｃｍで、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗである。

【００４５】半導体活性層２７のａ−Ｓｉ：Ｈ膜をＰ−
ＣＶＤで形成する条件は、基板温度が約２００〜３００
℃で、ＳｉＨ４　のガス圧力が０．１〜０．５ＯＴｏｒ
ｒで、ＳｉＨ４　ガス流量が１００〜３００ｓｃｃｍで
、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗである。

【００４６】トップ絶縁層２９の絶縁膜（ｔ−ＳｉＮｘ
　）をＰ−ＣＶＤで形成する条件は、基板温度が約２０
０〜３００℃で、ＳｉＨ４　とＮＨ３　のガス圧力が０
．１〜０．５Ｔｏｒｒで、ＳｉＨ４　のガス流量が１０
〜５０ｓｃｃｍで、ＮＨ３　のガス流量が１００〜３０
０ｓｃｃｍで、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗである。

【００４７】次に、ゲ−ト電極２５に対応するような形
状でトップ絶縁層２９のパターンを形成するために、フ
ォトリソ工程と、ＨＦとＮＨ４　Ｆの混合液を用いたエ
ッチング工程により、トップ絶縁層２９のパターンを形
成する。

【００４８】さらに、ＢＨＦ処理を行い、その上にオ−
ミックコンタクト層２８としてｎ＋　型のａ−Ｓｉ：Ｈ
をＳｉＨとＰＨ３　の混合ガスを用いたＰ−ＣＶＤ法に
より１０００オングストロ−ム程度の厚さで約２５０℃
程度の温度で着膜する。

【００４９】次に、受光素子１１′の下部の金属電極２
２及びＴＦＴのドレイン電極４１とソース電極４２とな
る第２のＣｒ（Ｃｒ２）層をＤＣマグネトロンスパッタ
により１５００オングストロ−ム程度の厚さで着膜する
。

【００５０】次に、受光素子１１′の光導電層となるａ
−Ｓｉ：ＨをＰ−ＣＶＤ法により１３０００オングスト
ロ−ム程度の厚さで着膜し、受光素子１１′の透明電極
２４となるＩＴＯをＤＣマグネトロンスパッタにより７
００オングストロ−ム程度の厚さで着膜する。この時、
それぞれの着膜の前にアルカリ洗浄を行う。

【００５１】上記光導電層２３のａ−Ｓｉ：Ｈ膜をＰ−
ＣＶＤで形成する条件は、基板温度が１７０〜２５０℃
で、ＳｉＨ４　のガス圧力が０．３〜０．７Ｔｏｒｒで
、ＳｉＨ４　のガス流量が１５０〜３００ｓｃｃｍで、
ＲＦパワーが１００〜２００Ｗである。

【００５２】また、上記ＩＴＯをＤＣスパッタで形成す
る条件は、基板温度が室温で、ＡｒとＯ２　のガス圧力
が１．５×１０−３Ｔｏｒｒで、Ａｒガス流量が１００
〜１５０ｓｃｃｍで、Ｏ２　ガス流量が１〜２ｓｃｃｍ
で、ＤＣパワーが２００〜４００Ｗである。

【００５３】この後、受光素子１１′の透明電極２４の
個別電極を形成するために、ＩＴＯをフォトリソプロセ
スと、塩化第２鉄と塩酸の混合液を用いたエッチング工
程でパターニングする。次に、同一のレジストパターン
により光導電層２３のａ−Ｓｉ：Ｈ層をＣＦ４　とＯ２
　の混合ガスを用いたドライエッチングによりパターニ
ングする。ここで、金属電極２２のクロム（Ｃｒ２）層
は、ａ−Ｓｉ：Ｈのドライエッチング時にストッパーと
しての役割を果たし、パターニングされずに残ることに
なる。このドライエッチング時において、光導電層２３
のａ−Ｓｉ：Ｈ層には、サイドエッチが大きく入るため
、レジストを剥離する前に再度ＩＴＯのエッチングを行
う。すると、ＩＴＯの周辺裏側からさらにエッチングさ
れて光導電層２３のａ−Ｓｉ：Ｈ層と同じサイズに形成
される。

【００５４】次に、受光素子１１′の金属電極２２のク
ロム（Ｃｒ２）層、ＴＦＴのソース電極４２とドレイン
電極４１のクロム（Ｃｒ２）層のパタ−ンを形成するた
めのフォトリソマスクを用い、フォトリソ法により露光
現像を行いレジストパターンを形成し、硝酸セリウムア
ンモニウム、過塩素酸と水の混合液を用いたエッチング
工程で、パターニングを行い、レジスト剥離を行う。こ
のパターニングにおいて、金属電極２２、ソース電極４
２とドレイン電極４１のパターンか形成される。

【００５５】次に、ＨＦ４　とＯ２　の混合ガスでドラ
イエッチングを行うと、Ｃｒ２とＳｉＮｘ　のない部分
がエッチングされ、つまり、ａ−Ｓｉ：Ｈ層とｎ＋　型
のａ−Ｓｉ：Ｈ層のパターンが形成される。これにより
、受光素子１１′の金属電極２２のクロム（Ｃｒ２）層
の下層となるｎ＋　型のａ−Ｓｉ：Ｈ層及びａ−Ｓｉ：
Ｈ層、それにＴＦＴのオ−ミックコンタクト層２８のｎ
＋　型のａ−Ｓｉ：Ｈ層部分と半導体活性層２７のａ−
Ｓｉ：Ｈ層部分がエッチングされる。このようにして、
半導体活性層２７のパターンが形成され、更にオ−ミッ
クコンタクト層２８も分割されてドレイン電極４１に接
触する部分２８ａとソース電極４２に接触する部分２８
ｂのパターンが形成される。

【００５６】次に、ＴＦＴのゲ−ト絶縁層２６のパター
ンを形成するために、ｂ−ＳｉＮｘ　膜をＨＦ４　とＯ
２　の混合ガスを用いたフォトリソエッチング工程でパ
ターンを形成する。

【００５７】そして、イメージセンサ全体を覆うように
層間絶縁層４０を形成するために、ポリイミドを１３０
００オングストロ−ム程度の厚さで塗布し、１６０℃程
度でプリベークを行ってフォトリソエッチング工程でパ
ターン形成を行い、再度ベーキングする。

【００５８】次に、ＴＦＴ部分において、層間絶縁層４
０を覆うように、膜厚２０００オングストロ−ム程度に
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯｘ　）膜よりなる遮光層４４
を形成する。

【００５９】この遮光層４４は、ＲＦ反応性スパッタに
より形成され、この時ターゲットとしてゲルマニウム（
Ｇｅ）、スパッタ雰囲気としてＡｒ＋Ｏ２混合ガスが用
いられる。このＧｅＯｘ　膜は、膜厚方向に組成勾配を
持つようにスパッタ雰囲気のガス分圧を徐々にコントロ
ールして形成され、ＧｅＯｘ　のｘ　が基板側界面近傍
で１．０≦ｘ　≦１．５、ＧｅＯｘ　膜中央付近で０．
１≦ｘ　≦１．０、さらに基板側とは反対側の界面近傍
で１．０≦ｘ　≦１．５になるように、組成が徐々に変
化するように形成される。

【００６０】つまり、遮光層４４の下層部分と上層部分
を形成する時に、酸素Ｏ２　の量を多くして、遮光層４
４の中間層部分を形成する時に、酸素Ｏ２　の量を少な
くするようにする。これにより、Ｏ２　量の多い遮光層
４４の上下層は絶縁性を有するようになり、Ｏ２　量が
少なくＧｅの量の多い中間層が有色となって遮光性を有
することになる。

【００６１】そして、この遮光層４４と層間絶縁層４０
をフォトリソエッチング工程でパターン形成を行い、受
光素子１１′においては金属電極２２に電源を供給する
コンタクト部分と透明電極２４からドレイン電極４１に
配線を接続するコンタクト部分、ＴＦＴにおいては受光
素子１１′の透明電極２４からドレイン電極４１に配線
を接続するコンタクト部分とソ−ス電極４２から多層配
線１３へと配線を接続するコンタクト部分が形成される
。

【００６２】この後に、コンタクト部分に残ったポリイ
ミド等を完全に除去するために、Ｏ２　でプラズマにさ
らすＤｅｓｃｕｍを行う。

【００６３】次に、アルミニウム（Ａｌ）をＤＣマグネ
トロンスパッタによりイメージセンサ全体を覆うように
１００００オングストロ−ム程度の厚さで約１５０℃程
度の温度で着膜し、所望のパターンを得るためにフッ酸
、硝酸、リン酸、水の混合液を用いたフォトリソエッチ
ング工程でパターニングしてレジストを除去する。これ
により、受光素子１１′において金属電極２２に電源を
供給する配線部分、透明電極２４からドレイン電極４１
と接続する配線３０ａ部分、ソース電極４１から多層配
線１３へ接続する配線３０ｂ部分が形成される。

【００６４】最後に、パシベーション層（図示せず）で
あるポリイミドを３μｍ程度の厚さで塗布し、１２５℃
程度でプリベークを行ってフォトリソエッチング工程で
パターン形成を行い、再度２３０℃程度で９０分間ベー
キングしてパシベーション層を形成する。この後、Ｄｅ
ｓｃｕｍを行い、不要に残ったポリイミドを取り除く。

【００６５】本実施例のイメージセンサによれば、ＴＦ
Ｔ部分においてＴＦＴ上部の層間絶縁層４０を覆うよう
に上下層が絶縁性を有し、中間層が遮光性と絶縁性を有
するＧｅＯｘ　膜の遮光層４４を形成し、層間絶縁層４
０及び遮光層４４にコンタクトホールを設け、受光素子
１１′の透明電極２４からの配線３０ａがドレイン電極
４１に接続し、多層配線１３への配線３０ｂがソース電
極４２に接続するような構成となっているので、従来例
の配線３０ａ、３０ｂと同一のアルミニウム層で遮光用
金属層を形成していた場合では、遮光用金属層を介して
ドレイン・ソース電極間にショートが発生することがあ
ったものを、遮光層４４によってドレイン・ソース電極
間のショートを防止し、遮光性をも保持できる効果があ
る。更に、薄膜トランジスタのエッジ近傍においても、
層間絶縁層４０上に絶縁性を有する遮光層４４を形成し
ているために、ドレイン・ソ−ス電極の引き出し配線３
０ａ，３０ｂとゲ−ト電極２５との間のショ−トを防止
することができる効果がある。

【００６６】尚、別の実施例として、図３の断面説明図
に示すように、遮光層４４を配線３０ａ，３０ｂ上にＴ
ＦＴを覆うように形成しても、ドレイン・ソース間のシ
ョート防止と遮光性の保持を図ることができる。

【００６７】また、図４は、本発明の別の実施例の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）部分の断面説明図である。この
別の実施例では、遮光層を３層構造とするものであり、
基板２１側から第１の遮光層４４ａ、第２の遮光層４４
ｂ、第３の遮光層４４ｃとすると、第１の遮光層４４ａ
及び第３の遮光層４４ｃはそれぞれ膜厚約５００オング
ストロ−ムのＧｅ２　Ｏ３　からなり、第２の遮光層４
４ｂはＧｅＯｘ　（ＧｅＯｘ　のｘ　は、０．１≦ｘ　
≦１．０）からなる遮光層としている。

【００６８】第１の遮光層４４ａと第３の遮光層４４ｃ
は絶縁性を有し、第２の遮光層４４ｂは遮光性と絶縁性
を有することになり、図４に示すように、ＴＦＴの層間
絶縁層４０上に遮光層４４ａ，４４ｂ，４４ｃを順次積
層し、コンタクトホールを形成して、配線３０ａ，３０
ｂをドレイン電極４１、ソース電極４２に接続するよう
にしているので、ドレイン電極４１に接続する配線３０
ａとソース電極４２に接続する配線３０ｂとの間のショ
ートを防止することができ、更にＴＦＴ上部における遮
光性をも保持することができる効果がある。また、薄膜
トランジスタのエッジ近傍においても、層間絶縁層４０
上に絶縁性を有する第１の遮光層４４ａ，遮光性を有す
る第２の遮光層４４ｂ，絶縁性を有する第３の遮光層４
４ｃを順次積層して形成しているために、ドレイン・ソ
−ス電極の引き出し配線３０ａ，３０ｂとゲ−ト電極２
５との間のショ−トを防止することができる効果がある
。

【００６９】尚、更に別の実施例として、図５の断面説
明図に示すように、配線３０ａ，３０ｂ上部にＴＦＴを
覆うように絶縁性を有する第１の遮光層４４ａ、遮光性
と絶縁性を有する第２の遮光層４４ｂ、絶縁性を有する
第３の遮光層４４ｃを順次形成すれば、ソース・ドレイ
ン間のショートの防止と遮光性の保持を図ることができ
る。

【００７０】更に、別の実施例について図６，図７及び
図８を使って説明する。図６は、別の実施例のイメージ
センサの断面説明図、図７は、この別の実施例の受光素
子部分の平面説明図、図８は、図７のＢ−Ｂ′部分の断
面説明図である。

【００７１】この別の実施例のイメージセンサは、基板
２１上に受光素子１１′、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
の電荷転送部１２と、多層配線１３とが形成されており
、特徴として、受光素子１１′の透明電極２４からＴＦ
Ｔのドレイン電極４１に接続するアルミニウム（Ａｌ）
の配線３０ａがポリイミドの層間絶縁層４０上に直接形
成されるのではなく、窒化ゲルマニウム（ＧｅＮｘ　）
膜の光吸収性（遮光性）絶縁層４４′を介して形成され
ている。

【００７２】図７及び図８を使って、受光素子部分につ
いて具体的に説明すると、受光素子１１′のＴＦＴ側の
端部を層間絶縁層４０を介して覆うようにＧｅＮｘ　膜
の光吸収性絶縁層４４′が形成され、層間絶縁層４０と
光吸収性絶縁層４４′にコンタクトホールが設けられ、
光吸収性絶縁層４４′上にＡｌの配線３０ａが形成され
ている。この時、図７に示すように、金属電極２２の主
走査方向の端部ｃ−ｄ部分に配線３０ａの端部ａ−ｂ部
分が掛からないように形成すれば、配線３０ａと金属電
極２２とのショートを有効に避けることができる。

【００７３】そして、光吸収性絶縁層４４′で受光素子
の受光領域以外の部分を覆い受光領域を規定する。この
ことによりＭＴＦの向上が図られる。

【００７４】同様にＴＦＴ部分においても、層間絶縁層
４０上にＧｅＮｘ　膜の光吸収性絶縁層４４′が形成さ
れ、層間絶縁層４０と光吸収性絶縁層４４′にコンタク
トホールが設けられ、ドレイン電極４１にＡｌの配線３
０ａが、ソース電極４２に配線３０ｂが接続する構成と
なっている。

【００７５】上記光吸収性絶縁層４４′のＧｅＮｘ　膜
は、約１０００オングストロ−ム程度の厚さにスパッタ
リング又は電子ビーム蒸着により着膜を行う。

【００７６】また、光吸収性絶縁層４４′のＧｅＮｘ　
膜のパターニングは、ＧｅＮｘ　膜の不要箇所に予めレ
ジストを塗布しておき、ＧｅＮｘ　膜を形成した後リフ
トオフにより行うものである。

【００７７】尚、ＧｅＮｘ　膜（ＧｅＮｘ　のｘ　が、
０．１＜ｘ　＜０．９）で膜厚１０００オングストロ−
ム以上よりなる光吸収性絶縁層４４′は、比抵抗１０５
　Ωｃｍ以上、吸収係数５×１０４　以上となり、良好
な絶縁性と透過率が波長５５０ｎｍのとき５％以下とな
る良好な遮光性を有する特性を持つことになる。

【００７８】また、光吸収性絶縁材料は、ＧｅＮｘ　以
外の不完全酸化物、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ　
）、酸化タンタル（ＴａＯｘ　）を用いてもよいし、ま
たは不完全窒化物の窒化タンタル（ＴａＮｘ　）を用い
てもよい。

【００７９】この別の実施例によれば、受光素子１１′
の透明電極２４からの引き出し配線３０ａと金属電極２
２のパターンエッジとの間に、ポリイミドの層間絶縁層
４０と絶縁性を有する光吸収性絶縁層４４′を設けてい
るので、配線３０ａと金属電極２２とのショートが低減
され、且つＴＦＴ部分においては、ＴＦＴ上部において
遮光性を有する光吸収性絶縁層４４′を設けているので
、Ａｌの遮光層を形成する必要がなくなるためにソース
・ドレイン両電極とのショートが防止される効果がある
。更に、薄膜トランジスタのエッジ近傍においても、層
間絶縁層４０上に絶縁性を有する光吸収性絶縁層４４′
を形成しているために、ドレイン・ソ−ス電極の引き出
し配線３０ａ，３０ｂとＴＦＴのゲ−ト電極２５との間
のショ−トを防止することができる効果がある。

【００８０】また、ＴＦＴにおいても、当該光吸収性絶
縁層４４′による遮光効果は大きく、波長５５０ｎｍで
透過率５％以下を達成できる。

【００８１】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、薄膜トラ
ンジスタ部分において、層間絶縁層を覆うように絶縁性
と遮光性を有する遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光層
にコンタクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス電
極に接続する配線を設けたイメ−ジセンサとしているの
で、ドレイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続す
る配線との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−
ト電極との間のショ−トも防止することができる効果が
ある。

【００８２】請求項２記載の発明によれば、薄膜トラン
ジスタ部分において、層間絶縁層を覆うように上下層が
絶縁性を有し、中間層が遮光性と絶縁性を有するよう化
学組成を変化させた遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光
層にコンタクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス
電極に接続する配線を設けたイメ−ジセンサとしている
ので、ドレイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続
する配線との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ
−ト電極との間のショ−トも防止することができる効果
がある。

【００８３】請求項３記載の発明によれば、薄膜トラン
ジスタ部分において、層間絶縁層を覆うように絶縁性を
有する第１の遮光層と、遮光性と絶縁性を有する第２の
遮光層と、絶縁性を有する第３の遮光層とを形成し、層
間絶縁層と第１の遮光層、第２の遮光層、第３の遮光層
にコンタクトホ−ルを形成してドレイン電極とソ−ス電
極に接続する配線を設けたイメ−ジセンサとしているの
で、ドレイン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続す
る配線との間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−
ト電極との間のショ−トも防止することができる。

【００８４】請求項４記載の発明によれば、受光素子部
分において、透明電極の端部を覆うように層間絶縁層上
に絶縁性と遮光性を有する遮光層を形成し、層間絶縁層
と遮光層にコンタクトホ−ルを形成して透明電極に接続
する配線を設けたイメ−ジセンサとしているので、透明
電極に接続する配線と金属電極との間におけるショ−ト
を防止することができる効果がある。

【００８５】請求項５記載の発明によれば、イメ−ジセ
ンサにおいて、受光素子部分では透明電極の端部を覆う
ように層間絶縁層を介して、薄膜トランジスタ部分では
全体を覆うように層間絶縁層を介して絶縁性と遮光性を
有する遮光層を形成し、層間絶縁層と遮光層にコンタク
トホ−ルを形成して透明電極に接続し、ドレイン電極に
接続する配線と、ソ−ス電極に接続する配線とを設けた
イメ−ジセンサとしているので、受光素子部分では透明
電極に接続する配線と金属電極との間におけるショ−ト
を防止することができ、薄膜トランジスタ部分ではドレ
イン電極に接続する配線とソ−ス電極に接続する配線と
の間におけるショ−トを防止し、両配線とゲ−ト電極と
の間のショ−トも防止することができる効果がある。

【００８６】また、遮光層で受光素子の受光領域以外の
部分を覆って受光領域を規定することにより、迷光など
の影響を小さくできるため、ＭＴＦの向上をもたらすこ
とができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るイメ−ジセンサの受光
素子、薄膜トランジスタ及び多層配線の一部の平面説明
図である。

【図２】図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。

【図３】別の実施例の薄膜トランジスタの断面説明図で
ある。

【図４】更に別の実施例の薄膜トランジスタの断面説明
図である。

【図５】更に別の実施例の薄膜トランジスタの断面説明
図である。

【図６】別の実施例のイメ−ジセンサの断面説明図であ
る。

【図７】別の実施例の受光素子の平面説明図である。

【図８】図７のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である。

【図９】イメ−ジセンサの等価回路図である。

【図１０】従来のイメ−ジセンサの受光素子、薄膜トラ
ンジスタ及び多層配線の一部の断面説明図である。

【符号の説明】

１１　　受光素子アレイ １２　　電荷転送部 １３　　多層配線 １４　　共通信号線 １５　　駆動用ＩＣ １６　　ゲートパルス発生回路 １７　　出力線 ２１　　基板 ２２　　金属電極 ２３　　光導電層 ２４　　透明電極 ２５　　ゲ−ト電極 ２６　　ゲート絶縁膜 ２７　　半導体活性層 ２８　　オーミックコンタクト層 ２９　　トップ絶縁層 ３０　　遮光用金属層 ３１　　下部信号線 ３２　　上部信号線 ３５　　コンタクトホール ４０　　層間絶縁層 ４１　　ドレイン電極 ４２　　ソース電極 ４４　　遮光層 ４４´　　光吸収性絶縁層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ゲ−ト電極、ドレイン電極及びソ−ス
   電極を具備する薄膜トランジスタ素子を有するイメ−ジ
   センサにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソ−ス電極
   を覆うように形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層
   を覆うように絶縁性と遮光性を有するよう形成された遮
   光層と、前記層間絶縁層と前記遮光層にコンタクトホ−
   ルを形成して前記ドレイン電極に接続する配線と前記ソ
   −ス電極に接続する配線とを設けたことを特徴とするイ
   メ−ジセンサ。
2. 【請求項２】　　ゲ−ト電極、ドレイン電極及びソ−ス
   電極を具備する薄膜トランジスタ素子を有するイメ−ジ
   センサにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソ−ス電極
   を覆うように形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層
   を覆うように上下層部分が絶縁性を有し、中間層部分が
   遮光性と絶縁性を有するよう化学組成を変化させて形成
   された遮光層と、前記層間絶縁層と前記遮光層にコンタ
   クトホ−ルを形成して前記ドレイン電極に接続する配線
   と前記ソ−ス電極に接続する配線とを設けたことを特徴
   とするイメ−ジセンサ。
3. 【請求項３】　　ゲ−ト電極、ドレイン電極及びソ−ス
   電極を具備する薄膜トランジスタ素子を有するイメ−ジ
   センサにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソ−ス電極
   を覆うように形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層
   を覆うように絶縁性を有するよう形成された第１の遮光
   層と、前記第１の遮光層上に遮光性と絶縁性を有するよ
   う形成された第２の遮光層と、前記第２の遮光層上に絶
   縁性を有するよう形成された第３の遮光層と、前記層間
   絶縁層と前記第１の遮光層、前記第２の遮光層及び前記
   第３の遮光層にコンタクトホ−ルを形成して前記ドレイ
   ン電極に接続する配線と前記ソ−ス電極に接続する配線
   とを設けたことを特徴とするイメ−ジセンサ。
4. 【請求項４】　　基板上に金属電極、光導電層、透明電
   極を順次積層した受光素子を有するイメ−ジセンサにお
   いて、前記受光素子を覆うように形成された層間絶縁層
   と、前記受光素子の端部を覆うように前記層間絶縁層を
   介して形成された絶縁性と遮光性を有する遮光層と、前
   記層間絶縁層と前記遮光層にコンタクトホ−ルを形成し
   て前記透明電極に接続する配線とを設けたことを特徴と
   するイメ−ジセンサ。
5. 【請求項５】　　基板上に金属電極、光導電層、透明電
   極を順次積層した受光素子と、ゲ−ト電極、ドレイン電
   極及びソ−ス電極を具備する薄膜トランジスタ素子とを
   有するイメ−ジセンサにおいて、前記受光素子の前記透
   明電極と前記薄膜トランジスタ素子の前記ドレイン電極
   及び前記ソ−ス電極を覆うように形成された層間絶縁層
   と、前記受光素子部分では前記受光素子の端部を覆うよ
   うに、前記薄膜トランジスタ素子部分では前記層間絶縁
   層を覆うように形成された絶縁性と遮光性を有する遮光
   層と、前記層間絶縁層と前記遮光層にコンタクトホ−ル
   を形成して前記透明電極に接続する配線と、前記ドレイ
   ン電極に接続する配線と、前記ソ−ス電極に接続する配
   線とを設けたことを特徴とするイメ−ジセンサ。