JPH04277638A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04277638A JPH04277638A JP3039969A JP3996991A JPH04277638A JP H04277638 A JPH04277638 A JP H04277638A JP 3039969 A JP3039969 A JP 3039969A JP 3996991 A JP3996991 A JP 3996991A JP H04277638 A JPH04277638 A JP H04277638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor chip
- tape
- tape carrier
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関する。詳しくは半導体チップをＴＡＢ（テープ
オートメイテッドボンディング）方式で搭載した半導体
装置とその製造方法に関する。
方法に関する。詳しくは半導体チップをＴＡＢ（テープ
オートメイテッドボンディング）方式で搭載した半導体
装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ方式は図３（ａ）に示すように、
半導体チップ搭載用窓１及びアウターリード接続用の窓
２が窓あけされ、且つチップの電極に接続する接続用リ
ード３が形成されたテープキャリア４と、図３（ｂ）に
示すように電極上にバンプ５が形成された半導体チップ
６とを、図３（ｃ）及び同図のｄ−ｄ線における断面図
（ｄ）に示すようにテープキャリア４の接続リード３と
半導体チップ６の電極バンプ５とをボンディングし、そ
の後テープキャリア４をＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線から切断
し、さらに半導体チップ６を樹脂７で封止するか、ある
いはリールのまま樹脂封止した後テープを切断するので
ある。
半導体チップ搭載用窓１及びアウターリード接続用の窓
２が窓あけされ、且つチップの電極に接続する接続用リ
ード３が形成されたテープキャリア４と、図３（ｂ）に
示すように電極上にバンプ５が形成された半導体チップ
６とを、図３（ｃ）及び同図のｄ−ｄ線における断面図
（ｄ）に示すようにテープキャリア４の接続リード３と
半導体チップ６の電極バンプ５とをボンディングし、そ
の後テープキャリア４をＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線から切断
し、さらに半導体チップ６を樹脂７で封止するか、ある
いはリールのまま樹脂封止した後テープを切断するので
ある。
【０００３】このようなＴＡＢ方式において、そのテー
プキャリア４は接続リード３の構造によって２層テープ
と３層テープに分けられる。２層テープは図４（ａ）の
断面図に示すように、ポリイミド等で形成されたテープ
８（厚さ０．１２５ｍｍ）上に、銅めっきにより厚さ３
５μｍの銅層９を形成し、これをエッチングして接続リ
ード３に形成した後、その表面にＳｎ 又は半田めっき
１０を施している。３層テープは図４（ｂ）に示すよう
にポリイミド等のテープ８上に接着剤１１を用いて厚さ
３５μｍの銅箔９′を接着し、これをエッチングして接
続リード３に形成した後、その表面にＳｎ 又は半田め
っき１０を施している。
プキャリア４は接続リード３の構造によって２層テープ
と３層テープに分けられる。２層テープは図４（ａ）の
断面図に示すように、ポリイミド等で形成されたテープ
８（厚さ０．１２５ｍｍ）上に、銅めっきにより厚さ３
５μｍの銅層９を形成し、これをエッチングして接続リ
ード３に形成した後、その表面にＳｎ 又は半田めっき
１０を施している。３層テープは図４（ｂ）に示すよう
にポリイミド等のテープ８上に接着剤１１を用いて厚さ
３５μｍの銅箔９′を接着し、これをエッチングして接
続リード３に形成した後、その表面にＳｎ 又は半田め
っき１０を施している。
【０００４】また半導体チップの電極バンプは図５に示
すように、半導体チップ６上のＡｌ電極１２の上にスパ
ッタ又は蒸着によるＮｉ 又はＰｄ 層１３を介してＡ
ｕ バンプ５がめっきにより形成されている。
すように、半導体チップ６上のＡｌ電極１２の上にスパ
ッタ又は蒸着によるＮｉ 又はＰｄ 層１３を介してＡ
ｕ バンプ５がめっきにより形成されている。
【０００５】またテープキャリア４の接続リード３と、
半導体チップ６の電極バンプ５との接合は、図６（ａ）
に示すように複数の接続リード３を複数の電極バンプ５
に重ね合わせ、加熱したボンディングツール１４で加圧
し、一括してボンディングするか、あるいは図６（ｂ）
に示すように超音波ホーン１５に取付けられたウエッジ
１６により１箇所ずつボンディングする方法とがある。
半導体チップ６の電極バンプ５との接合は、図６（ａ）
に示すように複数の接続リード３を複数の電極バンプ５
に重ね合わせ、加熱したボンディングツール１４で加圧
し、一括してボンディングするか、あるいは図６（ｂ）
に示すように超音波ホーン１５に取付けられたウエッジ
１６により１箇所ずつボンディングする方法とがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＴＡＢ方式
においては、テープキャリア４の接続リード３にＳｎ
又は半田めっき１０を施し、これと半導体チップ６のＡ
ｕ 電極バンプ５とＡｕ −Ｓｎ共晶による接合を狙っ
ている。
においては、テープキャリア４の接続リード３にＳｎ
又は半田めっき１０を施し、これと半導体チップ６のＡ
ｕ 電極バンプ５とＡｕ −Ｓｎ共晶による接合を狙っ
ている。
【０００７】しかしＳｎ をボンディング部に使用して
いるため、Ｓｎ からウィスカーが発生し、接続リード
同士の短絡を引き起こすという問題がある。また製造工
程で受ける熱履歴により接続リード３の銅及び銅部に含
まれている添加元素が接合部に拡散し、ボンディング強
度が劣化するという問題が生ずる。
いるため、Ｓｎ からウィスカーが発生し、接続リード
同士の短絡を引き起こすという問題がある。また製造工
程で受ける熱履歴により接続リード３の銅及び銅部に含
まれている添加元素が接合部に拡散し、ボンディング強
度が劣化するという問題が生ずる。
【０００８】なおＳｎ は熱履歴を受けるとウィスカー
の発生はなくなるがそれまでの発生を防ぐには、低温下
で保存する必要があり、製造上厄介である。
の発生はなくなるがそれまでの発生を防ぐには、低温下
で保存する必要があり、製造上厄介である。
【０００９】本発明は、接続リードのＳｎ 又は半田め
っきの代りにＰｄめっきを施すことにより、ウィスカー
の発生をなくし、また接続リードに含まれる銅及び銅の
添加元素の拡散を防止した半導体装置を実現しようとす
る。
っきの代りにＰｄめっきを施すことにより、ウィスカー
の発生をなくし、また接続リードに含まれる銅及び銅の
添加元素の拡散を防止した半導体装置を実現しようとす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置に於
いては、半導体チップをテープオートメイテッドボンデ
ィング方式でテープキャリアに搭載した半導体装置にお
いて、テープキャリア上の銅箔又は銅めっき層から形成
された接続リードにＰｄ めっきを施したことを特徴と
する。また、それに加えて、半導体チップの電極バンプ
がＡｕ 又はＰｄ であることを特徴とする。
いては、半導体チップをテープオートメイテッドボンデ
ィング方式でテープキャリアに搭載した半導体装置にお
いて、テープキャリア上の銅箔又は銅めっき層から形成
された接続リードにＰｄ めっきを施したことを特徴と
する。また、それに加えて、半導体チップの電極バンプ
がＡｕ 又はＰｄ であることを特徴とする。
【００１１】また本発明の半導体装置の製造方法に於い
ては、半導体チップをテープオートメイテッドボンディ
ング方式でテープキャリアに搭載する半導体装置の製造
方法において、テープキャリアの接続リードにＰｄ め
っきを施し、半導体チップの電極バンプとの接合には
４００〜 ５００℃に加熱したシングルポイントのボン
ディングツールを用い、該ボンディングツールにて超音
波を加えながら加圧することを特徴とする。この構成を
採ることによりウィスカーの発生がなく、且つ熱履歴に
よるボンディング強度の劣化のない半導体装置が得られ
る。
ては、半導体チップをテープオートメイテッドボンディ
ング方式でテープキャリアに搭載する半導体装置の製造
方法において、テープキャリアの接続リードにＰｄ め
っきを施し、半導体チップの電極バンプとの接合には
４００〜 ５００℃に加熱したシングルポイントのボン
ディングツールを用い、該ボンディングツールにて超音
波を加えながら加圧することを特徴とする。この構成を
採ることによりウィスカーの発生がなく、且つ熱履歴に
よるボンディング強度の劣化のない半導体装置が得られ
る。
【００１２】
【作用】テープキャリアの接続リードにＰｄ めっきを
施すことにより、Ｓｎ めっきの如きウィスカーの発生
はなく、さらにＳｎ 、半田のように製造工程中で受け
る熱履歴により接続リードの銅及びその添加元素がボン
ディング部へ拡散するのを防止（Ｐｄ がバリアメタル
として作用する）し、ボンディング強度の劣化を防止す
ることができる。
施すことにより、Ｓｎ めっきの如きウィスカーの発生
はなく、さらにＳｎ 、半田のように製造工程中で受け
る熱履歴により接続リードの銅及びその添加元素がボン
ディング部へ拡散するのを防止（Ｐｄ がバリアメタル
として作用する）し、ボンディング強度の劣化を防止す
ることができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の実施例を示す図
であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はａ図のＢ部拡大図で
ある。本実施例は同図に示すようにテープキャリア２０
に設けられ且つＰｄ めっき２１が施された接続リード
２２に、半導体チップ２３上のＡｌ 電極２３ａにＮｉ
又はＰｄ 層２３ｂを介して設けられたＡｕ の電極
バンプ２４がボンディングされ、さらに該半導体チップ
２３が樹脂２５で封止されている。
であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はａ図のＢ部拡大図で
ある。本実施例は同図に示すようにテープキャリア２０
に設けられ且つＰｄ めっき２１が施された接続リード
２２に、半導体チップ２３上のＡｌ 電極２３ａにＮｉ
又はＰｄ 層２３ｂを介して設けられたＡｕ の電極
バンプ２４がボンディングされ、さらに該半導体チップ
２３が樹脂２５で封止されている。
【００１４】このように構成された本実施例は、接続リ
ード２２にＳｎ 又は半田めっきを用いていないためウ
ィスカーの発生はない。またＰｄ めっきがバリアとな
って接続リード２２の銅及び銅に含まれている添加元素
の拡散を防止しているため電極バンプ２４とのボンディ
ング強度の低下もない。
ード２２にＳｎ 又は半田めっきを用いていないためウ
ィスカーの発生はない。またＰｄ めっきがバリアとな
って接続リード２２の銅及び銅に含まれている添加元素
の拡散を防止しているため電極バンプ２４とのボンディ
ング強度の低下もない。
【００１５】次に図２により本発明の半導体装置の製造
方法を説明する。本実施例は、先ず（ａ）図に示すよう
にポリイミドテープ２６の上に薄い銅層２７を無電解め
っきにより形成し、その上に接続リード２２となる部分
以外をホトレジスト２８でカバーする。
方法を説明する。本実施例は、先ず（ａ）図に示すよう
にポリイミドテープ２６の上に薄い銅層２７を無電解め
っきにより形成し、その上に接続リード２２となる部分
以外をホトレジスト２８でカバーする。
【００１６】次に（ｂ）図の如く接続リード２２となる
部分に厚さ３５μｍの銅めっき層２９を形成する。次い
でテープ裏面から、スプロケット穴、半導体チップを搭
載する穴をエッチングにより形成し、さらに（ｃ）図の
如く前記ホトレジスト２８及び無電解めっきによる銅層
２７を除去した後（ｄ）図の如く接続リード２２表面に
厚さ１μｍのＮｉ めっき３０を施し、その上に厚さ０
．１μｍのＰｄ めっき３１を施す。
部分に厚さ３５μｍの銅めっき層２９を形成する。次い
でテープ裏面から、スプロケット穴、半導体チップを搭
載する穴をエッチングにより形成し、さらに（ｃ）図の
如く前記ホトレジスト２８及び無電解めっきによる銅層
２７を除去した後（ｄ）図の如く接続リード２２表面に
厚さ１μｍのＮｉ めっき３０を施し、その上に厚さ０
．１μｍのＰｄ めっき３１を施す。
【００１７】次にこのように形成された接続リード２２
を（ｅ）図の如く、半導体チップ２３の電極バンプ２４
上に重ね、その上からウェッジ３２及び超音波ホーン３
３からなるシングルポイントボンディングツール３４を
用いて加圧する。この際ウェッジ３２は ４００〜 ５
００℃に加熱し、且つ超音波ホーン３３により超音波を
印加しながら加圧する。この後ボンディングの終った半
導体チップ２３を樹脂により封止して図１に示した様な
半導体装置を得ることができる。
を（ｅ）図の如く、半導体チップ２３の電極バンプ２４
上に重ね、その上からウェッジ３２及び超音波ホーン３
３からなるシングルポイントボンディングツール３４を
用いて加圧する。この際ウェッジ３２は ４００〜 ５
００℃に加熱し、且つ超音波ホーン３３により超音波を
印加しながら加圧する。この後ボンディングの終った半
導体チップ２３を樹脂により封止して図１に示した様な
半導体装置を得ることができる。
【００１８】なお本実施例ではテープキャリアの接続リ
ード２２の、銅層をめっきにより形成したが、予めスプ
ロケット穴、半導体チップ搭載用の穴を打抜加工したポ
リイミドテープに接着剤を用いて接着した銅箔をエッチ
ング加工して接続リードを形成しても良い。
ード２２の、銅層をめっきにより形成したが、予めスプ
ロケット穴、半導体チップ搭載用の穴を打抜加工したポ
リイミドテープに接着剤を用いて接着した銅箔をエッチ
ング加工して接続リードを形成しても良い。
【００１９】
【発明の効果】本発明に依れば、テープキャリアの接続
リードにＰｄ めっきを施したことにより、Ｓｎ の如
きウィスカーの発生はなく、また銅及び銅添加元素の熱
履歴による拡散を防ぎ半導体チップの電極バンプとの接
合強度の低下を防止した半導体装置を得ることができる
。
リードにＰｄ めっきを施したことにより、Ｓｎ の如
きウィスカーの発生はなく、また銅及び銅添加元素の熱
履歴による拡散を防ぎ半導体チップの電極バンプとの接
合強度の低下を防止した半導体装置を得ることができる
。
【図１】本発明の半導体装置の実施例を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図３】従来のＴＡＢ方式を説明するための図である。
【図４】従来のテープキャリアを示す図である。
【図５】従来の半導体チップの電極バンプを示す図であ
る。
る。
【図６】テープキャリアの接続リードと半導体チップの
電極バンプとの接合方法を示す図である。
電極バンプとの接合方法を示す図である。
２０…テープキャリア
２１…Ｐｄ めっき
２２…接続リード
２３…半導体チップ
２４…電極バンプ
２５…樹脂
２６…ポリイミドテープ
２７…無電解めっきの銅層
２８…ホトレジスト
２９…銅めっき層
３０…Ｎｉ めっき
３２…ウェッジ
３３…超音波ホーン
３４…ボンディングツール
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップをテープオートメイテッ
ドボンディング方式でテープキャリアに搭載した半導体
装置において、テープキャリア（２０）上の銅箔又は銅
めっき層（２９）から形成された接続リード（２２）に
Ｐｄめっき（２１）を施したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体チップ（２３）の電極バンプ（
２４）がＡｕ であることを特徴とする請求項１の半導
体装置。 - 【請求項３】 半導体チップ（２３）の電極バンプ（
２４）がＰｄ であることを特徴とする請求項１の半導
体装置。 - 【請求項４】 半導体チップをテープオートメイテッ
ドボンディング方式でテープキャリアに搭載する半導体
装置の製造方法において、テープキャリア（２０）の接
続リード（２２）にＰｄ めっき（２１）を施し、半導
体チップ（２３）の電極バンプ（２４）との接合には
４００〜 ５００℃に加熱したシングルポイントのボン
ディングツール（３４）を用い、該ボンディングツール
（３４）にて超音波を加えながら加圧することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039969A JPH04277638A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039969A JPH04277638A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04277638A true JPH04277638A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12567786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039969A Withdrawn JPH04277638A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04277638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP3039969A patent/JPH04277638A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |