JPH042786A - アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法 - Google Patents
アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法Info
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- JPH042786A JPH042786A JP10286390A JP10286390A JPH042786A JP H042786 A JPH042786 A JP H042786A JP 10286390 A JP10286390 A JP 10286390A JP 10286390 A JP10286390 A JP 10286390A JP H042786 A JPH042786 A JP H042786A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010437 gem Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010979 ruby Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、サファイヤ、ルビー等のアルミ酸化物を主成
分とする貴石の表面に導電性が高く化学的に安定して弱
磁性体のメッキを行う方法に関するものである。
分とする貴石の表面に導電性が高く化学的に安定して弱
磁性体のメッキを行う方法に関するものである。
電子ビームを用いてレティクルやウェファ−に所定のパ
ターンを描画する電子ビーム描画装置においては、レテ
ィクルやウェファ−を保持するカセット等の保持手段が
電荷を帯びたり磁化することによって電子ビームに作用
し、電子ビームを所定の軌跡から曲げることのないよう
に、必ず弱磁性体を用い、或いは非導電体はその表面に
導電性被膜をコーティングしてアースするなど細心の注
意が払われている。
ターンを描画する電子ビーム描画装置においては、レテ
ィクルやウェファ−を保持するカセット等の保持手段が
電荷を帯びたり磁化することによって電子ビームに作用
し、電子ビームを所定の軌跡から曲げることのないよう
に、必ず弱磁性体を用い、或いは非導電体はその表面に
導電性被膜をコーティングしてアースするなど細心の注
意が払われている。
一方、レティクルやウェファ−をカセットに押圧して保
持する押え爪の先端部には、耐摩耗性の材料である貴石
、特にサファイヤが接着されている。そのため、非導電
体であるサファイヤからなる重石とベリリウム銅からな
る取付部材である押え爪本体とこれらを接着する接着剤
との表面には、連続して銅下地の金メッキを施してアー
スするようにな−っている。
持する押え爪の先端部には、耐摩耗性の材料である貴石
、特にサファイヤが接着されている。そのため、非導電
体であるサファイヤからなる重石とベリリウム銅からな
る取付部材である押え爪本体とこれらを接着する接着剤
との表面には、連続して銅下地の金メッキを施してアー
スするようにな−っている。
従来技術では、この銅下地の処理を蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリング等で行い、その上面に金メッ
キを施していた。しかし、この従来技術による銅下地の
金メッキでは貴石に対する密着力が充分でなく、しばし
ば使用中にＩＡＨｔ、、てレティクルやウェファ−の表
面を汚染し、パターン不良の原因となっていた。
ティング、スパッタリング等で行い、その上面に金メッ
キを施していた。しかし、この従来技術による銅下地の
金メッキでは貴石に対する密着力が充分でなく、しばし
ば使用中にＩＡＨｔ、、てレティクルやウェファ−の表
面を汚染し、パターン不良の原因となっていた。
そして、貴石表面のメッキが剥離して貴石が露出すると
、貴石の露出部分が電荷を帯び、電子ビームがその電荷
によって所定の軌跡から曲げられるので描画精度を悪化
することになり、著しいときは加工中のレティクルやウ
ェファ−が不良品となることもあった。
、貴石の露出部分が電荷を帯び、電子ビームがその電荷
によって所定の軌跡から曲げられるので描画精度を悪化
することになり、著しいときは加工中のレティクルやウ
ェファ−が不良品となることもあった。
本発明は、これらの問題の原因となっている銅下地の金
メッキの貴石に対する密着力を向上させて、貴石の表面
に設けられた導電性で弱磁性体のメッキの剥離を防止し
ようとするものである。
メッキの貴石に対する密着力を向上させて、貴石の表面
に設けられた導電性で弱磁性体のメッキの剥離を防止し
ようとするものである。
本発明は、この課題を解決するために、貴石及びその取
付部材の双方の表面に連続するように蒸着、イオンプレ
ーティング、スパッタリング等の表面処理によってチタ
ン、バナジウム、アルミニウムからなる金属のいずれか
の薄膜をコーティングする第１の工程と、第１の工程と
同一の処理手段によって前記チタン、バナジウム、アル
ミニウムからなる金属のいずれかの薄膜の上面に銅の薄
膜をコーティングする第２の工程と、前記銅の薄膜の上
面に化学的に安定して導電性が高い弱磁性体の金属をメ
ッキする第３の工程からなるアルミ酸化物を主成分とす
る貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法を
採用し、特に、第３の工程を金メッキとしてメッキの化
学的な安定度を向上し、又は第１の工程と第２の工程と
を単一の処理手段によって連続して処理することによっ
て格別の工数の増加を要することなく容易に実施出来る
ようにしたものである。
付部材の双方の表面に連続するように蒸着、イオンプレ
ーティング、スパッタリング等の表面処理によってチタ
ン、バナジウム、アルミニウムからなる金属のいずれか
の薄膜をコーティングする第１の工程と、第１の工程と
同一の処理手段によって前記チタン、バナジウム、アル
ミニウムからなる金属のいずれかの薄膜の上面に銅の薄
膜をコーティングする第２の工程と、前記銅の薄膜の上
面に化学的に安定して導電性が高い弱磁性体の金属をメ
ッキする第３の工程からなるアルミ酸化物を主成分とす
る貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法を
採用し、特に、第３の工程を金メッキとしてメッキの化
学的な安定度を向上し、又は第１の工程と第２の工程と
を単一の処理手段によって連続して処理することによっ
て格別の工数の増加を要することなく容易に実施出来る
ようにしたものである。
本発明は、第１の工程として、貴石及びその取付部材の
双方の表面に連続するように蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の表面処理によってチタン、バナ
ジウム、アルミニウムからなる金属のいずれかの薄膜を
コーティングすることによりて銅下地の金メッキの貴石
に対する密着力を向上させることが出来たので、貴石の
表面に設けられた導電性で弱磁性体のメッキの＠離を防
止することが達成できたものである。
双方の表面に連続するように蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング等の表面処理によってチタン、バナ
ジウム、アルミニウムからなる金属のいずれかの薄膜を
コーティングすることによりて銅下地の金メッキの貴石
に対する密着力を向上させることが出来たので、貴石の
表面に設けられた導電性で弱磁性体のメッキの＠離を防
止することが達成できたものである。
以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明のメッキ方法を採用するに適した押え爪
を有する電子ビーム描画装置のカセット１を示し、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
を有する電子ビーム描画装置のカセット１を示し、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
図において、カセット１は、カセット本体２に削設され
た深い凹部２ａ内にレティクル押え板３が配設され、こ
のレティクル押え板３に設けられたピン４とカセット本
体２に固定された押え爪５の重石７との間で、カセット
本体２に削設された浅い凹部２ｂ内に想像線で示すよう
にレティクル８を挿入して挟持し、ビン４の下方のバネ
９で押圧固定するようになっている。
た深い凹部２ａ内にレティクル押え板３が配設され、こ
のレティクル押え板３に設けられたピン４とカセット本
体２に固定された押え爪５の重石７との間で、カセット
本体２に削設された浅い凹部２ｂ内に想像線で示すよう
にレティクル８を挿入して挟持し、ビン４の下方のバネ
９で押圧固定するようになっている。
第３図は押え爪５単体の斜視図、第４図は同断面図、第
５図は同下面図である。
５図は同下面図である。
押え爪５は、第３図乃至第５図に示すように、ベリリウ
ム銅等の導電体からなる押え爪零体６とサファイア等の
アルミ酸化物を主成分とする貴石からなる重石７とから
なり、重石７は押え爪本体６の先端部に接着して固定さ
れている。押え爪零体６には、基部にネジ穴６ａが設け
てあり、第１図、第２図に示すように、ネジ６ｂでカセ
ット本体２に取付けられている。第５図の６０は、カセ
ット本体２に取付ける際の取付座である。
ム銅等の導電体からなる押え爪零体６とサファイア等の
アルミ酸化物を主成分とする貴石からなる重石７とから
なり、重石７は押え爪本体６の先端部に接着して固定さ
れている。押え爪零体６には、基部にネジ穴６ａが設け
てあり、第１図、第２図に示すように、ネジ６ｂでカセ
ット本体２に取付けられている。第５図の６０は、カセ
ット本体２に取付ける際の取付座である。
この押え爪５を含むカセット１は、前述のように、電荷
を帯びたり磁化すると電子ビームに作用して電子ビーム
を所定の軌跡から曲げることが生じるので、導電性のあ
る弱磁性体でなければならない。
を帯びたり磁化すると電子ビームに作用して電子ビーム
を所定の軌跡から曲げることが生じるので、導電性のあ
る弱磁性体でなければならない。
しかし、爪面７は、非常に硬度の高いレティクルやウェ
ファ−を繰り返し着脱しても摩耗が生じないために、天
然又はセラミックを焼成したサファイア等の貴石を使用
している。これら貴石は、弱磁性体ではあるが導電体で
はないので、その表面に電荷を帯びる欠点を有している
。このため、貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを
施す必要が生じる。
ファ−を繰り返し着脱しても摩耗が生じないために、天
然又はセラミックを焼成したサファイア等の貴石を使用
している。これら貴石は、弱磁性体ではあるが導電体で
はないので、その表面に電荷を帯びる欠点を有している
。このため、貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを
施す必要が生じる。
第６図は押え爪零体６の先端部に設けられた爪面７の接
着部分のみを拡大して示した拡大断面図であって、押え
爪零体６に接着剤１０で爪面７が接着され、その表面に
は導電性で弱磁性体の金属からなるメッキが施されてい
る。
着部分のみを拡大して示した拡大断面図であって、押え
爪零体６に接着剤１０で爪面７が接着され、その表面に
は導電性で弱磁性体の金属からなるメッキが施されてい
る。
この導電性で弱磁性体の金属からなるメッキは、次の工
程で行われる。
程で行われる。
＋１１ 蒸着、イオンプレーティング、スパッタリン
グ等の表面処理によってチタン、バナジウム、アルミニ
ウムからなる金属のいずれかの薄膜層１１をコーティン
グする。
グ等の表面処理によってチタン、バナジウム、アルミニ
ウムからなる金属のいずれかの薄膜層１１をコーティン
グする。
（２） 同一の処理装置内で、表面処理する蒸発源を
交換して、銅の薄膜層１２を重ねてコーティングする。
交換して、銅の薄膜層１２を重ねてコーティングする。
これらの処理は、蒸発源を同一の処理装置内に複数個セ
ントしておき、順次蒸発させる多層蒸着法、同一の処理
装置内に複数個所のスパッタリング部を設け、これらの
間を順次転送してスパッタリングを行う連結スパッタリ
ング法として公知になっているので、詳細な説明は省略
する。
ントしておき、順次蒸発させる多層蒸着法、同一の処理
装置内に複数個所のスパッタリング部を設け、これらの
間を順次転送してスパッタリングを行う連結スパッタリ
ング法として公知になっているので、詳細な説明は省略
する。
（３） その表面に金メッキ層１３を施す、この金メ
ッキ層１３は、爪面７の表面と接着剤１ｏ及びそれに連
続する押え爪零体６の先端部にメンキされていれば充分
なので、この範囲のみに部分メッキを施す。
ッキ層１３は、爪面７の表面と接着剤１ｏ及びそれに連
続する押え爪零体６の先端部にメンキされていれば充分
なので、この範囲のみに部分メッキを施す。
このように表面処理及びメッキを施すと、第６図に示す
ように、内側からチタン（又はバナジウム、アルミニウ
ム）、銅、金の３層からなる導電体の薄膜層が形成され
、押え爪零体６をアースすることによって爪面７もアー
スされて表面に電荷を帯電することが防止されると共に
、貴石に対するチタン（又はバナジウム、アルミニウム
）の密着強度は充分に大きいので、従来技術のように剥
離が生じることも防止される。
ように、内側からチタン（又はバナジウム、アルミニウ
ム）、銅、金の３層からなる導電体の薄膜層が形成され
、押え爪零体６をアースすることによって爪面７もアー
スされて表面に電荷を帯電することが防止されると共に
、貴石に対するチタン（又はバナジウム、アルミニウム
）の密着強度は充分に大きいので、従来技術のように剥
離が生じることも防止される。
本発明のアルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電
性で弱磁性体のメッキを行う方法によれば、押え爪本体
のみをアースすることによって爪面も確実にアースされ
、爪面の表面に電荷を帯電することが防止されると共に
、貴石に対するチタン（又はバナジウム、アルミニウム
）の密着強度は充分に大きいので、従来技術のようにメ
ッキ層に剥離が生じて脱落することも防止される。
性で弱磁性体のメッキを行う方法によれば、押え爪本体
のみをアースすることによって爪面も確実にアースされ
、爪面の表面に電荷を帯電することが防止されると共に
、貴石に対するチタン（又はバナジウム、アルミニウム
）の密着強度は充分に大きいので、従来技術のようにメ
ッキ層に剥離が生じて脱落することも防止される。
第１図は本発明のメッキ方法を採用するに適した押え爪
を有する電子ビーム描画装置のカセットを示し、第２図
は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は押え爪５単体の斜視
図、第４図は同断面図、第５図は同下面図、第６図は押
え爪本体の先端部に設けられた爪面の接着部分のみを拡
大して示した拡大断面図である。 １・・・カセット ２・・・カセット本体３・・・
レティクル押え板 ５・・・押え爪 ６・・・押え爪本体フ・・・爪
面 ８・・・レティクル１０・・・接着剤 １１・・・チタン、バナジウム、アルミニウムからなる
金属のいずれかの薄膜層
を有する電子ビーム描画装置のカセットを示し、第２図
は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は押え爪５単体の斜視
図、第４図は同断面図、第５図は同下面図、第６図は押
え爪本体の先端部に設けられた爪面の接着部分のみを拡
大して示した拡大断面図である。 １・・・カセット ２・・・カセット本体３・・・
レティクル押え板 ５・・・押え爪 ６・・・押え爪本体フ・・・爪
面 ８・・・レティクル１０・・・接着剤 １１・・・チタン、バナジウム、アルミニウムからなる
金属のいずれかの薄膜層
Claims (3)
- （１）アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性
で弱磁性体の金属からなるメッキを行う方法であって、
貴石及びその取付部材の双方の表面に連続するように蒸
着、イオンプレーティング、スパッタリング等の表面処
理によってチタン、バナジウム、アルミニウムからなる
金属のいずれかの薄膜をコーティングする第１の工程と
、第１の工程と同一の処理手段によって前記チタン、バ
ナジウム、アルミニウムからなる金属のいずれかの薄膜
の上面に銅の薄膜をコーティングする第２の工程と、前
記銅の薄膜の上面に化学的に安定して導電性が高く弱磁
性体の金属をメッキする第３の工程からなることを特徴
とするアルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性
で弱磁性体のメッキを行う方法。 - （２）第３の工程が金メッキであることを特徴とする請
求項１記載のアルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に
導電性で弱磁性体のメッキを行う方法。 - （３）第１の工程と第２の工程とが単一の処理手段によ
って連続して処理されることを特徴とする請求項１記載
のアルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱
磁性体のメッキを行う方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286390A JPH042786A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286390A JPH042786A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042786A true JPH042786A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14338752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10286390A Pending JPH042786A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | アルミ酸化物を主成分とする貴石の表面に導電性で弱磁性体のメッキを行う方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990068719A (ko) * | 1999-06-14 | 1999-09-06 | 기승철 | 원적외선을방사하는광물질소재의장신구용품표피에금또는은피막층을접합시키는성형방법. |
| KR20000054423A (ko) * | 2000-06-05 | 2000-09-05 | 기승철 | 옥(玉)소재의 장신구 표면에 금 또는 은 소재의 도금층을형성시키는 제조방법 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10286390A patent/JPH042786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990068719A (ko) * | 1999-06-14 | 1999-09-06 | 기승철 | 원적외선을방사하는광물질소재의장신구용품표피에금또는은피막층을접합시키는성형방법. |
| KR20000054423A (ko) * | 2000-06-05 | 2000-09-05 | 기승철 | 옥(玉)소재의 장신구 표면에 금 또는 은 소재의 도금층을형성시키는 제조방법 |
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