JPH0427977B2 - - Google Patents

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JPH0427977B2
JPH0427977B2 JP58112459A JP11245983A JPH0427977B2 JP H0427977 B2 JPH0427977 B2 JP H0427977B2 JP 58112459 A JP58112459 A JP 58112459A JP 11245983 A JP11245983 A JP 11245983A JP H0427977 B2 JPH0427977 B2 JP H0427977B2
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JP
Japan
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group
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compound
formula
lower alkyl
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JP58112459A
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JPS604163A (ja
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Shoei Eda
Mikio Hori
Naosuke Matsura
Sanji Yasumoto
Hiroshi Matsumoto
Ichiro Yamawaki
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Taiho Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Taiho Pharmaceutical Co Ltd
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は新規なスルフアイド化合物に関する。
本発明のスルフアイド化合物は下記一般式()
で表わされる。 [式中R1は低級アルキル基を示し、R2は水素
原子又は低級アルキル基を示す。R3はR2が水素
原子の時、シクロヘキシル基、カルボキシメチル
基、低級アシルフエニル基、テトラゾリルカルバ
モイルフエニル基、カルボキシメチルフエニル
基、3−(2−オキソ−4−ハイドロキシテトラ
ハイドロフリル)オキシフエニル基、低級アルコ
キシカルボニルメチルカルバモイルフエニル基又
は基
【式】(R4は低級アルキル基、ハ ロゲン原子又は水酸基を示す)を示し、R2が低
級アルキル基の時、フエニル基を示す。更にR2
及びR3は互いに結合してペンタメチレン鎖とな
り、之等の結合する窒素原子と共に複素環基を形
成してもよい。 上記一般式()中R1,R2,R3及びR4で表わ
される低級アルキル基としては炭素数1〜6のア
ルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、
ペンチル、ヘキシル基等を例示できる。 一般式()中R3で表わされる低級アシルフ
エニル基を構成する低級アシル基としては、炭素
数2〜6のアシル基例えばアセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、ピバロイル、カプロイル基等を、
低級アルコキシカルボニルメチルカルバモイルフ
エニル基を構成する低級アルコキシカルボニルメ
チルカルバモイル基としては、炭素数4〜9のア
ルコキシカルボニルメチルカルバモイル基例えば
メトキシカルボニルメチルカルバモイル、エトキ
シカルボニルメチルカルバモイル、プロピルオキ
シカルボニルメチルカルバモイル、イソプロピル
オキシカルボニルメチルカルバモイル、ブトキシ
カルボニルメチルカルバモイル、t−ブトキシカ
ルバモイル、ヘキシロキシカルボニルメチルカル
バモイル基等を夫々例示することができる。R4
で示されるハロゲン原子としては、弗素、塩素、
臭素、沃素原子を例示できる。 また上記一般式()中R2及びR3は互いに結
合してペンタメチレン鎖を形成することができ
る。 本発明の上記一般式()で表わされるスルフ
アイド化合物は、例えば下記反応式(A)に示す方法
に従い、一般式()で表わされ抗アレルギー作
用を有するスルホニウム化合物を容易に誘導する
ことができ、かかる抗アレルギー作用を有する医
薬品の合成原料として有用である。 反応式(A) [各式中R1,R2及びR3は上記に同じ。R6は低
級アルキル基及びYは酸残基を示す。] 上記反応式(A)に示す反応は、溶媒中または無溶
媒で、約−30〜150℃、好ましくは0〜100℃の温
度条件下に、約0.5〜72時間を要して行なわれる。
溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノ
ール等のアルコール類;アセトニトリル、ニトロ
メタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キサイド等の極性溶媒;メチレンクロライド、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素;ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;エチ
ルエーテル、プロピルエーテル等のエーテル類;
その他アセトン、石油エーテル、酢酸エチル、水
及びこれら溶媒の混合溶媒等を使用できる。反応
は必要に応じて密閉容器中で行なうことができ
る。また一般式()で表わされる化合物は、通
常本発明の一般式()で表わされるスルフアイ
ド化合物に対して、過剰量、好ましくは約1〜4
倍モル量用いられる。上記反応式(A)に示す一般式
()で表わされるスルホニウム化合物の合成の
詳細は、後記参考例に示す通りである。 以下本発明化合物の製造につき詳述する。 本発明の化合物は種々の方法で製造され、例え
ば下記反応式(B)に示される方法で容易に製造され
る。 反応式(B) [各式中R1,R2及びR3は上記に同じ。] 上記反応式(B)に示される方法は、一般式()
で表わされるカルボン酸と、一般式()で表わ
されるアミンとの、通常のアミド結合生成反応を
利用したものである。上記方法においては一般式
()のカルボン酸に代えて、そのカルボキシル
基が活性化された化合物を用いてもよく、また一
般式()のアミンに代えて、そのアミノ基が活
性化された化合物を用いてもよい。之等各原料化
合物を用いたアミド結合生成反応においては、公
知のアミド結合生成反応と同様の反応条件、操作
等を採用することができる。該反応はより詳細に
は以下の各方法のいずれかに従い容易に実施する
ことができる。 (イ) カルボン酸ハライド法;即ち一般式()の
カルボン酸のハライド化合物に、一般式()
のアミンを反応させる方法 (ロ) ジシクロヘキシルカルボジイミド法;即ち一
般式()のカルボン酸とジシクロヘキシルカ
ルボジイミドと一般式()のアミンとを反応
させる方法 (ハ) カルボニルジイミダゾール法;即ち一般式
()のカルボン酸にカルボニルジイミダゾー
ルを反応させた後、生成物に一般式()のア
ミンを反応させる方法 (ニ) カルボン酸無水物法;即ち一般式()のカ
ルボン酸を例えば無水酢酸等の脱水剤によりカ
ルボン酸無水物とした後、これに一般式()
のアミンを反応させる方法 (ホ) カルボン酸エステル法;即ち一般式()の
カルボン酸と、例えば低級アルコール等との反
応により得られるエステルに、一般式()の
アミンを高温高圧下に反応させる方法 (ヘ) 活性エステル法;即ち一般式()のカルボ
ン酸を例えばp−ニトロフエニルエステル、N
−ヒドロキシコハク酸イミドエステル等の活性
エステルとした後、これに一般式()のアミ
ンを反応させる方法 (ト) 混合酸無水物法;即ち一般式()のカルボ
ン酸に例えばハロカルボン酸アルキルエステル
を反応させて混合酸無水物とし、これに一般式
()のアミンを反応させる方法 上記(イ)〜(ト)の方法のうちでは、(イ)に示すカルボ
ン酸ハライド法が特に好ましいものである。該カ
ルボン酸ハライド法において、一般式()のカ
ルボン酸のハライド化合物は、常法に従い一般式
()のカルボン酸とハロゲン化剤例えば塩化チ
オニル、オキシ塩化リン、オキシ臭化リン、五塩
化リン、五臭化リン等とを無溶媒又は適当な溶媒
中で反応させることにより得られる。該カルボン
酸ハライドと、一般式()のアミンとの反応
は、好ましくは塩基性化合物、例えばナトリウ
ム、カリウム等のアルカリ金属、これらの水素化
物、これらの水酸化物又はこれらの炭酸塩或いは
ピリジン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジ
ン、トリエチルアミン等の存在下、無溶媒或いは
溶媒中、約0〜200℃、好ましくは約0〜100℃の
温度条件下に約0.1〜24時間を要して行なわれる。
一般式()のアミンは、カルボン酸ハライドに
対し、過剰量使用しても良いが、好ましくは理論
量の約1〜4倍モル量使用するのが良い。溶媒と
しては例えばクロロホルム、メチレンクロライ
ド、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;ジオ
キサン、テトラハイドロフラン、ジエチルエーテ
ル、イソプロピルエーテル等のエーテル等;ニト
ロメタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等の極性溶媒類;ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類;酢酸メチル、酢
酸エチル等のエステル類及び水又はこれらの混合
溶媒等が有利に使用できる。 上記反応式(B)に示す反応に従い得られる一般式
()の本発明化合物は、通常用いられている分
離手段、例えば沈殿法、抽出法、再結晶法、蒸留
法、カラムクロマトグラフイーまたはプレパラテ
イブ薄層クロマトグラフイー等により容易に単
離、精製することができる。 以下本発明化合物の製造例を実施例として挙
げ、次いで本発明化合物からの抗アレルギー作用
を有するスルホニウム化合物の合成例を参考例と
して挙げ、本発明を更に詳しく説明する。 実施例 1 2−シクロヘキシルカルバモイルエチルメチル
スルフアイド(化合物)の合成 エーテル100mlにシクロヘキシルアミン21.4g
及びトリエチルアミン24.0gを溶解させる。これ
に、氷冷下、β−メチルメルカプトプロピオニル
クロライド30.0gを加える。室温で2時間撹拌
し、反応液を水洗する。芒硝脱水後、エーテル層
を濃縮し、残渣をシクロヘキサンより再結晶して
2−シクロヘキシルカルバモイルエチルメチルス
ルフアイド(化合物)42.5g(収率97.7%)を
得る。 mp93−94℃ 実施例 2 実施例1と同様の操作により、後記表に示す
化合物4を合成した。 実施例 3 2−(メチルフエニルカルバモイル)エチルメ
チルスルフアイド(化合物2)のの合成 ベンゼン1000mlにメチルアニリン10.7g及びピ
リジン9.49gを溶解させる。これに、氷冷下、β
−メチルカプトプロピオニルクロライド13.9gを
加える。室温で1時間撹拌し、反応液を水洗す
る。芒硝脱水後、ベンゼン層を濃縮し、残渣を減
圧蒸留して2−(メチルフエニルカルバモイル)
エチルメチルスルフアイド(化合物2)19.9g
(収率95.2%)を得る。 bp149−150℃/2mmHg 実施例 4 2−(カルボキシメチルカルバモイル)エチル
メチルスルフアイド(化合物3)の合成 水酸化ナトリウム8.5g及び水100mlにグリシン
7.51gを溶解し、氷冷下、β−メチルメルカプト
プロピオニルクロライド13.9gを滴下する。同温
度で1時間撹拌する。反応液を塩酸酸性にした
後、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を水洗
し、芒硝脱水後、濃縮する。残渣をクロロホルム
より再結晶して2−(カルボキシメチルカルバモ
イル)エチルメチルスルフアイド(化合物3)
16.5g(収率93.2%)を得る。 mp 97−98℃ 実施例 5 実施例4と同様の操作により、後記表に示す
化合物8、11、12、13、14及び15を合成した。 実施例 6 2−(4−アセチルフエニルカルバモイル)エ
チルメチルスルフアイド(化合物5)の合成 ジメチルホルムアミド20mlに4−アセチルアニ
リン13.5g及びトリエチルアミン15.2gを溶解
し、氷冷下β−メチルメルカプトプロピオニルク
ロライド13.9gを滴下する。滴下後室温で2時間
撹拌する。反応液を濃縮し、残渣を酢酸エチルで
抽出し、酢酸エチル層を水洗し、芒硝脱水後、濃
縮する。残渣をアセトニトリルより再結晶して、
2−(4−アセチルフエニルカルバモイル)エチ
ルメチルスルフアイド(化合物5)21.8g(収率
92.0%)を得る。 mp 107℃ 実施例 7 実施例6と同様の操作により、後記表に示す
化合物6、7、9及び10を合成した。 参考例 1 ジメチル−2−シクロヘキシルカルバモイルエ
チルスルホニウム p−トルエンスルホネート
の合成 2−シクロヘキシルカルバモイルエチルメチル
スルフアイド2.01gをメチレンクロライド30mlに
溶解後、これにp−トルエンスルホン酸メチル
5.58gを加えて室温で48時間撹拌する。反応液に
エーテルを加え不溶部を取し、エタノール−エ
ーテルより再結晶して、ジメチル−2−シクロヘ
キシルカルバモイルエチルスルホニウムp−トル
エンスルホネート3.68g(収率94.8%)を得る。 mp 187−188℃ 上記各実施例で得られた化合物(化合物1−
15)の構造と共に、各例における収率(%)並び
に各化合物のmp(℃)と元素分析値又はbp(℃)
と該磁気共鳴スペクトル(NMR)分析結果(δ
値、ppm)を下記表に示す。尚表中元素分析
値における( )を付して示した数値は計算値
(%)を、また( )を付さないで示した数値は
実測値(%)を示すものとする。またNMRは
DMSO−d6中、TMSを内部標準物質として測定
した値である。
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 [式中R1は低級アルキル基を示し、R2は水素
    原子又は低級アルキル基を示す。R3はR2が水素
    原子の時、シクロヘキシル基、カルボキシメチル
    基、低級アシルフエニル基、テトラゾリルカルバ
    モイルフエニル基、カルボキシメチルフエニル
    基、3−(2−オキソ−4−ハイドロキシテトラ
    ハイドロフリル)オキシフエニル基、低級アルコ
    キシカルボニルメチルカルバモイルフエニル基又
    は基 【式】(R4は低級アルキル基、ハ ロゲン原子又は水酸基を示す)を示し、R2が低
    級アルキル基の時、フエニル基を示す。更にR2
    及びR3は互いに結合してペンタメチレン鎖とな
    り、之等の結合する窒素原子と共に複素環基を形
    成してもよい。]で表わされるスルフアイド化合
    物。
JP58112459A 1983-06-21 1983-06-21 スルフアイド化合物 Granted JPS604163A (ja)

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JP58112459A JPS604163A (ja) 1983-06-21 1983-06-21 スルフアイド化合物

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JPS604163A JPS604163A (ja) 1985-01-10
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EP2998125A1 (en) 2014-09-18 2016-03-23 Lintec Corporation Printing sheet and method of manufacturing same

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