JPH04284604A - 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 - Google Patents
磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法Info
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- JPH04284604A JPH04284604A JP3048256A JP4825691A JPH04284604A JP H04284604 A JPH04284604 A JP H04284604A JP 3048256 A JP3048256 A JP 3048256A JP 4825691 A JP4825691 A JP 4825691A JP H04284604 A JPH04284604 A JP H04284604A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は主に高密度磁気記録媒体
の構成に用いられる六方晶系フェライトの製造方法に関
する。
の構成に用いられる六方晶系フェライトの製造方法に関
する。
【０００３】
【従来の技術】たとえば塗布形の磁気記録媒体は、ポリ
エチレンテレフタレートフイルムなどから成る基体と、
この基体面上に形成された磁性粉およびバインダレジン
を主成分とする磁性層とで構成されている。そして、こ
のような磁気記録媒体の構成に用いられる磁性粉として
は、従来γ−Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２ Ｏ
３ 、ＣｒＯ２ あるいは金属Ｆｅなどの針状磁性粉を
用い、面内長手方向の磁化を利用する磁気記録方式が採
られていた。
エチレンテレフタレートフイルムなどから成る基体と、
この基体面上に形成された磁性粉およびバインダレジン
を主成分とする磁性層とで構成されている。そして、こ
のような磁気記録媒体の構成に用いられる磁性粉として
は、従来γ−Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２ Ｏ
３ 、ＣｒＯ２ あるいは金属Ｆｅなどの針状磁性粉を
用い、面内長手方向の磁化を利用する磁気記録方式が採
られていた。
【０００４】しかし、前記面内長手方向の磁化を利用す
る磁気記録媒体においては、高周波域における記録再生
の向上を図ろうとすると、記録媒体内の減磁界が増加す
るため、記録密度をそれほど向上させることができない
という問題がある。
る磁気記録媒体においては、高周波域における記録再生
の向上を図ろうとすると、記録媒体内の減磁界が増加す
るため、記録密度をそれほど向上させることができない
という問題がある。
【０００５】一方、磁気記録密度の大幅な改善・向上を
図るため、磁気記録媒体の基体と垂直な方向の磁化を利
用する垂直磁気記録方式が提案されている。つまり、こ
の垂直磁気記録方式の場合は、高周波域においても記録
媒体内の減磁界の問題が生じないので、高密度記録に適
するからである。
図るため、磁気記録媒体の基体と垂直な方向の磁化を利
用する垂直磁気記録方式が提案されている。つまり、こ
の垂直磁気記録方式の場合は、高周波域においても記録
媒体内の減磁界の問題が生じないので、高密度記録に適
するからである。
【０００６】前記垂直磁気記録方式に適する記録媒体と
して、Ｃｏ−Ｃｒ合金などを真空蒸着法やスパッタ法に
より基体面上に被着・形成した構成のものが知られてい
る。しかしながら、この種の磁気記録媒体の場合、環境
安定性、走行耐久性、生産性などの点で問題がある。
して、Ｃｏ−Ｃｒ合金などを真空蒸着法やスパッタ法に
より基体面上に被着・形成した構成のものが知られてい
る。しかしながら、この種の磁気記録媒体の場合、環境
安定性、走行耐久性、生産性などの点で問題がある。
【０００７】また、このような問題のない磁気記録媒体
として、基体面上に垂直な方向の磁化を用いる垂直記録
方式に適した高密度垂直記録媒体として、垂直方向に磁
化容易軸を配向し易い六方晶系フェライト、たとえばＭ
型のＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｗ型のＢａＭｅ２ Ｆｅ１６
Ｏ２７（Ｍｅは置換金属元素）、Ｍ型フェライトとスピ
ネルフェライトとを同時に含むもの、あるいはそれらの
原子の一部を他の元素で置換した六方晶系フェライトを
用いたものが知られている。すなわち、前記六方晶系フ
ェライト粉末を、バインダレジン、溶剤および各種添加
剤とともに混合して磁性塗料を調製し、この磁性塗料を
非磁性基体上に塗布したものが知られている。
として、基体面上に垂直な方向の磁化を用いる垂直記録
方式に適した高密度垂直記録媒体として、垂直方向に磁
化容易軸を配向し易い六方晶系フェライト、たとえばＭ
型のＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｗ型のＢａＭｅ２ Ｆｅ１６
Ｏ２７（Ｍｅは置換金属元素）、Ｍ型フェライトとスピ
ネルフェライトとを同時に含むもの、あるいはそれらの
原子の一部を他の元素で置換した六方晶系フェライトを
用いたものが知られている。すなわち、前記六方晶系フ
ェライト粉末を、バインダレジン、溶剤および各種添加
剤とともに混合して磁性塗料を調製し、この磁性塗料を
非磁性基体上に塗布したものが知られている。
【０００８】ところで、このような磁気記録媒体用の六
方晶系フェライトを製造する方法としては、たとえば、
六方晶系フェライトの基本成分と、保磁力低減用の置換
成分と、飽和磁化向上など特性改善用の添加成分および
ガラス形成成分・ガラス修飾成分を混合して加熱溶融さ
せ、この溶融物を急速に冷却して非晶質化（ガラス化）
し、得られた非晶質体に熱処理を施して六方晶系フェラ
イトの結晶粒子を析出させた後、これを粉砕し、得られ
た微粉末をリン酸や酢酸などの希酸で洗浄処理し、ガラ
ス形成成分を溶解除去することなどによって、六方晶系
フェライトを分離抽出するという、ガラス結晶化法が採
られている。
方晶系フェライトを製造する方法としては、たとえば、
六方晶系フェライトの基本成分と、保磁力低減用の置換
成分と、飽和磁化向上など特性改善用の添加成分および
ガラス形成成分・ガラス修飾成分を混合して加熱溶融さ
せ、この溶融物を急速に冷却して非晶質化（ガラス化）
し、得られた非晶質体に熱処理を施して六方晶系フェラ
イトの結晶粒子を析出させた後、これを粉砕し、得られ
た微粉末をリン酸や酢酸などの希酸で洗浄処理し、ガラ
ス形成成分を溶解除去することなどによって、六方晶系
フェライトを分離抽出するという、ガラス結晶化法が採
られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガラス結晶化法では、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＡＯ（ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂから選ば
れた少なくとも１種の元素）となり得る化合物およびＢ
２ Ｏ３ となり得る化合物を用いている。しかして、
これら原料混合物成分の溶融物から得られる非晶質体に
おいては、６３０ ℃程度の温度で六方晶系フェライト
結晶の析出が始るが、結晶性のよい六方晶系フェライト
を得るためには、非晶質体の熱処理温度を可及的に高く
することが望まれ、たとえば８５０℃程度以上の温度に
設定すると、逆に高密度磁気記録用に適した微粒子とな
らずに、粒径の大きいものとなり多磁区粒子の生成が起
こるなどという問題がある。
ガラス結晶化法では、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＡＯ（ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂから選ば
れた少なくとも１種の元素）となり得る化合物およびＢ
２ Ｏ３ となり得る化合物を用いている。しかして、
これら原料混合物成分の溶融物から得られる非晶質体に
おいては、６３０ ℃程度の温度で六方晶系フェライト
結晶の析出が始るが、結晶性のよい六方晶系フェライト
を得るためには、非晶質体の熱処理温度を可及的に高く
することが望まれ、たとえば８５０℃程度以上の温度に
設定すると、逆に高密度磁気記録用に適した微粒子とな
らずに、粒径の大きいものとなり多磁区粒子の生成が起
こるなどという問題がある。
【００１０】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、粒度分布が狭くて結晶性の良好な六方
晶系フェライトを常に製造し得る方法の提供を目的とす
る。［発明の構成］
なされたもので、粒度分布が狭くて結晶性の良好な六方
晶系フェライトを常に製造し得る方法の提供を目的とす
る。［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録用
六方晶系フェライトの製造方法は、一般式、ＡＯ・ｎ（
Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１８−ａ）（
但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦ｘ≦２．７
、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ≦１．０
、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少
なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なくとも１種の
元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少なくとも１
種の元素）で示される六方晶系フェライトを形成する各
元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
てのＳｉＯ２ になり得る化合物とＡＯ（ＡはＢａ、Ｓ
ｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少なくとも１種）
になり得る化合物とを、混合して加熱溶融させた後、急
速冷却を施して非晶質化した後、その非晶質体に熱処理
を施して六方晶系フェライトを析出させ、さらに析出し
た六方晶系フェライトを抽出することを特徴とする。
六方晶系フェライトの製造方法は、一般式、ＡＯ・ｎ（
Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１８−ａ）（
但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦ｘ≦２．７
、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ≦１．０
、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少
なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なくとも１種の
元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少なくとも１
種の元素）で示される六方晶系フェライトを形成する各
元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
てのＳｉＯ２ になり得る化合物とＡＯ（ＡはＢａ、Ｓ
ｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少なくとも１種）
になり得る化合物とを、混合して加熱溶融させた後、急
速冷却を施して非晶質化した後、その非晶質体に熱処理
を施して六方晶系フェライトを析出させ、さらに析出し
た六方晶系フェライトを抽出することを特徴とする。
【００１２】さらに要すれば、前記においてガラス形成
成分・ガラス修飾成分の組成比を、 ０．８ ＜ＡＯ／ＳｉＯ２ ＜２．５ に選択・設定することを特徴とする。
成分・ガラス修飾成分の組成比を、 ０．８ ＜ＡＯ／ＳｉＯ２ ＜２．５ に選択・設定することを特徴とする。
【００１３】ここで、ｎ、ｘ、ｙ、ａが上記範囲を外れ
ると、形成される六方晶系フェライトの保磁力が２００
〜２０００ Ｏｅ の範囲外となって、記録信号の保
持が不可能となったり、あるいは記録が困難となる。さ
らに、ガラス形成成分・ガラス修飾成分の比率は必ずし
も限定されないが、上記のように０．８ ＜ＡＯ／Ｓｉ
Ｏ２ ＜２．５ の範囲外に選択・設定した場合は、熱
処理が施された物質から六方晶系フェライトを抽出し難
い傾向や、六方晶系フェライト以外の相も生成する傾向
がある。さらにまた、六方晶系フェライトの基本成分お
よび保磁力制御用の置換成分の量の和は、３０〜５０モ
ル％ の範囲が好ましい。つまり、３０モル％ より少
ないと粒径が大きくなり過ぎの傾向があり、また５０モ
ル％ を超えると溶融温度が高くなるばかりでなく、熱
処理後における六方晶系フェライトの抽出が困難な傾向
があるからである。
ると、形成される六方晶系フェライトの保磁力が２００
〜２０００ Ｏｅ の範囲外となって、記録信号の保
持が不可能となったり、あるいは記録が困難となる。さ
らに、ガラス形成成分・ガラス修飾成分の比率は必ずし
も限定されないが、上記のように０．８ ＜ＡＯ／Ｓｉ
Ｏ２ ＜２．５ の範囲外に選択・設定した場合は、熱
処理が施された物質から六方晶系フェライトを抽出し難
い傾向や、六方晶系フェライト以外の相も生成する傾向
がある。さらにまた、六方晶系フェライトの基本成分お
よび保磁力制御用の置換成分の量の和は、３０〜５０モ
ル％ の範囲が好ましい。つまり、３０モル％ より少
ないと粒径が大きくなり過ぎの傾向があり、また５０モ
ル％ を超えると溶融温度が高くなるばかりでなく、熱
処理後における六方晶系フェライトの抽出が困難な傾向
があるからである。
【００１４】本発明において、六方晶系フェライトの基
本成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＰｂＯから選
ばれた少なくとも１種とＦｅ２ Ｏ３ であり、また、
保磁力制御のための置換成分は、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２ 、Ｎｂ２ Ｏ５ 、Ｓ
ｎＯ２ 、ＺｒＯ２ 、Ｖ２ Ｏ５ 、ＣｒＯ２ 、Ｍ
ｏＯ２ 、ＭｏＯ、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＧｅＯ２ および
ＷＯ２ から選ばれた少なくとも１種である。さらに、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、
ＣａＯおよびＰｂＯから選ばれる少なくとも１種と、Ｓ
ｉＯ２ が用いられる。そして、これらの各成分は、た
とえば炭酸化合物など他の形態の化合物を用いてもよい
。
本成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＰｂＯから選
ばれた少なくとも１種とＦｅ２ Ｏ３ であり、また、
保磁力制御のための置換成分は、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２ 、Ｎｂ２ Ｏ５ 、Ｓ
ｎＯ２ 、ＺｒＯ２ 、Ｖ２ Ｏ５ 、ＣｒＯ２ 、Ｍ
ｏＯ２ 、ＭｏＯ、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＧｅＯ２ および
ＷＯ２ から選ばれた少なくとも１種である。さらに、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、
ＣａＯおよびＰｂＯから選ばれる少なくとも１種と、Ｓ
ｉＯ２ が用いられる。そして、これらの各成分は、た
とえば炭酸化合物など他の形態の化合物を用いてもよい
。
【００１５】本発明に係る製造方法は、一般的に次のよ
うに行なわれる。すなわち、上記のように選択された原
料を十分に混合し、たとえば１３５０〜１６００℃程度
の温度で加熱溶融した後、この溶融物をたとえば双ロー
ル間に落として急冷し非晶質体とする。次いで、この非
晶質体に８００ 〜１０５０℃程度好ましくは９００
℃以上の温度で熱処理を施し、六方晶系フェライトを析
出させた後、粉砕してから酸および水によりガラス成分
を除去し、前記析出した六方晶系フェライトを抽出して
乾燥することによって、所望の結晶性良好な六方晶系フ
ェライトが得られる。
うに行なわれる。すなわち、上記のように選択された原
料を十分に混合し、たとえば１３５０〜１６００℃程度
の温度で加熱溶融した後、この溶融物をたとえば双ロー
ル間に落として急冷し非晶質体とする。次いで、この非
晶質体に８００ 〜１０５０℃程度好ましくは９００
℃以上の温度で熱処理を施し、六方晶系フェライトを析
出させた後、粉砕してから酸および水によりガラス成分
を除去し、前記析出した六方晶系フェライトを抽出して
乾燥することによって、所望の結晶性良好な六方晶系フ
ェライトが得られる。
【００１６】
【作用】本発明に係る磁気記録用六方晶系フェライトの
製造方法においては、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＳｉＯ２ となり得る化合物、ＡＯとなり得る化
合物とを用いることによって、均一性のよい溶融物が容
易に得られるばかりでなく、微粒径で粒度分布が狭くか
つ板状比も大きくて、磁気記録用に適する結晶性の良好
な六方晶系フェライトを再現性よく得ることができる。
製造方法においては、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＳｉＯ２ となり得る化合物、ＡＯとなり得る化
合物とを用いることによって、均一性のよい溶融物が容
易に得られるばかりでなく、微粒径で粒度分布が狭くか
つ板状比も大きくて、磁気記録用に適する結晶性の良好
な六方晶系フェライトを再現性よく得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１８】六方晶系フェライトの基本成分および保磁
力制御用の置換成分の和が、３７．５モル％ になるよ
うにし、各原料組成分を秤量した。なお、ＣｏおよびＴ
ｉを置換成分としてその置換量ｘ＝ｙ＝０．７７とし、
ｎ＝１．０ 、ａ＝０．０ とし、さらにＡＯ＝ＢａＯ
とした。
力制御用の置換成分の和が、３７．５モル％ になるよ
うにし、各原料組成分を秤量した。なお、ＣｏおよびＴ
ｉを置換成分としてその置換量ｘ＝ｙ＝０．７７とし、
ｎ＝１．０ 、ａ＝０．０ とし、さらにＡＯ＝ＢａＯ
とした。
【００１９】また、析出した六方晶系フェライトの形状
は、透過電子顕微鏡写真上で４００ 個の粒子について
測定を行い算出し、結晶性の比較のため酸洗浄廃液中の
ＣｏＯ量をＩＣＰ発光分析により調べた。さらに磁気特
性は振動試料型磁力計にて最大磁界１０ ＫＯｅを印加
して測定した。
は、透過電子顕微鏡写真上で４００ 個の粒子について
測定を行い算出し、結晶性の比較のため酸洗浄廃液中の
ＣｏＯ量をＩＣＰ発光分析により調べた。さらに磁気特
性は振動試料型磁力計にて最大磁界１０ ＫＯｅを印加
して測定した。
【００２０】実施例１
上記原料組成分の調製において、ＢａＯ／ＳｉＯ２ ＝
１．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を得
た。
１．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を得
た。
【００２１】前記で得た六方晶系Ｂａフェライトの磁気
特性などを測定したところ、保磁力９１０ Ｏｅ、飽和
磁化 ５６ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．５０ 、平均
粒径 ４８ ｎｍ、比表面積４０ ｍ２ ／ｇであった
。また、酸洗浄廃液中のＣｏＯ量は ８ ｐｐｍであっ
た。
特性などを測定したところ、保磁力９１０ Ｏｅ、飽和
磁化 ５６ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．５０ 、平均
粒径 ４８ ｎｍ、比表面積４０ ｍ２ ／ｇであった
。また、酸洗浄廃液中のＣｏＯ量は ８ ｐｐｍであっ
た。
【００２２】実施例２
上記原料組成分の調製において、ＢａＯ／ＳｉＯ２ ＝
２．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を得
た。
２．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を得
た。
【００２３】前記で得た六方晶系Ｂａフェライトの磁気
特性などを測定したところ、保磁力１１００ Ｏｅ 、
飽和磁化 ５５ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．５０ 、
比表面積４６ ｍ２ ／ｇであった。また、酸洗浄廃液
中のＣｏＯ量は １０ ｐｐｍ であった。
特性などを測定したところ、保磁力１１００ Ｏｅ 、
飽和磁化 ５５ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．５０ 、
比表面積４６ ｍ２ ／ｇであった。また、酸洗浄廃液
中のＣｏＯ量は １０ ｐｐｍ であった。
【００２４】比較例１
上記原料組成分の調製において、ＢａＯ／Ｂ２ Ｏ３
＝１．１４と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ル
ツボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれ
の溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷
して非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を７６０
℃で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライト
を析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗
浄、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出
し、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を
得た。
＝１．１４と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ル
ツボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれ
の溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷
して非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を７６０
℃で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライト
を析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗
浄、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出
し、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェライト粉末を
得た。
【００２５】前記で得た六方晶系Ｂａフェライトの磁気
特性などを測定したところ、保磁力１０７０ Ｏｅ 、
飽和磁化 ５３．５ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．４７
、平均粒径 ４８ ｎｍ、比表面積４０ｍ２ ／ｇで
あった。また、酸洗浄廃液中のＣｏＯ量は ３８ ｐｐ
ｍ であった。
特性などを測定したところ、保磁力１０７０ Ｏｅ 、
飽和磁化 ５３．５ ｅｍｕ／ｇ 、角型比 ０．４７
、平均粒径 ４８ ｎｍ、比表面積４０ｍ２ ／ｇで
あった。また、酸洗浄廃液中のＣｏＯ量は ３８ ｐｐ
ｍ であった。
【００２６】比較例２
上記原料組成分の調製において、ＢａＯ／ＳｉＯ２ ＝
０．５ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
たが、Ｘ線回析したところガラスの結晶化したものが残
存していた。
０．５ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。こうして得た非晶質体を９００ ℃
で５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを
析出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄
、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出し
たが、Ｘ線回析したところガラスの結晶化したものが残
存していた。
【００２７】比較例３
上記原料組成分の調製において、ＢａＯ／ＳｉＯ２ ＝
３．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。うして得た非晶質体を１０５０℃で
５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを析
出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄、
水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出した
が、Ｘ線回析したところＦｅ３ Ｏ４ が生成していた
。 上記実施例および比較例から分かるように、非晶
質体の熱処理を低温で行った場合、酸洗浄廃液中のＣｏ
Ｏ量も多い。このことは、置換成分としてのＣｏＯが十
分に、六方晶系Ｂａフェライト中に取り込まれておらず
結晶性の悪いことを示唆しており、また十分な置換が行
われていないことは、たとえば実施例１の場合に対して
比較例１の場合の方が、飽和磁化および角型比が小さい
ことからも容易に推察し得る。
３．０ と選択調製した原料組成分をそれぞれ白金ルツ
ボ内に収容し、１５００℃で溶融した。このそれぞれの
溶融物を急速回転する双ローラ上に落とし、圧延急冷し
て非晶質体を得た。うして得た非晶質体を１０５０℃で
５時間保持の条件で熱処理して六方晶系フェライトを析
出させた後、粉砕しさらに２０％酢酸溶液での酸洗浄、
水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェライトを抽出した
が、Ｘ線回析したところＦｅ３ Ｏ４ が生成していた
。 上記実施例および比較例から分かるように、非晶
質体の熱処理を低温で行った場合、酸洗浄廃液中のＣｏ
Ｏ量も多い。このことは、置換成分としてのＣｏＯが十
分に、六方晶系Ｂａフェライト中に取り込まれておらず
結晶性の悪いことを示唆しており、また十分な置換が行
われていないことは、たとえば実施例１の場合に対して
比較例１の場合の方が、飽和磁化および角型比が小さい
ことからも容易に推察し得る。
【００２８】なお、本発明に係る磁気記録用六方晶系フ
ェライトの製造方法は、前記例示に限定されるものでな
く、たとえば六方晶系フェライトの基本成分および置換
成分の量の和が３７．５ ｍｏｌ％ 以外の場合、Ｂａ
フェライトの代わりにＳｒフェライトなど他のフェライ
トの場合、あるいは置換元素がＣｏやＴｉ以外の場合で
も同様な傾向ないし結果が認められた。
ェライトの製造方法は、前記例示に限定されるものでな
く、たとえば六方晶系フェライトの基本成分および置換
成分の量の和が３７．５ ｍｏｌ％ 以外の場合、Ｂａ
フェライトの代わりにＳｒフェライトなど他のフェライ
トの場合、あるいは置換元素がＣｏやＴｉ以外の場合で
も同様な傾向ないし結果が認められた。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、ガラ
ス結晶化法による六方晶系フェライトの製造に当たり、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分として、ＳｉＯ２ と
なり得る化合物およびＡＯとなり得る化合物を特に用い
る本発明の製造方法によれば、非晶質体の熱処理温度を
高めることが可能となるため、結晶性の良好な六方晶系
フェライトを析出し、しかもその粒度分布が狭くかつ板
状比が大きく、また塗料化の際も良好な分散性を呈する
。 すなわち、本発明の製造方法によれば、高密度磁気記録
用として好適する六方晶系フェライトを、再現性よく得
ることができる。
ス結晶化法による六方晶系フェライトの製造に当たり、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分として、ＳｉＯ２ と
なり得る化合物およびＡＯとなり得る化合物を特に用い
る本発明の製造方法によれば、非晶質体の熱処理温度を
高めることが可能となるため、結晶性の良好な六方晶系
フェライトを析出し、しかもその粒度分布が狭くかつ板
状比が大きく、また塗料化の際も良好な分散性を呈する
。 すなわち、本発明の製造方法によれば、高密度磁気記録
用として好適する六方晶系フェライトを、再現性よく得
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式、 ＡＯ・ｎ（Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１
８−ａ）（但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦
ｘ≦２．７ 、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ
≦１．０ 、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から
選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なく
とも１種の元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ
、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少
なくとも１種の元素）で示される六方晶系フェライトを
形成する各元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修
飾成分としてのＳｉＯ２ になり得る化合物と、ＡＯ（
ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少な
くとも１種）になり得る化合物とを、混合して加熱溶融
させた後、急速冷却を施して非晶質化する工程と、前記
形成した非晶質体に所定温度の熱処理を施して六方晶系
フェライトを析出させる工程と、前記析出した六方晶系
フェライトを抽出する工程とを備えたことを特徴とする
磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、ガラス形成成分・
ガラス修飾成分としての化合物が酸化物換算でのモル比
で、０．８ ＜ＡＯ／ＳｉＯ２ ＜２．５ に選択・設
定された磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048256A JPH04284604A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048256A JPH04284604A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04284604A true JPH04284604A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12798368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048256A Withdrawn JPH04284604A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04284604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110244272A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Fujifilm Corporation | Hexagonal ferrite magnetic particle and method of manufacturing the same, and magnetic recording medium |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3048256A patent/JPH04284604A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110244272A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Fujifilm Corporation | Hexagonal ferrite magnetic particle and method of manufacturing the same, and magnetic recording medium |
| US8545714B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-10-01 | Fujifilm Corporation | Hexagonal ferrite magnetic particle and method of manufacturing the same, and magnetic recording medium |
| US9251833B2 (en) | 2010-03-31 | 2016-02-02 | Fujifilm Corporation | Hexagonal ferrite magnetic particle and method of manufacturing the same, and magnetic recording medium |
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|---|---|---|---|
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