JPH04285015A - 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 - Google Patents
磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法Info
- Publication number
- JPH04285015A JPH04285015A JP3048257A JP4825791A JPH04285015A JP H04285015 A JPH04285015 A JP H04285015A JP 3048257 A JP3048257 A JP 3048257A JP 4825791 A JP4825791 A JP 4825791A JP H04285015 A JPH04285015 A JP H04285015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hexagonal ferrite
- compound
- glass
- magnetic recording
- sio2
- Prior art date
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は主に高密度磁気記録媒体
の構成に用いられる六方晶系フェライトの製造方法に関
する。
の構成に用いられる六方晶系フェライトの製造方法に関
する。
【０００３】
【従来の技術】たとえば塗布形の磁気記録媒体は、ポリ
エチレンテレフタレートフイルムなどから成る基体と、
この基体面上に形成された磁性粉およびバインダレジン
を主成分とする磁性層とで構成されている。そして、こ
のような磁気記録媒体の構成に用いられる磁性粉として
は、従来γ−Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２ Ｏ
３ 、ＣｒＯ２ あるいは金属Ｆｅなどの針状磁性粉を
用い、面内長手方向の磁化を利用する磁気記録方式が採
られていた。
エチレンテレフタレートフイルムなどから成る基体と、
この基体面上に形成された磁性粉およびバインダレジン
を主成分とする磁性層とで構成されている。そして、こ
のような磁気記録媒体の構成に用いられる磁性粉として
は、従来γ−Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２ Ｏ
３ 、ＣｒＯ２ あるいは金属Ｆｅなどの針状磁性粉を
用い、面内長手方向の磁化を利用する磁気記録方式が採
られていた。
【０００４】しかし、前記面内長手方向の磁化を利用す
る磁気記録媒体においては、高周波域における記録再生
の向上を図ろうとすると、記録媒体内の減磁界が増加す
るため、記録密度をそれほど向上させることができない
という問題がある。
る磁気記録媒体においては、高周波域における記録再生
の向上を図ろうとすると、記録媒体内の減磁界が増加す
るため、記録密度をそれほど向上させることができない
という問題がある。
【０００５】磁気記録密度の大幅な改善・向上を図るた
め、磁気記録媒体の基体と垂直な方向の磁化を利用する
垂直磁気記録方式が提案されている。つまり、この垂直
磁気記録方式の場合は、高周波域においても記録媒体内
の減磁界の問題が生じないので、高密度記録に適するか
らである。
め、磁気記録媒体の基体と垂直な方向の磁化を利用する
垂直磁気記録方式が提案されている。つまり、この垂直
磁気記録方式の場合は、高周波域においても記録媒体内
の減磁界の問題が生じないので、高密度記録に適するか
らである。
【０００６】前記垂直磁気記録方式に適する記録媒体と
して、Ｃｏ−Ｃｒ合金などを真空蒸着法やスパッタ法に
より基体面上に被着・形成した構成のものが知られてい
る。しかしながら、この種の磁気記録媒体の場合、環境
安定性、走行耐久性、生産性などの点で問題がある。
して、Ｃｏ−Ｃｒ合金などを真空蒸着法やスパッタ法に
より基体面上に被着・形成した構成のものが知られてい
る。しかしながら、この種の磁気記録媒体の場合、環境
安定性、走行耐久性、生産性などの点で問題がある。
【０００７】一方、このような問題のない磁気記録媒体
として、基体面上に垂直な方向の磁化を用いる垂直記録
方式に適した高密度垂直記録媒体として、垂直方向に磁
化容易軸を配向し易い六方晶系フェライト、たとえばＭ
型のＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｗ型のＢａＭｅ２ Ｆｅ１６
Ｏ２７（Ｍｅは置換金属元素）、Ｍ型フェライトとスピ
ネルフェライトとを同時に含むもの、あるいはそれらの
原子の一部を他の元素で置換した六方晶系フェライトを
用いたものが知られている。すなわち、前記六方晶系フ
ェライト粉末を、バインダレジン、溶剤および各種添加
剤と共に混合して磁性塗料を調製し、この磁性塗料を非
磁性基体上に塗布したものが知られている。
として、基体面上に垂直な方向の磁化を用いる垂直記録
方式に適した高密度垂直記録媒体として、垂直方向に磁
化容易軸を配向し易い六方晶系フェライト、たとえばＭ
型のＢａＦｅ１２Ｏ１９、Ｗ型のＢａＭｅ２ Ｆｅ１６
Ｏ２７（Ｍｅは置換金属元素）、Ｍ型フェライトとスピ
ネルフェライトとを同時に含むもの、あるいはそれらの
原子の一部を他の元素で置換した六方晶系フェライトを
用いたものが知られている。すなわち、前記六方晶系フ
ェライト粉末を、バインダレジン、溶剤および各種添加
剤と共に混合して磁性塗料を調製し、この磁性塗料を非
磁性基体上に塗布したものが知られている。
【０００８】ところで、このような磁気記録媒体用の六
方晶系フェライトを製造する方法としては、たとえば、
六方晶系フェライトの基本成分と、保磁力低減用の置換
成分と、飽和磁化向上など特性改善用の添加成分および
ガラス形成成分を混合して加熱溶融させ、この溶融物を
急速に冷却して非晶質化（ガラス化）し、得られた非晶
質体に熱処理を施して六方晶系フェライトの結晶粒子を
析出させた後、これを粉砕し、得られた微粉末をリン酸
や酢酸などの希酸で洗浄処理し、ガラス形成成分を溶解
除去することによって、六方晶系フェライトを分離抽出
するという、ガラス結晶化法が採られている。
方晶系フェライトを製造する方法としては、たとえば、
六方晶系フェライトの基本成分と、保磁力低減用の置換
成分と、飽和磁化向上など特性改善用の添加成分および
ガラス形成成分を混合して加熱溶融させ、この溶融物を
急速に冷却して非晶質化（ガラス化）し、得られた非晶
質体に熱処理を施して六方晶系フェライトの結晶粒子を
析出させた後、これを粉砕し、得られた微粉末をリン酸
や酢酸などの希酸で洗浄処理し、ガラス形成成分を溶解
除去することによって、六方晶系フェライトを分離抽出
するという、ガラス結晶化法が採られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガラス結晶化法では、ガラス修飾成分としてＡＯ（Ａは
Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂから選ばれた少なくとも１
種の元素）となり得る化合物およびＢ２ Ｏ３ となり
得る化合物を用いている。
ガラス結晶化法では、ガラス修飾成分としてＡＯ（Ａは
Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂから選ばれた少なくとも１
種の元素）となり得る化合物およびＢ２ Ｏ３ となり
得る化合物を用いている。
【００１０】このため、得られる六方晶系フェライトは
、記録信号の保持性から所要の保磁力を有するだけでな
く、高出力・高密度化を図る上で要求される高配向の磁
気記録媒体を得るため、板状比（粒径／厚さ）が十分大
きいものを得ようとすると粒度分布の広いものとなる。 したがって、磁気記録媒体を構成した場合、媒体中にお
ける粒子の充填度合いが低下し、粒子径の大きい粒子は
磁気記録媒体のノイズを高くし、粒子径の著しく小さい
ものは磁気記録媒体を磁気的に不安定にするなどの問題
がある。
、記録信号の保持性から所要の保磁力を有するだけでな
く、高出力・高密度化を図る上で要求される高配向の磁
気記録媒体を得るため、板状比（粒径／厚さ）が十分大
きいものを得ようとすると粒度分布の広いものとなる。 したがって、磁気記録媒体を構成した場合、媒体中にお
ける粒子の充填度合いが低下し、粒子径の大きい粒子は
磁気記録媒体のノイズを高くし、粒子径の著しく小さい
ものは磁気記録媒体を磁気的に不安定にするなどの問題
がある。
【００１１】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、板状比が大きくかつ粒度分布が狭くて
分散性の良好な六方晶系フェライトを常に製造し得る方
法の提供を目的とする。
なされたもので、板状比が大きくかつ粒度分布が狭くて
分散性の良好な六方晶系フェライトを常に製造し得る方
法の提供を目的とする。
【００１２】［発明の構成］
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録用
六方晶系フェライトの製造方法は、一般式、ＡＯ・ｎ（
Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１８−ａ）（
但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦ｘ≦２．７
、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ≦１．０
、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少
なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なくとも１種の
元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少なくとも１
種の元素）で示される六方晶系フェライトを形成する各
元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
てのＢ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ になり得る化合物と
、Ｒ２ Ｏ（ＲはＬｉ、ＮａおよびＫの中から選ばれた
少なくとも１種）およびＡＯとなり得る化合物とを、混
合して加熱溶融させた後、急速冷却を施して非晶質化し
た後、その非晶質体に熱処理を施して六方晶系フェライ
トを析出させ、さらに析出した六方晶系フェライトを抽
出することを特徴とする。
六方晶系フェライトの製造方法は、一般式、ＡＯ・ｎ（
Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１８−ａ）（
但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦ｘ≦２．７
、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ≦１．０
、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から選ばれた少
なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なくとも１種の
元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少なくとも１
種の元素）で示される六方晶系フェライトを形成する各
元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
てのＢ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ になり得る化合物と
、Ｒ２ Ｏ（ＲはＬｉ、ＮａおよびＫの中から選ばれた
少なくとも１種）およびＡＯとなり得る化合物とを、混
合して加熱溶融させた後、急速冷却を施して非晶質化し
た後、その非晶質体に熱処理を施して六方晶系フェライ
トを析出させ、さらに析出した六方晶系フェライトを抽
出することを特徴とする。
【００１４】さらに要すれば、前記において六方晶系フ
ェライトを形成する各元素の化合物量の和が３０〜６０
モル％ で、かつガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
ての化合物が酸化物換算でのモル比で、 ０．８５＜ＡＯ／Ｂ２ Ｏ３ ＜１．３ 、０．１＜Ｒ
２ Ｏ／ＳｉＯ２ ＜４．０ 、０．５ ＜（ＡＯ＋Ｂ
２ Ｏ３ ）／（Ｒ２ Ｏ＋ＳｉＯ２ ）＜８．５ に選択・設定する。
ェライトを形成する各元素の化合物量の和が３０〜６０
モル％ で、かつガラス形成成分・ガラス修飾成分とし
ての化合物が酸化物換算でのモル比で、 ０．８５＜ＡＯ／Ｂ２ Ｏ３ ＜１．３ 、０．１＜Ｒ
２ Ｏ／ＳｉＯ２ ＜４．０ 、０．５ ＜（ＡＯ＋Ｂ
２ Ｏ３ ）／（Ｒ２ Ｏ＋ＳｉＯ２ ）＜８．５ に選択・設定する。
【００１５】ここで、ｎ、ｘ、ｙ、ａが上記範囲を外れ
ると、形成される六方晶系フェライトの保磁力が２００
〜２０００ Ｏｅ の範囲外となって、記録信号の保
持が不可能となったり、あるいは記録が困難となる。さ
らに、ガラス形成成分およびガラス修飾成分の比率を、
上記範囲内に選択・設定した場合は、より板状比が大き
くかつ粒度分布の狭い六方晶系フェライトを形成し易く
なる。さらにまた、六方晶系フェライトの基本成分およ
び保磁力制御用の置換成分の量の和は、３０〜６０モル
％ の範囲が好ましい。つまり、３０モル％ より少な
いと粒径が大きくなり過ぎの傾向があり、また６０モル
％ を超えると熱処理後における六方晶系フェライトの
抽出が困難な傾向があるからである。
ると、形成される六方晶系フェライトの保磁力が２００
〜２０００ Ｏｅ の範囲外となって、記録信号の保
持が不可能となったり、あるいは記録が困難となる。さ
らに、ガラス形成成分およびガラス修飾成分の比率を、
上記範囲内に選択・設定した場合は、より板状比が大き
くかつ粒度分布の狭い六方晶系フェライトを形成し易く
なる。さらにまた、六方晶系フェライトの基本成分およ
び保磁力制御用の置換成分の量の和は、３０〜６０モル
％ の範囲が好ましい。つまり、３０モル％ より少な
いと粒径が大きくなり過ぎの傾向があり、また６０モル
％ を超えると熱処理後における六方晶系フェライトの
抽出が困難な傾向があるからである。
【００１６】本発明において、六方晶系フェライトの基
本成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＰｂＯから選
ばれた少なくとも１種とＦｅ２ Ｏ３ であり、また、
保磁力制御のための置換成分は、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２ 、Ｎｂ２ Ｏ５ 、Ｓ
ｎＯ２ 、ＺｒＯ２ 、Ｖ２ Ｏ５ 、ＣｒＯ２ 、Ｍ
ｏＯ２ 、ＭｏＯ、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＧｅＯ２ および
ＷＯ２ から選ばれた少なくとも１種である。さらに、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、
ＣａＯおよびＰｂＯから選ばれる少なくとも１種と、Ｌ
ｉ２ Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２ Ｏから選ばれる少なく
とも１種と、Ｂ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ が挙げられ
る。そして、これらの各成分は、たとえば炭酸化合物な
ど他の形態の化合物を用いてもよい。 本発明に係る
製造方法は、一般的に次のように行なわれる。 すなわち、上記のように選択された原料を十分に混合し
、たとえば１３５０〜１５００℃程度の温度で加熱溶融
した後、この溶融物をたとえば双ロール間に落として急
冷し非晶質体とする。次いで、この非晶質体に６００
〜９００ ℃程度の熱処理を施し、六方晶系フェライト
を析出させた後、粉砕してから酸および水によりガラス
成分を除去し、前記析出した六方晶系フェライトを抽出
して乾燥することによって、所望の六方晶系フェライト
が得られる。
本成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＰｂＯから選
ばれた少なくとも１種とＦｅ２ Ｏ３ であり、また、
保磁力制御のための置換成分は、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２ 、Ｎｂ２ Ｏ５ 、Ｓ
ｎＯ２ 、ＺｒＯ２ 、Ｖ２ Ｏ５ 、ＣｒＯ２ 、Ｍ
ｏＯ２ 、ＭｏＯ、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＧｅＯ２ および
ＷＯ２ から選ばれた少なくとも１種である。さらに、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分は、ＢａＯ、ＳｒＯ、
ＣａＯおよびＰｂＯから選ばれる少なくとも１種と、Ｌ
ｉ２ Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２ Ｏから選ばれる少なく
とも１種と、Ｂ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ が挙げられ
る。そして、これらの各成分は、たとえば炭酸化合物な
ど他の形態の化合物を用いてもよい。 本発明に係る
製造方法は、一般的に次のように行なわれる。 すなわち、上記のように選択された原料を十分に混合し
、たとえば１３５０〜１５００℃程度の温度で加熱溶融
した後、この溶融物をたとえば双ロール間に落として急
冷し非晶質体とする。次いで、この非晶質体に６００
〜９００ ℃程度の熱処理を施し、六方晶系フェライト
を析出させた後、粉砕してから酸および水によりガラス
成分を除去し、前記析出した六方晶系フェライトを抽出
して乾燥することによって、所望の六方晶系フェライト
が得られる。
【００１７】
【作用】本発明に係る磁気記録用六方晶系フェライトの
製造方法においては、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＢ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ となり得る化合物
、Ｒ２ Ｏとなり得る化合物と、ＡＯとなり得る化合物
とを用いることによって、微粒径で粒度分布が狭くかつ
板状比も大きくて、磁気記録用に適する六方晶系フェラ
イトを再現性よく得ることができる。
製造方法においては、ガラス形成成分・ガラス修飾成分
としてＢ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ となり得る化合物
、Ｒ２ Ｏとなり得る化合物と、ＡＯとなり得る化合物
とを用いることによって、微粒径で粒度分布が狭くかつ
板状比も大きくて、磁気記録用に適する六方晶系フェラ
イトを再現性よく得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１９】六方晶系フェライトの基本成分および保磁
力制御用の置換成分の和が、３７．５モル％ になるよ
うにし、表１に示すごとく各原料組成分を秤量した。な
お、ＣｏおよびＴｉを置換成分としてその置換量ｘ＝ｙ
＝０．７７とし、ｎ＝１．０ 、ａ＝０．０とし、さら
にＲ２ Ｏ＝Ｎａ２ Ｏ、ＡＯ＝ＢａＯとした。
力制御用の置換成分の和が、３７．５モル％ になるよ
うにし、表１に示すごとく各原料組成分を秤量した。な
お、ＣｏおよびＴｉを置換成分としてその置換量ｘ＝ｙ
＝０．７７とし、ｎ＝１．０ 、ａ＝０．０とし、さら
にＲ２ Ｏ＝Ｎａ２ Ｏ、ＡＯ＝ＢａＯとした。
【００２０】
表１
ＢａＯ／ Ｂ２ Ｏ３ Ｎａ２ Ｏ／
ＳｉＯ２ （ＢａＯ＋ Ｂ２ Ｏ３ ）
熱処理条件
／（Ｎ
ａ ２ Ｏ ＋ＳｉＯ ２ ） 実施例１ １．
０ ０．５
３．５１ ７７０ ℃−
５ｈｒ ２ １．２８
０．６５ ０．５５
７５０ ℃−５ｈｒ
３ １．０ ３．９
６．３９
７８０ ℃−５ｈｒ 比較例１ １．１４
Ｎａ２ Ｏ− ＳｉＯ２ 使用せず
７８０ ℃−５ｈｒ
２ Ｂ２ Ｏ３ 使用せず ０．２５
０．２
８００ ℃−５ｈｒ 前記のごとく選択調製した原料
組成分をそれぞれ白金ルツボ内に収容し、１３８０℃で
溶融した。このそれぞれの溶融物を急速回転する双ロー
ラ上に落とし、圧延急冷して非晶質体を得た。うして得
た非晶質体を７５０ 〜８００℃で５時間保持の条件で
熱処理して六方晶系フェライトを析出させた後、粉砕し
さらに酸洗浄、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェラ
イトを抽出し、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェラ
イトを得た。
ＢａＯ／ Ｂ２ Ｏ３ Ｎａ２ Ｏ／
ＳｉＯ２ （ＢａＯ＋ Ｂ２ Ｏ３ ）
熱処理条件
／（Ｎ
ａ ２ Ｏ ＋ＳｉＯ ２ ） 実施例１ １．
０ ０．５
３．５１ ７７０ ℃−
５ｈｒ ２ １．２８
０．６５ ０．５５
７５０ ℃−５ｈｒ
３ １．０ ３．９
６．３９
７８０ ℃−５ｈｒ 比較例１ １．１４
Ｎａ２ Ｏ− ＳｉＯ２ 使用せず
７８０ ℃−５ｈｒ
２ Ｂ２ Ｏ３ 使用せず ０．２５
０．２
８００ ℃−５ｈｒ 前記のごとく選択調製した原料
組成分をそれぞれ白金ルツボ内に収容し、１３８０℃で
溶融した。このそれぞれの溶融物を急速回転する双ロー
ラ上に落とし、圧延急冷して非晶質体を得た。うして得
た非晶質体を７５０ 〜８００℃で５時間保持の条件で
熱処理して六方晶系フェライトを析出させた後、粉砕し
さらに酸洗浄、水洗浄を順次施して六方晶系Ｂａフェラ
イトを抽出し、これを乾燥処理して六方晶系Ｂａフェラ
イトを得た。
【００２１】また、析出した六方晶系フェライトの形状
は、透過電子顕微鏡写真上で４００ 個の粒子について
測定を行い算出し、粒度分布は粒子の分布が対数正規分
布に従うことから、幾何標準偏差を求めることによって
調べた。その結果を表２に示す。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく
、前記に規定した組成分および組成比の範囲内ではいず
れの場合も同様の結果が認められる。すなわち、六方晶
系フェライトの基本成分および置換成分の量の和が３７
．５モル％ 以外の場合、Ｂａフェライトの代わりにＳ
ｒフェライトなど他のフェライトの場合、あるいは置換
元素がＣｏやＴｉ以外の場合でも同様な傾向ないし結果
が認められた。
は、透過電子顕微鏡写真上で４００ 個の粒子について
測定を行い算出し、粒度分布は粒子の分布が対数正規分
布に従うことから、幾何標準偏差を求めることによって
調べた。その結果を表２に示す。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく
、前記に規定した組成分および組成比の範囲内ではいず
れの場合も同様の結果が認められる。すなわち、六方晶
系フェライトの基本成分および置換成分の量の和が３７
．５モル％ 以外の場合、Ｂａフェライトの代わりにＳ
ｒフェライトなど他のフェライトの場合、あるいは置換
元素がＣｏやＴｉ以外の場合でも同様な傾向ないし結果
が認められた。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、ガラ
ス結晶化法による六方晶系フェライトの製造に当たり、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分として、Ｂ２ Ｏ３
およびＳｉＯ２ となり得る化合物、Ｒ２Ｏとなり得る
化合物、さらにＡＯとなり得る化合物を特に用いる本発
明の製造方法によれば、粒度分布が狭くかつ板状比が大
きくて、また塗料化の際の分散性も良好な六方晶系フェ
ライトを、再現性よく得ることができる。つまり得られ
た磁性粉末を使用することによって、高出力、低ノイズ
で大きいＳ／Ｎ比を有するた高密度磁気記録媒体を作製
することができる。
ス結晶化法による六方晶系フェライトの製造に当たり、
ガラス形成成分・ガラス修飾成分として、Ｂ２ Ｏ３
およびＳｉＯ２ となり得る化合物、Ｒ２Ｏとなり得る
化合物、さらにＡＯとなり得る化合物を特に用いる本発
明の製造方法によれば、粒度分布が狭くかつ板状比が大
きくて、また塗料化の際の分散性も良好な六方晶系フェ
ライトを、再現性よく得ることができる。つまり得られ
た磁性粉末を使用することによって、高出力、低ノイズ
で大きいＳ／Ｎ比を有するた高密度磁気記録媒体を作製
することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式、 ＡＯ・ｎ（Ｆｅ１２−ｘ−ｙＭ１ ｘ Ｍ２ ｙ Ｏ１
８−ａ）（但し、０．８ ≦ｎ≦２．０ 、０．５５≦
ｘ≦２．７ 、０．０ ≦ｙ＜２．０ 、０．０ ≦ａ
≦１．０ 、ＡはＢａ、Ｓｒ、ＣａおよびＰｂの中から
選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ１はＣｏ、 Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎ、ＭｎおよびＭｇの中から選ばれた少なく
とも１種の元素、Ｍ２ はＴｉ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｖ
、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＧｅおよびＷの中から選ばれた少
なくとも１種の元素）で示される六方晶系フェライトを
形成する各元素の化合物と、ガラス形成成分・ガラス修
飾成分としてのＢ２ Ｏ３ およびＳｉＯ２ になり得
る化合物と、Ｒ２ Ｏ（ＲはＬｉ、ＮａおよびＫの中か
ら選ばれた少なくとも１種）およびＡＯになり得る化合
物とを混合して加熱溶融させた後、急速冷却を施して非
晶質化する工程と、前記形成した非晶質体に所定温度の
熱処理を施して六方晶系フェライトを析出させる工程と
、前記析出した六方晶系フェライトを抽出する工程とを
備えたことを特徴とする磁気記録用六方晶系フェライト
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、ガラス形成成分・
ガラス修飾成分としての化合物が酸化物換算でのモル比
で、 ０．８５＜ＡＯ／Ｂ２ Ｏ３ ＜１．３ 、０．１＜Ｒ
２ Ｏ／ＳｉＯ２ ＜４．０ 、０．５ ＜（ＡＯ＋Ｂ
２ Ｏ３ ）／（Ｒ２ Ｏ＋ＳｉＯ２ ）＜８．５ に選択・設定された磁気記録用六方晶系フェライトの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048257A JPH04285015A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048257A JPH04285015A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285015A true JPH04285015A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12798395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048257A Withdrawn JPH04285015A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 磁気記録用六方晶系フェライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04285015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04362020A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-15 | Ube Ind Ltd | フェライト磁性粉及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3048257A patent/JPH04285015A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04362020A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-15 | Ube Ind Ltd | フェライト磁性粉及びその製造方法 |
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