JPH04286351A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04286351A JPH04286351A JP5148891A JP5148891A JPH04286351A JP H04286351 A JPH04286351 A JP H04286351A JP 5148891 A JP5148891 A JP 5148891A JP 5148891 A JP5148891 A JP 5148891A JP H04286351 A JPH04286351 A JP H04286351A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- gas
- forming
- opening
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体基板上に形成した異なる配線層を接
合させる技術に関するものである。
に関し、特に半導体基板上に形成した異なる配線層を接
合させる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法の
工程順を示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すよ
うに絶縁膜１上にパターニングしたアルミニウム配線２
上に、ＣＶＤ法により酸化膜３を形成する。次に図２（
ｂ）に示すように酸化膜３上に塗布ガラス膜４を形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように塗布ガラス膜４上にＣ
ＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。
工程順を示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すよ
うに絶縁膜１上にパターニングしたアルミニウム配線２
上に、ＣＶＤ法により酸化膜３を形成する。次に図２（
ｂ）に示すように酸化膜３上に塗布ガラス膜４を形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように塗布ガラス膜４上にＣ
ＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。
【０００３】次に図２（ｄ）に示すようにパターニング
した感光性膜６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス
膜４及び酸化膜３の順にエッチングを行い、アルミニウ
ム配線２上に開孔部７を形成する。次に図２（ｅ）に示
すように感光性膜６を除去する。
した感光性膜６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス
膜４及び酸化膜３の順にエッチングを行い、アルミニウ
ム配線２上に開孔部７を形成する。次に図２（ｅ）に示
すように感光性膜６を除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の方法では開孔部側壁にガラス膜層が露出
するので、後工程の熱処理等により、露出したガラス膜
層から水分を含んだガスが発生し、このガス中の成分に
よって配線が腐食されるおそれがあった。
たような従来の方法では開孔部側壁にガラス膜層が露出
するので、後工程の熱処理等により、露出したガラス膜
層から水分を含んだガスが発生し、このガス中の成分に
よって配線が腐食されるおそれがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
点に鑑みてなされたもので、開孔部側壁をガス防護膜で
覆った。
点に鑑みてなされたもので、開孔部側壁をガス防護膜で
覆った。
【０００６】
【作用】上記のような方法を用いれば、開孔部側壁にガ
ラス膜が露出しないので、脱ガスが抑えられる。
ラス膜が露出しないので、脱ガスが抑えられる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように絶縁膜１上にパター
ニングしたアルミニウム配線２上に、ＣＶＤ法により酸
化膜３を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように酸化
膜３上に平坦化のための塗布ガラス膜４を形成する。
る。まず、図１（ａ）に示すように絶縁膜１上にパター
ニングしたアルミニウム配線２上に、ＣＶＤ法により酸
化膜３を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように酸化
膜３上に平坦化のための塗布ガラス膜４を形成する。
【０００８】次に、図１（ｃ）に示すように塗布ガラス
膜４上に、ＣＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。次
に、図１（ｄ）に示すようにパターニングした感光性膜
６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４及び酸化
膜３の順にエッチングを行い、アルミニウム配線２上に
開孔部７を形成する。次に、図１（ｅ）に示すように感
光性膜６を除去した後、酸化膜５と開孔部７の全面にガ
ス保護膜８をプラズマＣＶＤ法により形成する。次に、
図１（ｆ）に示すように窒化膜８を、開孔部７側壁を除
きドライエッチングにより除去する。
膜４上に、ＣＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。次
に、図１（ｄ）に示すようにパターニングした感光性膜
６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４及び酸化
膜３の順にエッチングを行い、アルミニウム配線２上に
開孔部７を形成する。次に、図１（ｅ）に示すように感
光性膜６を除去した後、酸化膜５と開孔部７の全面にガ
ス保護膜８をプラズマＣＶＤ法により形成する。次に、
図１（ｆ）に示すように窒化膜８を、開孔部７側壁を除
きドライエッチングにより除去する。
【０００９】上記ガス保護膜としては、窒化膜、オキシ
ナイトライド膜を用いるのがよい。
ナイトライド膜を用いるのがよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、微細化、高集積化を必
要とする超ＬＳＩの製造工程において、ガラス膜を用い
たことにより多層配線の層間絶縁膜の平坦化が達成され
ると同時に、多層配線を接合するためのコンタクトホー
ルには、ガス防護膜を用いたことによりガラス膜が露出
しないので、脱ガスが抑えられ、配線の腐食による断線
不良がなくなる。よって半導体装置の信頼性が向上する
。
要とする超ＬＳＩの製造工程において、ガラス膜を用い
たことにより多層配線の層間絶縁膜の平坦化が達成され
ると同時に、多層配線を接合するためのコンタクトホー
ルには、ガス防護膜を用いたことによりガラス膜が露出
しないので、脱ガスが抑えられ、配線の腐食による断線
不良がなくなる。よって半導体装置の信頼性が向上する
。
【図１】本発明の製造方法の工程順を示す断面図である
。
。
【図２】従来の製造方法の工程順を示す断面図である。
１ 絶縁膜
２ アルミニウム配線
３ 酸化膜
４ 塗布ガラス膜
５ 酸化膜
６ 感光性膜
７ 開孔部
８ ガス防護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の主面に所望の素子を形成
し、全面に第１の酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜
上に塗布ガラス膜を全面に形成し、凹凸部に滑らかな斜
面を形成する工程と、前記ガラス膜上に第２の酸化膜を
形成する工程と、前記第１、第２の酸化膜とガラス膜の
所望の部分を開孔する工程と、前記酸化膜上と開孔領域
全面にガス防護膜を形成する工程と、前記ガス防護膜を
開孔部側壁を除きエッチングにより除去する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ガス防護膜は窒化膜である請求項
１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガス防護膜はオキシナイトライド
膜である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148891A JPH04286351A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148891A JPH04286351A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286351A true JPH04286351A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12888355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148891A Pending JPH04286351A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286351A (ja) |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5148891A patent/JPH04286351A/ja active Pending
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