JPH04306830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04306830A JPH04306830A JP7119391A JP7119391A JPH04306830A JP H04306830 A JPH04306830 A JP H04306830A JP 7119391 A JP7119391 A JP 7119391A JP 7119391 A JP7119391 A JP 7119391A JP H04306830 A JPH04306830 A JP H04306830A
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- Pending
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線を使用する半
導体集積回路において、アルミニウム配線間の相互接続
を有する半導体装置の製造方法に関する。
導体集積回路において、アルミニウム配線間の相互接続
を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来の多層配線を施す半導体装置の製造方
法を図１に示す。従来は、図１に示すように（ａ） 半
導体装置上に第１層のアルミニウム（Ａｌ）配線２、シ
リコン酸化膜３及び多層レジスト４（下層レジスト４１
、中間層レジスト４２及び上層レジスト４３から成る）
を順次設ける工程と、（ｂ） このＡｌ配線２上のシリ
コン酸化膜上に多層レジストの開口パターン５を形成す
る工程と、（ｃ） 第２層Ａｌ配線と相互接続を行うた
めのコンタクト６を形成するため、前記多層レジストの
最下層レジストの開口パターンに基づき前記シリコン酸
化膜を異方性ドライエッチングして前記アルミニウム配
線層を露出する工程と、（ｄ） 前記最下層レジストを
酸素プラズマのドライエッチングにより除去する工程に
より半導体装置を製造していた。
法を図１に示す。従来は、図１に示すように（ａ） 半
導体装置上に第１層のアルミニウム（Ａｌ）配線２、シ
リコン酸化膜３及び多層レジスト４（下層レジスト４１
、中間層レジスト４２及び上層レジスト４３から成る）
を順次設ける工程と、（ｂ） このＡｌ配線２上のシリ
コン酸化膜上に多層レジストの開口パターン５を形成す
る工程と、（ｃ） 第２層Ａｌ配線と相互接続を行うた
めのコンタクト６を形成するため、前記多層レジストの
最下層レジストの開口パターンに基づき前記シリコン酸
化膜を異方性ドライエッチングして前記アルミニウム配
線層を露出する工程と、（ｄ） 前記最下層レジストを
酸素プラズマのドライエッチングにより除去する工程に
より半導体装置を製造していた。
【０００３】この方法によりコンタクト６を形成した場
合、コンタクト孔内部にコンタクト開口時の反応性イオ
ンエッチングに伴う反応生成物７が残るため、コンタク
ト径が小さくなったり、第２層Ａｌ配線が断線したり或
いはＡｌ配線の相互の接続不良を引き起こしたりするた
め、電気的導通に問題があった。
合、コンタクト孔内部にコンタクト開口時の反応性イオ
ンエッチングに伴う反応生成物７が残るため、コンタク
ト径が小さくなったり、第２層Ａｌ配線が断線したり或
いはＡｌ配線の相互の接続不良を引き起こしたりするた
め、電気的導通に問題があった。
【０００４】従って、コンタクト開口時の反応性イオン
エッチングに伴う反応生成物を除去する必要がある。し
かしレジストが単層の場合のように、前記（ｄ） 工程
においてのみレジスト処理のためにＯ２／Ｎ２ プラズ
マが用いられる場合は、この工程で生じた生成物は有機
アミン系溶剤で除去することができるものの、多層レジ
ストの場合には、前記（ｂ） 工程においてもレジスト
形成、開口のためにＯ２／Ｎ２ プラズマが用いられる
場合は、（ｂ） 工程においても反応生成物が生じるた
め有機アミン系溶剤でこれらの生成物を全て除去するこ
とは困難であるため、従来はこれらの生成物を除去して
いなかったので、前述のような問題が生じていた。
エッチングに伴う反応生成物を除去する必要がある。し
かしレジストが単層の場合のように、前記（ｄ） 工程
においてのみレジスト処理のためにＯ２／Ｎ２ プラズ
マが用いられる場合は、この工程で生じた生成物は有機
アミン系溶剤で除去することができるものの、多層レジ
ストの場合には、前記（ｂ） 工程においてもレジスト
形成、開口のためにＯ２／Ｎ２ プラズマが用いられる
場合は、（ｂ） 工程においても反応生成物が生じるた
め有機アミン系溶剤でこれらの生成物を全て除去するこ
とは困難であるため、従来はこれらの生成物を除去して
いなかったので、前述のような問題が生じていた。
【０００５】
【発明の解決すべき課題】本発明は、多層配線を使用す
る半導体装置の製造工程において多層レジストを用いた
場合に、コンタクト孔内部にコンタクト開口時の反応性
イオンエッチングに伴って生じる反応生成物を除去し、
Ａｌ配線の相互接続を確実に行うことを目的とする。
る半導体装置の製造工程において多層レジストを用いた
場合に、コンタクト孔内部にコンタクト開口時の反応性
イオンエッチングに伴って生じる反応生成物を除去し、
Ａｌ配線の相互接続を確実に行うことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置上
にアルミニウム配線層、シリコン酸化膜及び多層レジス
トを順次設ける工程と、このアルミニウム配線層上のシ
リコン酸化膜上に多層レジストの開口パターンを形成す
る工程と、前記多層レジストの最下層レジストの開口パ
ターンに基づき前記シリコン酸化膜を異方性ドライエッ
チングして前記アルミニウム配線層を露出する工程と、
前記最下層レジストを酸素プラズマのドライエッチング
により除去する工程を順次行う半導体装置の製造方法に
おいて、前記シリコン酸化膜を異方性ドライエッチング
するに先立って、前記最下層レジスト膜をふっ化水素に
浸漬する工程と、前記最下層レジスト膜を酸化プラズマ
のドライエッチングにより除去した後に、有機アミン系
溶剤に浸漬する工程と、を行うものである。
にアルミニウム配線層、シリコン酸化膜及び多層レジス
トを順次設ける工程と、このアルミニウム配線層上のシ
リコン酸化膜上に多層レジストの開口パターンを形成す
る工程と、前記多層レジストの最下層レジストの開口パ
ターンに基づき前記シリコン酸化膜を異方性ドライエッ
チングして前記アルミニウム配線層を露出する工程と、
前記最下層レジストを酸素プラズマのドライエッチング
により除去する工程を順次行う半導体装置の製造方法に
おいて、前記シリコン酸化膜を異方性ドライエッチング
するに先立って、前記最下層レジスト膜をふっ化水素に
浸漬する工程と、前記最下層レジスト膜を酸化プラズマ
のドライエッチングにより除去した後に、有機アミン系
溶剤に浸漬する工程と、を行うものである。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図２を用いて説明する。先
ず、半導体装置１０上に第１層Ａｌ配線１１を形成し、
その上にＳｉＯ２層間絶縁膜１２をプラズマ化学気相成
長法や常圧化学気相成長法により１００００ Å堆積し
、更に電子線直描法を行うための３層レジスト１３を塗
布する（図２（ａ） 参照）。
ず、半導体装置１０上に第１層Ａｌ配線１１を形成し、
その上にＳｉＯ２層間絶縁膜１２をプラズマ化学気相成
長法や常圧化学気相成長法により１００００ Å堆積し
、更に電子線直描法を行うための３層レジスト１３を塗
布する（図２（ａ） 参照）。
【０００８】次に、上層レジスト１３３を電子線により
パターン形成し、その上層レジストをマスクとして中間
層１３２をパターニングし、中間層１３２をマスクとし
てＯ２ ／Ｎ２ プラズマにより下層レジスト１３１を
エッチングする。このとき、上層レジストは除去され、
中間レジスト層１３２が露出する（図２（ｂ） 参照）
。
パターン形成し、その上層レジストをマスクとして中間
層１３２をパターニングし、中間層１３２をマスクとし
てＯ２ ／Ｎ２ プラズマにより下層レジスト１３１を
エッチングする。このとき、上層レジストは除去され、
中間レジスト層１３２が露出する（図２（ｂ） 参照）
。
【０００９】この工程において生じた反応生成物ををふ
っ化水素水と酢酸が２：１の混合液に５秒間浸漬するこ
とによって除去する。また、このとき図２（ｃ） に示
すようにＳｉＯ２層間絶縁膜１２が等方的にエッチング
され、テーパ１８が形成される。
っ化水素水と酢酸が２：１の混合液に５秒間浸漬するこ
とによって除去する。また、このとき図２（ｃ） に示
すようにＳｉＯ２層間絶縁膜１２が等方的にエッチング
され、テーパ１８が形成される。
【００１０】その後、下層レジスト１３１をマスクにし
て反応性イオンエッチング法（異方性ドライエッチング
）により層間絶縁膜１２をエッチングしてコンタクト孔
１６を開口する。下層レジスト１３１はＯ２ ／Ｎ２
プラズマによりり除去するが、コンタクト孔にはエッチ
ングに伴う生成物１７が残る（図２（ｄ） 参照）ので
、これをモノエタノールアミン（７０％）とジメチルス
ルホキシド（３０％）の混合液から成るポジ型レジスト
剥離液、１２０℃に１０分間浸して、生成物を除去する
ものである。
て反応性イオンエッチング法（異方性ドライエッチング
）により層間絶縁膜１２をエッチングしてコンタクト孔
１６を開口する。下層レジスト１３１はＯ２ ／Ｎ２
プラズマによりり除去するが、コンタクト孔にはエッチ
ングに伴う生成物１７が残る（図２（ｄ） 参照）ので
、これをモノエタノールアミン（７０％）とジメチルス
ルホキシド（３０％）の混合液から成るポジ型レジスト
剥離液、１２０℃に１０分間浸して、生成物を除去する
ものである。
【００１１】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法を実施す
ることにより、コンタクト孔底部やその周辺の残さ物が
除去されるため、第２層Ａｌ配線の断線不良や第１層Ａ
ｌと第２層Ａｌのコンタクト断線不良が発生しなくなる
。更に、下層レジストの開口パターンを形成した後、ふ
っ化水素の混合液に浸漬するため、コンタクト上層部に
テーパ形状が形成されるので、第２Ａｌ配線のコントク
トホール被覆率が向上し、半導体装置の歩留り、信頼性
が向上する。
ることにより、コンタクト孔底部やその周辺の残さ物が
除去されるため、第２層Ａｌ配線の断線不良や第１層Ａ
ｌと第２層Ａｌのコンタクト断線不良が発生しなくなる
。更に、下層レジストの開口パターンを形成した後、ふ
っ化水素の混合液に浸漬するため、コンタクト上層部に
テーパ形状が形成されるので、第２Ａｌ配線のコントク
トホール被覆率が向上し、半導体装置の歩留り、信頼性
が向上する。
【図１】従来の半導体製造工程における半導体の断面図
【図２】本発明による半導体製造工程における半導体の
断面図
断面図
１ 半導体装置
２ 第１層アルミニユウム
３ 層間絶縁膜
４ 多層レジスト
６ コンタクト孔
７ エッチング生成物
１０ 半導体装置
１１ 第１層アルミニユウム
１２ ＳｉＯ２層間絶縁膜
１３ ３層レジスト
１３１ 下層レジスト
１３２ 中間層レジスト
１３３ 上層レジスト
１６ コンタクト孔
１７ エッチング生成物
１８ テーパ
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ） 半導体装置上にアルミニウム配線
層、シリコン酸化膜及び多層レジストを順次設ける工程
と、（ｂ） 前記アルミニウム配線層上のシリコン酸化
膜上に多層レジストの開口パターンを形成する工程と、
（ｃ） 前記多層レジストの最下層レジストの開口パタ
ーンに基づき前記シリコン酸化膜を異方性ドライエッチ
ングして前記アルミニウム配線層を露出する工程と、（
ｄ） 前記最下層レジストを酸素プラズマのドライエッ
チングにより除去する工程を順次行う半導体装置の製造
方法において、（ｅ） 前記シリコン酸化膜を異方性ド
ライエッチングするに先立って、前記最下層レジストを
ふっ化水素の混合液に浸漬する工程と、（ｆ） 前記最
下層レジストを酸素プラズマのドライエッチングにより
除去した後に、有機アミン系溶剤に浸漬する工程と、を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119391A JPH04306830A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119391A JPH04306830A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306830A true JPH04306830A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13453590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7119391A Pending JPH04306830A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050477A (ja) * | 1997-10-22 | 2010-03-04 | Imec | 有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP7119391A patent/JPH04306830A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050477A (ja) * | 1997-10-22 | 2010-03-04 | Imec | 有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング |
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