JPH043114B2 - - Google Patents
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- JPH043114B2 JPH043114B2 JP59265846A JP26584684A JPH043114B2 JP H043114 B2 JPH043114 B2 JP H043114B2 JP 59265846 A JP59265846 A JP 59265846A JP 26584684 A JP26584684 A JP 26584684A JP H043114 B2 JPH043114 B2 JP H043114B2
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- JP
- Japan
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- thyristor
- gate
- electrostatic induction
- region
- anode
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、従来形光トリガサイリスタまたは光
トリガ静電誘導サイリスタよりも更に光トリガ感
度が向上した光トリガサイリスタまたは光トリガ
静電誘導サイリスタに関し、中小電力から大電力
のスイツチング素子として利用されるものであ
る。
トリガ静電誘導サイリスタよりも更に光トリガ感
度が向上した光トリガサイリスタまたは光トリガ
静電誘導サイリスタに関し、中小電力から大電力
のスイツチング素子として利用されるものであ
る。
従来、サイリスタを光でトリガすることは広く
行なわれており、LASCR、Ligh Activated
Thyristor、ホトサイリスタ等の名称で実施され
ていることは周知の事実である。従来形光トリガ
サイリスタで、増幅用サイリスタを集積化した増
幅ゲート構造が一般的である。さらに、増幅用静
電誘導サイリスタまたは増幅用静電誘導トランジ
スタを集積化し光トリガ感度を向上させた光トリ
ガサイリスタが、本願発明者によつて既に提案さ
れ、特願昭59−181534号「光トリガサイリスタ」
に開示されている。
行なわれており、LASCR、Ligh Activated
Thyristor、ホトサイリスタ等の名称で実施され
ていることは周知の事実である。従来形光トリガ
サイリスタで、増幅用サイリスタを集積化した増
幅ゲート構造が一般的である。さらに、増幅用静
電誘導サイリスタまたは増幅用静電誘導トランジ
スタを集積化し光トリガ感度を向上させた光トリ
ガサイリスタが、本願発明者によつて既に提案さ
れ、特願昭59−181534号「光トリガサイリスタ」
に開示されている。
静電誘導サイリスタ（Static Induction
Thyristor；以下SIサイリスタと略称する）の光
トリガは、本願発明者によつて既に提案され、特
許第1534149号（特公平１−3069号）「静電誘導サ
イリスタを含む半導体装置」、特願昭59−54937号
「光クエンチ可能なサリスタ装置」及び特願昭59
−175734号「光トリガ・光クエンチ静電誘導サイ
リスタ」及び昭和59年８月25日出願「光トリガ・
光クエンチ静電誘導サイリスタ」に開示されてい
る。構造例は、主SIサイリスタに光を入射させて
トリガする直接トリガ形式の例が、特願昭59−
54937号「光クエンチ可能なサイリスタ装置」に
示されている。また、光トリガ用増幅素子として
静電誘導ホトトランジスタ（Static Induction
Photo Transistor、以下SIホトトランジスタと
略称する）または、静電誘導ホトサイリスタ
（Static Induction Photo−Thyristor、以下SIホ
トサイリスタと略称する）を集積化した例が、特
願昭59−176957号「光トリガ・光クエンチ静電誘
導サイリスタ」に示されている。
Thyristor；以下SIサイリスタと略称する）の光
トリガは、本願発明者によつて既に提案され、特
許第1534149号（特公平１−3069号）「静電誘導サ
イリスタを含む半導体装置」、特願昭59−54937号
「光クエンチ可能なサリスタ装置」及び特願昭59
−175734号「光トリガ・光クエンチ静電誘導サイ
リスタ」及び昭和59年８月25日出願「光トリガ・
光クエンチ静電誘導サイリスタ」に開示されてい
る。構造例は、主SIサイリスタに光を入射させて
トリガする直接トリガ形式の例が、特願昭59−
54937号「光クエンチ可能なサイリスタ装置」に
示されている。また、光トリガ用増幅素子として
静電誘導ホトトランジスタ（Static Induction
Photo Transistor、以下SIホトトランジスタと
略称する）または、静電誘導ホトサイリスタ
（Static Induction Photo−Thyristor、以下SIホ
トサイリスタと略称する）を集積化した例が、特
願昭59−176957号「光トリガ・光クエンチ静電誘
導サイリスタ」に示されている。
上述の光トリガサイリスタ、光トリガ静電誘導
サイリスタのほとんどは、トリガ光がカソード側
から入射される方式である。トリガ光をアノード
側から入射させる方式の構造例は、特願昭59−
54937号「光クエンチ可能なサイリスタ装置」に
数例示されているのみである。本願の第１１図
は、特願昭59−54937号「光クエンチ可能なサイ
リスタ装置」に提案されている主SIサイリスタの
アノード側からトリガ光が入射する方式の光トリ
ガ・光クエンチSIサイリスタの構造例である。第
１１図の構造例では、埋め込みゲート形SIサイリ
スタと光クエンチ用SIホトトランジスタが集積化
されている。トリガ光は、埋め込みゲート形SIサ
イリスタのアノード電極が設けられていないp+
アノード領域からSIサイリスタ内に入射される。
クエンチ光は光クエンチ用SIホトトランジスタに
直接入射される。
サイリスタのほとんどは、トリガ光がカソード側
から入射される方式である。トリガ光をアノード
側から入射させる方式の構造例は、特願昭59−
54937号「光クエンチ可能なサイリスタ装置」に
数例示されているのみである。本願の第１１図
は、特願昭59−54937号「光クエンチ可能なサイ
リスタ装置」に提案されている主SIサイリスタの
アノード側からトリガ光が入射する方式の光トリ
ガ・光クエンチSIサイリスタの構造例である。第
１１図の構造例では、埋め込みゲート形SIサイリ
スタと光クエンチ用SIホトトランジスタが集積化
されている。トリガ光は、埋め込みゲート形SIサ
イリスタのアノード電極が設けられていないp+
アノード領域からSIサイリスタ内に入射される。
クエンチ光は光クエンチ用SIホトトランジスタに
直接入射される。
以上述べたように、従来型光トリガサイリスタ
では、カソード側から光入射を行なつているため
に、カソード領域、ベース領域内において光吸収
の影響を受けやすいことと、バイポーラベース構
造を有する増幅用補助サイリスタを用いるため
に、光増幅度が低く、光トリガ感度が上がらない
という欠点があつた。さらに、第１１図に示され
た静電誘導型光トリガ・光クエンチサイリスタで
は、第一ゲート、第二ゲートはともに、それぞれ
共通ゲート領域となつていて、増幅用補助サイリ
スタ等の増幅ゲート構造を有していないため、光
トリガ感度の点で更に改良の余地が残されてい
た。本発明は、上記の問題点を解決し、改良され
た光トリガ感度を有した光トリガサイリスタを提
供することを目的とする。
では、カソード側から光入射を行なつているため
に、カソード領域、ベース領域内において光吸収
の影響を受けやすいことと、バイポーラベース構
造を有する増幅用補助サイリスタを用いるため
に、光増幅度が低く、光トリガ感度が上がらない
という欠点があつた。さらに、第１１図に示され
た静電誘導型光トリガ・光クエンチサイリスタで
は、第一ゲート、第二ゲートはともに、それぞれ
共通ゲート領域となつていて、増幅用補助サイリ
スタ等の増幅ゲート構造を有していないため、光
トリガ感度の点で更に改良の余地が残されてい
た。本発明は、上記の問題点を解決し、改良され
た光トリガ感度を有した光トリガサイリスタを提
供することを目的とする。
本発明においては、従来型光トリガサイリスタ
の光トリガ感度を上昇させるために以下のような
手段を用いることとする。
の光トリガ感度を上昇させるために以下のような
手段を用いることとする。
(1) 光に対する吸収を抑えるために、カソード側
からの光入射ではなく、アノード側からの光入
射を行なうことで、最も電子・正孔対を効率よ
く空乏化された第２ベース層内にて発生させ
る。すなわち、アノード側からの光入射の方
が、ｐアノード層さえ透過すれば第２ベース層
に容易に光は侵入するため効率が良いわけであ
る。
からの光入射ではなく、アノード側からの光入
射を行なうことで、最も電子・正孔対を効率よ
く空乏化された第２ベース層内にて発生させ
る。すなわち、アノード側からの光入射の方
が、ｐアノード層さえ透過すれば第２ベース層
に容易に光は侵入するため効率が良いわけであ
る。
(2) さらに、バイポーラベース構造に比べてはる
かに光増幅感度の高いという特徴を有する静電
誘導トランジスタゲート構造を増幅用補助サイ
リスタ部分に設ける。これによつて、従来型バ
イポーラベース構造のもつ光トリガ感度の低い
点が大きく改善されることになる。
かに光増幅感度の高いという特徴を有する静電
誘導トランジスタゲート構造を増幅用補助サイ
リスタ部分に設ける。これによつて、従来型バ
イポーラベース構造のもつ光トリガ感度の低い
点が大きく改善されることになる。
(3) さらに、増幅ゲート構造を導入することによ
つて従来の光トリガ・光クエンチSIサイリスタ
に比べても光トリガ感度は改善されることとな
る。
つて従来の光トリガ・光クエンチSIサイリスタ
に比べても光トリガ感度は改善されることとな
る。
本発明による光トリガサイリスタは、アノード
側からの光トリガパルスを導入する光フアイバ等
の手段とその光トリガパルスによつて駆動される
SITゲート構造をアノード側に有し、さらにその
SITゲート構造は、主サイリスタのアノード領域
とは切り離されていて、増幅用補助サイリスタの
一部となつていて、同じく、カソード側にも増幅
用補助サイリスタのカソード及びベース領域が設
けられていて、SITゲート構造によつて形成され
たアノード領域との間で、光トリガSIサイリスタ
が増幅用補助サイリスタとして形成されている。
すなわち、本発明による光トリガサイリスタは、
増幅用補助光トリガSIサイリスタと従来型トリガ
サイリスタの主サイリスタ部分が集積化された構
造を基本的構造として有している。或いは、カソ
ード側のカソード領域を囲むベース領域に電極を
とり、ゲートでターン・オフできる構造、即ち
GTOサイリスタ構造と増幅用補助光トリガSIサ
イリスタが組み合わされていてもよい。
側からの光トリガパルスを導入する光フアイバ等
の手段とその光トリガパルスによつて駆動される
SITゲート構造をアノード側に有し、さらにその
SITゲート構造は、主サイリスタのアノード領域
とは切り離されていて、増幅用補助サイリスタの
一部となつていて、同じく、カソード側にも増幅
用補助サイリスタのカソード及びベース領域が設
けられていて、SITゲート構造によつて形成され
たアノード領域との間で、光トリガSIサイリスタ
が増幅用補助サイリスタとして形成されている。
すなわち、本発明による光トリガサイリスタは、
増幅用補助光トリガSIサイリスタと従来型トリガ
サイリスタの主サイリスタ部分が集積化された構
造を基本的構造として有している。或いは、カソ
ード側のカソード領域を囲むベース領域に電極を
とり、ゲートでターン・オフできる構造、即ち
GTOサイリスタ構造と増幅用補助光トリガSIサ
イリスタが組み合わされていてもよい。
さらに、本発明による光トリガサイリスタの発
展型は種々ある。例えば、主サイリスタもしくは
補助サイリスタのカソード側にSITゲート構造が
設けられていてもよい。また、光によるトリガの
みならず、光によるゲート・ターン・オフを行な
えるように、主サイリスタの第１ゲート部分もし
くは第２ゲート部分の電極端子に光感応素子を接
続もしくは集積化接続して、光クエンチパルスを
この光感応素子に照射することで主サイリスタを
光によるゲート・ターン・オフすることもよい。
展型は種々ある。例えば、主サイリスタもしくは
補助サイリスタのカソード側にSITゲート構造が
設けられていてもよい。また、光によるトリガの
みならず、光によるゲート・ターン・オフを行な
えるように、主サイリスタの第１ゲート部分もし
くは第２ゲート部分の電極端子に光感応素子を接
続もしくは集積化接続して、光クエンチパルスを
この光感応素子に照射することで主サイリスタを
光によるゲート・ターン・オフすることもよい。
補助サイリスタにアノード側から光照射する
と、アノード側に形成されたSITゲート構造の持
つ高い光トリガ感度によつて、補助サイリスタの
p+アノード領域より、同じく補助サイリスタの
第１ベース領域へ向けて正孔電流が注入される。
第１ベース領域の電位が下がり、同時に補助サイ
リスタのn+カソード領域から電子の注入が起こ
り、この電子は、SITゲート構造のn+ゲート領域
に蓄積されることになる。従つて、さらに多くの
正孔がp+アノード領域より第１ベース領域に向
けて流れるため、補助SIサイリスタは光トリガに
よつてターン・オン状態となる。補助サイリスタ
がターン・オンすると今度は主サイリスタも増幅
トリガされることになつて主サイリスタもター
ン・オンする。
と、アノード側に形成されたSITゲート構造の持
つ高い光トリガ感度によつて、補助サイリスタの
p+アノード領域より、同じく補助サイリスタの
第１ベース領域へ向けて正孔電流が注入される。
第１ベース領域の電位が下がり、同時に補助サイ
リスタのn+カソード領域から電子の注入が起こ
り、この電子は、SITゲート構造のn+ゲート領域
に蓄積されることになる。従つて、さらに多くの
正孔がp+アノード領域より第１ベース領域に向
けて流れるため、補助SIサイリスタは光トリガに
よつてターン・オン状態となる。補助サイリスタ
がターン・オンすると今度は主サイリスタも増幅
トリガされることになつて主サイリスタもター
ン・オンする。
ターン・オフは、光によるゲート・ターン・オ
フを行なえるように、第１ベースに電極を取り、
GTOのゲート構造を採用する場合、もしくは、
主サイリスタ部分にSIサイリスタ構造を採用する
場合には、電気的なゲート・ターン・オフ、もし
くは光によるゲート・ターン・オフによつて主サ
イリスタは高速にオフする。当然のことながら、
このような自己消弧型デバイスにおいても、転流
回路をアノード・カソード間に接続して転流ター
ン・オフによつてオフさせてもよい。
フを行なえるように、第１ベースに電極を取り、
GTOのゲート構造を採用する場合、もしくは、
主サイリスタ部分にSIサイリスタ構造を採用する
場合には、電気的なゲート・ターン・オフ、もし
くは光によるゲート・ターン・オフによつて主サ
イリスタは高速にオフする。当然のことながら、
このような自己消弧型デバイスにおいても、転流
回路をアノード・カソード間に接続して転流ター
ン・オフによつてオフさせてもよい。
また、主サイリスタ部分が従来型四層構造の光
トリガサイリスタの構造を有する場合には転流タ
ーン・オフである。
トリガサイリスタの構造を有する場合には転流タ
ーン・オフである。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第１図は、本発明の光トリガサイリスタの実
施例の断面構造を示す。アノード側に補助SIサイ
リスタのSITゲート構造が設けられている。即
ち、n+領域９０９は補助SI共サイリスタのゲー
ト領域、p+領域９１０は補助SIサイリスタのア
ノード領域を示す。９０８はゲート電極、９１１
はアノード電極であり、ともに透明電極で形成さ
れることが望ましい。９１２は光トリガパルス
LT９１３を導入するための光フアイバ等の手段
を示している。９１４は絶縁層を示す。９００は
n-高抵抗層を示す。９０１はｐベース層を示す。
９０２は主サイリスタのn+カソード領域を示し、
９０３は補助サイリスタのn+カソード領域であ
る。９０４は主サイリスタのカソード電極、９０
５は補助SIサイリスタ部分のn+カソード領域へ
の電極であり、ｐベース層と短絡されている。９
０６は主サイリスタのｐアノード領域、９０７は
アノード電極である。
る。第１図は、本発明の光トリガサイリスタの実
施例の断面構造を示す。アノード側に補助SIサイ
リスタのSITゲート構造が設けられている。即
ち、n+領域９０９は補助SI共サイリスタのゲー
ト領域、p+領域９１０は補助SIサイリスタのア
ノード領域を示す。９０８はゲート電極、９１１
はアノード電極であり、ともに透明電極で形成さ
れることが望ましい。９１２は光トリガパルス
LT９１３を導入するための光フアイバ等の手段
を示している。９１４は絶縁層を示す。９００は
n-高抵抗層を示す。９０１はｐベース層を示す。
９０２は主サイリスタのn+カソード領域を示し、
９０３は補助サイリスタのn+カソード領域であ
る。９０４は主サイリスタのカソード電極、９０
５は補助SIサイリスタ部分のn+カソード領域へ
の電極であり、ｐベース層と短絡されている。９
０６は主サイリスタのｐアノード領域、９０７は
アノード電極である。
次に第１図に示す実施例の動作を説明する。主
サイリスタ及び補助SIサイリスタがオフしている
状態で、光トリガパルスLT９１３が補助SIサイ
リスタのアノード側から照射されると、n-高抵
抗層９００で電子・正孔対が発生し、その発生し
た電子・正孔対のうちの正孔はｐベース層９０１
に蓄積し、電子はn+ゲート領域９０９に蓄積す
る。n+ゲート領域９０９の正孔に対するポテン
シヤルは、蓄積された電子により低下して、p+
アノード領域９１０からn-高抵抗層９００へ正
孔が注入され、その注入された正孔がｐベース層
９０１に蓄積し、ｐベース層９０１の電子に対す
るポテンシヤルが低下し、n+カソード領域９０
３からn-高抵抗層９００へ電子が注入され、そ
の電子がn+ゲート領域９０９に蓄積し、さらに
n+ゲート領域９０９のポテンシヤルを低下させ、
補助SIサイリスタはオンする。補助サイリスタの
正孔電流により、主サイリスタのｐベース層９０
１が充電され、また電子電流によりｐアノードと
n-高抵抗層接合付近の第２ベースも充電され主
サイリスタがオンする。第９図、第１０図の従来
形光トリガサイリスタでは、補助サイリスタは、
バイポーラベース構造を有しているため光感度が
低いのに対して、第１図に示す本発明実施例で
は、補助SIサイリスタのアノード側に高光感度の
SITゲート構造が設けられているため、弱い光強
度で高速の光トリガが実現できる。また、アノー
ド側からの光入射を行なうことで、空乏化された
n-高抵抗層９００内に効率よく光を侵入させる
ことができる、光感度がさらに向上する。
サイリスタ及び補助SIサイリスタがオフしている
状態で、光トリガパルスLT９１３が補助SIサイ
リスタのアノード側から照射されると、n-高抵
抗層９００で電子・正孔対が発生し、その発生し
た電子・正孔対のうちの正孔はｐベース層９０１
に蓄積し、電子はn+ゲート領域９０９に蓄積す
る。n+ゲート領域９０９の正孔に対するポテン
シヤルは、蓄積された電子により低下して、p+
アノード領域９１０からn-高抵抗層９００へ正
孔が注入され、その注入された正孔がｐベース層
９０１に蓄積し、ｐベース層９０１の電子に対す
るポテンシヤルが低下し、n+カソード領域９０
３からn-高抵抗層９００へ電子が注入され、そ
の電子がn+ゲート領域９０９に蓄積し、さらに
n+ゲート領域９０９のポテンシヤルを低下させ、
補助SIサイリスタはオンする。補助サイリスタの
正孔電流により、主サイリスタのｐベース層９０
１が充電され、また電子電流によりｐアノードと
n-高抵抗層接合付近の第２ベースも充電され主
サイリスタがオンする。第９図、第１０図の従来
形光トリガサイリスタでは、補助サイリスタは、
バイポーラベース構造を有しているため光感度が
低いのに対して、第１図に示す本発明実施例で
は、補助SIサイリスタのアノード側に高光感度の
SITゲート構造が設けられているため、弱い光強
度で高速の光トリガが実現できる。また、アノー
ド側からの光入射を行なうことで、空乏化された
n-高抵抗層９００内に効率よく光を侵入させる
ことができる、光感度がさらに向上する。
第２図は、本発明による光トリガサイリスタ
で、主サイリスタが、ゲート・ターン・オフ・サ
イリスタ（以下GTOと略称する）で構成されて
いる実施例の断面構造を示す。n+領域１０１０
は補助SIサイリスタのゲート領域、p+領域１０
１３は補助SIサイリスタのアノード領域を示す。
１０１１は、ゲート電極、１０１２はアノード電
極であり、ともに透明電極で形成されることが望
ましい。１０１６は、光トリガパルスLT１０１
７を導入するための光フアイバ等の手段を示して
いる。１０１４は絶縁層を示す。１０００はn-
高抵抗層、１００１はｐベース層、１００２は主
GTOのｎカソード領域、１００７は補助SIサイ
リスタのｎカソード領域、１００９は主GTOの
ｐアノード領域である。１００６は補助SIサイリ
スタのカソード電極、１００５は補助SIサイリス
タのｐベース電極、１００４は主GTOのカソー
ド電極、１００３は主GTOのｐベース電極、１
００８は主GTONのアノード電極である。
で、主サイリスタが、ゲート・ターン・オフ・サ
イリスタ（以下GTOと略称する）で構成されて
いる実施例の断面構造を示す。n+領域１０１０
は補助SIサイリスタのゲート領域、p+領域１０
１３は補助SIサイリスタのアノード領域を示す。
１０１１は、ゲート電極、１０１２はアノード電
極であり、ともに透明電極で形成されることが望
ましい。１０１６は、光トリガパルスLT１０１
７を導入するための光フアイバ等の手段を示して
いる。１０１４は絶縁層を示す。１０００はn-
高抵抗層、１００１はｐベース層、１００２は主
GTOのｎカソード領域、１００７は補助SIサイ
リスタのｎカソード領域、１００９は主GTOの
ｐアノード領域である。１００６は補助SIサイリ
スタのカソード電極、１００５は補助SIサイリス
タのｐベース電極、１００４は主GTOのカソー
ド電極、１００３は主GTOのｐベース電極、１
００８は主GTONのアノード電極である。
光トリガ（光ターン・オフ）の機構は、第１図
の実施例と同じである。すなわち、主GTO及び
補助SIサイリスタがオフしている状態で、光トリ
ガパルスLT１０７が補助SIサイリスタのアノー
ド側から照射されると、n-高抵抗層１０００で
電子・正孔対が発生し、その発生した電子・正孔
対のうちの正孔はｐベース層１００１に蓄積し、
電子はn+ゲート領域１０１０に蓄積する。n+ゲ
ート領域１０１０の正孔に対するポテンシヤル
は、蓄積された電子により低下して、p+アノー
ド領域１０１３からn-高抵抗層１０００へ正孔
が注入され、その注入された正孔がｐベース層１
００１に蓄積し、ｐベース層１００１の電子に対
するポテンシヤルが低下し、n+カソード領域１
００７からn-高抵抗層１０００へ電子が注入さ
れ、その電子がn+ゲート領域１０１０に蓄積し、
さらにn+ゲート領域のポテンシヤルを低下させ、
補助SIサイリスタはオンする。補助SIサイリスタ
の正孔電流により、主GTOのｐベース層１００
１が充電され、また電子電流により、ｐアノード
とn-高抵抗層接合付近の第２ベースも充電され、
主GTOがオンする。第２図に示す実施例では、
主サイリスタがGTOで構成されているので、電
気的にゲート・ターン・オフすることができる。
また、主GTOのｐベース電極１００３に光感応
素子を接続、もしくは集積化接続して、光クエン
チパルスをこの光感応素子に照射することで主
GTOを光でゲート・ターン・オフすることがで
きる。
の実施例と同じである。すなわち、主GTO及び
補助SIサイリスタがオフしている状態で、光トリ
ガパルスLT１０７が補助SIサイリスタのアノー
ド側から照射されると、n-高抵抗層１０００で
電子・正孔対が発生し、その発生した電子・正孔
対のうちの正孔はｐベース層１００１に蓄積し、
電子はn+ゲート領域１０１０に蓄積する。n+ゲ
ート領域１０１０の正孔に対するポテンシヤル
は、蓄積された電子により低下して、p+アノー
ド領域１０１３からn-高抵抗層１０００へ正孔
が注入され、その注入された正孔がｐベース層１
００１に蓄積し、ｐベース層１００１の電子に対
するポテンシヤルが低下し、n+カソード領域１
００７からn-高抵抗層１０００へ電子が注入さ
れ、その電子がn+ゲート領域１０１０に蓄積し、
さらにn+ゲート領域のポテンシヤルを低下させ、
補助SIサイリスタはオンする。補助SIサイリスタ
の正孔電流により、主GTOのｐベース層１００
１が充電され、また電子電流により、ｐアノード
とn-高抵抗層接合付近の第２ベースも充電され、
主GTOがオンする。第２図に示す実施例では、
主サイリスタがGTOで構成されているので、電
気的にゲート・ターン・オフすることができる。
また、主GTOのｐベース電極１００３に光感応
素子を接続、もしくは集積化接続して、光クエン
チパルスをこの光感応素子に照射することで主
GTOを光でゲート・ターン・オフすることがで
きる。
第３図は、本発明による光トリガサイリスタで
主サイリスタが単一ゲート埋め込みゲート形SIサ
イリスタで構成され、増幅用光感応素子がダブル
ゲート形SIホトサイリスタで構成されている実施
例の断面構造を示す。
主サイリスタが単一ゲート埋め込みゲート形SIサ
イリスタで構成され、増幅用光感応素子がダブル
ゲート形SIホトサイリスタで構成されている実施
例の断面構造を示す。
第３図において、主サイリスタであるところの
単一ゲート埋め込みゲート形SIサイリスタはp+
アノード領域１１０１、n-高抵抗領域１１０２、
n+カソード領域１１０３、p+ゲート領域１１０
４、アノード電極１１３１、カソード電極１１３
２、ゲート電極１１３３とで構成されている。補
助SIホトサイリスタは、p+アノード領域１１１
１、n-高抵抗領域１１１２、n+カソード領域１
１１３、p+ゲート領域（第１ゲート領域）１１
１４、n+ゲート（第２ゲート領域）１１１５、
アノード電極１１４１、カソード電極１１４２、
第２ゲート電極１１４４とで構成されている。１
１５１は絶縁層である。補助SIサイリスタのアノ
ード電極１１４１、第２ゲート電極１１４４は透
明電極で形成されることが望ましい。主サイリス
タのp+ゲート領域１１０４と増幅用SIホトサイ
リスタのp+ゲート領域１１１４は分離されてい
る構造と分離されていない構造とがある。分離さ
れている構造では補助SIサイリスタの光感度がさ
らに向上する。１１７２は光トリガパルス１１７
１を導入するための光フアイバ等の手段である。
単一ゲート埋め込みゲート形SIサイリスタはp+
アノード領域１１０１、n-高抵抗領域１１０２、
n+カソード領域１１０３、p+ゲート領域１１０
４、アノード電極１１３１、カソード電極１１３
２、ゲート電極１１３３とで構成されている。補
助SIホトサイリスタは、p+アノード領域１１１
１、n-高抵抗領域１１１２、n+カソード領域１
１１３、p+ゲート領域（第１ゲート領域）１１
１４、n+ゲート（第２ゲート領域）１１１５、
アノード電極１１４１、カソード電極１１４２、
第２ゲート電極１１４４とで構成されている。１
１５１は絶縁層である。補助SIサイリスタのアノ
ード電極１１４１、第２ゲート電極１１４４は透
明電極で形成されることが望ましい。主サイリス
タのp+ゲート領域１１０４と増幅用SIホトサイ
リスタのp+ゲート領域１１１４は分離されてい
る構造と分離されていない構造とがある。分離さ
れている構造では補助SIサイリスタの光感度がさ
らに向上する。１１７２は光トリガパルス１１７
１を導入するための光フアイバ等の手段である。
第３図に示す実施例では、主サイリスタが単一
ゲート形SIサイリスタで構成され、増幅用補助サ
イリスタがダブルゲート形SIホトサイリスタで構
成されているために、微弱光で高速光トリガが実
現できる。
ゲート形SIサイリスタで構成され、増幅用補助サ
イリスタがダブルゲート形SIホトサイリスタで構
成されているために、微弱光で高速光トリガが実
現できる。
光トリガ（光ターン・オン）の機構は、第１図
及び第２図の実施例と同じである。主サイリス
タ、補助サイリスタがオフしている状態で、光ト
リガパルス１１７１が補助ダブルゲートSIサイリ
スタのアノード側から照射されると、n-高抵抗
層１１１２で電子正孔対が発生し、その発生した
電子・正孔対のうちの正孔はp+ゲート領域１１
１４に蓄積し、電子はn+ゲート領域１１１５に
蓄積し、補助ダブルゲートSIサイリスタがオンす
る。補助ダブルゲートSIサイリスタのアノードか
らの正孔電流により、主SIサイリスタのp+ゲー
ト領域が充電され、電子に対するポテンシヤルが
低下し、主サイリスタのn+カソード領域１１０
３からn-高抵抗層１１０２に電子が注入され主
サイリスタがターン・オンする。また、主SIサイ
リスタのゲート電極１１３３を電気的に駆動する
ことでゲート・ターン・オフができる。さらに、
ゲート電極１１３３に光感応素子を接続もしくは
集積化接続して、光クエンチパルスをこの光感応
素子に照射することで主SIサイリスタを高速に光
でゲート・ターン・オフすることができる。補助
SIサイリスタのn+ゲートは、開放状態で用いる
場合とバイアスを加える場合とがある。また、補
助SIホトサイリスタのアノードは主SIサイリスタ
のアノードに接続されている。
及び第２図の実施例と同じである。主サイリス
タ、補助サイリスタがオフしている状態で、光ト
リガパルス１１７１が補助ダブルゲートSIサイリ
スタのアノード側から照射されると、n-高抵抗
層１１１２で電子正孔対が発生し、その発生した
電子・正孔対のうちの正孔はp+ゲート領域１１
１４に蓄積し、電子はn+ゲート領域１１１５に
蓄積し、補助ダブルゲートSIサイリスタがオンす
る。補助ダブルゲートSIサイリスタのアノードか
らの正孔電流により、主SIサイリスタのp+ゲー
ト領域が充電され、電子に対するポテンシヤルが
低下し、主サイリスタのn+カソード領域１１０
３からn-高抵抗層１１０２に電子が注入され主
サイリスタがターン・オンする。また、主SIサイ
リスタのゲート電極１１３３を電気的に駆動する
ことでゲート・ターン・オフができる。さらに、
ゲート電極１１３３に光感応素子を接続もしくは
集積化接続して、光クエンチパルスをこの光感応
素子に照射することで主SIサイリスタを高速に光
でゲート・ターン・オフすることができる。補助
SIサイリスタのn+ゲートは、開放状態で用いる
場合とバイアスを加える場合とがある。また、補
助SIホトサイリスタのアノードは主SIサイリスタ
のアノードに接続されている。
第４図は、本発明による光トリガサイリスタ
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がダ
ブルゲート埋め込みゲート形SIホトサイリスタで
構成されている実施例の断面構造を示す。
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がダ
ブルゲート埋め込みゲート形SIホトサイリスタで
構成されている実施例の断面構造を示す。
第４図において主SIサイリスタは、p+アノー
ド領域１０１とn-高抵抗領域１０２とn+カソー
ド領域１０３とp+ゲート領域（第１ゲート）１
０４とn+ゲート領域（第２ゲート）１０５とp+
アノード領域１０１、n+カソード領域１０３、
p+ゲート領域１０４及びn+ゲート領域１０５の
表面露出部分に設けられているアノード電極１３
１、カソード電極１３２、ゲート電極１３３，１
３４とで構成されている。補助SIホトサイリスタ
は、p+アノード領域１１１とn-高抵抗領域１１
２とn+カソード領域１１３とp+ゲート領域（第
１ゲート）１１４とn+ゲート領域（第２ゲート）
１１５とp+アノード領域１１１及びn+カソード
領域１１３の表面露出部分に設けられているアノ
ード電極１４１とカソード電極１４２とで構成さ
れている。主SIサイリスタのn+ゲート領域１０
５と増幅用SIホトサイリスタのn+ゲート領域１
１５は分離されている。また、主SIサイルサの
p+ゲート領域１０４と増幅用SIホトサイリスタ
のp+ゲート領域１１４も分離されている構造と
分離されていない構造とがある。１７２は光トリ
ガパルス１７１を導入するための光フアイバ等の
手段である。主サイリスタと補助SIホトサイリス
タが、ダブルゲート構造を有していて、しかも補
助SIサイリスタのゲート領域は主SIサイリスタの
ゲート領域と分離されているから補助SIホトサイ
リスタの光感度は、飛躍的に向上し高速、高感度
の光トリガが実現できる。補助サイリスタがター
ン・オンすると補助サイリスタアノード１１１か
らの正孔電流により、主サイリスタのp+ゲート
１０４が充電され、電子に対するポテンシヤルが
下がり、主サイリスタのn+カソードから電子が
n-領域１０２に注入される。また補助サイリス
タのカソード１１３からの電子と、主サイリスタ
のカソード１０３からの電子は、主サイリスタの
n+ゲート１０５に充電され、正孔に対するポテ
ンシヤルが下がり、主サイリスタのp+アノード
１０１から正孔が注入され、主サイリスタはター
ン・オンする。補助SIサイリスタのアノードは、
主SIサイリスタのアノードに接続される場合と主
SIサイルリスタのn+ゲートに接続される場合が
考えられる。また、主SIサイリスタの一方のゲー
トか両方のゲートを電気的に駆動することでゲー
ト・ターン・オフができる。さらに、ゲートに光
感応素子を接続もしくは集積化接続して、光クエ
ンチパルスをこの光感応素子に照射することで主
SIサイリスタを高速に光でゲート・ターン・オフ
することができる。
ド領域１０１とn-高抵抗領域１０２とn+カソー
ド領域１０３とp+ゲート領域（第１ゲート）１
０４とn+ゲート領域（第２ゲート）１０５とp+
アノード領域１０１、n+カソード領域１０３、
p+ゲート領域１０４及びn+ゲート領域１０５の
表面露出部分に設けられているアノード電極１３
１、カソード電極１３２、ゲート電極１３３，１
３４とで構成されている。補助SIホトサイリスタ
は、p+アノード領域１１１とn-高抵抗領域１１
２とn+カソード領域１１３とp+ゲート領域（第
１ゲート）１１４とn+ゲート領域（第２ゲート）
１１５とp+アノード領域１１１及びn+カソード
領域１１３の表面露出部分に設けられているアノ
ード電極１４１とカソード電極１４２とで構成さ
れている。主SIサイリスタのn+ゲート領域１０
５と増幅用SIホトサイリスタのn+ゲート領域１
１５は分離されている。また、主SIサイルサの
p+ゲート領域１０４と増幅用SIホトサイリスタ
のp+ゲート領域１１４も分離されている構造と
分離されていない構造とがある。１７２は光トリ
ガパルス１７１を導入するための光フアイバ等の
手段である。主サイリスタと補助SIホトサイリス
タが、ダブルゲート構造を有していて、しかも補
助SIサイリスタのゲート領域は主SIサイリスタの
ゲート領域と分離されているから補助SIホトサイ
リスタの光感度は、飛躍的に向上し高速、高感度
の光トリガが実現できる。補助サイリスタがター
ン・オンすると補助サイリスタアノード１１１か
らの正孔電流により、主サイリスタのp+ゲート
１０４が充電され、電子に対するポテンシヤルが
下がり、主サイリスタのn+カソードから電子が
n-領域１０２に注入される。また補助サイリス
タのカソード１１３からの電子と、主サイリスタ
のカソード１０３からの電子は、主サイリスタの
n+ゲート１０５に充電され、正孔に対するポテ
ンシヤルが下がり、主サイリスタのp+アノード
１０１から正孔が注入され、主サイリスタはター
ン・オンする。補助SIサイリスタのアノードは、
主SIサイリスタのアノードに接続される場合と主
SIサイルリスタのn+ゲートに接続される場合が
考えられる。また、主SIサイリスタの一方のゲー
トか両方のゲートを電気的に駆動することでゲー
ト・ターン・オフができる。さらに、ゲートに光
感応素子を接続もしくは集積化接続して、光クエ
ンチパルスをこの光感応素子に照射することで主
SIサイリスタを高速に光でゲート・ターン・オフ
することができる。
第５図は、本発明による光トリガサイリスタで
主サイリスタがダブルゲート平面ゲート形SIサイ
リスタで構成され、増幅用光感応素子がダブルゲ
ート平面ゲート形SIホトサイリスタで構成されて
いる実施例の断面構造を示す。第５図において主
SIサイリスタは、p+アノード領域２０１とn-高
抵抗領域２０２とn+カソード領域２０３とp+ゲ
ート領域２０４とn+ゲート領域２０５とp+アノ
ード領域２０１、n+カソード領域２０３、p+ゲ
ート領域（第１ゲート）２０４及びn+ゲート領
域（第２ゲート）２０５の表面露出部分に設けら
れているアノード電極２３１、カソード電極２３
２、ゲート電極２３３，２３４とで構成されてい
る。補助SIホトサイリスタは、p+アノード領域
２１１とn-高抵抗領域２１２とn+カソード領域
２１３とp+ゲート領域（第１ゲート）２１４と
n+ゲート領域（第２ゲート２１５とp+アノード
領域２１１、n+カソード領域２１３、p+ゲート
領域２１４及びn+ゲート領域２１５の表面露出
部分に設けられているアノード電極２４１、カソ
ード電極２４２、ゲート電極２４３，２４４とで
構成されている。アノード電極２４１とゲート電
極２４３は透明電極で形成されることが望まし
い。２７２は光トリガパルスLT２７１を導入す
るための光フアイバ等の手段である。
主サイリスタがダブルゲート平面ゲート形SIサイ
リスタで構成され、増幅用光感応素子がダブルゲ
ート平面ゲート形SIホトサイリスタで構成されて
いる実施例の断面構造を示す。第５図において主
SIサイリスタは、p+アノード領域２０１とn-高
抵抗領域２０２とn+カソード領域２０３とp+ゲ
ート領域２０４とn+ゲート領域２０５とp+アノ
ード領域２０１、n+カソード領域２０３、p+ゲ
ート領域（第１ゲート）２０４及びn+ゲート領
域（第２ゲート）２０５の表面露出部分に設けら
れているアノード電極２３１、カソード電極２３
２、ゲート電極２３３，２３４とで構成されてい
る。補助SIホトサイリスタは、p+アノード領域
２１１とn-高抵抗領域２１２とn+カソード領域
２１３とp+ゲート領域（第１ゲート）２１４と
n+ゲート領域（第２ゲート２１５とp+アノード
領域２１１、n+カソード領域２１３、p+ゲート
領域２１４及びn+ゲート領域２１５の表面露出
部分に設けられているアノード電極２４１、カソ
ード電極２４２、ゲート電極２４３，２４４とで
構成されている。アノード電極２４１とゲート電
極２４３は透明電極で形成されることが望まし
い。２７２は光トリガパルスLT２７１を導入す
るための光フアイバ等の手段である。
補助SIホトサイリスタのカソードは主SIサイリ
スタのカソードと共通になつている。p+ゲート
領域２１４は主SIサイリスタのp+ゲート領域２
０４と分離されるか共通になされていて、分離さ
れる場合は、開放かバイアスが加えられる。n+
ゲート領域２１５も同様である。またp+アノー
ド領域２１１は主SIサイリスタのn+ゲートか、
アノードに接続される。ターンオンの動作は第４
図までの説明と同じであり、光トリガパルスLT
２７１により補助サイリスタがターン・オンする
と、正孔電流が主サイリスタのp+ゲートの電子
に対するポテンシヤルを下げ、電子電流がn+ゲ
ートの正孔に対するポテンシヤルを下げ、主サイ
リスタがターンオンする。ターン・オフは主サイ
リスタの第１ゲートもしくは第２ゲートを電気的
に駆動することで高速にターン・オフできる。ま
たゲート電極２４３に光感応素子を接続して、光
クエンチパルスをこの光感応素子に照射すること
で、電子に対するp+ゲートのポテンシヤルを高
くし、主サイリスタを高速にターン・オフでき
る。
スタのカソードと共通になつている。p+ゲート
領域２１４は主SIサイリスタのp+ゲート領域２
０４と分離されるか共通になされていて、分離さ
れる場合は、開放かバイアスが加えられる。n+
ゲート領域２１５も同様である。またp+アノー
ド領域２１１は主SIサイリスタのn+ゲートか、
アノードに接続される。ターンオンの動作は第４
図までの説明と同じであり、光トリガパルスLT
２７１により補助サイリスタがターン・オンする
と、正孔電流が主サイリスタのp+ゲートの電子
に対するポテンシヤルを下げ、電子電流がn+ゲ
ートの正孔に対するポテンシヤルを下げ、主サイ
リスタがターンオンする。ターン・オフは主サイ
リスタの第１ゲートもしくは第２ゲートを電気的
に駆動することで高速にターン・オフできる。ま
たゲート電極２４３に光感応素子を接続して、光
クエンチパルスをこの光感応素子に照射すること
で、電子に対するp+ゲートのポテンシヤルを高
くし、主サイリスタを高速にターン・オフでき
る。
第６図は、本発明による光トリガサイリスタ
で、主サイリスタがダブルゲート切り込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がダ
ブルゲート切り込みゲート形SIホトサイリスタで
構成されている実施例の断面構造を示す。第６図
において主SIサイリスタは、p+アノード領域３
０１とn-高抵抗領域３０２とn+カソード領域３
０３とp+ゲート領域３０４とn+ゲート領域３０
５とp+アノード領域３０１、n+カソード領域３
０３、p+ゲート領域３０４及びn+ゲート領域３
０５の表面露出部分に設けられているアノード電
極３３１、カソード電極３３２、ゲート電極３３
３，３３４とで構成されている。補助SIホトサイ
リスタは、p+アノード領域３１１とn-高抵抗領
域３１２とn+カソード領域３１３とp+ゲート領
域３１４とn+ゲート領域３１５とp+アノード領
域３１１、n+カソード領域３１３、p+ゲート領
域３１４及びn+ゲート領域３１５の表面露出部
分に設けられているアノード電極３４１とカソー
ド電極３４２とゲート電極３４３，３４４とで構
成されている。アノード電極３４１とゲート電極
３４４は透明電極で形成されることが望ましい。
３７２は光トリガパルスLT３７１を導入するた
めの光フアイバ等の手段である。ターン・オン、
ターン・オフの機構は第５図の説明と同じであ
る。
で、主サイリスタがダブルゲート切り込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がダ
ブルゲート切り込みゲート形SIホトサイリスタで
構成されている実施例の断面構造を示す。第６図
において主SIサイリスタは、p+アノード領域３
０１とn-高抵抗領域３０２とn+カソード領域３
０３とp+ゲート領域３０４とn+ゲート領域３０
５とp+アノード領域３０１、n+カソード領域３
０３、p+ゲート領域３０４及びn+ゲート領域３
０５の表面露出部分に設けられているアノード電
極３３１、カソード電極３３２、ゲート電極３３
３，３３４とで構成されている。補助SIホトサイ
リスタは、p+アノード領域３１１とn-高抵抗領
域３１２とn+カソード領域３１３とp+ゲート領
域３１４とn+ゲート領域３１５とp+アノード領
域３１１、n+カソード領域３１３、p+ゲート領
域３１４及びn+ゲート領域３１５の表面露出部
分に設けられているアノード電極３４１とカソー
ド電極３４２とゲート電極３４３，３４４とで構
成されている。アノード電極３４１とゲート電極
３４４は透明電極で形成されることが望ましい。
３７２は光トリガパルスLT３７１を導入するた
めの光フアイバ等の手段である。ターン・オン、
ターン・オフの機構は第５図の説明と同じであ
る。
第７図は、本発明による光トリガサイリスタ
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がア
ノード側が平面ゲート形でカソード側が埋め込み
ゲート形のダブルゲートSIホトサイリスタで構成
されている実施例の断面構造を示す。第７図にお
いて、主SIサイリスタは、p+アノード領域４０
１とn-高抵抗領域４０２とn+カソード領域４０
３とp+ゲート領域４０４とn+ゲート領域４０５
とp+アノード領域４０１、n+カソード領域４０
３、p+ゲート領域４０４及びn+ゲート領域４０
５の表面露出部分に設けられているアノード電極
４３１とカソード電極４３２とゲート電極４３
３，４３４とで構成されている。補助SIホトサイ
リスタは、p+アノード領域４１１とn-高抵抗領
域４１２とn+カソード領域４１３とp+ゲート領
域４１４とn+ゲート領域４１５とp+アノード領
域４１１、n+カソード領域４１３及びn+ゲート
領域４１５の表面露出部分に設けられているアノ
ード電極４４１とカソード電極４４２とゲート電
極４４４とで構成されている。４５１は絶縁層で
ある。アノード電極４４１とゲート電極４４４は
透明電極で形成されることが望ましい。４７２
は、光トリガパルスLT４７１を導入するための
光フアイバ等の手段である。ターン・オン、ター
ン・オフの機構は第４図、第５図の説明と同じで
ある。
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され増幅用光感応素子がア
ノード側が平面ゲート形でカソード側が埋め込み
ゲート形のダブルゲートSIホトサイリスタで構成
されている実施例の断面構造を示す。第７図にお
いて、主SIサイリスタは、p+アノード領域４０
１とn-高抵抗領域４０２とn+カソード領域４０
３とp+ゲート領域４０４とn+ゲート領域４０５
とp+アノード領域４０１、n+カソード領域４０
３、p+ゲート領域４０４及びn+ゲート領域４０
５の表面露出部分に設けられているアノード電極
４３１とカソード電極４３２とゲート電極４３
３，４３４とで構成されている。補助SIホトサイ
リスタは、p+アノード領域４１１とn-高抵抗領
域４１２とn+カソード領域４１３とp+ゲート領
域４１４とn+ゲート領域４１５とp+アノード領
域４１１、n+カソード領域４１３及びn+ゲート
領域４１５の表面露出部分に設けられているアノ
ード電極４４１とカソード電極４４２とゲート電
極４４４とで構成されている。４５１は絶縁層で
ある。アノード電極４４１とゲート電極４４４は
透明電極で形成されることが望ましい。４７２
は、光トリガパルスLT４７１を導入するための
光フアイバ等の手段である。ターン・オン、ター
ン・オフの機構は第４図、第５図の説明と同じで
ある。
第８図は、本発明による光トリガサイリスタ
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され、増幅用光感応素子が
SIホトトランジスタで構成されている実施例の断
面構造を示す。第８図において、主SIサイリスタ
はp+アノード領域５０１とn-高抵抗領域５０２
とn+カソード領域５０３とp+ゲート領域（第１
ゲート）５０４とp+ゲート領域（第２ゲート）
５０５とp+アノード領域５０１、n+カソード領
域５０３、p+ゲート領域５０４及びn+ゲート領
域５０５の表面露出部分に設けられているアノー
ド電極５３１とカソード電極５３２とゲート電極
５３３，５３４とで構成されている。補助SIホト
トランジスタは、n+ソース領域５１３とn-高抵
抗領域５１２とn+ドレイン領域５１１とp+ゲー
ト領域５１４とn+ドレイン領域及びp+ゲート領
域の表面露出部分に設けられているドレイン電極
５４１とゲート電極５１４とで構成されている。
ドレイン電極には負の電圧を印加しておく。５５
１は絶縁層であるドレイン電極５４１とゲート電
極５４２は透明電極で形成されることが望まし
い。n+ソース領域５１３は、主SIサイリスタの
n+ゲート領域５０５と共通になつている。５７
２は、光トリガパルスLT５７１を導入するため
の光フアイバ等の手段である。光トリガパルス
LT５７１によりSIホトトランジスタがターン・
オンすると、SIホトトランジスタと共通の、主サ
イリスタのn+ゲート領域の正孔に対するポテン
シヤルが低下し、アノード領域５０１から正孔が
注入され、主サイリスタはターン・オンする。タ
ーン・オフはゲート電極５３３に負電位を印加す
ることによりきわめて高速に実現できる。
で、主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され、増幅用光感応素子が
SIホトトランジスタで構成されている実施例の断
面構造を示す。第８図において、主SIサイリスタ
はp+アノード領域５０１とn-高抵抗領域５０２
とn+カソード領域５０３とp+ゲート領域（第１
ゲート）５０４とp+ゲート領域（第２ゲート）
５０５とp+アノード領域５０１、n+カソード領
域５０３、p+ゲート領域５０４及びn+ゲート領
域５０５の表面露出部分に設けられているアノー
ド電極５３１とカソード電極５３２とゲート電極
５３３，５３４とで構成されている。補助SIホト
トランジスタは、n+ソース領域５１３とn-高抵
抗領域５１２とn+ドレイン領域５１１とp+ゲー
ト領域５１４とn+ドレイン領域及びp+ゲート領
域の表面露出部分に設けられているドレイン電極
５４１とゲート電極５１４とで構成されている。
ドレイン電極には負の電圧を印加しておく。５５
１は絶縁層であるドレイン電極５４１とゲート電
極５４２は透明電極で形成されることが望まし
い。n+ソース領域５１３は、主SIサイリスタの
n+ゲート領域５０５と共通になつている。５７
２は、光トリガパルスLT５７１を導入するため
の光フアイバ等の手段である。光トリガパルス
LT５７１によりSIホトトランジスタがターン・
オンすると、SIホトトランジスタと共通の、主サ
イリスタのn+ゲート領域の正孔に対するポテン
シヤルが低下し、アノード領域５０１から正孔が
注入され、主サイリスタはターン・オンする。タ
ーン・オフはゲート電極５３３に負電位を印加す
ることによりきわめて高速に実現できる。
第９図は、従来型光トリガサイリスタの断面構
造の一例を示す。６０１はアノード電極、６０２
はｐ型アノード領域、６０３はｎ型ベース層、６
０４はｐ型ベース層、６１０は増幅用補助サイリ
スタ部分のｎ型カソード領域、６０５は主サイリ
スタ部分のｎ型カソード領域を示す。６０７は増
幅用補助サイリスタ部分のカソード電極であると
同時に、ｐベース層に短絡されている。６０６は
主サイリスタのカソード電極を示す。光フアイバ
６０８によつて導入された光トリガパルスLT６
０９は、増幅用補助サイリスタ部分のカソード領
域６１０の上面から侵入するようになつている。
ｎカソード６０７、ｐベース６０４、ｎベース６
０３及びｐアノード６０２によつて構成される補
助サイリスタが光パルスLT６０９によりトリガ
されることによつて主サイリスタのｐベース６０
４が駆動されて、主サイリスタはターン・オンす
る。従来型光トリガサイリスタでは、ターン・オ
フは、転流ターン・オフ方式によつているため、
ターン・オフ時間が長いという欠点がある。増幅
用補助サイリスタの光増幅度は、ｐベース６０４
層におけるバイポーラベース構造の光増幅度に対
応する。この光増幅度は、丁度電流増幅率に対応
するが、一般にバイポーラベース構造の電流増幅
率を増すためには、ベース幅を薄く形成する工夫
が必要となる。第１０図は、補助サイリスタ部分
の電流増幅率を増すために、ｐベース層７０４の
一部分、即ちn+カソード領域７１０、ｐベース
７０４、n-ベース７０３、ｐアノード７０２に
よつて形成される補助サイリスタのベース部分７
１１を薄く形成した例である。他の部分は、第９
図の従来例と同様に、７０１はアノード電極、７
０２はｐ型アノード領域、７０３はn-ベース層、
７０４はｐベース層、７０５は主サイリスタの
n+カソード領域、７０６は主サイリスタのカソ
ード電極、７１０は増幅用補助サイリスタのn+
カソード領域、７０７はそのカソード電極であ
る。７０８は光トリガパルスLT７０９を導入す
る光フアイバを示す。
造の一例を示す。６０１はアノード電極、６０２
はｐ型アノード領域、６０３はｎ型ベース層、６
０４はｐ型ベース層、６１０は増幅用補助サイリ
スタ部分のｎ型カソード領域、６０５は主サイリ
スタ部分のｎ型カソード領域を示す。６０７は増
幅用補助サイリスタ部分のカソード電極であると
同時に、ｐベース層に短絡されている。６０６は
主サイリスタのカソード電極を示す。光フアイバ
６０８によつて導入された光トリガパルスLT６
０９は、増幅用補助サイリスタ部分のカソード領
域６１０の上面から侵入するようになつている。
ｎカソード６０７、ｐベース６０４、ｎベース６
０３及びｐアノード６０２によつて構成される補
助サイリスタが光パルスLT６０９によりトリガ
されることによつて主サイリスタのｐベース６０
４が駆動されて、主サイリスタはターン・オンす
る。従来型光トリガサイリスタでは、ターン・オ
フは、転流ターン・オフ方式によつているため、
ターン・オフ時間が長いという欠点がある。増幅
用補助サイリスタの光増幅度は、ｐベース６０４
層におけるバイポーラベース構造の光増幅度に対
応する。この光増幅度は、丁度電流増幅率に対応
するが、一般にバイポーラベース構造の電流増幅
率を増すためには、ベース幅を薄く形成する工夫
が必要となる。第１０図は、補助サイリスタ部分
の電流増幅率を増すために、ｐベース層７０４の
一部分、即ちn+カソード領域７１０、ｐベース
７０４、n-ベース７０３、ｐアノード７０２に
よつて形成される補助サイリスタのベース部分７
１１を薄く形成した例である。他の部分は、第９
図の従来例と同様に、７０１はアノード電極、７
０２はｐ型アノード領域、７０３はn-ベース層、
７０４はｐベース層、７０５は主サイリスタの
n+カソード領域、７０６は主サイリスタのカソ
ード電極、７１０は増幅用補助サイリスタのn+
カソード領域、７０７はそのカソード電極であ
る。７０８は光トリガパルスLT７０９を導入す
る光フアイバを示す。
第９図、第１０図の従来例では、光トリガパル
スLT６０９もしくは７０９はいづれもｎ型カソ
ード層６１０，７１０及びｐベース層６０４，７
０４を透過してｎベース層に侵入するが、ｎ型カ
ソード層６１０，７１０、ｐベース層６０４，７
０４内における光吸収の影響を受ける。また従来
型光トリガサイリスタでは、バイポーラベース構
造による光増幅であるため、静電誘導トランジス
タのゲート構造（SITゲート構造）による光増幅
に比べ、光増幅感度は低い値となつている。光増
幅度の傾向を比較すると、SITゲート構造の場
合、入射光強度が低ければ低い程高くなるのに対
し、バイポーラベース構造では逆に、光入射光強
度の増加とともに光増幅度は上昇する。
スLT６０９もしくは７０９はいづれもｎ型カソ
ード層６１０，７１０及びｐベース層６０４，７
０４を透過してｎベース層に侵入するが、ｎ型カ
ソード層６１０，７１０、ｐベース層６０４，７
０４内における光吸収の影響を受ける。また従来
型光トリガサイリスタでは、バイポーラベース構
造による光増幅であるため、静電誘導トランジス
タのゲート構造（SITゲート構造）による光増幅
に比べ、光増幅感度は低い値となつている。光増
幅度の傾向を比較すると、SITゲート構造の場
合、入射光強度が低ければ低い程高くなるのに対
し、バイポーラベース構造では逆に、光入射光強
度の増加とともに光増幅度は上昇する。
第１１図は、アノード側光トリガによる従来型
光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタの断面
構造を示す。８０１はカソード電極、８０２は
n-高抵抗層、８０３はp+ゲート領域、８０４は
p+アノード領域、８０５はアノード電極、８０
６，８０７，８０９，８１０，８１１はｎ高抵抗
層、８０８はn+ゲート領域、８１２はクエンチ
用トランジスタのn+ゲート、８１３はそのゲー
ト電極、８１４はクエンチ用トランジスタの主電
極の一方への電極、８１５はp+拡散層で主電極
領域を示す。８１６は絶縁層を示す。８１７はト
リガ用光パルスLT８６０を導入する光フアイバ、
８１８はクエンチ用パルスLQ８５０を導入する
光フアイバを示す。８４０はp+アノード領域の
一部分を薄くなされた領域、８４１は絶縁層であ
つて、光侵入に対し、無反射防止膜となつてい
る。
光トリガ・光クエンチ静電誘導サイリスタの断面
構造を示す。８０１はカソード電極、８０２は
n-高抵抗層、８０３はp+ゲート領域、８０４は
p+アノード領域、８０５はアノード電極、８０
６，８０７，８０９，８１０，８１１はｎ高抵抗
層、８０８はn+ゲート領域、８１２はクエンチ
用トランジスタのn+ゲート、８１３はそのゲー
ト電極、８１４はクエンチ用トランジスタの主電
極の一方への電極、８１５はp+拡散層で主電極
領域を示す。８１６は絶縁層を示す。８１７はト
リガ用光パルスLT８６０を導入する光フアイバ、
８１８はクエンチ用パルスLQ８５０を導入する
光フアイバを示す。８４０はp+アノード領域の
一部分を薄くなされた領域、８４１は絶縁層であ
つて、光侵入に対し、無反射防止膜となつてい
る。
しかるに、第１１図の従来例では、n+埋め込
みゲート領域８０８及びp+埋め込みゲート領域
８０３はそれぞれデバイス全面積にわたり共通領
域となつており、補助サイリスタ等の増幅ゲート
手段は設けられていない。
みゲート領域８０８及びp+埋め込みゲート領域
８０３はそれぞれデバイス全面積にわたり共通領
域となつており、補助サイリスタ等の増幅ゲート
手段は設けられていない。
以上説明した本発明の実施例に関して、SITゲ
ート構造の直流的な光増幅度（電流増幅率）の実
験結果を、バイポーラベース構造の実験結果と比
較しながら説明する。
ート構造の直流的な光増幅度（電流増幅率）の実
験結果を、バイポーラベース構造の実験結果と比
較しながら説明する。
第１２図は、SIホトトランジスタの直流的な光
増幅度Ｇの入射光強度Pi依存性を示している。ド
レインバイアス電圧VDをパラメータとしていて、
同時にSIPTのゲート電位の変化△VGを示してあ
る。
増幅度Ｇの入射光強度Pi依存性を示している。ド
レインバイアス電圧VDをパラメータとしていて、
同時にSIPTのゲート電位の変化△VGを示してあ
る。
第１３図は、バイポーラホトトランジスタ
（BPT）の直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依
存性を示している。コレクタバイアス電圧VCを
パラメータとしていて、同時にBPTのベース電
位の変化△VBも示してある。
（BPT）の直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依
存性を示している。コレクタバイアス電圧VCを
パラメータとしていて、同時にBPTのベース電
位の変化△VBも示してある。
第１２図、第１３図から明らかな様に、SIホト
トランジスタとBPTの直流的な光増幅度Ｇの光
強度Pi依存性の傾向は、まつたく異なる。BPT
では直流的な光増幅度Ｇは光強度Piの増加に伴な
いしだいに増加するが、Pi＝102μW／cm2で高々３
×102程度である。一方、SIホトトランジスタで
は、光強度が弱い程直流的な光増幅度Ｇは大きく
なる傾向を示しPi＝10-4μW／cm2においては、108
を越えるＧが得られている。
トランジスタとBPTの直流的な光増幅度Ｇの光
強度Pi依存性の傾向は、まつたく異なる。BPT
では直流的な光増幅度Ｇは光強度Piの増加に伴な
いしだいに増加するが、Pi＝102μW／cm2で高々３
×102程度である。一方、SIホトトランジスタで
は、光強度が弱い程直流的な光増幅度Ｇは大きく
なる傾向を示しPi＝10-4μW／cm2においては、108
を越えるＧが得られている。
以上述べた様にSITゲート構造では、バイポー
ラベース構造と比較して、はるかに大きな光増幅
度（電流増幅率）が得られる。よつて、SITゲー
ト構造を光トリガサイリスタの増幅ゲート構造に
応用すれば、高光感度、高速のトリガサイリスタ
が実現できる。
ラベース構造と比較して、はるかに大きな光増幅
度（電流増幅率）が得られる。よつて、SITゲー
ト構造を光トリガサイリスタの増幅ゲート構造に
応用すれば、高光感度、高速のトリガサイリスタ
が実現できる。
一例として400V−10Aの光トリガに際し、本
発明によるSITゲート構造による増幅ゲート構造
を用いた場合、約120μWの光でターン・オン遅
延1.8μsであり、ターン・オン立上り時間は1.1μs
であつた。SITゲート構造の代りにバイポーラベ
ース構造による増幅ゲート構造を用いた場合、同
程度の光強度では主サイリスタのゲート電位は
0.6eVまでしか上昇せず光トリガできなかつた。
発明によるSITゲート構造による増幅ゲート構造
を用いた場合、約120μWの光でターン・オン遅
延1.8μsであり、ターン・オン立上り時間は1.1μs
であつた。SITゲート構造の代りにバイポーラベ
ース構造による増幅ゲート構造を用いた場合、同
程度の光強度では主サイリスタのゲート電位は
0.6eVまでしか上昇せず光トリガできなかつた。
本発明による光トリガサイリスタを、従来の光
トリガサイリスタが応用されていたスイツチング
装置に用いれば、極めて高速、高感度のスイツチ
ング装置が実現できる。さらに、光トリガサイリ
スタの大電力から中、小電力分野における応用範
囲を大きく広げるものであり、工業的利用価値は
極めて高い。
トリガサイリスタが応用されていたスイツチング
装置に用いれば、極めて高速、高感度のスイツチ
ング装置が実現できる。さらに、光トリガサイリ
スタの大電力から中、小電力分野における応用範
囲を大きく広げるものであり、工業的利用価値は
極めて高い。
第１図は本発明の光トリガサイリスタの実施例
の断面構造、第２図は本発明による光トリガサイ
リスタで主サイリスタがGTOで構成されている
実施例の断面構造、第３図は本発明による光トリ
ガサイリスタで主サイリスタが単一ゲート埋め込
みゲート形SIサイリスタで構成され、増幅用感応
素子がダブルゲート形SIホトサイリスタで構成さ
れている実施例の断面構造、第４図は本発明によ
る光トリガサイリスタで主サイリスタがダブルゲ
ート埋め込みゲート形SIサイリスタで構成され、
増幅用光感応素子がダブルゲート埋め込みゲート
形SIホトサイリスタで構成されている実施例の断
面構造、第５図は本発明による光トリガサイリス
タで主サイリスタがダブルゲート平面ゲート形SI
サイリスタで構成され、増幅用光感応素子がダブ
ルゲート平面ゲート形SIホトサイリスタで構成さ
れている実施例の断面構造、第６図は本発明によ
る光トリガサイリスタで主サイリスタがダブルゲ
ート切り込みゲート形SIサイリスタで構成され、
増幅用光感応素子がダブルゲート切り込みゲート
形SIホトサイリスタで構成されている実施例の断
面構造、第７図は本発明による光トリガサイリス
タで主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され、増幅用光感応素子が
アノード側が平面ゲート形でカソード側が埋め込
みゲート形のダブルゲートSIホトサイリスタで構
成されている実施例の断面構造、第８図は本発明
による光トリガサイリスタで主サイリスタがダブ
ルゲート埋め込みゲート形SIサイリスタで構成さ
れ、増幅用光感応素子がSIホトトランジスタで構
成されている実施例の断面構造、第９図は従来形
光トリガサイリスタの構造例、第１０図は従来形
光トリガサイリスタの別の構造例、第１１図はア
ノード側光トリガによる従来形光トリガ・光クエ
ンチ静電誘導サイリスタ、第１２図はSIホトトラ
ンジスタの直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依
存性、第１３図はバイポーラホトトランジスタの
直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依存性であ
る。 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，９
０６，１００９，１１０１……主サイリスタの
p+（ｐ）アノード領域、１０２，２０２，３０
２，４０２，５０２，９００，１０００，１１０
２……主サイリスタのn-高抵抗層、１０３，２
０３，３０３，４０３，５０３，９０２，１００
２，１１０３……主サイリスタのn+（ｎ）カソー
ド領域、１０４，２０４，３０４，４０４，５０
４，１１０４……主サイリスタのp+ゲート領域、
１０５，２０５，３０５，４０５，５０５……主
サイリスタのn+ゲート領域、９０１，１００１
……主サイリスタのｐベース領域、１３１，２３
１，３３１，４３１，５３１，９０７，１００
８，１１３１……主サイリスタのアノード電極、
１３２，２３２，３３２，４３２，５３２，９０
４，１００４，１１３２……主サイリスタのカソ
ード電極、１３３，２３３，３３３，４３３，５
３３，１１３３……主サイリスタのp+ゲート電
極、１３４，２３４，３３４，４３４，５３４…
…主サイリスタのn+ゲート電極、１００３……
主サイリスタのｐベース電極、１１１，２１１，
３１１，４１１，９１０，１０１３，１１１１…
…補助サイリスタのp+アノード領域、１１２，
２１２，３１２，４１２，１１１２……補助サイ
リスタのn-高抵抗層、１１３，２１３，３１３，
４１３，９０３，１００７，１１１３……補助サ
イリスタのn+（ｎ）カソード領域、１１４，２１
４，３１４，４１４，１１１４，１１１５……補
助サイリスタのp+ゲート領域、１１５，２１５，
３１５，４１５，９０９，１０１０，１１１５…
…補助サイリスタのn+ゲート領域、１４１，２
４１，３４１，４４１，９１１，１０１２，１１
４１……補助サイリスタのアノード電極、１４
２，２４２，３４２，４４２，９０５，１００
６，１１４２……補助サイリスタのカソード電
極、２４３，３４３……補助サイリスタのp+ゲ
ート電極、２４４，３４４，４４４，９０８，１
０１１，１１４４……補助サイルリスタのn+ゲ
ート電極、１００５……補助サイリスタのｐベー
ス電極、５１１……補助SIホトトランジスタの
n+ドレイン領域、５１２……補助SIホトトラン
ジスタのn-高抵抗領域、５１３……補助SIホト
トランジスタのn+ソース領域、５１４……補助
SIホトトランジスタのp+ゲート領域、５４１…
…補助SIホトトトランジスタのドレイン電極、５
４２……補助SIホトトランジスタのゲート電極、
１７１，２７１，３７１，４７１，５７１，９１
３，１０１７，１１７１……光トリガパルス、１
７２，２７２，３７２，４７２，５７２，９１
２，１０１６，１１７２……光トリガパルスを導
入するための光フアイバ等の手段、２５１，４５
１，５５１，９１４，１０１４，１１５１……絶
縁層。
の断面構造、第２図は本発明による光トリガサイ
リスタで主サイリスタがGTOで構成されている
実施例の断面構造、第３図は本発明による光トリ
ガサイリスタで主サイリスタが単一ゲート埋め込
みゲート形SIサイリスタで構成され、増幅用感応
素子がダブルゲート形SIホトサイリスタで構成さ
れている実施例の断面構造、第４図は本発明によ
る光トリガサイリスタで主サイリスタがダブルゲ
ート埋め込みゲート形SIサイリスタで構成され、
増幅用光感応素子がダブルゲート埋め込みゲート
形SIホトサイリスタで構成されている実施例の断
面構造、第５図は本発明による光トリガサイリス
タで主サイリスタがダブルゲート平面ゲート形SI
サイリスタで構成され、増幅用光感応素子がダブ
ルゲート平面ゲート形SIホトサイリスタで構成さ
れている実施例の断面構造、第６図は本発明によ
る光トリガサイリスタで主サイリスタがダブルゲ
ート切り込みゲート形SIサイリスタで構成され、
増幅用光感応素子がダブルゲート切り込みゲート
形SIホトサイリスタで構成されている実施例の断
面構造、第７図は本発明による光トリガサイリス
タで主サイリスタがダブルゲート埋め込みゲート
形SIサイリスタで構成され、増幅用光感応素子が
アノード側が平面ゲート形でカソード側が埋め込
みゲート形のダブルゲートSIホトサイリスタで構
成されている実施例の断面構造、第８図は本発明
による光トリガサイリスタで主サイリスタがダブ
ルゲート埋め込みゲート形SIサイリスタで構成さ
れ、増幅用光感応素子がSIホトトランジスタで構
成されている実施例の断面構造、第９図は従来形
光トリガサイリスタの構造例、第１０図は従来形
光トリガサイリスタの別の構造例、第１１図はア
ノード側光トリガによる従来形光トリガ・光クエ
ンチ静電誘導サイリスタ、第１２図はSIホトトラ
ンジスタの直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依
存性、第１３図はバイポーラホトトランジスタの
直流的な光増幅度Ｇの入射光強度Pi依存性であ
る。 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，９
０６，１００９，１１０１……主サイリスタの
p+（ｐ）アノード領域、１０２，２０２，３０
２，４０２，５０２，９００，１０００，１１０
２……主サイリスタのn-高抵抗層、１０３，２
０３，３０３，４０３，５０３，９０２，１００
２，１１０３……主サイリスタのn+（ｎ）カソー
ド領域、１０４，２０４，３０４，４０４，５０
４，１１０４……主サイリスタのp+ゲート領域、
１０５，２０５，３０５，４０５，５０５……主
サイリスタのn+ゲート領域、９０１，１００１
……主サイリスタのｐベース領域、１３１，２３
１，３３１，４３１，５３１，９０７，１００
８，１１３１……主サイリスタのアノード電極、
１３２，２３２，３３２，４３２，５３２，９０
４，１００４，１１３２……主サイリスタのカソ
ード電極、１３３，２３３，３３３，４３３，５
３３，１１３３……主サイリスタのp+ゲート電
極、１３４，２３４，３３４，４３４，５３４…
…主サイリスタのn+ゲート電極、１００３……
主サイリスタのｐベース電極、１１１，２１１，
３１１，４１１，９１０，１０１３，１１１１…
…補助サイリスタのp+アノード領域、１１２，
２１２，３１２，４１２，１１１２……補助サイ
リスタのn-高抵抗層、１１３，２１３，３１３，
４１３，９０３，１００７，１１１３……補助サ
イリスタのn+（ｎ）カソード領域、１１４，２１
４，３１４，４１４，１１１４，１１１５……補
助サイリスタのp+ゲート領域、１１５，２１５，
３１５，４１５，９０９，１０１０，１１１５…
…補助サイリスタのn+ゲート領域、１４１，２
４１，３４１，４４１，９１１，１０１２，１１
４１……補助サイリスタのアノード電極、１４
２，２４２，３４２，４４２，９０５，１００
６，１１４２……補助サイリスタのカソード電
極、２４３，３４３……補助サイリスタのp+ゲ
ート電極、２４４，３４４，４４４，９０８，１
０１１，１１４４……補助サイルリスタのn+ゲ
ート電極、１００５……補助サイリスタのｐベー
ス電極、５１１……補助SIホトトランジスタの
n+ドレイン領域、５１２……補助SIホトトラン
ジスタのn-高抵抗領域、５１３……補助SIホト
トランジスタのn+ソース領域、５１４……補助
SIホトトランジスタのp+ゲート領域、５４１…
…補助SIホトトトランジスタのドレイン電極、５
４２……補助SIホトトランジスタのゲート電極、
１７１，２７１，３７１，４７１，５７１，９１
３，１０１７，１１７１……光トリガパルス、１
７２，２７２，３７２，４７２，５７２，９１
２，１０１６，１１７２……光トリガパルスを導
入するための光フアイバ等の手段、２５１，４５
１，５５１，９１４，１０１４，１１５１……絶
縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ サイリスタと、前記サイリスタと同一半導体
基板の前記サイリスタのアノードが形成されてい
る面にゲート構造が配置された静電誘導形光感応
素子とで構成され、前記サイリスタのカソードと
前記静電誘導形光感応素子の第１の主電極とが電
気的に接続され、前記サイリスタのアノードもし
くは第２ベースと、前記静電誘導形光感応素子の
第２の主電極とが電気的に接続され、前記静電誘
導形光感応素子に前記アノード側から入射される
トリガ光を増幅した電流により前記サイリスタが
駆動されることを特徴とする光トリガサイリス
タ。 ２ ゲート・ターン・オフ・サイリスタと、前記
ゲート・ターン・オフ・サイリスタと同一半導体
基板の前記ゲート・ターン・オフ・サイリスタの
アノードが形成されている面にゲート構造を配置
した静電誘導形光感応素子とで構成され、前記ゲ
ート・ターン・オフ・サイリスタのカソードと前
記静電誘導形光感応素子の第１の主電極とが電気
的に接続され、前記ゲート・ターン・オフ・サイ
リスタのアノードと前記静電誘導形光感応素子の
第２の主電極とが電気的に接続され、前記静電誘
導形光感応素子に前記アノード側から入射される
トリガ光を増幅した電流により前記ゲート・ター
ン・オフ・サイリスタが駆動されることを特徴と
する光トリガサイリスタ。 ３ 静電誘導サイリスタと、前記静電誘導サイリ
スタと同一半導体基板の前記静電誘導サイリスタ
のアノードが形成されている面にゲート構造を配
置した静電誘導形光感応素子とで構成され、前記
静電誘導サイリスタのカソードと前記静電誘導形
光感応素子の第１の主電極とが電気的に接続さ
れ、前記静電誘導サイリスタの第２ゲートもしく
はアノードと前記静電誘導形光感応素子の第２の
主電極とが電気的に接続され、前記静電誘導形光
感応素子に前記アノード側から入射されるトリガ
光を増幅した電流により、前記静電誘導サイリス
タが駆動されることを特徴とする光トリガサイリ
スタ。 ４ 前記静電誘導形光感応素子が静電誘導ホトサ
イリスタで形成されていることを特徴とする前記
特許請求の範囲第３項記載の光トリガサイリス
タ。 ５ 前記静電誘導サイリスタが埋め込みゲート形
静電誘導サイリスタで形成され、前記静電誘導形
光感応素子が平面ゲートと埋め込みゲートを有す
るダブルゲート形静電誘導ホトサイリスタで形成
されることを特徴とする前記特許請求の範囲第３
項記載の光トリガサイリスタ。 ６ 前記静電誘導サイリスタが埋め込みゲート形
静電誘導サイリスタで形成され、前記静電誘導形
光感応素子が埋め込みゲート形静電誘導ホトサイ
リスタで形成されることを特徴とする前記特許請
求の範囲第３項記載の光トリガサイリスタ。 ７ 前記静電誘導サイリスタが平面ゲート形静電
誘導サイリスタで形成され、前記静電誘導形光感
応素子が平面ゲート形静電誘導ホトサイリスタで
形成されることを特徴とする前記特許請求の範囲
第３項記載の光トリガサイリスタ。 ８ 前記静電誘導サイリスタが切り込みゲート形
静電誘導サイリスタで形成され、前記静電誘導形
光感応素子が切り込みゲート形静電誘導ホトサイ
リスタで形成されることを特徴とする前記特許請
求の範囲第３項記載の光トリガサイリスタ。 ９ ダブルゲート静電誘導サイリスタと、前記ダ
ブルゲート静電誘導サイリスタのアノードが形成
されている面に集積化された静電誘導形光感応素
子とで構成され、前記ダブルゲート静電誘導サイ
リスタの第２ゲートと前記静電誘導形光感応素子
の第１の主電極領域とが共通領域で形成され、前
記アノード側から入射されるトリガ光を増幅した
電流により、前記ダブルゲート静電誘導サイリス
タが駆動されることを特徴とする光トリガサイリ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265846A JPS61144066A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光トリガサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59265846A JPS61144066A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光トリガサイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144066A JPS61144066A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH043114B2 true JPH043114B2 (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=17422879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59265846A Granted JPS61144066A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 光トリガサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144066A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198779A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Res Dev Corp Of Japan | 両面ゲ−ト静電誘導サイリスタ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59265846A patent/JPS61144066A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144066A (ja) | 1986-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |