JPH02260604A - 積層型バリスタ - Google Patents
積層型バリスタInfo
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- JPH02260604A JPH02260604A JP1082636A JP8263689A JPH02260604A JP H02260604 A JPH02260604 A JP H02260604A JP 1082636 A JP1082636 A JP 1082636A JP 8263689 A JP8263689 A JP 8263689A JP H02260604 A JPH02260604 A JP H02260604A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性抵抗として機能する積層型バリ
スタに関し、特に内部電極の変質を防止してバリスタ特
性の悪化を回避できるとともに、もれ電流を低減して部
品の信顧性を向上できるようにした構造に関する。
スタに関し、特に内部電極の変質を防止してバリスタ特
性の悪化を回避できるとともに、もれ電流を低減して部
品の信顧性を向上できるようにした構造に関する。
一般に、バリスタは、印加電圧に応じて抵抗値が非直線
的に変化す・る抵抗体素子であり、このようなバリスタ
として、従来、第6図に示すような直方体状の積層型バ
リスタがある(例えば特公昭58−23921号公報参
照)、この積層型バリスタ3゜は、ZnOを主成分とす
るセラミクス層31と内部電極32とを交互に積層して
一体焼結するとともに、該焼結体33の左、右端面33
a、33bに外部型8iI34を形成し、上記各内部電
極32の一端面32aを、上記焼結体33の左、右端面
33a、33bに交互に露出させて上記外部電極34に
接続した構成となっている。
的に変化す・る抵抗体素子であり、このようなバリスタ
として、従来、第6図に示すような直方体状の積層型バ
リスタがある(例えば特公昭58−23921号公報参
照)、この積層型バリスタ3゜は、ZnOを主成分とす
るセラミクス層31と内部電極32とを交互に積層して
一体焼結するとともに、該焼結体33の左、右端面33
a、33bに外部型8iI34を形成し、上記各内部電
極32の一端面32aを、上記焼結体33の左、右端面
33a、33bに交互に露出させて上記外部電極34に
接続した構成となっている。
ところで、上記従来の積層型バリスタ3oは、焼結体3
3として見れば、内部電極32の一端面32aが外部に
露出した構造であるから、湿度の高い雰囲気中において
は上記内部電極32の露出部分が変質し易いという問題
がある。
3として見れば、内部電極32の一端面32aが外部に
露出した構造であるから、湿度の高い雰囲気中において
は上記内部電極32の露出部分が変質し易いという問題
がある。
また、この種の積層型バリスタ30を配線用基板に半田
付は接続すると、外部電極34が銀の焼付は電極からな
のものでは半田中に銀が溶融して取り込まれる、いわゆ
る銀くわれが生じていた。
付は接続すると、外部電極34が銀の焼付は電極からな
のものでは半田中に銀が溶融して取り込まれる、いわゆ
る銀くわれが生じていた。
このような銀くわれを防止するため、銀電極の上にニッ
ケル、銅等の耐熱性を有し、半田に溶融しにくい金属層
をめっきにより形成・したり、さらに半田の付着を良好
にすることを目的として、めっきからなる金属層の上に
半田層をめっきにより形成することも行われている。し
かしながら、上記外部電極34の表面にさらに金属層や
半田層を形成すると、めっき液が内部電極の露出部分か
ら侵入し易く、その結果バリスタ特性が劣化するという
問題点がある。
ケル、銅等の耐熱性を有し、半田に溶融しにくい金属層
をめっきにより形成・したり、さらに半田の付着を良好
にすることを目的として、めっきからなる金属層の上に
半田層をめっきにより形成することも行われている。し
かしながら、上記外部電極34の表面にさらに金属層や
半田層を形成すると、めっき液が内部電極の露出部分か
ら侵入し易く、その結果バリスタ特性が劣化するという
問題点がある。
そこで本件出願人は、上記高湿度及びめっき液の侵入に
よる内部電極の変質を防止するために、第5図に示すよ
うな積層型バリスタを提案した(特願昭63−2258
49号)。この積層型バリスタ20は、内部電極21の
一端面21a及び他端面21bを外部に露出しないよう
にセラミクス層24内に埋設させて焼結体22を形成す
るとともに、該焼結体22の両端面22a、22bに、
該焼結体22にAI等を固溶させてなる導出層23を形
成し、該導出層23を介して上記内部電極21の一端面
21aを交互に電気的に導出して構成されている。この
積層型バリスタ20によれば、内部電極21を焼結体2
2内に埋設し、該内部電極21の露出部分をなくしたの
で、湿度の高い雰囲気中やめっき液処理中においても内
部電極21の変質を防止でき、その結果バリスタ特性の
悪化を回避できる。
よる内部電極の変質を防止するために、第5図に示すよ
うな積層型バリスタを提案した(特願昭63−2258
49号)。この積層型バリスタ20は、内部電極21の
一端面21a及び他端面21bを外部に露出しないよう
にセラミクス層24内に埋設させて焼結体22を形成す
るとともに、該焼結体22の両端面22a、22bに、
該焼結体22にAI等を固溶させてなる導出層23を形
成し、該導出層23を介して上記内部電極21の一端面
21aを交互に電気的に導出して構成されている。この
積層型バリスタ20によれば、内部電極21を焼結体2
2内に埋設し、該内部電極21の露出部分をなくしたの
で、湿度の高い雰囲気中やめっき液処理中においても内
部電極21の変質を防止でき、その結果バリスタ特性の
悪化を回避できる。
ところで、上記積層型バリスタ20においては、耐湿性
や耐めっき性は向上できるものの、もれ電流が生じ易く
、場合によっては短絡する恐れがあるということが判明
した。これはバリスタ特性を得るための内部電極21同
土間以外の部分において電流が流れるためであり、例え
ば上記導出層23は、AI等を固溶させるという構造上
、その上。
や耐めっき性は向上できるものの、もれ電流が生じ易く
、場合によっては短絡する恐れがあるということが判明
した。これはバリスタ特性を得るための内部電極21同
土間以外の部分において電流が流れるためであり、例え
ば上記導出層23は、AI等を固溶させるという構造上
、その上。
下部23a部分が内方に張り出し易く、そのため最上部
、最下部の内部電極21の他端面21bと上記導出層2
3の上、下部23aとの隙間が小さくなり、この部分に
おいてもれ電流が生じるものと考えられる。
、最下部の内部電極21の他端面21bと上記導出層2
3の上、下部23aとの隙間が小さくなり、この部分に
おいてもれ電流が生じるものと考えられる。
本発明の目的は、高湿度やめっき液による内部電極の変
質を防止してバリスタ特性の悪化を回避でき、さらにも
れ電流を防止して品質の信転性を向上できる積層型バリ
スタを提供することにある。
質を防止してバリスタ特性の悪化を回避でき、さらにも
れ電流を防止して品質の信転性を向上できる積層型バリ
スタを提供することにある。
そこで本発明は、セラミクス層と内部電極とを、該内部
電極の一端面が接続ギャップを開けて内方に位置し、か
つ他端面が上記接続ギャップより広い非接続ギャップを
開けて内方に位置するように交互に積層して積層体を形
成し、該積層体の両端の接続ギャップ部分を低抵抗化さ
せることにより、上記内部電極の一端面を該積層体の端
面に交互に電気的に導出する導出層を形成し、さらに上
記積層体の雨量外層に位置する内部電極の上記非接続ギ
ャップを他の内部電極の非接続ギャップより大きくした
ことを特徴とする積層型バリスタである。
電極の一端面が接続ギャップを開けて内方に位置し、か
つ他端面が上記接続ギャップより広い非接続ギャップを
開けて内方に位置するように交互に積層して積層体を形
成し、該積層体の両端の接続ギャップ部分を低抵抗化さ
せることにより、上記内部電極の一端面を該積層体の端
面に交互に電気的に導出する導出層を形成し、さらに上
記積層体の雨量外層に位置する内部電極の上記非接続ギ
ャップを他の内部電極の非接続ギャップより大きくした
ことを特徴とする積層型バリスタである。
ここで、上記接続ギャップとは内部電極の一端面から積
層体の端面までの距離の意味であり、非接続ギャップと
は内部電極の他端面から積層体の端面までの距離の意味
である。
層体の端面までの距離の意味であり、非接続ギャップと
は内部電極の他端面から積層体の端面までの距離の意味
である。
また、上記雨量外層の内部電極の非接続ギャップを他の
内部電極の接続ギャップより大きくするとは、雨量外層
の内部電極の一端面を導出層に接続し、かつその長さを
他の内部電極の長さより短くするとの意味であり、該長
さは上記積層体の長さの1/2を越えないようにするの
が好ましい。
内部電極の接続ギャップより大きくするとは、雨量外層
の内部電極の一端面を導出層に接続し、かつその長さを
他の内部電極の長さより短くするとの意味であり、該長
さは上記積層体の長さの1/2を越えないようにするの
が好ましい。
本発明に係る積層型バリスタによれば、内部電極の一端
面2他端面をそれぞれ接続ギャップ、非接続ギャップを
設けて積層体の内方に位置させ、該積層体内に埋設した
ので、上記内部電極の露出部分を完全になくすことがで
き、湿度の高い雰囲気中においても内部電極の変質を防
止できるとともに、外部電極を形成する際のメツキ液の
侵入を阻止でき、その結果バリスタ特性の悪化を回避で
きる。この場合、各内部電極の一端面は導出層に接続さ
れているので、該導出層を介して外部電極に接続できる
。
面2他端面をそれぞれ接続ギャップ、非接続ギャップを
設けて積層体の内方に位置させ、該積層体内に埋設した
ので、上記内部電極の露出部分を完全になくすことがで
き、湿度の高い雰囲気中においても内部電極の変質を防
止できるとともに、外部電極を形成する際のメツキ液の
侵入を阻止でき、その結果バリスタ特性の悪化を回避で
きる。この場合、各内部電極の一端面は導出層に接続さ
れているので、該導出層を介して外部電極に接続できる
。
また、本発明では、最外層の内部電極の他端面と積層体
の端面との非接続ギャップを他の非接続ギャップより大
きくしたので、上記導出層の上。
の端面との非接続ギャップを他の非接続ギャップより大
きくしたので、上記導出層の上。
下部が内方に張り出しても、これと上記他端面との距離
は十分確保されており、その結果この部分に電流が流れ
ることはなく、もれ電流を防止でき、ひいては消費電力
、熱暴走等の問題を解消でき、品質の信鎖性を向上でき
る。
は十分確保されており、その結果この部分に電流が流れ
ることはなく、もれ電流を防止でき、ひいては消費電力
、熱暴走等の問題を解消でき、品質の信鎖性を向上でき
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図である。
リスタを説明するための図である。
図において、lは本実施例の積層型バリスタであり、こ
のバリスタ1は直方体状のもので、バリスタ機能を発現
するZnO系セラミクス層2と、ptからなる内部電極
3′、又は3とを交互に積層し、これを一体焼成してな
る焼結体4の左1右端面4a、4bにAg/Paからな
る外部電極5を形成して構成されている。
のバリスタ1は直方体状のもので、バリスタ機能を発現
するZnO系セラミクス層2と、ptからなる内部電極
3′、又は3とを交互に積層し、これを一体焼成してな
る焼結体4の左1右端面4a、4bにAg/Paからな
る外部電極5を形成して構成されている。
また、上記内部電極3の一端面3aは互い違いに上記焼
結体4の両端面4a、4bに近接する接続ギャップTを
開けて内方に位Iしており、他端面3bはこれも互い違
いに上記焼結体40両端面4a、4bから上記接続ギャ
ップTより広い非接続ギャップtを開けて内方に位置し
ており、これにより各内部電極3は焼結体4内に埋めこ
まれて封入されている。
結体4の両端面4a、4bに近接する接続ギャップTを
開けて内方に位Iしており、他端面3bはこれも互い違
いに上記焼結体40両端面4a、4bから上記接続ギャ
ップTより広い非接続ギャップtを開けて内方に位置し
ており、これにより各内部電極3は焼結体4内に埋めこ
まれて封入されている。
さらに、上記焼結体4の左、右端面4a、4b部分には
セラミクス層2を低抵抗化してなる導出層6が形成され
ており、該導出層6は上記接続ギヤ711部分より内方
に達し、上記内部電極3の一端面3aに接続される厚さ
になっている。この導出層6は、上記両端面4a、4b
部分にAlを主成分とするペーストを塗布し、これを加
熱することにより焼結体4のZnOに固溶させて、この
部分の抵抗値を減少させることにより形成されたもので
ある。また、上記導出層6の外表面は上記外部電極5に
接続されており、これにより上記各内部電極3は導出層
6を介して電気的に外部電極5に接続されている。
セラミクス層2を低抵抗化してなる導出層6が形成され
ており、該導出層6は上記接続ギヤ711部分より内方
に達し、上記内部電極3の一端面3aに接続される厚さ
になっている。この導出層6は、上記両端面4a、4b
部分にAlを主成分とするペーストを塗布し、これを加
熱することにより焼結体4のZnOに固溶させて、この
部分の抵抗値を減少させることにより形成されたもので
ある。また、上記導出層6の外表面は上記外部電極5に
接続されており、これにより上記各内部電極3は導出層
6を介して電気的に外部電極5に接続されている。
そして、上記最上部及び最下部の内部1ii3’の他端
面3Cと焼結体4の左、右端面4a、4bとの非接続ギ
ャップ(′は、上記他の内部電極3の非接続ギャップt
より大きく形成されている。
面3Cと焼結体4の左、右端面4a、4bとの非接続ギ
ャップ(′は、上記他の内部電極3の非接続ギャップt
より大きく形成されている。
即ち、上記最上部及び最下部の内部電極3′の一端面3
aから他端面3Cまでの長さは上記焼結体4の長さlの
172より短く形成されている。
aから他端面3Cまでの長さは上記焼結体4の長さlの
172より短く形成されている。
次に本実施例の積層型バリスタlを製造する方法につい
て説明する。
て説明する。
■ まず、Z n O(95,Omoj%)、Coo(
1゜0moj %) 、 MnO(1,0mol
%) 、 S bx 0s(2,0moj!
%) 、 Crl o2 (1,Om
oj! %) を混合してなるセラミクス材料に、B
、O,、SiOx 、PbO,ZnOからなるガラス粉
末をlO−【%加えて原料とし、これに有機バインダー
を混合して、ドクターブレード法によりグリーンシート
を形成する。このグリーンシートを所定の大きさの矩形
状に切断して、多数の矩形状セラミクス層2を形成する
。
1゜0moj %) 、 MnO(1,0mol
%) 、 S bx 0s(2,0moj!
%) 、 Crl o2 (1,Om
oj! %) を混合してなるセラミクス材料に、B
、O,、SiOx 、PbO,ZnOからなるガラス粉
末をlO−【%加えて原料とし、これに有機バインダー
を混合して、ドクターブレード法によりグリーンシート
を形成する。このグリーンシートを所定の大きさの矩形
状に切断して、多数の矩形状セラミクス層2を形成する
。
■ 次に、第3図に示すように、上記各セラミクスN2
の上面に、ptにビヒクルを混合してなるペーストを印
刷して内部電極3′、3を形成する。この場合、各内部
電極3′、3の一端面3aが、交互にセラミクス層2の
左、右端面2a、2bから接続ギャップTを開けて内側
に位置するようにし、また最上部及び最下部に位置する
内部型8i3゛以外の内部電極3の他端面3bが、交互
にセラミクス層2の左、右端面2a、2bから非接続ギ
ャップ【を開けて内側に位置するようにする。
の上面に、ptにビヒクルを混合してなるペーストを印
刷して内部電極3′、3を形成する。この場合、各内部
電極3′、3の一端面3aが、交互にセラミクス層2の
左、右端面2a、2bから接続ギャップTを開けて内側
に位置するようにし、また最上部及び最下部に位置する
内部型8i3゛以外の内部電極3の他端面3bが、交互
にセラミクス層2の左、右端面2a、2bから非接続ギ
ャップ【を開けて内側に位置するようにする。
そして、上記最上部及び最下部に位置する内部電極3′
の他端面3cが、それぞれセラミクス層2の左、右端面
2a、2bから非接続ギャップt′を開けて略中央部に
位置するように形成する。
の他端面3cが、それぞれセラミクス層2の左、右端面
2a、2bから非接続ギャップt′を開けて略中央部に
位置するように形成する。
■ 次に、セラミクス層2と内部電極3′又は3とが交
互に重なるように、かつ該内部電極3′3の一端面3a
が交互に左、右に位置するように順次積層し、さらにこ
の積層体の上面にダミーとしてのセラミクスシート8を
重ね、これをプレスで加圧、圧着して積層体を形成する
。するとこれにより、各内部電極3は完全に積層体内に
埋設されて封入されていることとなる。
互に重なるように、かつ該内部電極3′3の一端面3a
が交互に左、右に位置するように順次積層し、さらにこ
の積層体の上面にダミーとしてのセラミクスシート8を
重ね、これをプレスで加圧、圧着して積層体を形成する
。するとこれにより、各内部電極3は完全に積層体内に
埋設されて封入されていることとなる。
■ そして、上記積層体を空気中にて1200℃×3時
間で加熱焼成し、焼結体4を得る0次に、この焼結体4
の左、右端面4a、4bにAIを主成分とするペースト
を塗布し、これを1000℃×1時間加熱処理する。こ
の熱処理によって、上記焼結体4の両端面4a、4b部
分のZnOにAjl O2が固溶し、上記両端面4a、
4b部分の抵抗値が減少して導出層6が形成され、該導
出層6と各内部電極3の一端面3aとが接続されること
となる。ここで、上記導出層6を形成する金属としてA
1の他にGa、Gd、Y等が採用できる。
間で加熱焼成し、焼結体4を得る0次に、この焼結体4
の左、右端面4a、4bにAIを主成分とするペースト
を塗布し、これを1000℃×1時間加熱処理する。こ
の熱処理によって、上記焼結体4の両端面4a、4b部
分のZnOにAjl O2が固溶し、上記両端面4a、
4b部分の抵抗値が減少して導出層6が形成され、該導
出層6と各内部電極3の一端面3aとが接続されること
となる。ここで、上記導出層6を形成する金属としてA
1の他にGa、Gd、Y等が採用できる。
■ 最後に、上記導出層6の外表面に、Agを主体とし
てPdを添加してなるペーストを塗布し、これを焼き付
けて外部電極5を形成する。これにより、本実施例の積
層型バリスタ1が製造される。
てPdを添加してなるペーストを塗布し、これを焼き付
けて外部電極5を形成する。これにより、本実施例の積
層型バリスタ1が製造される。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例によれば、各内部電極3をセラミクス層2内に
封入し、該内部電極3を露出させないようにしたので、
高湿度の雰囲気中で使用しても、内部電極3が変質する
ことはなく、しかも焼結体4を電解めっき液中に浸漬し
ても該めっき液が侵入することはないから、バリスタ特
性の悪化を防止できる。また、本実施例では、導出層6
と各内部電極3とを電気的に接続し、該導出層6を介し
て外部電極5に接続したので、上記内部電極3を内方に
封入しながら外部に導出できる。しかもこの導出層6は
AN等のペーストを塗布し、加熱するだけで実現でき、
製造が容易である。
封入し、該内部電極3を露出させないようにしたので、
高湿度の雰囲気中で使用しても、内部電極3が変質する
ことはなく、しかも焼結体4を電解めっき液中に浸漬し
ても該めっき液が侵入することはないから、バリスタ特
性の悪化を防止できる。また、本実施例では、導出層6
と各内部電極3とを電気的に接続し、該導出層6を介し
て外部電極5に接続したので、上記内部電極3を内方に
封入しながら外部に導出できる。しかもこの導出層6は
AN等のペーストを塗布し、加熱するだけで実現でき、
製造が容易である。
また、本実施例によれば、最上部、最下部の内部電極3
゛の他端面3Cと焼結体4の両端面4a。
゛の他端面3Cと焼結体4の両端面4a。
4bとの非接続ギャップt′を他の内部電極3の非接続
ギャップtより大きくしたので、つまり上記他端面3C
と導出層6及び外部電極5との距離が十分層されている
から、バリスタ特性を得るための内部電極3同土間以外
の部分に電流が流れることはなく、その結果もれ電流を
防止でき、ひいては消費電力、熱暴走等の問題を解消で
き、品質の信頼性を向上できる。
ギャップtより大きくしたので、つまり上記他端面3C
と導出層6及び外部電極5との距離が十分層されている
から、バリスタ特性を得るための内部電極3同土間以外
の部分に電流が流れることはなく、その結果もれ電流を
防止でき、ひいては消費電力、熱暴走等の問題を解消で
き、品質の信頼性を向上できる。
表は、本実施例の効果を確認するために行った特性試験
の結果を示す。
の結果を示す。
この試験では、本実施例の製造方法により作成した積層
型バリスタを、温度60℃、相対湿度90%の雰囲気中
に1000時間放置し、しかる後V、、、及び■。1□
の変化率を調べた。また、もれ電流μAはVlaAの6
0%の電圧で測定した。なお、比較のため、内部電極の
端面を焼結体の表面に露出させてなる従来の積層型バリ
スタ(第6図の構造のもの)、及び内部電極を焼結体内
に埋設し、全ての内部電極の長さを同一にしてなる比較
のための積層型バリスタ(第5図の構造のもの)につい
ても同様の試験を行った。
型バリスタを、温度60℃、相対湿度90%の雰囲気中
に1000時間放置し、しかる後V、、、及び■。1□
の変化率を調べた。また、もれ電流μAはVlaAの6
0%の電圧で測定した。なお、比較のため、内部電極の
端面を焼結体の表面に露出させてなる従来の積層型バリ
スタ(第6図の構造のもの)、及び内部電極を焼結体内
に埋設し、全ての内部電極の長さを同一にしてなる比較
のための積層型バリスタ(第5図の構造のもの)につい
ても同様の試験を行った。
表からも明らかなように、内部電極の端面が露出してい
る従来試料(第2欄)の場合は、もれ電流はそれほど大
きくないものの、耐湿性を示すVlaA r Va、t
am (7)変化率は−8,−23%となッテおり、バ
リスタ特性が劣化している。また、内部電極を焼結体内
に埋設してなる比較試料(第3欄)の場合は、VlaA
+ Vo、+*a (7)変化率は−4゜6%であ
り、上記従来試料に比べて耐湿性が改善されていること
がわかる。しかし、もれ電流は0.95μAと大きくな
っている。これに対して、本実施例試料(第1欄)では
、VIIIIA + vl+aA (D変化率は−4
,−6%となっており、上記比較試料と同様に耐湿性が
向上しており、しかももれ電流においても0.13μA
と小さくなっており、従来試料、比較試料より改善され
ていることがわかる。
る従来試料(第2欄)の場合は、もれ電流はそれほど大
きくないものの、耐湿性を示すVlaA r Va、t
am (7)変化率は−8,−23%となッテおり、バ
リスタ特性が劣化している。また、内部電極を焼結体内
に埋設してなる比較試料(第3欄)の場合は、VlaA
+ Vo、+*a (7)変化率は−4゜6%であ
り、上記従来試料に比べて耐湿性が改善されていること
がわかる。しかし、もれ電流は0.95μAと大きくな
っている。これに対して、本実施例試料(第1欄)では
、VIIIIA + vl+aA (D変化率は−4
,−6%となっており、上記比較試料と同様に耐湿性が
向上しており、しかももれ電流においても0.13μA
と小さくなっており、従来試料、比較試料より改善され
ていることがわかる。
また、本実施例試料の外部電極にめっき処理により金属
層を施したが、これによる特性の劣化は全く認められな
かった。
層を施したが、これによる特性の劣化は全く認められな
かった。
第4図は上記実施例の変形例を示し、図中、第1図と同
一符号は同−又は相当部分を示す。
一符号は同−又は相当部分を示す。
この積層型バリスタlは、最上部及び最下部の内部電極
9の左、右外端面9aを導出層6に接続し、これの内端
面9b同士の間に隙間を設けて上記内部電極9を2分割
し、これにより該内端面9bと対向する側の焼結体4の
左、右端面4a、4bとの間に他の非接続ギャップ【に
より大きい非接続ギャップt′を形成した例である。こ
の場合においても、内部電極の変質を防止できるととも
に、もれ電流を防止でき上記実施例と同様の効果が得ら
れる。また、この構造によれば、内部電極の印刷及び積
層作業を容易化できる。
9の左、右外端面9aを導出層6に接続し、これの内端
面9b同士の間に隙間を設けて上記内部電極9を2分割
し、これにより該内端面9bと対向する側の焼結体4の
左、右端面4a、4bとの間に他の非接続ギャップ【に
より大きい非接続ギャップt′を形成した例である。こ
の場合においても、内部電極の変質を防止できるととも
に、もれ電流を防止でき上記実施例と同様の効果が得ら
れる。また、この構造によれば、内部電極の印刷及び積
層作業を容易化できる。
以上のように、本発明に係る積層型バリスタによれば、
内部電極の一端面を接続ギャップを開けて内方に位置さ
せ、他端面を接続ギャップより広い非接続ギャップを開
けて内方に位置させ、積層体の両端部分に上記内部電極
の一端面を交互に電気的に導出する導出層を形成すると
ともに、上記最上部及び最下部の内部電極の上記非接続
ギャップを他の内部電極の非接続ギャップより大きくし
たので、高湿度やめっき液の侵入による内部電極の変質
を防止でき、バリスタ特性の悪化を回避できる効果があ
るとともに、もれ電流を防止して品質の信鯨性を向上で
きる効果がある。
内部電極の一端面を接続ギャップを開けて内方に位置さ
せ、他端面を接続ギャップより広い非接続ギャップを開
けて内方に位置させ、積層体の両端部分に上記内部電極
の一端面を交互に電気的に導出する導出層を形成すると
ともに、上記最上部及び最下部の内部電極の上記非接続
ギャップを他の内部電極の非接続ギャップより大きくし
たので、高湿度やめっき液の侵入による内部電極の変質
を防止でき、バリスタ特性の悪化を回避できる効果があ
るとともに、もれ電流を防止して品質の信鯨性を向上で
きる効果がある。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図であり、第1図は第2図のI
−1線断面図、第2図はその斜視図、第3図はその分解
した状態の平面図、第4図は上記実施例の変形例を示す
断面図、第5図は本発明の成立過程を説明するための積
層型バリスタの断面図、第6図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図である。 図において、1は積層型バリスタ、2はセラミクス層、
3は他の内部電極、3′、9は最上部。 最下部(最外層)の内部電極、3a、9aは内部電極の
一端面、3bは他端面、3c、9bは最上部及び最下部
の内部電極の他端面、4は焼結体(積層体)、4a、4
bは焼結体の左、右端面、6は導出層、Tは接続ギャッ
プ、tは非接続ギャップ、t′は最上部及び最下部の内
部電極の非接続ギャップである。
リスタを説明するための図であり、第1図は第2図のI
−1線断面図、第2図はその斜視図、第3図はその分解
した状態の平面図、第4図は上記実施例の変形例を示す
断面図、第5図は本発明の成立過程を説明するための積
層型バリスタの断面図、第6図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図である。 図において、1は積層型バリスタ、2はセラミクス層、
3は他の内部電極、3′、9は最上部。 最下部(最外層)の内部電極、3a、9aは内部電極の
一端面、3bは他端面、3c、9bは最上部及び最下部
の内部電極の他端面、4は焼結体(積層体)、4a、4
bは焼結体の左、右端面、6は導出層、Tは接続ギャッ
プ、tは非接続ギャップ、t′は最上部及び最下部の内
部電極の非接続ギャップである。
Claims (1)
- (1)バリスタ機能を発現するセラミクス層と内部電極
とを、該内部電極の一端面がセラミクス層の端面から接
続ギャップを開けて内方に位置し、他端面が上記接続ギ
ャップより広い非接続ギャップを開けて内方に位置する
ように交互に積層して積層体を形成し、該積層体の両端
の接続ギャップ部分を低抵抗化させることにより、該積
層体の両端面に上記内部電極の一端面を交互に電気的に
導出する導出層を形成し、さらに上記積層体の両最外層
に位置する内部電極の上記非接続ギャップを他の内部電
極の非接続ギャップより大きくしたことを特徴とする積
層型バリスタ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082636A JPH02260604A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 積層型バリスタ |
| US07/404,838 US5075665A (en) | 1988-09-08 | 1989-09-08 | Laminated varistor |
| DE3930000A DE3930000A1 (de) | 1988-09-08 | 1989-09-08 | Varistor in schichtbauweise |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082636A JPH02260604A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 積層型バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260604A true JPH02260604A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13779919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082636A Pending JPH02260604A (ja) | 1988-09-08 | 1989-03-31 | 積層型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260604A (ja) |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1082636A patent/JPH02260604A/ja active Pending
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