JPH04321932A - 蒸着膜処理方法及び装置 - Google Patents
蒸着膜処理方法及び装置Info
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- JPH04321932A JPH04321932A JP11557791A JP11557791A JPH04321932A JP H04321932 A JPH04321932 A JP H04321932A JP 11557791 A JP11557791 A JP 11557791A JP 11557791 A JP11557791 A JP 11557791A JP H04321932 A JPH04321932 A JP H04321932A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造装置
に関し、更に詳しくは、イオンプレーティングや蒸着等
のベーパーディポジション法により成膜された強磁性金
属薄膜の表面の酸化処理を行う処理方法及び装置に関す
るものである。
に関し、更に詳しくは、イオンプレーティングや蒸着等
のベーパーディポジション法により成膜された強磁性金
属薄膜の表面の酸化処理を行う処理方法及び装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度磁気記録への要求と共に、
ウェブ(支持体)上に強磁性金属材料からなる金属薄膜
を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等で直接被着形成した強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体が用いられている。この強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体は、磁気特性の点で数々の利点を有しているが、薄膜
の磁気記録層は非常に酸化され易く、更に記録再生時に
おいてはヘッドとの接触走査により剥離、損傷等を生じ
易いという欠点があった。そこで、この欠点を改善すべ
く前記強磁性金属薄膜の表面に種々の保護層を設けるこ
とが種々提案されている。
ウェブ(支持体)上に強磁性金属材料からなる金属薄膜
を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等で直接被着形成した強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体が用いられている。この強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体は、磁気特性の点で数々の利点を有しているが、薄膜
の磁気記録層は非常に酸化され易く、更に記録再生時に
おいてはヘッドとの接触走査により剥離、損傷等を生じ
易いという欠点があった。そこで、この欠点を改善すべ
く前記強磁性金属薄膜の表面に種々の保護層を設けるこ
とが種々提案されている。
【0003】従来、例えば蒸着等の成膜方法により支持
体であるプラスティック基盤上にFe、Ni、Co等の
強磁性体金属を単独もしくは合金とした磁気記録層を形
成し磁気記録媒体を製造する方法が汎用されているが、
例えば特開昭58−26319号、同59−63031
号、特公平1−21534号及び特開平2−15891
7号公報等に開示されているように、形成された磁気記
録層に酸素やオゾンを吹きつけたり或はその雰囲気中に
晒したりすることにより、電磁変換特性の維持や耐久性
、耐蝕性の維持を長期にわたって保証しようとする処理
が施されていた。
体であるプラスティック基盤上にFe、Ni、Co等の
強磁性体金属を単独もしくは合金とした磁気記録層を形
成し磁気記録媒体を製造する方法が汎用されているが、
例えば特開昭58−26319号、同59−63031
号、特公平1−21534号及び特開平2−15891
7号公報等に開示されているように、形成された磁気記
録層に酸素やオゾンを吹きつけたり或はその雰囲気中に
晒したりすることにより、電磁変換特性の維持や耐久性
、耐蝕性の維持を長期にわたって保証しようとする処理
が施されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭59−63031号及び特公平1−21534号公
報に開示されたような処理方法では、成膜後すぐに酸化
処理ができるものの、成膜処理条件と酸化処理条件との
適性条件は必ずしも同一方向性を有しておらず、このた
めに酸化処理効率が悪く、処理速度を速くすることが出
来ないのが実情であった。また、前記特開昭58−26
319号公報に開示された処理方法は、オゾンガス中に
10分〜60分もの長い時間晒すような処理工程がある
ために生産性が低く工業的に優れた処理方法ではなかっ
た。
開昭59−63031号及び特公平1−21534号公
報に開示されたような処理方法では、成膜後すぐに酸化
処理ができるものの、成膜処理条件と酸化処理条件との
適性条件は必ずしも同一方向性を有しておらず、このた
めに酸化処理効率が悪く、処理速度を速くすることが出
来ないのが実情であった。また、前記特開昭58−26
319号公報に開示された処理方法は、オゾンガス中に
10分〜60分もの長い時間晒すような処理工程がある
ために生産性が低く工業的に優れた処理方法ではなかっ
た。
【0005】また、オゾンによる酸化処理効果を上げる
ため、ヒーターやハロゲンランプ等で可撓性支持体を連
続的に加熱処理する特開平2−158917号公報に開
示されたような処理方法では、一般にヒータによる可撓
性支持体の加熱温度を高くすればよいことが知られてい
るが、加熱温度を高くしすぎると磁性層にひび割れ等の
欠陥が発生するので、加熱温度にも制限があり、酸化処
理効率を高めることができないという問題があった。
ため、ヒーターやハロゲンランプ等で可撓性支持体を連
続的に加熱処理する特開平2−158917号公報に開
示されたような処理方法では、一般にヒータによる可撓
性支持体の加熱温度を高くすればよいことが知られてい
るが、加熱温度を高くしすぎると磁性層にひび割れ等の
欠陥が発生するので、加熱温度にも制限があり、酸化処
理効率を高めることができないという問題があった。
【0006】本発明の目的は上記問題点を解消すること
にあり、電磁変換特性の維持や耐久性、耐蝕性の維持を
長期にわたって保証する酸化処理が極めて効率よくでき
て、生産性に優れた蒸着膜処理方法及び装置を提供する
ことにある。
にあり、電磁変換特性の維持や耐久性、耐蝕性の維持を
長期にわたって保証する酸化処理が極めて効率よくでき
て、生産性に優れた蒸着膜処理方法及び装置を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る上記目的は
、可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに
該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理方法において、密封
チャンバー内に既に磁性層の形成された可撓性支持体が
回転自在なヒートドラムに一定角巻きつけて走行させ、
前記可撓性支持体が前記ヒートドラムに巻きついている
領域にてオゾンガスを前記磁性層に吹きつけるときに、
前記オゾンガスを紫外線照射して前記磁性層に吹きつけ
ることを特徴とする蒸着膜処理方法によって達成される
。
、可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに
該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理方法において、密封
チャンバー内に既に磁性層の形成された可撓性支持体が
回転自在なヒートドラムに一定角巻きつけて走行させ、
前記可撓性支持体が前記ヒートドラムに巻きついている
領域にてオゾンガスを前記磁性層に吹きつけるときに、
前記オゾンガスを紫外線照射して前記磁性層に吹きつけ
ることを特徴とする蒸着膜処理方法によって達成される
。
【0008】又、本発明の上記目的は、可撓性支持体上
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒート
ドラムに一定角巻きついて走行し、前記可撓性支持体が
前記ヒートドラムに巻きついている領域に沿って該ヒー
トドラムの外周面に近接した少なくとも一つの紫外線発
生装置が配置され、ヒートドラム上にて前記磁性層にオ
ゾンガスを吹きつけると共に紫外線を照射するように構
成したことを特徴とする蒸着膜処理装置によって達成さ
れる。
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒート
ドラムに一定角巻きついて走行し、前記可撓性支持体が
前記ヒートドラムに巻きついている領域に沿って該ヒー
トドラムの外周面に近接した少なくとも一つの紫外線発
生装置が配置され、ヒートドラム上にて前記磁性層にオ
ゾンガスを吹きつけると共に紫外線を照射するように構
成したことを特徴とする蒸着膜処理装置によって達成さ
れる。
【0009】又、本発明の上記目的は、可撓性支持体上
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒート
ドラムに一定角巻きついて走行し、前記可撓性支持体が
前記ヒートドラムに巻きついている領域に、紫外線発生
装置にて紫外線照射されたオゾンガスを供給し、前記磁
性層に前記オゾンガスを吹きつけるように構成したこと
を特徴とする蒸着膜処理装置によって達成される。
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒート
ドラムに一定角巻きついて走行し、前記可撓性支持体が
前記ヒートドラムに巻きついている領域に、紫外線発生
装置にて紫外線照射されたオゾンガスを供給し、前記磁
性層に前記オゾンガスを吹きつけるように構成したこと
を特徴とする蒸着膜処理装置によって達成される。
【0010】又、本発明の上記目的は、可撓性支持体上
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理方法において、密封チャンバー内の回
転自在な冷却ドラムに既に磁性層の形成された可撓性支
持体を一定角巻きつけて走行させ、前記可撓性支持体が
前記冷却ドラムに巻きついている領域にて直前に加熱し
たオゾンガスを前記磁性層に吹きつけることを特徴とす
る蒸着膜処理方法によっても達成される。
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理方法において、密封チャンバー内の回
転自在な冷却ドラムに既に磁性層の形成された可撓性支
持体を一定角巻きつけて走行させ、前記可撓性支持体が
前記冷却ドラムに巻きついている領域にて直前に加熱し
たオゾンガスを前記磁性層に吹きつけることを特徴とす
る蒸着膜処理方法によっても達成される。
【0011】又、本発明の上記目的は、可撓性支持体上
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が一定角巻きつけら
れて走行する冷却ドラムを配設し、前記可撓性支持体が
巻きついている領域の前記冷却ドラムの外周面に近設し
たオゾンガスの吹き出し口近傍に加熱手段を設け、前記
冷却ドラム上にて前記磁性層に加熱したオゾンガスを吹
きつけるように構成したことを特徴とする蒸着膜処理装
置によって達成される。
に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を酸化処
理する蒸着膜処理装置であって、密封チャンバー内に既
に磁性層の形成された可撓性支持体が一定角巻きつけら
れて走行する冷却ドラムを配設し、前記可撓性支持体が
巻きついている領域の前記冷却ドラムの外周面に近設し
たオゾンガスの吹き出し口近傍に加熱手段を設け、前記
冷却ドラム上にて前記磁性層に加熱したオゾンガスを吹
きつけるように構成したことを特徴とする蒸着膜処理装
置によって達成される。
【0012】
【実施態様】以下、添付図面を参照して本発明の第1の
処理方法を可能にした装置の一実施態様について述べる
。ただし本発明は本実施態様のみに限定されない。
処理方法を可能にした装置の一実施態様について述べる
。ただし本発明は本実施態様のみに限定されない。
【0013】図1に示す本実施態様の製造装置1は、磁
気テープ20を製造する際の磁性層の酸化処理を行う装
置であり、その基本的構成について述べる。この基本構
成を大別すると、密封チャンバー10はヒートドラム2
を有する処理室3 と該処理室3に隣接した2つのテー
プロール収納室を有する3室構造である。そして、テー
プロール収納室は送りだしロール21を収納するロール
装填室18と巻き取りロール22を取り出すロール取り
出し室19とが前記処理室3を挟んで位置した構成であ
る。
気テープ20を製造する際の磁性層の酸化処理を行う装
置であり、その基本的構成について述べる。この基本構
成を大別すると、密封チャンバー10はヒートドラム2
を有する処理室3 と該処理室3に隣接した2つのテー
プロール収納室を有する3室構造である。そして、テー
プロール収納室は送りだしロール21を収納するロール
装填室18と巻き取りロール22を取り出すロール取り
出し室19とが前記処理室3を挟んで位置した構成であ
る。
【0014】なお、前記ロール装填室18及び前記ロー
ル取り出し室19には処理前の磁気テープロール及び処
理後の磁気テープロールを出し入れする密封性の高い開
閉ドア26及び27が取りつけられている。又、前記磁
気テープ20の走行路における前記ヒートドラム2の前
方にはテープ走行案内ならびに予備加熱を行うことので
きるプレヒートドラム14が配置されており、後方には
前記磁気テープ20が巻き取られる前に適当な温度(1
0〜50℃程度)に冷却することのできる冷却ロール1
7が配置されている。
ル取り出し室19には処理前の磁気テープロール及び処
理後の磁気テープロールを出し入れする密封性の高い開
閉ドア26及び27が取りつけられている。又、前記磁
気テープ20の走行路における前記ヒートドラム2の前
方にはテープ走行案内ならびに予備加熱を行うことので
きるプレヒートドラム14が配置されており、後方には
前記磁気テープ20が巻き取られる前に適当な温度(1
0〜50℃程度)に冷却することのできる冷却ロール1
7が配置されている。
【0015】また、その他に前記密封チャンバー10内
の気圧やガス濃度を所望に保つために排気系が設置され
ており、この排気系には、当然、オゾンガスの洩れによ
る問題を回避するためのオゾンガス分解装置16等が設
けられている。
の気圧やガス濃度を所望に保つために排気系が設置され
ており、この排気系には、当然、オゾンガスの洩れによ
る問題を回避するためのオゾンガス分解装置16等が設
けられている。
【0016】前記ロール取り出し室19の気圧は該取り
出し室19室に空気を送り込むとにより前記処理室3の
気圧よりも高くすることができ、オゾンガスの前記ロー
ル取り出し室19への進入を防止し、巻き取り後におい
てオゾンガスによる過度の酸化を回避することができ安
定した品質を保証することができる。
出し室19室に空気を送り込むとにより前記処理室3の
気圧よりも高くすることができ、オゾンガスの前記ロー
ル取り出し室19への進入を防止し、巻き取り後におい
てオゾンガスによる過度の酸化を回避することができ安
定した品質を保証することができる。
【0017】前記処理室3内へのオゾンガスの供給は、
オゾンガス発生装置(オゾナイザー)15にて発生させ
たオゾンガスをフィルタ11にて適宜濾過し、配管12
を介して2つの噴射ノズル8に供給される。この噴射ノ
ズル8は、例えば円筒状の部材にその長手方向にスリッ
ト状に開口を形成した構成であり、前記ヒートドラム2
のロール軸線に沿って開口している。また、必要に応じ
て仕切板4を設けることにより、処理空間を狭くできて
、供給オゾンガスの無駄を少なくすることができる。
オゾンガス発生装置(オゾナイザー)15にて発生させ
たオゾンガスをフィルタ11にて適宜濾過し、配管12
を介して2つの噴射ノズル8に供給される。この噴射ノ
ズル8は、例えば円筒状の部材にその長手方向にスリッ
ト状に開口を形成した構成であり、前記ヒートドラム2
のロール軸線に沿って開口している。また、必要に応じ
て仕切板4を設けることにより、処理空間を狭くできて
、供給オゾンガスの無駄を少なくすることができる。
【0018】紫外線発生装置30は、前記密封チャンバ
ー10の上端部分に設置されている。前記紫外線発生装
置30は例えば水銀ランプ31及び反射鏡32を備え、
チャンバー側が透明板33により構成されている。した
がって、前記水銀ランプ31により発生した紫外線は前
記磁気テープ20の磁性層に向かって照射される。紫外
線照射距離Hは20mm〜300mm程度に設定するこ
とができる。
ー10の上端部分に設置されている。前記紫外線発生装
置30は例えば水銀ランプ31及び反射鏡32を備え、
チャンバー側が透明板33により構成されている。した
がって、前記水銀ランプ31により発生した紫外線は前
記磁気テープ20の磁性層に向かって照射される。紫外
線照射距離Hは20mm〜300mm程度に設定するこ
とができる。
【0019】このように、前記仕切板4内に供給された
オゾンガスに、紫外線を照射することにより、原子状の
活性化酸素を生成させることができ、この活性化酸素に
より磁性層の表面を効果的に酸化させることができる。
オゾンガスに、紫外線を照射することにより、原子状の
活性化酸素を生成させることができ、この活性化酸素に
より磁性層の表面を効果的に酸化させることができる。
【0020】また、前記オゾンガス発生装置15にて発
生したオゾンガス濃度が低下したガスを再び磁性層が面
している領域にてオゾンガス濃度を高めたり、活性化酸
素を供給できるので、従来のように前記オゾンガス発生
装置15においてそれほど多くしなくとも磁性層表面が
酸化し易いを維持でき、磁性層の表面酸化処理効果を上
げることができる。
生したオゾンガス濃度が低下したガスを再び磁性層が面
している領域にてオゾンガス濃度を高めたり、活性化酸
素を供給できるので、従来のように前記オゾンガス発生
装置15においてそれほど多くしなくとも磁性層表面が
酸化し易いを維持でき、磁性層の表面酸化処理効果を上
げることができる。
【0021】なお、前記紫外線の波長としては、253
.7nm あるいは184.9nm の紫外線を照射す
ることにより、原子状活性酸素およびオゾンガスを増量
することができる。この結果、従来のように単にオゾン
ガスを供給するだけの処理にくらべて、格段に酸化の早
い処理を行うことができる。
.7nm あるいは184.9nm の紫外線を照射す
ることにより、原子状活性酸素およびオゾンガスを増量
することができる。この結果、従来のように単にオゾン
ガスを供給するだけの処理にくらべて、格段に酸化の早
い処理を行うことができる。
【0022】また、磁気テープ幅を50mm〜300m
m程度とし、テープ搬送速度を0.5〜15m/min
程度の範囲とし、前記ヒートドラム2の径を1000m
m程度、更に、前記回転ロール30の径を約100mm
程度、オゾンガス濃度20〜200g/m3 の範囲、
オゾンガス流量2〜20リットル/min、加熱温度は
常温〜140℃の酸化処理の条件、前記水銀ランプ31
が200ワット程度のときに、前記回転ヒートドラム2
と前記紫外線発生装置30との距離Hは20mm〜30
0mm程度の範囲に設定することができる。
m程度とし、テープ搬送速度を0.5〜15m/min
程度の範囲とし、前記ヒートドラム2の径を1000m
m程度、更に、前記回転ロール30の径を約100mm
程度、オゾンガス濃度20〜200g/m3 の範囲、
オゾンガス流量2〜20リットル/min、加熱温度は
常温〜140℃の酸化処理の条件、前記水銀ランプ31
が200ワット程度のときに、前記回転ヒートドラム2
と前記紫外線発生装置30との距離Hは20mm〜30
0mm程度の範囲に設定することができる。
【0023】本発明の第1の処理方法を実施する装置は
図2に示すような構成とすることもできる。なお、本実
施態様の要部以外で図1と同じ構成部材については同一
符号を付して説明を省略する。
図2に示すような構成とすることもできる。なお、本実
施態様の要部以外で図1と同じ構成部材については同一
符号を付して説明を省略する。
【0024】本実施態様においては、紫外線発生装置3
0は真空チャンバー10に取りつけた構造ではない。す
なわち、配管12の途中に例えば石英ガラス管13を設
け、前記石英ガラス管13に接するように前記紫外線発
生装置30を設けた構造である。このようにオゾンガス
発生装置15により発生させたオゾンガスを前記真空チ
ャンバー10に供給する前に、紫外線照射を照射する。
0は真空チャンバー10に取りつけた構造ではない。す
なわち、配管12の途中に例えば石英ガラス管13を設
け、前記石英ガラス管13に接するように前記紫外線発
生装置30を設けた構造である。このようにオゾンガス
発生装置15により発生させたオゾンガスを前記真空チ
ャンバー10に供給する前に、紫外線照射を照射する。
【0025】このようにすると、前記オゾンガス発生装
置15と前記真空チャンバー10とが大きく離れていて
、発生させたオゾンガスが配管12を通過する途中で分
解しても、磁性層の処理直前にてオゾンガスを再び増や
したり、活性化酸素を生成させるので、従来にように前
記オゾンガス発生装置15においてそれほど多くしなく
とも酸化処理を行う気体濃度の高い状態で、前記磁気テ
ープ20の磁性層の処理を行うことができ、磁性層の表
面酸化処理効果を上げることができる。したがって、前
記磁気テープ20の搬送速度を上げても従来以上の効果
的な表面酸化処理ができ、生産性を高めることができる
。
置15と前記真空チャンバー10とが大きく離れていて
、発生させたオゾンガスが配管12を通過する途中で分
解しても、磁性層の処理直前にてオゾンガスを再び増や
したり、活性化酸素を生成させるので、従来にように前
記オゾンガス発生装置15においてそれほど多くしなく
とも酸化処理を行う気体濃度の高い状態で、前記磁気テ
ープ20の磁性層の処理を行うことができ、磁性層の表
面酸化処理効果を上げることができる。したがって、前
記磁気テープ20の搬送速度を上げても従来以上の効果
的な表面酸化処理ができ、生産性を高めることができる
。
【0026】更に、添付図面を参照して本発明の第2の
処理方法を可能にした装置の一実施態様について述べる
。ただし本実施態様の要部以外での構成部材で、図1及
び図2と同じ構成部材については同一符号を付して説明
を省略する。
処理方法を可能にした装置の一実施態様について述べる
。ただし本実施態様の要部以外での構成部材で、図1及
び図2と同じ構成部材については同一符号を付して説明
を省略する。
【0027】図3に示す本実施態様の製造装置41は、
磁気テープ20を製造する際の磁性層の酸化処理を行う
装置であり、その基本的構成について述べる。この基本
構成を大別すると、密封チャンバー10は冷却ドラム4
2を有する処理室3と該処理室3に隣接した2つのテー
プロール収納室を有する3室構造である。そして、テー
プロール収納室は送りだしロール21を収納するロール
装填室18と巻き取りロール22を取り出すロール取り
出し室19とが前記処理室3を挟んで位置した構成であ
る。
磁気テープ20を製造する際の磁性層の酸化処理を行う
装置であり、その基本的構成について述べる。この基本
構成を大別すると、密封チャンバー10は冷却ドラム4
2を有する処理室3と該処理室3に隣接した2つのテー
プロール収納室を有する3室構造である。そして、テー
プロール収納室は送りだしロール21を収納するロール
装填室18と巻き取りロール22を取り出すロール取り
出し室19とが前記処理室3を挟んで位置した構成であ
る。
【0028】なお、前記磁気テープ20の走行路におけ
る前記冷却ドラム2の前方及び後方にはテープ走行案内
を行うパスロール44,45が配置されている。更に、
各々の前記噴射ノズル8には、加熱手段であるヒータ4
6が設けられており、該噴射ノズル8から吹き出すオゾ
ンガスを加熱することができる。
る前記冷却ドラム2の前方及び後方にはテープ走行案内
を行うパスロール44,45が配置されている。更に、
各々の前記噴射ノズル8には、加熱手段であるヒータ4
6が設けられており、該噴射ノズル8から吹き出すオゾ
ンガスを加熱することができる。
【0029】このように、前記噴射ノズル8から吹き出
すオゾンガスを吹き出す直前に加熱することにより、原
子状の活性化酸素を多量に生成させることができ、この
活性化酸素により磁性層の表面を効果的に酸化させるこ
とができる。
すオゾンガスを吹き出す直前に加熱することにより、原
子状の活性化酸素を多量に生成させることができ、この
活性化酸素により磁性層の表面を効果的に酸化させるこ
とができる。
【0030】また、前記オゾン発生装置15にて発生し
たオゾンガスの濃度は、通常、磁性層の表面に達するま
でに低下し、表面酸化効果も低下するが、本考案では低
い濃度のオゾンガスでも磁性層に吹き付ける直前に原子
状の活性化酸素を多量に生成させることにより磁性層表
面が酸化し易い状態を維持でき、前記オゾン発生装置1
5にて発生するオゾンガスの濃度を高濃度にしなくとも
磁性層の表面酸化処理効果を上げることができる。この
結果、従来のように単にオゾンガスを供給するだけの酸
化処理にくらべて、格段に早い酸化処理を行うことがで
き、オゾンガスの供給速度も速めることができる。
たオゾンガスの濃度は、通常、磁性層の表面に達するま
でに低下し、表面酸化効果も低下するが、本考案では低
い濃度のオゾンガスでも磁性層に吹き付ける直前に原子
状の活性化酸素を多量に生成させることにより磁性層表
面が酸化し易い状態を維持でき、前記オゾン発生装置1
5にて発生するオゾンガスの濃度を高濃度にしなくとも
磁性層の表面酸化処理効果を上げることができる。この
結果、従来のように単にオゾンガスを供給するだけの酸
化処理にくらべて、格段に早い酸化処理を行うことがで
き、オゾンガスの供給速度も速めることができる。
【0031】ところで、一般にオゾンガスを高温にする
ほど原子状の活性化酸素が多量に生成させることができ
るが、吹き出すオゾンガスを単に高温にしただけでは、
前記磁気テープ20自身が高温になり、磁性層にひび割
れ等の面状悪化が起こってしまう。そこで、従来はオゾ
ンガスの温度を200℃以上に上げることが出来なかっ
たが、本考案では前記冷却ドラム42によって前記磁気
テープ20の裏面を冷却しながらオゾンガスを吹き付け
ることにより、吹き付けるオゾンガスの加熱温度を40
0℃といった高温に設定することが可能となった。尚、
前記冷却ドラム42は、0〜20℃程度に冷却されるこ
とが好ましい。
ほど原子状の活性化酸素が多量に生成させることができ
るが、吹き出すオゾンガスを単に高温にしただけでは、
前記磁気テープ20自身が高温になり、磁性層にひび割
れ等の面状悪化が起こってしまう。そこで、従来はオゾ
ンガスの温度を200℃以上に上げることが出来なかっ
たが、本考案では前記冷却ドラム42によって前記磁気
テープ20の裏面を冷却しながらオゾンガスを吹き付け
ることにより、吹き付けるオゾンガスの加熱温度を40
0℃といった高温に設定することが可能となった。尚、
前記冷却ドラム42は、0〜20℃程度に冷却されるこ
とが好ましい。
【0032】したがって、前記磁気テープ20の搬送速
度を上げても従来以上の効果的な表面酸化処理ができ、
生産性を高めることができる。なお、噴射ノズル8の近
傍に配設されて吹き出すオゾンガスを加熱する加熱手段
も、上記実施態様の如きヒータに限らず、高周波加熱器
等の他の加熱手段を用いても良く、該加熱手段を噴射ノ
ズル内に設けてオゾンガスを直接加熱しても良い。
度を上げても従来以上の効果的な表面酸化処理ができ、
生産性を高めることができる。なお、噴射ノズル8の近
傍に配設されて吹き出すオゾンガスを加熱する加熱手段
も、上記実施態様の如きヒータに限らず、高周波加熱器
等の他の加熱手段を用いても良く、該加熱手段を噴射ノ
ズル内に設けてオゾンガスを直接加熱しても良い。
【0033】また、上記各実施態様においては噴射ノズ
ル8を2つ又は3つ設置したが、これに限るものではな
く、さらに多く設置してもよい。
ル8を2つ又は3つ設置したが、これに限るものではな
く、さらに多く設置してもよい。
【0034】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の第1の処理
方法は可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したの
ちに該磁性層を酸化処理するときに、密封チャンバー内
に既に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒ
ートドラムに一定角巻きつけて走行させ、前記可撓性支
持体が前記ヒートドラムに巻きついている領域にてオゾ
ンガスを前記磁性層に吹きつける際に、前記オゾンガス
を紫外線照射して前記磁性層に吹きつけるようにした。
方法は可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したの
ちに該磁性層を酸化処理するときに、密封チャンバー内
に既に磁性層の形成された可撓性支持体が回転自在なヒ
ートドラムに一定角巻きつけて走行させ、前記可撓性支
持体が前記ヒートドラムに巻きついている領域にてオゾ
ンガスを前記磁性層に吹きつける際に、前記オゾンガス
を紫外線照射して前記磁性層に吹きつけるようにした。
【0035】したがって、前記オゾンガス発生装置にて
発生したオゾンガス濃度が低下したガスを再び磁性層が
面している領域にてオゾンガス濃度を高めたり、活性化
酸素を供給できるので、酸化処理ゾーンにおいて磁性層
表面を酸化させ易い状態を維持でき、磁性層の表面酸化
処理効果を上げることができる。このように、効率良く
酸化処理ができるので、磁性層表面が均一な清浄面を得
ることができ、例えば次工程の潤滑剤塗布等において、
良好な塗布厚み、塗布面状が得られる。
発生したオゾンガス濃度が低下したガスを再び磁性層が
面している領域にてオゾンガス濃度を高めたり、活性化
酸素を供給できるので、酸化処理ゾーンにおいて磁性層
表面を酸化させ易い状態を維持でき、磁性層の表面酸化
処理効果を上げることができる。このように、効率良く
酸化処理ができるので、磁性層表面が均一な清浄面を得
ることができ、例えば次工程の潤滑剤塗布等において、
良好な塗布厚み、塗布面状が得られる。
【0036】更に、本発明の第2の処理方法は可撓性支
持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を
酸化処理する時に、密封チャンバー内の回転自在な冷却
ドラムに既に磁性層の形成された可撓性支持体を一定角
巻きつけて走行させ、前記可撓性支持体が前記冷却ドラ
ムに巻きついている領域にて直前に加熱したオゾンガス
を前記磁性層に吹きつけるようにした。
持体上に蒸着膜にて磁性層を形成したのちに該磁性層を
酸化処理する時に、密封チャンバー内の回転自在な冷却
ドラムに既に磁性層の形成された可撓性支持体を一定角
巻きつけて走行させ、前記可撓性支持体が前記冷却ドラ
ムに巻きついている領域にて直前に加熱したオゾンガス
を前記磁性層に吹きつけるようにした。
【0037】即ち、磁性層が面している領域において、
オゾン発生装置にて発生したオゾンガスから原子状の活
性化酸素を多量に生成させることができ、この活性化酸
素により磁性層の表面を効果的に酸化させることができ
るので、磁性層表面を酸化させ易い状態を維持でき、磁
性層の表面酸化処理効果を上げることができる。そこで
、効率良く良好な酸化処理を行うことができるので、磁
性層表面が均一な清浄面を得ることができ、例えば次工
程の潤滑剤塗布等において、良好な塗布厚み、塗布面状
が得られる。
オゾン発生装置にて発生したオゾンガスから原子状の活
性化酸素を多量に生成させることができ、この活性化酸
素により磁性層の表面を効果的に酸化させることができ
るので、磁性層表面を酸化させ易い状態を維持でき、磁
性層の表面酸化処理効果を上げることができる。そこで
、効率良く良好な酸化処理を行うことができるので、磁
性層表面が均一な清浄面を得ることができ、例えば次工
程の潤滑剤塗布等において、良好な塗布厚み、塗布面状
が得られる。
【0038】従って、本発明によれば、供給オゾンガス
を多くしなくとも酸化効果を上げ、磁性層の膜強度を高
めることもでき、かつ高い効率の処理、生産性に優れた
蒸着膜処理方法及び装置を提供できる。
を多くしなくとも酸化効果を上げ、磁性層の膜強度を高
めることもでき、かつ高い効率の処理、生産性に優れた
蒸着膜処理方法及び装置を提供できる。
【0039】
【実施例】以下、本発明の実施例により、効果をより明
確にすることができる。 〔実施例1〕使用した蒸着膜処理装置は図1に示した装
置を使用した。そのときの運転条件は下記の通りである
。
確にすることができる。 〔実施例1〕使用した蒸着膜処理装置は図1に示した装
置を使用した。そのときの運転条件は下記の通りである
。
【0040】(運転条件)可撓性支持体はポリエチレン
テレフタレートフィルムで、厚み1010μm、支持体
幅(テープ幅)は300mm、支持体搬送速度を10m
/min、ヒートドラム2の径を1000mm、オゾン
ガス濃度50g/m3 、オゾンガス供給量は5 リッ
トル/min、加熱温度は30℃、水銀ランプは200
ワット、図1の場合はヒートドラム2と紫外線発生装置
30との距離Hは50に設定した。
テレフタレートフィルムで、厚み1010μm、支持体
幅(テープ幅)は300mm、支持体搬送速度を10m
/min、ヒートドラム2の径を1000mm、オゾン
ガス濃度50g/m3 、オゾンガス供給量は5 リッ
トル/min、加熱温度は30℃、水銀ランプは200
ワット、図1の場合はヒートドラム2と紫外線発生装置
30との距離Hは50に設定した。
【0041】〔比較例1〕比較例1は、図1の装置を用
いて紫外線発生装置を作動させず、オゾンガス発生装置
を作動させた場合とした。上記の運転条件は紫外線発生
装置の部分以外は同じとした。尚、サンプルはそれぞれ
10個のサンプルを使用した。
いて紫外線発生装置を作動させず、オゾンガス発生装置
を作動させた場合とした。上記の運転条件は紫外線発生
装置の部分以外は同じとした。尚、サンプルはそれぞれ
10個のサンプルを使用した。
【0042】上記の条件において、湿式錆発生評価法に
よる錆点数(5点満点)をみた。この結果を図4の対照
表グラフに示す。図4の対照表グラフから判るように、
処理温度が30℃と従来の処理温度に比べてかなり低い
と、本発明の実施例1の場合は4〜5のAの範囲に示す
ように極めて良い結果に対して、比較例1の場合は1〜
1.5のBの範囲で極めて悪くなり、評価点において大
きな相違が見られ、その効果が大きいことが判る。
よる錆点数(5点満点)をみた。この結果を図4の対照
表グラフに示す。図4の対照表グラフから判るように、
処理温度が30℃と従来の処理温度に比べてかなり低い
と、本発明の実施例1の場合は4〜5のAの範囲に示す
ように極めて良い結果に対して、比較例1の場合は1〜
1.5のBの範囲で極めて悪くなり、評価点において大
きな相違が見られ、その効果が大きいことが判る。
【0043】〔実施例2〕使用した蒸着膜処理装置は図
3に示した装置を使用した。そのときの運転条件は下記
の通りである。
3に示した装置を使用した。そのときの運転条件は下記
の通りである。
【0044】(運転条件)可撓性支持体はポリエチレン
テレフタレートフィルムで、厚み10μm、支持体幅(
テープ幅)は300mm、支持体搬送速度を10m/m
in、冷却ドラム42の径及び冷却温度を1000mm
及び10℃、オゾン濃度50g/m3 、オゾン供給量
は5リットル/minとし、各々のオゾン加熱温度を1
00,200,300,400℃に設定した。
テレフタレートフィルムで、厚み10μm、支持体幅(
テープ幅)は300mm、支持体搬送速度を10m/m
in、冷却ドラム42の径及び冷却温度を1000mm
及び10℃、オゾン濃度50g/m3 、オゾン供給量
は5リットル/minとし、各々のオゾン加熱温度を1
00,200,300,400℃に設定した。
【0045】〔比較例2〕比較例2は、オゾンガスによ
る酸化処理を行わない場合と、図3の装置における冷却
ドラム2に変えて80℃に加熱したヒートドラムを用い
ると共にヒータ30を作動させずにオゾン発生装置を作
動させた場合とし、他の運転条件は上記実施例と同じと
した。尚、サンプルはそれぞれ10個のサンプルを使用
した。 上記の条件において、湿式錆発生評価法によ
る錆点数(5点満点)をみた。この結果を図5の対照表
グラフに示す。
る酸化処理を行わない場合と、図3の装置における冷却
ドラム2に変えて80℃に加熱したヒートドラムを用い
ると共にヒータ30を作動させずにオゾン発生装置を作
動させた場合とし、他の運転条件は上記実施例と同じと
した。尚、サンプルはそれぞれ10個のサンプルを使用
した。 上記の条件において、湿式錆発生評価法によ
る錆点数(5点満点)をみた。この結果を図5の対照表
グラフに示す。
【0046】図5の対照表グラフから判るように、本発
明の実施例2の場合は比較例2の場合に比べて極めて良
好な酸化処理を行うことができ、この効果はオゾンガス
の加熱温度を上げるほど顕著である。
明の実施例2の場合は比較例2の場合に比べて極めて良
好な酸化処理を行うことができ、この効果はオゾンガス
の加熱温度を上げるほど顕著である。
【図1】本発明の蒸着膜処理装置の一実施態様の概略図
である。
である。
【図2】本発明の蒸着膜処理装置の一実施態様の概略図
である。
である。
【図3】本発明の蒸着膜処理装置の一実施態様の概略図
である。
である。
【図4】本発明の実施例1の錆評価をしめす対照表グラ
フである。
フである。
【図5】本発明の実施例2の錆評価をしめす対照表グラ
フである。
フである。
1 蒸着膜処理装置
2 ヒートドラム
3 処理室
4 仕切り板
7 スリット
8 噴射ノズル
10 密封チャンバー
11 フィルタ
12 配管
13 石英ガラス管
14 プレヒートロール
15 オゾンガス発生装置
16 オゾンガス分解装置
17 冷却ロール
18 ロール装填室
19 ロール取り出し室
20 磁気テープ
21 送りだしロール
22 巻き取りロール
26 開閉ドア
27 開閉ドア
30 紫外線発生装置
31 水銀ランプ
32 反射鏡
33 透明板
41 蒸着膜処理装置
42 冷却ドラム
44 パスロール
45 パスロール
46 ヒータ
Claims (5)
- 【請求項1】 可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を
形成したのちに該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理方法
において、密封チャンバー内に既に磁性層の形成された
可撓性支持体を回転自在なヒートドラムに一定角巻きつ
けて走行させ、前記可撓性支持体が前記ヒートドラムに
巻きついている領域にてオゾンガスを前記磁性層に吹き
つけるときに、前記オゾンガスを紫外線照射して前記磁
性層に吹きつけることを特徴とする蒸着膜処理方法。 - 【請求項2】 可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を
形成したのちに該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理装置
であって、密封チャンバー内に既に磁性層の形成された
可撓性支持体が回転自在なヒートドラムに一定角巻きつ
いて走行し、前記可撓性支持体が前記ヒートドラムに巻
きついている領域に沿って該ヒートドラムの外周面に近
接した少なくとも一つの紫外線発生装置が配置され、ヒ
ートドラム上にて前記磁性層にオゾンガスを吹きつける
と共に紫外線を照射するように構成したことを特徴とす
る蒸着膜処理装置。 - 【請求項3】 可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を
形成したのちに該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理装置
であって、密封チャンバー内に既に磁性層の形成された
可撓性支持体が回転自在なヒートドラムに一定角巻きつ
いて走行し、前記可撓性支持体が前記ヒートドラムに巻
きついている領域に、紫外線発生装置にて紫外線照射さ
れたオゾンガスを供給し、前記磁性層に前記オゾンガス
を吹きつけるように構成したことを特徴とする蒸着膜処
理装置。 - 【請求項4】 可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を
形成したのちに該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理方法
において、密封チャンバー内の回転自在な冷却ドラムに
既に磁性層の形成された可撓性支持体を一定角巻きつけ
て走行させ、前記可撓性支持体が前記冷却ドラムに巻き
ついている領域にて直前に加熱したオゾンガスを前記磁
性層に吹きつけることを特徴とする蒸着膜処理方法。 - 【請求項5】 可撓性支持体上に蒸着膜にて磁性層を
形成したのちに該磁性層を酸化処理する蒸着膜処理装置
であって、密封チャンバー内に既に磁性層の形成された
可撓性支持体が一定角巻きつけられて走行する冷却ドラ
ムを配設し、前記可撓性支持体が巻きついている領域の
前記冷却ドラムの外周面に近設したオゾンガスの吹き出
し口近傍に加熱手段を設け、前記冷却ドラム上にて前記
磁性層に加熱したオゾンガスを吹きつけるように構成し
たことを特徴とする蒸着膜処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11557791A JPH04321932A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 蒸着膜処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11557791A JPH04321932A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 蒸着膜処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321932A true JPH04321932A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14666026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11557791A Pending JPH04321932A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 蒸着膜処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04321932A (ja) |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP11557791A patent/JPH04321932A/ja active Pending
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