JPH04323824A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH04323824A
JPH04323824A JP3117819A JP11781991A JPH04323824A JP H04323824 A JPH04323824 A JP H04323824A JP 3117819 A JP3117819 A JP 3117819A JP 11781991 A JP11781991 A JP 11781991A JP H04323824 A JPH04323824 A JP H04323824A
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハ等の被洗
浄体を洗浄処理槽で洗浄する洗浄装置に係り、特に洗浄
処理槽の周囲の雰囲気を常に清浄に維持することができ
る洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの洗浄では、水洗処理、ア
ンモニア処理、フッ酸処理等の種々の洗浄処理がなされ
る。これら洗浄を行う洗浄装置は、純水等の洗浄液を入
れる洗浄処理槽を有し、洗浄処理槽の洗浄液中に半導体
エウハを浸漬して洗浄している。
【０００３】この種の洗浄装置では、洗浄液の外部への
飛散防止や外部からの微粒子等の侵入防止を目的として
、洗浄処理槽を容器内に収容しているものがある。この
容器には半導体ウエハを搬入・搬出できるように開閉可
能なシャッター等が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単に容
器内に洗浄処理槽を収容するだけでは、ウエハの搬入・
搬出のためにシャッターを開くと、容器内の雰囲気が外
部に漏れ易く、殊に洗浄液として薬液を用いた場合には
周辺環境への汚染等が問題となる。また、外部から微粒
子等を含んだ雰囲気が侵入し易く、半導体ウエハへの異
物付着が多くなり、半導体製品の歩留の低下を招くこと
になる。
【０００５】この発明は上記の従来技術の問題点を解消
するためになされたもので、洗浄処理槽の周囲をクリー
ンエアのダウンフローにより常に清浄に保持できる洗浄
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、半導体ウエハ等の被洗浄体を洗浄処理
槽の洗浄液中に浸漬して洗浄する洗浄装置であって、上
記被洗浄体を搬入・搬出可能にして上記洗浄処理槽を包
囲する容器と、この容器内にクリーンエアのダウンフロ
ーを形成するためのクリーンエアの給排手段と、上記洗
浄処理槽に洗浄液中の異物等を除去しつつ洗浄液を循環
供給する循環手段と、上記容器底部の洗浄液等を容器外
へ排出する排出手段とを備えてなるものである。
【０００７】また、この発明において、容器内に洗浄処
理槽の外周上方を覆うようなカバーを設けるのが好まし
い。
【０００８】上記被洗浄体は半導体ウエハに限定されず
、ＬＣＤ基板なども含まれる。
【０００９】上記洗浄処理槽は洗浄液を貯留できるもの
であればよいが、半導体ウエハの洗浄では洗浄液への不
純物溶出が少なく、しかも耐薬品性に優れた石英ガラス
が好ましい。
【００１０】上記給排手段には、例えば容器頂部よりク
リーンエアを供給するためのフィルタや給気ファン、あ
るいは容器底部よりクリーンエアを排気する排気ファン
などが用いられる。
【００１１】上記循環手段は不純物、異物などの混入を
防止するために密閉系とするのがよい。
【００１２】また上記排出手段としては、例えば容器底
壁に取り付けた排液管で自然に排出する方式や排液管に
ポンプを設けて洗浄液を容器外へ強制的に汲み出す方式
がある。
【００１３】
【作用】クリーンエアの給排手段により、容器内にはク
リーンエアのダウンフローが形成されるので、被洗浄体
を容器内に搬入したり、容器外へ搬出したりしても、常
に洗浄処理槽の周囲はクリーンエアで清浄状態に保たれ
、容器外からの微粒子等の侵入や容器外への内部雰囲気
の漏出が極力おさえられる。
【００１４】また、洗浄処理槽の外周上方にカバーを設
けることにより、洗浄液が飛散したり、他の洗浄工程の
洗浄液等が洗浄処理槽に混入したりするのを防止できる
。
【００１５】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。
【００１６】図１において、１は被洗浄体たる半導体ウ
エハ（図示せず）を洗浄する洗浄液Ｌを貯留する洗浄処
理槽であり、洗浄処理槽１は容器２内に密閉状態で収容
されている。洗浄処理槽１は、純水、薬液の洗浄液Ｌに
不純物が溶出しないように石英ガラスからなる。洗浄処
理槽１は、容器２底部に設置された図示省略の支持台上
に載置されており、アジャスト機構（図示せず）により
水平に調整できるようになっている。
【００１７】容器２は、図１ないし図１のＩＩ−ＩＩ線
矢視断面図である図２に示すように、洗浄処理槽１を包
囲する短形筒体状をなしている。容器２の頂部には、容
器２内にクリーンエアＡを供給するために、ＵＬＰＡフ
ィルタ３と給気ファン４が設けられると共に、容器２底
部の側壁には、容器２内のクリーンエアＡを排気するた
めの排気ファン（図示せず）を備えた排気ダクト５が接
続されている。
【００１８】容器２の上部側壁には半導体ウエハの搬入
・搬出用の開口６が形成されいており、開口６はピスト
ン等により上下に摺動自在なシャッター７により開閉可
能になっている。シャッター７は容器２の外側壁面にフ
ッ素樹脂（以下にＰＦＡという）またはポリ塩化ビニル
（以下にＰＶＣという）製のシールを介して当接され、
容器２内は気密に保たれる。また、シャッター７は石英
ガラスあるいは透明なＰＶＣで形成されており、シャッ
ター７を通して容器２の内部を目視できるようになって
いる。シャッター７が開かれたときに、搬送アーム（図
示せず）により搬入された半導体ウエハを受け取ると共
に、洗浄処理後の半導体ウエハを搬送アームに受け渡す
移載機構が容器２内に設けられている。この移載機構は
、容器２の側壁より延出され洗浄処理槽１内へと垂下さ
れた案内部８と、案内部８に沿って上下に移動自在なフ
ォーク状の移送アーム９とから主に構成されている。 移送アーム９を案内部８に沿って下降させることにより
、移送アーム９上に載置された半導体ウエハは所定時間
、洗浄液Ｌ中に浸漬されて洗浄処理される。
【００１９】洗浄処理槽１の上部外周には、図１ないし
図２に示すように洗浄処理槽１の上端切欠部からオーバ
ーフローする洗浄液Ｌを受ける受液部１ａが形成されて
いる。そして、受液部１ａにオーバーフローした洗浄液
Ｌは排液管１０によって容器２外へと排出され、ベロー
ズポンプ１１により圧送され、ダンパ１２で圧力が減衰
された後、フィルタ１３で洗浄液Ｌ中の異物、不純物等
が除去され、純化された洗浄液Ｌが給液管１４，１４を
通って洗浄処理槽１に再び戻されるようになっている。 このようにして、洗浄処理槽１には常に洗浄液Ｌが純化
されて循環供給される。なお、洗浄処理槽１には、洗浄
処理槽１を洗浄するときなどに洗浄液Ｌを排出して空に
するための排出管１５が取り付けられている。
【００２０】排液管１０、給液管１４、排出管１５はい
ずれもＰＦＡ製であり、洗浄処理槽１に接続され容器２
の底壁を貫通して配管されているが、給液管１４を代表
例として、容器２の貫通２の貫通部のシール構造と洗浄
処理槽１の接続部のシール構造を説明する。容器２の貫
通部のシール構造は、図４に示すように、給液管１４が
貫通する容器２底壁の貫通孔部分にはＰＶＣ製の環体１
６が溶接され、環体１６上にはリング１７，１８がそれ
ぞれねじ１９により取り付けられている。リング１７の
内側には給水管１４と容器２との隙間を埋めるような管
状部が形成されており、リング１７と環体１６との間お
よびリング１７給水管１４との間にはＯリング２０がそ
れぞれ設けられる。そして、ねじ１９を締め付けること
により、Ｏリング２０によって貫通部は液密に保たれる
。したがって、飛散などによって洗浄液Ｌが容器２底部
に溜っても、有害な洗浄液が容器２外へ漏出する虞はな
い。なお、リング１７，１８はＰＶＣ、ねじ１９はポリ
エーテルエーテルケトン、Ｏリング２０は合成ゴムでそ
れぞれ形成されている。
【００２１】また、洗浄処理槽１の接続部のシール構造
は図５に示すもので、洗浄処理槽１に一体的に接合され
た石英製のガラス管２１には環状の溝部が形成され、こ
の溝部にはＣリング２２が嵌合され、Ｃリング２２によ
りナット２３は落下しないように止められ、更にこのナ
ット２３に給液管１４を挿着した継手２４がねじ付けら
れる。継手２４の内周面の環状溝部にはＯリング２０が
設けられており、このＯリング２０によってガラス管２
１と継手２４との間が液密にシールされる。したがって
、この接続部から洗浄液Ｌが漏れる心配はない。なお、
Ｃリング２２、ナット２３及び継手２４はそれぞれＰＦ
Ａ製である。
【００２２】一方、洗浄処理槽１の上方には、図１ない
し図２に示すように洗浄処理槽１と容器２との間を覆う
ようにカバー２５が設けられている。カバー２５は容器
２の内側壁面に取り付けられるが、カバー２５は外側す
なわち容器２側に向かって下方にわずかに傾斜させて形
成されており、容器２側の適宜箇所には、図３に示すよ
うに、排液用の穴２６が形成されている。
【００２３】容器２の下部には、容器２内のクリーンエ
アＡの整流化を図るために、パンチング板２７が設けら
れている。また、容器２の底壁には、容器２の底部に溜
った洗浄液等を排出する廃液管２９が取り付けられてい
る。廃液管２９には、排気ダクト５から排気されるクリ
ーンエアＡ中に含まれるミスト状の洗浄液等をトラップ
したドレンを廃液管２９に導入する導入管３０が接続さ
れている。
【００２４】次に、この実施例の作用を説明すると、給
気ファン４より送風されたエアはＵＬＰＡフィルタ３で
除塵され、層流化されたクリーンエアＡが容器２頂部よ
り流れ込む。一方、容器２底部の排気ダクト５からは排
気ファンによってクリーンエアＡが容器２外へ排出され
る。したがって、容器２内にはクリーンエアＡのダウン
フローが形成される。このため、洗浄処理槽１の周囲は
このクリーンエアＡのダウンフローによって保護され、
洗浄処理の際に半導体ウエハに、異物、不純物が付着す
ることを低減でき、半導体製品の歩留りが向上する。更
に、容器２底部に溜った洗浄液等は廃液管２９により直
ちに排出され、また洗浄処理槽１の洗浄液Ｌはフィルタ
１３によって常時純化されつつ循環されて清浄に保たれ
るので、容器２内はクリーンな状態に維持される。また
、クリーンエアＡのダフンフローが常時流されるので、
容器２内の雰囲気が外部に漏出しにくく、有害な雰囲気
による外部環境の汚染も軽減できる。
【００２５】また、洗浄処理槽１の外周上方にカバー２
５を設けているので、半導体ウエハの搬入・搬出に際し
て洗浄液が飛び散ったりしてもカバー２５で受けること
となり、洗浄処理槽１への不純物などの混入を抑えるこ
とができる。カバー２５で受けた洗浄液等は穴２６から
下に排出される。更に、カバー２５によって容器２内の
ダウンフローの流路が絞られているため、容器２上部の
流速は遅くとも、洗浄処理槽１付近の流速は十分確保で
き、給気ファン４等の動力低減が図れる。
【００２６】なお、シャッター７を開いたときに外部か
ら微粒子等が侵入するのをより効果的に防止するために
シャッター７の外側にエアーカーテンを形成してもよい
が、カバー２５の容器２側の外側部に排液用のみならず
クリーンエアＡのダウンフローを通過される通孔を多数
形成すればシャッター７の内側に良好なエアーカーテン
を形成できる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば次のような効果が得られる。
【００２８】１）洗浄処理槽を包囲する容器に給排手段
によりクリーンエアを給排して容器内にクリーンエアの
ダウンフローを形成しているので、半導体ウエハ等の被
洗浄体の洗浄処理をクリーンな状態で行なうことができ
る。このため、被洗浄体への異物、不純物などの付着が
低減され、被洗浄体の品質や歩留りの向上が図られる。 また、容器内の雰囲気が外部に漏出しにくくなり、外部
漏出による環境汚染等を軽減できる。更に、容器内のみ
に局所的にクリーンエアのダウンフローを形成する方式
なので、多数の洗浄装置などが設置されるクリーンルー
ム全体にクリーンエアを流す方式に比し、送風、空調な
どに要する運転コストを大幅に低減できる。
【００２９】２）洗浄処理槽の外周上方を覆うようなカ
バーを容器内に設けると、洗浄液の飛散等を防止でき、
洗浄処理槽への異物、不純物の混入を極力抑えることが
できる。また、容器と洗浄処理槽との大小関係に拘らず
、カバーでダウンフローの流路面積を調整でき、洗浄処
理槽の付近の流速を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る洗浄装置の一実施例を示す概略
構成図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線矢視断面図である。
【図３】図１のカバーの拡大図である。
【図４】図１の給液管が容器を貫通する部分のシール構
造を示す拡大断面図である。
【図５】図１の洗浄処理槽と給液管との接続部分のシー
ル構造を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１　　洗浄処理槽 ２　　容器 ３　　ＵＬＰＡフィルタ ４　　給気ファン ５　　排気ダクト ７　　シャッター ９　　移送アーム １０　　排液管 １１　　ベローズポンプ １３　　フィルタ １４　　給液管 ２０　　Ｏリング ２４　　継手 ２５　　カバー ２７　　パンチング板 ２９　　廃液管

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体ウエハ等の被洗浄体を洗浄処理
    槽の洗浄液中に浸漬して洗浄する洗浄装置において、上
    記被洗浄体を搬入・搬出可能にして上記洗浄処理槽を包
    囲する容器と、この容器内にクリーンエアのダウンフロ
    ーを形成するためのクリーンエアの給排手段と、上記洗
    浄処理槽に洗浄中の異物等を除去しつつ洗浄液を循環供
    給する循環手段と、上記容器底部の洗浄液等を容器外へ
    排出する排出手段とを備えたことを特徴とする洗浄装置
    。
  2. 【請求項２】　　請求項１記載の洗浄装置において、容
    器内に洗浄処理槽の外周上方を覆うようにカバーが設け
    られていることを特徴とする洗浄装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4332857A1 (de) * 1992-09-25 1994-04-21 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterreinigungsvorrichtung
US5727332A (en) * 1994-07-15 1998-03-17 Ontrak Systems, Inc. Contamination control in substrate processing system
US5873947A (en) * 1994-11-14 1999-02-23 Yieldup International Ultra-low particle disk cleaner
US6328809B1 (en) 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
JP2007220896A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
JP2017501034A (ja) * 2013-10-31 2017-01-12 エフ・ヘー・イェー・ランメルティンク・ベヘール・ベスローテン・フエンノートシャップＦ．Ｇ．Ｊ． Ｌａｍｍｅｒｔｉｎｋ Ｂｅｈｅｅｒ Ｂ．Ｖ． 測定プローブの針を洗浄するための装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2928432B2 (ja) * 1993-02-16 1999-08-03 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハの蒸気乾燥装置及びその消火方法及び洗浄システム
US5679059A (en) * 1994-11-29 1997-10-21 Ebara Corporation Polishing aparatus and method
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
US5603457A (en) * 1994-09-16 1997-02-18 Sidmore; Philip W. Transfer panel nozzle
JPH08148457A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Tadahiro Omi ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JP3211147B2 (ja) * 1996-05-29 2001-09-25 株式会社荏原製作所 装置の排気構造
EP0842737B1 (en) * 1996-11-14 2003-07-02 Ebara Corporation Drainage structure in polishing plant
US5849103A (en) * 1997-12-22 1998-12-15 Seh America, Inc. Method of monitoring fluid contamination
US6254143B1 (en) 1999-04-21 2001-07-03 Central States Industrial Equipment And Service, Inc. Transfer panel assembly and method of construction
KR20010113901A (ko) 1999-04-28 2001-12-28 스트라토테크 코포레이션 조정 가능한 청정 공기 유동 환경
US6572924B1 (en) * 1999-11-18 2003-06-03 Asm America, Inc. Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same
JP4038352B2 (ja) * 2001-08-24 2008-01-23 株式会社日立産機システム クリーンルーム
KR100486258B1 (ko) * 2002-09-06 2005-05-03 삼성전자주식회사 증기 건조 방식의 반도체 웨이퍼 건조 장치
KR100524875B1 (ko) * 2003-06-28 2005-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 청정시스템
DE10350678A1 (de) * 2003-10-30 2005-06-16 Gebhardt Ventilatoren Gmbh & Co. Zuluftgerät, insbesondere zur Befestigung an Decken von Reinräumen
KR100653687B1 (ko) * 2003-11-04 2006-12-04 삼성전자주식회사 반도체기판들을 건조시키는 장비들 및 이를 사용하여반도체기판들을 건조시키는 방법들
US7581551B2 (en) * 2004-09-01 2009-09-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Cleaning apparatus
KR20060056709A (ko) * 2004-11-22 2006-05-25 삼성전자주식회사 도어 입구에 에어 커튼을 가지는 반도체 제조 장비
US8486070B2 (en) 2005-08-23 2013-07-16 Smith & Nephew, Inc. Telemetric orthopaedic implant
JP5599806B2 (ja) 2008-10-15 2014-10-01 スミス アンド ネフュー インコーポレーテッド 複合材料創内固定器
TW201136669A (en) * 2010-04-19 2011-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Dip coating device
CN102233310A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 浸润式镀膜装置
AT511898A1 (de) * 2011-09-12 2013-03-15 Tms Transport Und Montagesysteme Gmbh Reinigungsmaschine zum reinigen industriell gefertigter bauteile
WO2018093684A1 (en) * 2016-11-16 2018-05-24 Dinamec Systems, Llc Fluid clean apparatus
KR102185097B1 (ko) * 2018-06-18 2020-12-01 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정장치
CN110310906A (zh) * 2019-06-27 2019-10-08 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种清洗机
CN112893282A (zh) * 2021-01-28 2021-06-04 西安奕斯伟硅片技术有限公司 多晶硅清洗回收预处理单元、清洗机及清洗方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893869A (en) * 1974-05-31 1975-07-08 Rca Corp Megasonic cleaning system
US4098174A (en) * 1976-04-08 1978-07-04 Landy Jerome J Total exhaust laminar flow biological fume hood safety cabinet and method
JPS57128142A (en) * 1981-02-02 1982-08-09 Kitoo Kogyo Kk White smoke and odor removing apparatus of laser beam knife
JPS5939019A (ja) * 1982-08-27 1984-03-03 Hitachi Ltd クリ−ン保管箱
US4493333A (en) * 1982-11-23 1985-01-15 Interlab, Inc. Corrosion-resistant work transfer system
JPS6014244A (ja) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd マスク洗浄装置
US4520834A (en) * 1983-11-08 1985-06-04 Dicicco Paolo S Apparatus for processing articles in a series of process solution containers
JPS60226130A (ja) * 1984-04-25 1985-11-11 Nec Corp 半導体装置の製造方法及びその製造装置
US4741257A (en) * 1985-01-09 1988-05-03 Air Monitor Corporation Fume hood air flow control
JPS62281431A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 超音波洗浄方法および装置
JPS6377569A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の回転式表面処理装置
JPS63248449A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Tadahiro Omi ドラフトチヤンバ
US4987673A (en) * 1987-06-18 1991-01-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for packaging semiconductor devices
US4955402A (en) * 1989-03-13 1990-09-11 P.C.T. Systems, Inc. Constant bath system with weir
JPH02146428U (ja) * 1989-05-15 1990-12-12
JPH071796Y2 (ja) * 1990-12-28 1995-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4332857A1 (de) * 1992-09-25 1994-04-21 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterreinigungsvorrichtung
DE4332857C2 (de) * 1992-09-25 1999-05-06 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterreinigungsvorrichtung
US5727332A (en) * 1994-07-15 1998-03-17 Ontrak Systems, Inc. Contamination control in substrate processing system
US5873947A (en) * 1994-11-14 1999-02-23 Yieldup International Ultra-low particle disk cleaner
US6328809B1 (en) 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
JP2007220896A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置
JP2017501034A (ja) * 2013-10-31 2017-01-12 エフ・ヘー・イェー・ランメルティンク・ベヘール・ベスローテン・フエンノートシャップＦ．Ｇ．Ｊ． Ｌａｍｍｅｒｔｉｎｋ Ｂｅｈｅｅｒ Ｂ．Ｖ． 測定プローブの針を洗浄するための装置
US10232411B2 (en) 2013-10-31 2019-03-19 F.G.J. Lammertink Beheer B.V. Device for cleaning a stylus of a measuring probe

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US5299584A (en) 1994-04-05
JP3225441B2 (ja) 2001-11-05

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