JPH04325911A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＶＴＲ等の高密度磁気記
録装置に装備される磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高品位ＶＴＲ等の高周波、広帯域
の信号を扱う高密度磁気記録装置に用いられる磁気ヘッ
ドとしては、例えば特開昭６２−１１９７０９号公報（
Ｇ１１Ｂ５／１２７）に示されているような積層コア型
磁気ヘッドがある。

【０００３】図１２は従来の積層コア型磁気ヘッドの斜
視図である。

【０００４】１ａ、１ｂはそれぞれ第１、第２コア半体
である。前記第１、第２コア半体１ａ、１ｂはそれぞれ
結晶化ガラス等の非磁性基板２、２上にセンダスト等の
金属磁性薄膜３、３とＳｉＯ２等の非磁性絶縁薄膜４、
４より成る積層薄膜５、５が被着形成されており、該積
層薄膜５、５上には高融点ガラス６、６により非磁性基
板２’、２’が接合固定されている。前記第１、第２コ
ア半体１ａ、１ｂは積層薄膜５、５の端面が露出してい
るギャップ形成面同士が低融点ガラス７を介して対向す
るように突き合わされており、該低融点ガラス７を溶融
固化することにより接合固定されている。この時、前記
低融点ガラス７は作動ギャップｇとして機能する。また
、８は前記第２コア半体のギャップ形成面に形成された
巻線溝である。

【０００５】上記構造の磁気ヘッドでは、積層薄膜５、
５の膜厚が作動ギャップｇのトラック幅となるため、狭
トラック化が図られた場合、磁路が狭くなり記録能力が
低下するという問題が生じる。

【０００６】上述の問題を解消する磁気ヘッドとしては
、図１３に示すように作動ギャップｇ近傍部以外の積層
薄膜５、５の厚みをトラック幅よりも大きくして、積層
薄膜５、５を作動ギャップｇに向かって絞り込んだ構造
のものが提案されている。

【０００７】しかしながら、この構造の磁気ヘッドにお
いても、図１３に示すように積層薄膜５、５はバックギ
ャップ部において磁路断面積が狭くなるため、この部分
での磁気抵抗が大きくなり、再生効率が低下するという
問題が生じる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、作動ギャップを狭トラ
ック化した場合においても、バックギャップ部での磁気
抵抗を大きくすることなく、記録能力の低下を防止した
構造の磁気ヘッドを提供することを目的とするものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドは、
積層薄膜を作動ギャップ近傍部、巻線が施される部分、
バックギャップ部の順で層数が多くなるように構成した
ことを特徴とする。

【００１０】

【作用】上記構成によれば、作動ギャップ近傍部の積層
薄膜の層数が他の部分に比べて小さいため、磁束の絞り
込み効果により強い記録磁界が発生し、記録能力が向上
する。また、バックギャップ部での積層薄膜の層数が作
動ギャップ近傍部、即ちフロントギャップ部での積層薄
膜の層数より多いため、フロントギャップ部に対するバ
ックギャップ部での磁気抵抗が小さくなり再生効率が向
上する。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
詳細に説明する。

【００１２】図１は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す
斜視図、図２は上記磁気ヘッドの積層薄膜の形状を示す
斜視図であり、図１２及び図１３と同一部分には同一符
号を付し、その説明は割愛する。

【００１３】本実施例の磁気ヘッドでは、第１、第２コ
ア半体９ａ、９ｂをそれぞれ構成する非磁性基板２、２
の内面のうち媒体慴接面側の部分には、ＳｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ３、Ｔｉ、Ｃｒ等よりなる非磁性絶縁薄膜１０、１
０が被着形成されている。前記非磁性絶縁薄膜１０、１
０はフロントギャップ近傍部でそれ以外の部分に比べて
膜厚が厚くなるように被着形成されている。前記非磁性
基板２、２の内面のうち非磁性絶縁薄膜１０、１０が被
着していないバックギャップ側の部分及び前記非磁性絶
縁薄膜１０、１０全域には、センダスト等の金属磁性薄
膜３、３とＳｉＯ２等の非磁性絶縁薄膜４、４より成る
第１の積層薄膜１１、１１が被着形成されている。前記
第１の積層薄膜１１、１１の上面は全域に亘って面一で
ある。前記第１の積層薄膜１１、１１の層数は、フロン
トギャップ近傍部で２層、巻線が施される部分で３層、
バックギャップ側全域で４層である。

【００１４】また、第１、第２コア半体９ａ、９ｂをそ
れぞれ構成する非磁性基板２’２’の内面のうち媒体慴
接面側の部分上には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ、Ｃ
ｒ等よりなる非磁性絶縁薄膜１０’、１０’が被着形成
されている。前記非磁性絶縁薄膜１０’、１０’はフロ
ントギャップ近傍部でそれ以外の部分に比べて厚くなる
ように被着形成されている。前記非磁性基板２’、２’
の内面のうち非磁性絶縁薄膜１０’、１０’が被着して
いないバックギャップ側の部分及び前記非磁性絶縁薄膜
１０’、１０’のうちフロントギャップ近傍部以外の部
分には、センダスト等の金属磁性薄膜３、３とＳｉＯ２
等の非磁性絶縁薄膜４、４より成る第２の積層薄膜１２
、１２が被着形成されている。前記第２の積層薄膜１２
の上面は前記非磁性絶縁薄膜１０’、１０’のうち膜厚
が厚いフロントギャップ近傍部での上面と面一である。 前記第２の積層薄膜１２、１２の層数は、巻線が施され
る部分で１層、バックギャップ側全域で２層であり、フ
ロントギャップ近傍部には第２の積層薄膜１２、１２は
形成されていない。

【００１５】前記非磁性基板２、２及び非磁性基板２’
、２’は、第１の積層薄膜１１、１１と第２の積層薄膜
１２、１２とが高融点ガラス１３、１３を介して対向す
るように突き合わされており、該高融点ガラス１３、１
３を溶融固化することにより接合固定され、第１、第２
コア半体９ａ、９ｂを形成している。前記第１、第２の
積層薄膜１１、１１、１２、１２によって構成される第
１、第２コア半体９ａ、９ｂの積層薄膜の層数は、フロ
ントギャップ近傍部で２層、巻線が施される部分で４層
、バックギャップ部で６層である。前記第１、第２コア
半体９ａ、９ｂは、フロントギャップ側で第１の積層薄
膜１１、１１が露出し、バックギャップ側で第１、第２
の積層薄膜１１、１１、１２、１２が露出しているギャ
ップ形成面同士が低融点ガラス１４を介して対向するよ
うに突き合わされており、該低融点ガラス１４を溶融固
化することにより接合固定されている。この時、第１、
第２コア半体９ａ、９ｂは、非磁性基板２、２同士、非
磁性絶縁薄膜１０、１０同士、第１の積層薄膜１１、１
１同士、第２の積層薄膜１２、１２同士、非磁性絶縁薄
膜１０’、１０’同士、及び非磁性基板２’、２’同士
がそれぞれ低融点ガラス１４を介して対向しており、第
１の積層薄膜１１、１１間に位置する低融点ガラス１４
が作動ギャップｇとして機能し、該作動ギャップｇのト
ラック幅は略１０μｍとなる。尚、図２からも明らかな
ように前記第２の積層薄膜１２、１２同士はバックギャ
ップ側でのみ対向しており、フロントギャップ側では対
向していない。

【００１６】次に、上記磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

【００１７】まず、図３に示すように非磁性基板２の上
面の所定部分に、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の薄
膜形成技術、及びエッチング加工技術により金属磁性薄
膜３を被着形成する。

【００１８】次に、図４に示すように前記非磁性基板２
の上面のうち金属磁性薄膜３が形成されていない部分に
、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の薄膜形成技術、及
び研磨、エッチング等の平坦化技術により非磁性絶縁薄
膜１０を被着形成する。この時、前記金属磁性薄膜３と
非磁性絶縁薄膜１０との上面は面一であり、その膜厚は
共に５μｍである。

【００１９】次に、図５に示すように前記金属磁性薄膜
３及び非磁性絶縁薄膜１０の上面全域に膜厚０．１μｍ
の非磁性絶縁薄膜４を被着形成した後、該非磁性絶縁薄
膜４の上面のうち図４の工程で形成した非磁性絶縁薄膜
１０の上方のうちフロントギャップ近傍部となる部分に
、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の薄膜形成技術、及
びエッチング加工技術により非磁性絶縁薄膜１０を被着
形成する。

【００２０】次に、図６に示すように前記非磁性絶縁薄
膜４の上面のうち非磁性絶縁薄膜１０が形成されていな
い部分に、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の薄膜形成
技術、及び研磨、エッチング等の平坦化技術により金属
磁性薄膜３を被着形成する。この時、前記金属磁性薄膜
３と非磁性絶縁薄膜１０との上面は面一であり、その膜
厚は共に５μｍである。即ち、前記金属磁性薄膜３及び
非磁性絶縁薄膜１０の上面は前記非磁性基板２の上面か
ら略１０μｍの高さにある。

【００２１】次に、図７に示すように前記金属磁性薄膜
３及び非磁性絶縁薄膜１０の上面に、０．１μｍ厚の非
磁性絶縁薄膜４と５μｍ厚の金属磁性薄膜３とを交互に
被着形成して２層構造の積層薄膜を形成する。以上の工
程により、最も厚い部分で４層構造である第１の積層薄
膜１１を有する第１積層基板１５が形成される。

【００２２】また、前述の図３〜図６に示す工程を経て
、図８に示す第２の積層薄膜１２を有する第２積層基板
１６を形成する。

【００２３】次に、前記第１積層基板１５及び前記第２
積層基板１６のうち一方の基板の上面に高融点ガラス１
３の層をスパッタリング等により被着形成した後、図９
に示すように前記第１、第２積層基板１５、１６を第１
、第２の積層薄膜１１、１２同士が前記高融点ガラス１
３を介して対向するように突き合わせ、該高融点ガラス
１３を溶融固化することにより接合固定してブロック１
７を形成する。

【００２４】次に、前記ブロック１７を一点鎖線Ａ−Ａ
’に沿って切断し、図１０に示すようにコアブロック半
体１８を形成する。

【００２５】次に、前記コアブロック半体１８の切断面
を一点鎖線Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’に沿って鏡面研磨除去す
る。この一点鎖線Ｂ−Ｂ’に沿う研磨除去により形成さ
れた面においては、積層薄膜は２層の第１の積層薄膜の
みが露出し、ギャップ形成面となる。また、一点鎖線Ｃ
−Ｃ’に沿う研磨除去により形成された面においては、
全ての積層薄膜が露出している。

【００２６】次に、前述の鏡面研磨除去工程が行われた
コアブロック半体を一組用意し、図１１に示すように一
方のコアブロック半体１８ａのギャップ形成面に低融点
ガラス１４の層をスパッタリング等により被着形成し、
他方のコアブロック半体１８ｂのギャップ形成面に巻線
溝８を形成する。

【００２７】以後は、前記一組のコアブロック半体１８
ａ、１８ｂをギャップ形成面同士が前記低融点ガラス１
４を介して対向するように突き合わせ、該低融点ガラス
１４を溶融固化することにより接合固定して一体化した
後、該一体化物を一点鎖線Ｄ−Ｄ’に沿って切断し、該
切断物に媒体慴接面へのＲ付加工等の形状加工を施して
図１に示す本実施例の磁気ヘッドが完成する。

【００２８】上述のような本実施例の磁気ヘッドでは、
作動ギャップｇ近傍部での積層薄膜は２層構造と最も薄
く、それ以外の部分での積層薄膜は作動ギャップｇのト
ラック幅よりも大きく４層若しくは６層構造であるので
、記録時においては磁束の絞り込み効果により作動ギャ
ップｇ近傍には強い記録磁界が発生し、狭トラック化し
た場合においても磁気媒体を十分に磁化することが出来
る。また、バックギャップ部では、積層薄膜は６層構造
と最も厚く磁路断面積が大きいため、磁気抵抗が小さく
なり再生効率が向上する。しかも、本実施例の磁気ヘッ
ドでは、巻線が施される部分の積層薄膜が４層構造とバ
ックギャップ部よりも小さいため、インダクタンスは大
きくならず、使用可能な周波数帯域が低下することはな
い。

【００２９】尚、上述の実施例では作動ギャップｇを第
１、第２コア半体９ａ、９ｂを接合固定するための低融
点ガラス１４により形成したが、この構造以外の磁気ヘ
ッド、例えば作動ギャップｇを別途ＳｉＯ２等の酸化物
絶縁薄膜で形成した磁気ヘッド等においても本発明が適
用可能であることは当然である。

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、再生効率が低下するこ
となしに、磁束の絞り込み効果により記録特性が向上し
た磁気ヘッドを提供し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。

【図２】磁気ヘッドの積層薄膜の形状を示す斜視図であ
る。

【図３】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図４】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図５】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図６】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図７】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図８】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図９】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図１０】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図１１】磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。

【図１２】従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図である
。

【図１３】従来の磁気ヘッドの積層薄膜の形状を示す斜
視図である。

【符号の説明】

２、２’　　非磁性基板 ３　　金属磁性薄膜 ４　　非磁性絶縁薄膜 ８　　巻線溝 ９ａ　　第１コア半体 ９ｂ　　第２コア半体 １１　　第１の積層薄膜 １２　　第２の積層薄膜 １４　　低融点ガラス ｇ　　作動ギャップ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　非磁性基板間に金属磁性薄膜と非磁性
   絶縁薄膜との積層薄膜を有する一対の第１、第２コア半
   体から成り、該第１、第２コア半体の積層薄膜の端面が
   露出しているギャップ形成面同士をギャップスペ−サを
   介して突き合わせ、該突き合わせ部に作動ギャップを形
   成して成る磁気ヘッドにおいて、前記積層薄膜を作動ギ
   ャップ近傍部、巻線が施される部分、バックギャップ部
   の順で層数が多くなるように構成したことを特徴と磁気
   ヘッド。