JPH0434304B2 - - Google Patents

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JPH0434304B2
JPH0434304B2 JP60265659A JP26565985A JPH0434304B2 JP H0434304 B2 JPH0434304 B2 JP H0434304B2 JP 60265659 A JP60265659 A JP 60265659A JP 26565985 A JP26565985 A JP 26565985A JP H0434304 B2 JPH0434304 B2 JP H0434304B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cavity
sealing
gate
speed
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60265659A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62125635A (ja
Inventor
Atsushi Takahashi
Juji Matsubara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPS62125635A publication Critical patent/JPS62125635A/ja
Publication of JPH0434304B2 publication Critical patent/JPH0434304B2/ja
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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
関し、特にマルチプランジヤー封入機による樹脂
封止方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子の樹脂封止は、キヤビイテイーにゲ
ートを通してポツトから樹脂を充填し、キヤビイ
テイー内でその樹脂により半導体素子の封止を行
われるが、従来、その成形注入速度は一定であつ
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、第２図に示すようにキヤビイテイー
内に樹脂を充填するとき、樹脂がゲートからキヤ
ビイテイーに注入される前後で注入速度が速い
と、成形品のゲート下にボイド５が発生しやす
い。またキヤビイテイーに樹脂が注入された後に
注入速度が遅いと成形品のエアーベント側表面６
にボイド或いはフクレが発生しやすく、また内部
ボイドも発生しやすくなる。４はゲート跡であ
る。
従来の樹脂封止方法では樹脂注入速度が一定で
あるため、ゲート下ボイドやエアーベント側表面
のボイドやフクレ、内部ボイドなどを同時に除去
することはできなかつた。
本発明はボイドやフクレ除去する樹脂注入方法
を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はキヤビイテイーにゲートを通してポツ
トから樹脂を充填し、その樹脂にてリードフレー
ムの半導体素子を樹脂封止するマルチプランジヤ
ー樹脂封止用半体装置の樹脂封止方法において、
ゲートからキヤビイテイーに至るまでの樹脂注入
速度を低速で行い、その後高速に切換えて樹脂封
止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止方法である。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。
第１図はプランジヤーの変位量とと注入時間と
の関係を示す図である。
半導体素子を樹脂封止するには、半導体素子を
搭載したリードフレームをキヤビイテイーにセツ
トして型締めを行い、次いでキヤビイテイーにゲ
ートを通してポツトから樹脂を充填し、キヤビイ
テイー内でその樹脂により半導体素子の樹脂封止
が行われる。
本発明は樹脂がゲートからキヤビイテイーに入
る直後まで１のように低速で注入し、その後２の
ように高速に切換えて樹脂封止を行うものであ
る。３は樹脂がゲートからキヤビイテイーに注入
された直後に速度が切り換わる位置を示す。
上記本発明の樹脂封止方法によりエポキシ樹脂
系成形材料でマルチプランジヤー成形によりトラ
ンスフアー成形した場合の一実施例として、成形
温度180℃、予熱なしの樹脂タブレツトを用い、
プランジヤー変位速度を樹脂がキヤビイテイーに
入る直前まで0.5mm/secとし、その後4.5mm/sに切
換え成形したところ、表面のボイドやフクレ、内
部ボイドなどのない樹脂封止型半導体装置が得ら
れた。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、成形注入速度を
低速から高速に切換えることにより、樹脂封止を
行うので、成形品表面のボイドやフクレ、内部ボ
イドなどのない樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の樹脂封止方法を説明するため
のプランジヤーの変位量と注入時間との関係を示
す図、第２図は従来の樹脂封止方法により封入し
て成形品の外形図である。 １…注入速度の低速部分、２…注入速度の高速
部分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ キヤビイテイーにゲートを通してポツトから
    樹脂を充填し、その樹脂にてリードフレームの半
    導体素子を樹脂封止するマルチプランジヤー樹脂
    封止用半導体装置の樹脂封止方法において、ゲー
    トからキヤビテイに至るまでの樹脂注入速度を低
    速で行い、その後高速に切換えて樹脂封止するこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
    方法。
JP26565985A 1985-11-26 1985-11-26 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 Granted JPS62125635A (ja)

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JPS62125635A JPS62125635A (ja) 1987-06-06
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JP2516301Y2 (ja) * 1991-11-22 1996-11-06 株式会社椿本チエイン 複式トロリーコンベヤのエアー式緩衝装置
JPH0544741U (ja) * 1991-11-22 1993-06-15 株式会社椿本チエイン 複式トロリーコンベヤの摩擦式緩衝装置
JP3930229B2 (ja) 2000-06-22 2007-06-13 株式会社東海理化電機製作所 車両用ミラー装置

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JPS58222831A (ja) * 1982-06-22 1983-12-24 Fujitsu Ltd トランスフア成形装置
JPS60108154A (ja) * 1984-04-10 1985-06-13 Ube Ind Ltd 射出速度制御方法

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JPS62125635A (ja) 1987-06-06

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