JPH0687468B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0687468B2 JPH0687468B2 JP62111254A JP11125487A JPH0687468B2 JP H0687468 B2 JPH0687468 B2 JP H0687468B2 JP 62111254 A JP62111254 A JP 62111254A JP 11125487 A JP11125487 A JP 11125487A JP H0687468 B2 JPH0687468 B2 JP H0687468B2
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- pellet
- frame
- manufacturing semiconductor
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Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にプラスチッ
ク ピン グリッド アレイ型パッケージを有する半導
体装置の樹脂封止方法に関する。
ク ピン グリッド アレイ型パッケージを有する半導
体装置の樹脂封止方法に関する。
従来、プラスチック ピン グリッド アレイ型パッケ
ージを用いた半導体装置の製造工程において、半導体ペ
レット（以下単にペレットという）の樹脂封止は次のよ
うな方法により行なわれていた。
ージを用いた半導体装置の製造工程において、半導体ペ
レット（以下単にペレットという）の樹脂封止は次のよ
うな方法により行なわれていた。
すなわち第２図に示すように、配線等が形成された基板
７上にペレット６を固着したのち、配線とペレット６と
を金属細線により接続する。次にペレット６を囲んでAl
等からなる枠２を設け、この枠２内にエポキシ樹脂11A
を注入して硬化させる。続いてAl等からなるキャップ10
にエポキシ樹脂11Bを注入し、このキャップ10を枠２の
上にかぶせ内部のエポキシ樹脂11Bを硬化させて封止を
完了する。
７上にペレット６を固着したのち、配線とペレット６と
を金属細線により接続する。次にペレット６を囲んでAl
等からなる枠２を設け、この枠２内にエポキシ樹脂11A
を注入して硬化させる。続いてAl等からなるキャップ10
にエポキシ樹脂11Bを注入し、このキャップ10を枠２の
上にかぶせ内部のエポキシ樹脂11Bを硬化させて封止を
完了する。
上述した従来の樹脂の封止方法では、キャップ10中の樹
脂の量を一定に保つことが難しく、またキャップ10をか
ぶせた時に樹脂がはみ出し外観を悪化させたり、またキ
ャップ内に気泡が残り半導体装置の耐湿性を低下させる
という欠点があった。
脂の量を一定に保つことが難しく、またキャップ10をか
ぶせた時に樹脂がはみ出し外観を悪化させたり、またキ
ャップ内に気泡が残り半導体装置の耐湿性を低下させる
という欠点があった。
本発明の目的は、耐湿性の向上した半導体装置の製造方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、ガラスエポキシ基板
上に搭載された半導体ペレットの周囲を枠でかこみ、こ
の枠内に第１の樹脂を注入して半導体ペレットを封止す
る工程と、前記ガラスエポキシ基板を成型治具の上型お
よび下型ではさみ第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂
で封止された前記半導体ペレットを封止する工程とを含
んで構成される。
上に搭載された半導体ペレットの周囲を枠でかこみ、こ
の枠内に第１の樹脂を注入して半導体ペレットを封止す
る工程と、前記ガラスエポキシ基板を成型治具の上型お
よび下型ではさみ第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂
で封止された前記半導体ペレットを封止する工程とを含
んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した治具及び半導体装置の断面図であ
る。
めの工程順に示した治具及び半導体装置の断面図であ
る。
まず第１図（ａ）に示すように、従来と同じ工程により
配線等が形成されたガラスエポキシからなる基板７上に
ペレット６を固着し、その周囲をAl等からなる枠２で囲
みこの中に第１の樹脂３としてエポキシ樹脂を注入し封
止する。
配線等が形成されたガラスエポキシからなる基板７上に
ペレット６を固着し、その周囲をAl等からなる枠２で囲
みこの中に第１の樹脂３としてエポキシ樹脂を注入し封
止する。
次にこの第１の樹脂３で封止されたペレット６を成形治
具の下型７の上にのせて上型１をかぶせ、注入口９より
第２の樹脂８としてエポキシ樹脂を注入する。
具の下型７の上にのせて上型１をかぶせ、注入口９より
第２の樹脂８としてエポキシ樹脂を注入する。
次に第１図（ｂ）に示すように、第２の樹脂８を硬化さ
せたのち上型１及び下型７からとり出し半導体装置の成
型による樹脂封止を終了させる。
せたのち上型１及び下型７からとり出し半導体装置の成
型による樹脂封止を終了させる。
このようにして形成された半導体装置においては、第１
の樹脂３上に第２の樹脂８が密着して形成されているた
め耐湿性は向上する。
の樹脂３上に第２の樹脂８が密着して形成されているた
め耐湿性は向上する。
尚、上記実施例においては第１及び第２の樹脂としてエ
ポキシ樹脂を用いた場合について説明したが、シリコン
樹脂等他の耐湿性樹脂を用いることができる。
ポキシ樹脂を用いた場合について説明したが、シリコン
樹脂等他の耐湿性樹脂を用いることができる。
以上説明したように本発明は、基板上に固着されたペレ
ットを第１の樹脂で封止したのち、更に成型法により第
２の樹脂で封止することにより、半導体装置の耐湿性を
向上させるとができる効果がある。
ットを第１の樹脂で封止したのち、更に成型法により第
２の樹脂で封止することにより、半導体装置の耐湿性を
向上させるとができる効果がある。
第１図（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例を説明する
ための半導体装置の断面図、第２図は従来の半導体装置
の一例の断面図である。 １…上型、２…枠、３…第１の樹脂、４…基板、６…ペ
レット、７…下型、８…第２の樹脂、９…注入口、10…
キャップ、11A,11B…エポキシ樹脂。
ための半導体装置の断面図、第２図は従来の半導体装置
の一例の断面図である。 １…上型、２…枠、３…第１の樹脂、４…基板、６…ペ
レット、７…下型、８…第２の樹脂、９…注入口、10…
キャップ、11A,11B…エポキシ樹脂。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラスエポキシ基板上に搭載された半導体
ペレットの周囲を枠でかこみ、この枠内に第１の樹脂を
注入して半導体ペレットを封止する工程と、前記ガラス
エポキシ基板を成型治具の上型および下型ではさみ第２
の樹脂を注入して前記第１の樹脂で封止された前記半導
体ペレットを封止する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111254A JPH0687468B2 (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111254A JPH0687468B2 (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274152A JPS63274152A (ja) | 1988-11-11 |
| JPH0687468B2 true JPH0687468B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14556522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111254A Expired - Lifetime JPH0687468B2 (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687468B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2723195B2 (ja) * | 1990-12-14 | 1998-03-09 | 松下電工株式会社 | 半導体パッケージ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833857A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS58165334A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP62111254A patent/JPH0687468B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63274152A (ja) | 1988-11-11 |
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