JPH04354867A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH04354867A JPH04354867A JP3129064A JP12906491A JPH04354867A JP H04354867 A JPH04354867 A JP H04354867A JP 3129064 A JP3129064 A JP 3129064A JP 12906491 A JP12906491 A JP 12906491A JP H04354867 A JPH04354867 A JP H04354867A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に係
り、特に半導体素子等の製造時の各種膜の成膜やエッチ
ング等に使用されるマイクロ波と交流バイアスを併用し
たプラズマ装置に関するものである。
り、特に半導体素子等の製造時の各種膜の成膜やエッチ
ング等に使用されるマイクロ波と交流バイアスを併用し
たプラズマ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化、高集積化に伴って
微細化が進められている。従来の成膜やエッチング技術
に比べ、マイクロ波プラズマを用いた薄膜処理法は、微
細加工に適した方法としてすでに定評があるが、試料に
交流バイアスを印加すると、膜盾の改善、成膜やエッチ
ング処理形状の改善ができる点などが注目されている。
微細化が進められている。従来の成膜やエッチング技術
に比べ、マイクロ波プラズマを用いた薄膜処理法は、微
細加工に適した方法としてすでに定評があるが、試料に
交流バイアスを印加すると、膜盾の改善、成膜やエッチ
ング処理形状の改善ができる点などが注目されている。
【０００３】図１１は、マイクロ波と高周波バイアスを
併用し、かつ磁場を用いてＥＣＲプラズマを発生させる
、例えば、特開平２−１２７０２９号公報に記載のよう
な従来例の概略を示す。１はマイクロ波発生器、２はマ
イクロ波導入手段、３は石英ベルジャ、４は金属容器、
５はガス導入手段、６はバルブ、７は排気手段、８はコ
イル、９は試料、１０は試料を支持する第１の電極、１
１はプラズマに電位を加えるために設置された第２の電
極、１２は交流発生器である。
併用し、かつ磁場を用いてＥＣＲプラズマを発生させる
、例えば、特開平２−１２７０２９号公報に記載のよう
な従来例の概略を示す。１はマイクロ波発生器、２はマ
イクロ波導入手段、３は石英ベルジャ、４は金属容器、
５はガス導入手段、６はバルブ、７は排気手段、８はコ
イル、９は試料、１０は試料を支持する第１の電極、１
１はプラズマに電位を加えるために設置された第２の電
極、１２は交流発生器である。
【０００４】石英ベルジャ３と金属容器４により気密容
器が構成され、ガス導入手段５、バルブ６および排気手
段７とにより所定のガスを所定の圧力に設定しながらガ
スを流す。マイクロ発生器１から発生したマイクロ波は
、導波管や同軸線路等のマイクロ波導入手段２と、石英
ベルジャ３を経由して気密容器内に入力される。コイル
８の磁界とマイクロ波との相互作用である電子サイクロ
ン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ， ＥＣＲと略す）現象により、気密容
器内のガスは効率よくプラズマ化される。プラズマ化さ
れたイオン類は、第１の電極１０と第２の電極１１間に
加えられた交流により引きつけられ試料面に方向性よく
印加される。
器が構成され、ガス導入手段５、バルブ６および排気手
段７とにより所定のガスを所定の圧力に設定しながらガ
スを流す。マイクロ発生器１から発生したマイクロ波は
、導波管や同軸線路等のマイクロ波導入手段２と、石英
ベルジャ３を経由して気密容器内に入力される。コイル
８の磁界とマイクロ波との相互作用である電子サイクロ
ン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ， ＥＣＲと略す）現象により、気密容
器内のガスは効率よくプラズマ化される。プラズマ化さ
れたイオン類は、第１の電極１０と第２の電極１１間に
加えられた交流により引きつけられ試料面に方向性よく
印加される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の装
置では、第２の電極は、絶縁物である石英ベルジャより
、マイクロ波入射部に対して遠い方に設置されている。 通常、金属汚染等をさけるため、周囲が石英ベルジャで
囲まれた内部において、主にマイクロ波が吸収されプラ
ズマ強度が強くなる様にコイルの強度の調整がなされ、
効率良く試料にラジカルやイオン等の入射がなされる様
に構成される。この場合、第２の電極の周辺には拡散さ
れて来た弱いプラズマしか存在しない。このため、強い
プラズマと第２の電極間の電位差が増大し、プラズマと
第１の電極もしくは試料との間の電位差が減じてしまう
。また、強いプラズマと第２の電極間の電圧差は処理条
件やプラズマの拡散状態により変動する欠点があり、従
って強いプラズマと第１の電極もしくは試料との間の電
位差も変動する欠点があった。
置では、第２の電極は、絶縁物である石英ベルジャより
、マイクロ波入射部に対して遠い方に設置されている。 通常、金属汚染等をさけるため、周囲が石英ベルジャで
囲まれた内部において、主にマイクロ波が吸収されプラ
ズマ強度が強くなる様にコイルの強度の調整がなされ、
効率良く試料にラジカルやイオン等の入射がなされる様
に構成される。この場合、第２の電極の周辺には拡散さ
れて来た弱いプラズマしか存在しない。このため、強い
プラズマと第２の電極間の電位差が増大し、プラズマと
第１の電極もしくは試料との間の電位差が減じてしまう
。また、強いプラズマと第２の電極間の電圧差は処理条
件やプラズマの拡散状態により変動する欠点があり、従
って強いプラズマと第１の電極もしくは試料との間の電
位差も変動する欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、周囲が石英ベルジャ等の絶縁物で囲まれた
部分すなわち強いプラズマが生じている部分もしくは強
いプラズマにより近い部分に、第２の電極の少なくとも
一部を設置し、強い放電と第２の電極間に生じる電位差
を減少せしめる構成を採用する。石英ベルジャの代わり
に金属性容器の内面の一部に絶縁物を設置したものを用
いた場合にも同様に適用出来る。
するために、周囲が石英ベルジャ等の絶縁物で囲まれた
部分すなわち強いプラズマが生じている部分もしくは強
いプラズマにより近い部分に、第２の電極の少なくとも
一部を設置し、強い放電と第２の電極間に生じる電位差
を減少せしめる構成を採用する。石英ベルジャの代わり
に金属性容器の内面の一部に絶縁物を設置したものを用
いた場合にも同様に適用出来る。
【０００７】また、第２の電極の表面を絶縁物により覆
うことにより金属汚染の影響を少なくすることが出来る
。この場合、第２の電極の表面を覆った絶縁物の厚さは
、第２の電極の周囲に設置された石英ベルジャ等の絶縁
物の厚さに比べ薄くすることにより、プラズマに電位を
加える機能を保有することが出来る。
うことにより金属汚染の影響を少なくすることが出来る
。この場合、第２の電極の表面を覆った絶縁物の厚さは
、第２の電極の周囲に設置された石英ベルジャ等の絶縁
物の厚さに比べ薄くすることにより、プラズマに電位を
加える機能を保有することが出来る。
【０００８】
【作用】周囲が石英ベルジャ等の絶縁物で囲まれた部分
、すなわち強いプラズマが生じている部分もしくは強い
プラズマにより近い部分に、第２の電極の少なくとも一
部を設置することにより、強いプラズマと第２の電極間
の電位差を少なく出来、強いプラズマと第１の電極もし
くは試料との間に有効にかつ変動することなしに交流電
圧を印加することが出来る。
、すなわち強いプラズマが生じている部分もしくは強い
プラズマにより近い部分に、第２の電極の少なくとも一
部を設置することにより、強いプラズマと第２の電極間
の電位差を少なく出来、強いプラズマと第１の電極もし
くは試料との間に有効にかつ変動することなしに交流電
圧を印加することが出来る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１により説
明する。
明する。
【００１０】マイクロ波発生器１にて発生した２．４５
ＧＨｚのマイクロ波電力は、導波管や同軸線路等のマイ
クロ波導入手段２、石英ベルジャ３を経由して気密容器
内１５に導入される。気密容器は、石英ベルジャ３と金
属容器４で構成され、ガス導入手段５、バルブ６および
排気手段７が接続されている。気密容器内１５には、試
料９、金属容器４とは絶縁された、試料を支持する第１
の電極１０、および第２の電極１１が設置されている。 マイクロ波の導入、コイル８およびガスにより、試料９
より、マイクロ波導入部に近い部分で強いＥＣＲプラズ
マが発生する。第１の電極１０と第２の電極１１間に高
周波電源１２および整合器１４を介して、数＋ＫＨｚ〜
数＋ＭＨｚの高周波を印加する。第２の電極１１は、周
囲が石英ベルジャ３に囲まれた部分のプラズマが強い部
分に設置されているため、強いプラズマと第２の電極１
１間の電位差が低くなり、効率よくかつ変動することな
しに、プラズマと試料間に高周波を印加することができ
る。この高周波の印加により、イオンの方向性をそろえ
て、異方性でかつ高レートのエツチングが可能となる。
ＧＨｚのマイクロ波電力は、導波管や同軸線路等のマイ
クロ波導入手段２、石英ベルジャ３を経由して気密容器
内１５に導入される。気密容器は、石英ベルジャ３と金
属容器４で構成され、ガス導入手段５、バルブ６および
排気手段７が接続されている。気密容器内１５には、試
料９、金属容器４とは絶縁された、試料を支持する第１
の電極１０、および第２の電極１１が設置されている。 マイクロ波の導入、コイル８およびガスにより、試料９
より、マイクロ波導入部に近い部分で強いＥＣＲプラズ
マが発生する。第１の電極１０と第２の電極１１間に高
周波電源１２および整合器１４を介して、数＋ＫＨｚ〜
数＋ＭＨｚの高周波を印加する。第２の電極１１は、周
囲が石英ベルジャ３に囲まれた部分のプラズマが強い部
分に設置されているため、強いプラズマと第２の電極１
１間の電位差が低くなり、効率よくかつ変動することな
しに、プラズマと試料間に高周波を印加することができ
る。この高周波の印加により、イオンの方向性をそろえ
て、異方性でかつ高レートのエツチングが可能となる。
【００１１】図２，図３は、本発明の第２の実施例を示
すもので、第２の電極の構造例を示す。アルミ等の金属
の円環を用いる例である。電極１１の表面積は試料９の
表面積に比べて大きい方が好ましい。なお、第２の電極
１１としては、図３の断面図に示す様にアルミ等の金属
１１−１の外側に数＋〜数百マイクロメータの厚みの絶
縁物１１−２（例えばアルミナ）で覆ったものを用いる
と、金属汚染を少なくしたり、プラズマによる金属の消
耗を少なくすることができる。
すもので、第２の電極の構造例を示す。アルミ等の金属
の円環を用いる例である。電極１１の表面積は試料９の
表面積に比べて大きい方が好ましい。なお、第２の電極
１１としては、図３の断面図に示す様にアルミ等の金属
１１−１の外側に数＋〜数百マイクロメータの厚みの絶
縁物１１−２（例えばアルミナ）で覆ったものを用いる
と、金属汚染を少なくしたり、プラズマによる金属の消
耗を少なくすることができる。
【００１２】なお、図１のマイクロ波導入手段２には、
アイソレータや方向性結合器による入反射波のモニタ手
段等を含んでいる。
アイソレータや方向性結合器による入反射波のモニタ手
段等を含んでいる。
【００１３】図４は、本発明の第３の実施例であり、ガ
ス導入手段５から出たガスは、ガスバッファ部１３で均
一な圧力にした後、金属容器４に明けられた微小穴を通
過し、第２の電極１１と石英ベルジャ３の内面で作られ
た空間を経由して気密容器内１５に導入される。すなわ
ち第２の電極１１の一部がガス導入路の１部を形成し、
第２の電極１１の上部からガスが導入される様に構成し
ている。このようにすることにより強いプラズマの近く
にガスを供給することが出来る。
ス導入手段５から出たガスは、ガスバッファ部１３で均
一な圧力にした後、金属容器４に明けられた微小穴を通
過し、第２の電極１１と石英ベルジャ３の内面で作られ
た空間を経由して気密容器内１５に導入される。すなわ
ち第２の電極１１の一部がガス導入路の１部を形成し、
第２の電極１１の上部からガスが導入される様に構成し
ている。このようにすることにより強いプラズマの近く
にガスを供給することが出来る。
【００１４】図５は、本発明の第４の実施例であり、第
２の電極の内部をガス導入路として用いる例を示す。図
４と同様の効果が得られる。なお、図４、図５共に、第
２の内部電極１１を金属容器４と接して構成したもので
ある。図３で説明した様に、第２の電極１１を絶縁物１
１−２で覆った場合には、金属容器４と第２の電極１１
との接合部は金属同志の接合が形成される様に絶縁体を
一部除去する必要がある。
２の電極の内部をガス導入路として用いる例を示す。図
４と同様の効果が得られる。なお、図４、図５共に、第
２の内部電極１１を金属容器４と接して構成したもので
ある。図３で説明した様に、第２の電極１１を絶縁物１
１−２で覆った場合には、金属容器４と第２の電極１１
との接合部は金属同志の接合が形成される様に絶縁体を
一部除去する必要がある。
【００１５】図６は、本発明の第５の実施例を示す。強
いプラズマと第２の内部電極１１との間の電位差を更に
小さくするため、図７に概略図を示す様に試料９の上の
部分にメッシュ状金属を設置した例である。この場合電
子サイクロトロン共鳴を生じる磁場強度の部分（ＥＣＲ
ポイント）の近くから避けて、試料９に近い側に第２の
電極１１を設置すると共に、メッシュのピッチは、イオ
ンや粒子等の阻害にならない様１０ミリメートル以上の
大きい値とした方が良い。
いプラズマと第２の内部電極１１との間の電位差を更に
小さくするため、図７に概略図を示す様に試料９の上の
部分にメッシュ状金属を設置した例である。この場合電
子サイクロトロン共鳴を生じる磁場強度の部分（ＥＣＲ
ポイント）の近くから避けて、試料９に近い側に第２の
電極１１を設置すると共に、メッシュのピッチは、イオ
ンや粒子等の阻害にならない様１０ミリメートル以上の
大きい値とした方が良い。
【００１６】メッシュの形状としては、図７に示した矩
形状のものに限定されず、例えば、円周方向と半径方向
に金属を有するメッシュ等を用いることができる。図６
，図７ではＥＣＲポイントより試料９に近い場所にメッ
シュを設置する場合を述べたが、マイクロ波の電磁界に
沿って金属、もしくは絶縁物を被覆した金属を設置すれ
ば、マイクロ波電磁界をありま乱すことなく、ＥＣＲポ
イントに対して試料９より遠い部分にも第２の電極１１
の一部を設置することができる。なお、試料９の上の部
分に金属を設置すると、この金属による影が試料上に転
写される場合がある。この場合にはコイル８に交流電流
を重量させてイオンを横方向にも移動させることにより
回避できる。図６，図７の説明およびそれ以降に述べた
内容の事項は、強い放電の生じる部分の周囲が絶縁体で
囲まれた装置に限らず、強い放電が生じる部分の周囲が
金属で囲まれた装置に対しても、同様に交流電力を効率
よくプラズマに印加することができる利点がある。
形状のものに限定されず、例えば、円周方向と半径方向
に金属を有するメッシュ等を用いることができる。図６
，図７ではＥＣＲポイントより試料９に近い場所にメッ
シュを設置する場合を述べたが、マイクロ波の電磁界に
沿って金属、もしくは絶縁物を被覆した金属を設置すれ
ば、マイクロ波電磁界をありま乱すことなく、ＥＣＲポ
イントに対して試料９より遠い部分にも第２の電極１１
の一部を設置することができる。なお、試料９の上の部
分に金属を設置すると、この金属による影が試料上に転
写される場合がある。この場合にはコイル８に交流電流
を重量させてイオンを横方向にも移動させることにより
回避できる。図６，図７の説明およびそれ以降に述べた
内容の事項は、強い放電の生じる部分の周囲が絶縁体で
囲まれた装置に限らず、強い放電が生じる部分の周囲が
金属で囲まれた装置に対しても、同様に交流電力を効率
よくプラズマに印加することができる利点がある。
【００１７】図８は、本発明の第６の実施例を示す。気
密容器は金属容器４と金属容器の一部の表面に設置され
た絶縁体３−１、マイクロ波導入のための石英板３−２
により構成される。周囲が絶縁体３−１に囲まれた気密
容器内の位置まで第２の電極１１を挿入すことにより、
図１に示した効果と同様な効果が得られる。
密容器は金属容器４と金属容器の一部の表面に設置され
た絶縁体３−１、マイクロ波導入のための石英板３−２
により構成される。周囲が絶縁体３−１に囲まれた気密
容器内の位置まで第２の電極１１を挿入すことにより、
図１に示した効果と同様な効果が得られる。
【００１８】図９は、本発明の第７の実施例を示す。第
１の電極１０と試料９との間に絶縁物もしくは半導体に
よりなる誘電体１６を設置し、試料９を静電気的に誘電
体１６に吸引させる。いわゆる静電チャック状態を具備
させる場合の第１の電極１０近傍の構成について示す。 誘電体１６は高い誘電率のものが好ましい。第１の電極
１０および誘電体１６は、絶縁体１７により、金属容器
４もしくはこれと同電位の部分と絶縁されている。誘電
体１１の表面には図１０のように凸凹を設け、ガス源１
８からヘリウム等のガスを導入し、誘電体１６と試料９
との間の熱伝達を良くしている。第１の電極１０もしく
は絶縁体１７には、加熱もしくは冷却用の流体を通す管
を設けて、試料９の温度の制御を行なう。交流発生器１
２で発生した交流は整合器１４及び整合器１４中のコン
デンサ１４−１を介して第１の電極１０に加えられると
共に、静電チャック用高圧電源１９も整合器１４内に設
置されたインダクタンスや抵抗よりなる回路素子１４−
２を介して同様に第１の電極１０に加えられる。第２の
電極１１は金属１１−１とこれを覆った絶縁物１１−２
で構成され、金属１１−１は金属容器４に接している。 誘電体１６や絶縁物１１−２の部位で、交流に対して電
位差が発生するが、誘電体１６や絶縁物１１−２の構成
材料の比誘電率ξγとその厚さｄ（ｍｍ） をｄ／ξγ
＜＜１ｍｍを満たす様にすることにより、交流の周波数
が１００ｋＨｚ程度以上においては、その電位差を小さ
な値にすることができる。
１の電極１０と試料９との間に絶縁物もしくは半導体に
よりなる誘電体１６を設置し、試料９を静電気的に誘電
体１６に吸引させる。いわゆる静電チャック状態を具備
させる場合の第１の電極１０近傍の構成について示す。 誘電体１６は高い誘電率のものが好ましい。第１の電極
１０および誘電体１６は、絶縁体１７により、金属容器
４もしくはこれと同電位の部分と絶縁されている。誘電
体１１の表面には図１０のように凸凹を設け、ガス源１
８からヘリウム等のガスを導入し、誘電体１６と試料９
との間の熱伝達を良くしている。第１の電極１０もしく
は絶縁体１７には、加熱もしくは冷却用の流体を通す管
を設けて、試料９の温度の制御を行なう。交流発生器１
２で発生した交流は整合器１４及び整合器１４中のコン
デンサ１４−１を介して第１の電極１０に加えられると
共に、静電チャック用高圧電源１９も整合器１４内に設
置されたインダクタンスや抵抗よりなる回路素子１４−
２を介して同様に第１の電極１０に加えられる。第２の
電極１１は金属１１−１とこれを覆った絶縁物１１−２
で構成され、金属１１−１は金属容器４に接している。 誘電体１６や絶縁物１１−２の部位で、交流に対して電
位差が発生するが、誘電体１６や絶縁物１１−２の構成
材料の比誘電率ξγとその厚さｄ（ｍｍ） をｄ／ξγ
＜＜１ｍｍを満たす様にすることにより、交流の周波数
が１００ｋＨｚ程度以上においては、その電位差を小さ
な値にすることができる。
【００１９】これまでエッチング装置用に実施例を述べ
たが、スパッタ装置やＣＶＤ装置等の成膜装置にも同様
に適用出来る。
たが、スパッタ装置やＣＶＤ装置等の成膜装置にも同様
に適用出来る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、強いプラズマと第２の
電極間の電位差を少なくでき、強いプラズマと第１の電
極もしくは試料間に有効かつ変動することなく安定に交
流電圧を印加することができるため、異方性プラズマ処
理が安定に行うことができる効果がある。
電極間の電位差を少なくでき、強いプラズマと第１の電
極もしくは試料間に有効かつ変動することなく安定に交
流電圧を印加することができるため、異方性プラズマ処
理が安定に行うことができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部縦断面構成図である。
理室部縦断面構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例のプラズマ処理装置の第
２の電極の斜視外観図である。
２の電極の斜視外観図である。
【図３】図２の第２の電極の縦断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部縦断面構成図である。
理室部縦断面構成図である。
【図５】本発明の第４の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部部分縦断面構成図である。
理室部部分縦断面構成図である。
【図６】本発明の第５の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部縦断面構成図である。
理室部縦断面構成図である。
【図７】図６の第２の電極の斜視外観図である。
【図８】本発明の第６の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部縦断面構成図である。
理室部縦断面構成図である。
【図９】本発明の第７の実施例のプラズマ処理装置の処
理室部縦断面構成図である。
理室部縦断面構成図である。
【図１０】図９の誘電体の平面図である。
【図１１】プラズマ処理装置従来例の処理室部縦断面構
成図である。
成図である。
１…マイクロ波発生器、２…マイクロ波導入手段、３…
石英ベルジャ、３−１…絶縁体、３−２…石英板、４…
金属容器、５…ガス導入手段、６…バルブ、７…排気手
段、８…コイル、９…試料、１０…第１の電極、１１…
第２の電極、１２・・・交流発生器、１３・・・ガスバ
ッファ、１４・・・整合器。
石英ベルジャ、３−１…絶縁体、３−２…石英板、４…
金属容器、５…ガス導入手段、６…バルブ、７…排気手
段、８…コイル、９…試料、１０…第１の電極、１１…
第２の電極、１２・・・交流発生器、１３・・・ガスバ
ッファ、１４・・・整合器。
Claims (9)
- 【請求項１】低圧のガス又はガス状混合物を内部に蓄え
る気密容器と、前記気密容器内にガスを導入する手段及
び気密容器から絶縁されて該気密容器の内部に設置され
、かつ試料を支持する第１の電極と、前記気密容器に接
続され該気密容器内でプラズマを生成するためのマイク
ロ波を発生するマイクロ波発生器と、磁場を発生させる
コイルと、前記プラズマに電位を加えるために前記気密
容器内に設置された第２の電極と、周波数がマイクロ波
の周波数より低く、その振幅が調整可能で、かつ前記第
１の電極と前記第２の電極間に加える交流発生器と、前
記気密容器の一部もしくは該気密容器の内部の一部に絶
縁体を有し、該絶縁体より内側にて前記プラズマが生成
される様構成されたプラズマ処理装置において、前記絶
縁体により周囲を囲まれた部分に前記第２の電極の少な
くとも一部を設置したことを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】前記第２の電極の少なくとも一部を絶縁物
で覆った請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】試料よりマイクロ波の入射側の位置に、前
記第２の電極の少なくとも一部を設置した請求項１に記
載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記第２の電極の内部もしくは表面の少な
くとも一部をガス導入経路の少なくとも一部として利用
した請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】試料と前記第１の電極間の少なくとも一部
に絶縁物もしくは半導体を設置した請求項１に記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項６】前記交流発生器と前記第１の電極間にイン
ピーダンス整合器を設置した請求項１に記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項７】試料面に対して試料面上の各点と垂直な面
内に前記第２の電極の少なくとも一部を設置した請求項
３に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】前記第２の電極を前記気密容器の金属部と
同電位にした請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】前記第２の電極の表面積を試料の面積より
大きくした請求項１に記載のプラズマ処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP12906491A JP3375646B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | プラズマ処理装置 |
| US07/890,184 US5290993A (en) | 1991-05-31 | 1992-05-29 | Microwave plasma processing device |
| US08/203,035 US5432315A (en) | 1991-05-31 | 1994-02-28 | Plasma process apparatus including ground electrode with protection film |
| US08/474,136 US6046425A (en) | 1991-05-31 | 1995-06-07 | Plasma processing apparatus having insulator disposed on inner surface of plasma generating chamber |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906491A JP3375646B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | プラズマ処理装置 |
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|---|---|---|---|
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| JP8156579A Division JPH08321493A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | プラズマ処理装置 |
| JP15658196A Division JP3212253B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | プラズマ処理装置 |
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| JP3375646B2 JP3375646B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=15000197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (2)
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