JPH04357862A - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
コンデンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04357862A JPH04357862A JP13278791A JP13278791A JPH04357862A JP H04357862 A JPH04357862 A JP H04357862A JP 13278791 A JP13278791 A JP 13278791A JP 13278791 A JP13278791 A JP 13278791A JP H04357862 A JPH04357862 A JP H04357862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- semiconductor substrate
- insulating film
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信号弁別器等の回路
形成用として適した超小型のコンデンサおよびその製造
方法に関するものである。
形成用として適した超小型のコンデンサおよびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】信号弁別器は、コイル等のインダクタン
ス素子とコンデンサとから構成されるが、このようなコ
ンデンサとして高密度化の要求に伴い、チップ型のもの
が広く使用されている。このようなチップ型のコンデン
サは、セラミックスの両面に金属層からなる電極を形成
して製造され、所定の回路パターン等が設けられたプリ
ント基板等に接着剤にて仮付けした後、リフローハンダ
付等により固定されている。一方、ＩＣ等の半導体装置
においては、回路を構成するトランジスタ等の素子に、
絶縁膜を介して電極を形成し、これによりコンデンサを
形成するものがある（例えば特開平２−６７７５３号）
。
ス素子とコンデンサとから構成されるが、このようなコ
ンデンサとして高密度化の要求に伴い、チップ型のもの
が広く使用されている。このようなチップ型のコンデン
サは、セラミックスの両面に金属層からなる電極を形成
して製造され、所定の回路パターン等が設けられたプリ
ント基板等に接着剤にて仮付けした後、リフローハンダ
付等により固定されている。一方、ＩＣ等の半導体装置
においては、回路を構成するトランジスタ等の素子に、
絶縁膜を介して電極を形成し、これによりコンデンサを
形成するものがある（例えば特開平２−６７７５３号）
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ型コンデンサは誘電体としてセラミックスを用い
ているため、焼成の条件によって容量にバラツキが生じ
、均一性の高いものが得られない。また半導体装置に直
接形成するコンデンサは狭い領域に形成されるため、コ
イル等の他の素子と組合せて信号弁別器等の信号回路を
構成することができないなどの問題点があった。
チップ型コンデンサは誘電体としてセラミックスを用い
ているため、焼成の条件によって容量にバラツキが生じ
、均一性の高いものが得られない。また半導体装置に直
接形成するコンデンサは狭い領域に形成されるため、コ
イル等の他の素子と組合せて信号弁別器等の信号回路を
構成することができないなどの問題点があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、超小型で均一性が高く、かつ取
扱が容易で、コイル等と組合せて容易に信号弁別器等の
回路を形成することが可能なコンデンサおよびその製造
方法を提案することを目的とする。
ためになされたもので、超小型で均一性が高く、かつ取
扱が容易で、コイル等と組合せて容易に信号弁別器等の
回路を形成することが可能なコンデンサおよびその製造
方法を提案することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は次のコンデンサ
およびその製造方法である。 （１）第１の電極となる半導体基板と、この半導体基板
に接続する第１の端子部と、前記半導体基板上に形成さ
れた絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された第２の電極と
、この第２の電極に接続する第２の端子部とを備えたコ
ンデンサ。 （２）半導体基板の表面にマスクを形成する工程と、半
導体基板の露出部分に絶縁膜を形成する工程と、再度マ
スクを形成する工程と、半導体基板の露出部分に第１の
端子部を形成するとともに、絶縁膜の露出部分に第２の
電極およびこれに接続する第２の端子部を形成する工程
とからなるコンデンサの製造方法。
およびその製造方法である。 （１）第１の電極となる半導体基板と、この半導体基板
に接続する第１の端子部と、前記半導体基板上に形成さ
れた絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された第２の電極と
、この第２の電極に接続する第２の端子部とを備えたコ
ンデンサ。 （２）半導体基板の表面にマスクを形成する工程と、半
導体基板の露出部分に絶縁膜を形成する工程と、再度マ
スクを形成する工程と、半導体基板の露出部分に第１の
端子部を形成するとともに、絶縁膜の露出部分に第２の
電極およびこれに接続する第２の端子部を形成する工程
とからなるコンデンサの製造方法。
【０００６】
【作用】この発明のコンデンサは、第１の電極となる半
導体基板の表面にマスクを形成し、マスクで被覆されな
い半導体基板の露出部分に絶縁膜を形成し、形成された
絶縁膜上に再度マスクを形成し、半導体基板の露出部分
に第１の端子部を形成するとともに、絶縁膜の露出部分
に第２の電極およびこれに接続する第２の端子部を形成
して製造される。
導体基板の表面にマスクを形成し、マスクで被覆されな
い半導体基板の露出部分に絶縁膜を形成し、形成された
絶縁膜上に再度マスクを形成し、半導体基板の露出部分
に第１の端子部を形成するとともに、絶縁膜の露出部分
に第２の電極およびこれに接続する第２の端子部を形成
して製造される。
【０００７】こうして製造されたコンデンサは、チップ
として利用され、第１および第２の端子部にリードを接
続して電源、他の素子または回路に接続し、コンデンサ
として使用する。この場合、半導体基板は第１の電極と
なり、第２の電極との間に静電容量が形成される。信号
弁別器として利用するときは、コイル等のインダクタン
ス素子と接続してＬＣ回路を形成し、信号の弁別を行う
。
として利用され、第１および第２の端子部にリードを接
続して電源、他の素子または回路に接続し、コンデンサ
として使用する。この場合、半導体基板は第１の電極と
なり、第２の電極との間に静電容量が形成される。信号
弁別器として利用するときは、コイル等のインダクタン
ス素子と接続してＬＣ回路を形成し、信号の弁別を行う
。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明する
。図１は一実施例のコンデンサを示し、（ａ）は斜視図
、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図であ
る。図において、１はコンデンサ、２はこのコンデンサ
の第１の電極となる半導体基板で、シリコンウエハから
なる。３はこの半導体基板２表面に形成された第１の端
子部、４は半導体基板２上に形成された絶縁膜で酸化膜
または窒化膜等のパシベーション膜からなる。５は絶縁
膜４上に形成された第２の電極であり、これに接続する
第２の端子部６とともに、アルミニウム等の金属蒸着膜
により一体的に形成されている。絶縁膜４および第２の
電極５は、半導体基板２の凹凸面２ａに形成され、面積
が大きくなっている。７は第１の端子部３に接続する第
１のリード、８は第２の端子部６に接続する第２のリー
ドである。
。図１は一実施例のコンデンサを示し、（ａ）は斜視図
、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図であ
る。図において、１はコンデンサ、２はこのコンデンサ
の第１の電極となる半導体基板で、シリコンウエハから
なる。３はこの半導体基板２表面に形成された第１の端
子部、４は半導体基板２上に形成された絶縁膜で酸化膜
または窒化膜等のパシベーション膜からなる。５は絶縁
膜４上に形成された第２の電極であり、これに接続する
第２の端子部６とともに、アルミニウム等の金属蒸着膜
により一体的に形成されている。絶縁膜４および第２の
電極５は、半導体基板２の凹凸面２ａに形成され、面積
が大きくなっている。７は第１の端子部３に接続する第
１のリード、８は第２の端子部６に接続する第２のリー
ドである。
【０００９】上記のコンデンサ１は次のような工程で製
造される。まずシリコンウエハのような高純度の半導体
基板２の表面に、例えばレジスト膜を付着させ、フォト
エッチング処理等によりマスクを形成する。このとき絶
縁膜４が形成される所定位置で半導体基板２を露出させ
ておく。これに例えば酸化処理や窒化処理などの不活性
化処理（パシベーション）を施して、露出部分に酸化膜
や窒化膜などの絶縁膜４を形成する。そしてマスクを除
去した後、第１の端子部３、第２の電極５および第２の
端子部６を形成する部分以外の部分に再度マスクを形成
した後、例えばアルミニウム等の金属蒸着などにより、
半導体基板２の露出部分に第１の端子部３を形成すると
ともに、絶縁膜４の露出部分に第２の電極５および第２
の端子部６を形成する。その後、不要なマスク、金属膜
等を除去し、ワイヤボンディングにより、第１および第
２のリード７、８を第１および第２の端子部３、６に接
続することによりコンデンサ１を製造する。複数のコン
デンサ１を同じ半導体基板上に形成している場合は分割
（スクライブ）する。
造される。まずシリコンウエハのような高純度の半導体
基板２の表面に、例えばレジスト膜を付着させ、フォト
エッチング処理等によりマスクを形成する。このとき絶
縁膜４が形成される所定位置で半導体基板２を露出させ
ておく。これに例えば酸化処理や窒化処理などの不活性
化処理（パシベーション）を施して、露出部分に酸化膜
や窒化膜などの絶縁膜４を形成する。そしてマスクを除
去した後、第１の端子部３、第２の電極５および第２の
端子部６を形成する部分以外の部分に再度マスクを形成
した後、例えばアルミニウム等の金属蒸着などにより、
半導体基板２の露出部分に第１の端子部３を形成すると
ともに、絶縁膜４の露出部分に第２の電極５および第２
の端子部６を形成する。その後、不要なマスク、金属膜
等を除去し、ワイヤボンディングにより、第１および第
２のリード７、８を第１および第２の端子部３、６に接
続することによりコンデンサ１を製造する。複数のコン
デンサ１を同じ半導体基板上に形成している場合は分割
（スクライブ）する。
【００１０】こうして製造されたコンデンサ１は、第１
および第２のリード７、８を電源、他の素子、回路等に
接続して使用する。この場合、半導体基板２は第１の電
極となり、第２の電極５との間に静電容量が形成される
。
および第２のリード７、８を電源、他の素子、回路等に
接続して使用する。この場合、半導体基板２は第１の電
極となり、第２の電極５との間に静電容量が形成される
。
【００１１】上記のコンデンサ１において、半導体基板
２上に形成する絶縁膜４の厚さは任意に制御できるから
、多数のコンデンサ１を製造する場合でも静電容量はほ
ぼ一定となり、均一性の高いものが得られる。また絶縁
膜４および第２の電極５は半導体基板２の凹凸面２ａに
形成されているため、面積が大きくなり、静電容量も大
きくなる。
２上に形成する絶縁膜４の厚さは任意に制御できるから
、多数のコンデンサ１を製造する場合でも静電容量はほ
ぼ一定となり、均一性の高いものが得られる。また絶縁
膜４および第２の電極５は半導体基板２の凹凸面２ａに
形成されているため、面積が大きくなり、静電容量も大
きくなる。
【００１２】図２は他の実施例のコンデンサを示し、（
ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図である。このコンデ
ンサ１は、絶縁膜４、第２の電極５、ならびに第１およ
び第２の端子部３、６からなるコンデンサパターンを同
一の半導体基板２上に複数個形成して、並列接続したも
ので、静電容量の大きいコンデンサ１が形成される。
ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図である。このコンデ
ンサ１は、絶縁膜４、第２の電極５、ならびに第１およ
び第２の端子部３、６からなるコンデンサパターンを同
一の半導体基板２上に複数個形成して、並列接続したも
ので、静電容量の大きいコンデンサ１が形成される。
【００１３】図３は実施例のコンデンサを用いた信号弁
別器を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図であ
る。図において、１１は絶縁基板で、コンデンサ１およ
びコイル１２を取付け、端子１３、１４に並列に接続し
、信号弁別器を構成している。上記の信号弁別器は端子
１３、１４に信号を印加することにより、コンデンサ１
およびコイル１２により形成されるＬＣ回路によって信
号の弁別が行われる。
別器を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は等価回路図であ
る。図において、１１は絶縁基板で、コンデンサ１およ
びコイル１２を取付け、端子１３、１４に並列に接続し
、信号弁別器を構成している。上記の信号弁別器は端子
１３、１４に信号を印加することにより、コンデンサ１
およびコイル１２により形成されるＬＣ回路によって信
号の弁別が行われる。
【００１４】図４は他の信号弁別器を示し、（ａ）は斜
視図、（ｂ）は等価回路図であり、図において、１５は
端子である。この実施例では、コンデンサ１およびコイ
ル１２の直列接続により、ＬＣ回路が形成されている。
視図、（ｂ）は等価回路図であり、図において、１５は
端子である。この実施例では、コンデンサ１およびコイ
ル１２の直列接続により、ＬＣ回路が形成されている。
【００１５】図５は実施例のコンデンサの使用例を示し
、（ａ）、（ｂ）は別の等価回路図である。図において
、１６はスイッチ回路であり、（ａ）ではトランジスタ
、（ｂ）ではスイッチが設けられている。上記の構成に
おいて、スイッチ回路１６によりコンデンサ１がオン／
オフでき、その応用範囲が拡大する。
、（ａ）、（ｂ）は別の等価回路図である。図において
、１６はスイッチ回路であり、（ａ）ではトランジスタ
、（ｂ）ではスイッチが設けられている。上記の構成に
おいて、スイッチ回路１６によりコンデンサ１がオン／
オフでき、その応用範囲が拡大する。
【００１６】なお、上記の説明において、半導体基板２
、絶縁膜４、第２の電極５等の材質は特に限定されず、
第２の電極５としては半導体を用いることもできる。
、絶縁膜４、第２の電極５等の材質は特に限定されず、
第２の電極５としては半導体を用いることもできる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、第１の電極となる半導
体基板上に絶縁膜を介して第２の電極を形成してコンデ
ンサを構成したので、超小型で均一性が高く、かつ取扱
が容易で、コイル等と組合せて、容易に信号弁別器等の
回路を形成することが可能である。
体基板上に絶縁膜を介して第２の電極を形成してコンデ
ンサを構成したので、超小型で均一性が高く、かつ取扱
が容易で、コイル等と組合せて、容易に信号弁別器等の
回路を形成することが可能である。
【図１】実施例のコンデンサを示し、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は等価回路図で
ある。
【図２】他の実施例のコンデンサを示し、（ａ）は斜視
図、（ｂ）は等価回路図である。
図、（ｂ）は等価回路図である。
【図３】信号弁別器を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は
等価回路図である。
等価回路図である。
【図４】他の信号弁別器を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ
）は等価回路図である。
）は等価回路図である。
【図５】コンデンサの使用例を示し、（ａ）、（ｂ）は
別の等価回路図である。
別の等価回路図である。
１ コンデンサ
２ 半導体基板
３ 第１の端子部
４ 絶縁膜
５ 第２の電極
６ 第２の端子部
７ 第１のリード
８ 第２のリード
１２ コイル
１３、１４ 端子
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の電極となる半導体基板と、この
半導体基板に接続する第１の端子部と、前記半導体基板
上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された第
２の電極と、この第２の電極に接続する第２の端子部と
を備えたことを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】 半導体基板の表面にマスクを形成する
工程と、半導体基板の露出部分に絶縁膜を形成する工程
と、再度マスクを形成する工程と、半導体基板の露出部
分に第１の端子部を形成するとともに、絶縁膜の露出部
分に第２の電極およびこれに接続する第２の端子部を形
成する工程とからなることを特徴とするコンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13278791A JPH04357862A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13278791A JPH04357862A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357862A true JPH04357862A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15089538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13278791A Pending JPH04357862A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357862A (ja) |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13278791A patent/JPH04357862A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5815219A (ja) | チツプ・キヤパシタ | |
| JPH0878283A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| EP0596721B1 (en) | Noise filter | |
| US3671793A (en) | High frequency transistor structure having an impedance transforming network incorporated on the semiconductor chip | |
| JPH06181119A (ja) | Ｌｃ複合部品 | |
| JP2860211B2 (ja) | ノイズ・フィルタ | |
| JPH03203212A (ja) | 複合チップ部品及びその製造方法 | |
| JPS61140115A (ja) | 高周波回路装置 | |
| JPH0786612A (ja) | モノリシック半導体デバイス | |
| JPH0730356A (ja) | ノイズ・フィルタ | |
| JPH06204040A (ja) | ノイズ・フィルタ | |
| JPH06204780A (ja) | ノイズ・フィルタ | |
| JPH053229A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63120481A (ja) | 薄膜ハイブリツドｉｃ | |
| JPH02239577A (ja) | 表面実装用混成集積回路 | |
| JPH03178158A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6032357B2 (ja) | 容量素子の製造方法 | |
| KR100800934B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| JPS61111516A (ja) | 厚膜ハイブリツド電子部品 | |
| JPH06188665A (ja) | ノイズ・フィルタ | |
| JP3083451B2 (ja) | 調整コンデンサ | |
| JPH01165149A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH088406A (ja) | 複合素子 | |
| JPS6127655A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPH07193191A (ja) | Ｍｏｓコンデンサとその製造方法 |