JPH0435897B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0435897B2 JPH0435897B2 JP57079436A JP7943682A JPH0435897B2 JP H0435897 B2 JPH0435897 B2 JP H0435897B2 JP 57079436 A JP57079436 A JP 57079436A JP 7943682 A JP7943682 A JP 7943682A JP H0435897 B2 JPH0435897 B2 JP H0435897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- cup
- cup body
- processed
- vacuum chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、カツプ回転機構付レジスト塗布装置
に関する。
に関する。
半導体ウエハ等の被処理体の表面にレジスト膜
を形成する場合、例えば第１図に示す如く、レジ
スト塗布装置１、加熱台２、被処理体３の収納庫
４ａ，４ｂ等を設けたレジスト塗布架台５上で行
われている。収納庫４ａに収納された処理前の半
導体ウエハ６は、第２図Ａに示す如く、通常シリ
コン等からなる基板６ａ上に、厚さ2000〜4000Å
酸化膜６ｂを形成したものであり、処理後の半導
体ウエハ６′には、同図Ｂに示す如く、この酸化
膜６ｂ上に通常厚さ5000〜20000Åのレジスト膜
６ｃが形成されている。
を形成する場合、例えば第１図に示す如く、レジ
スト塗布装置１、加熱台２、被処理体３の収納庫
４ａ，４ｂ等を設けたレジスト塗布架台５上で行
われている。収納庫４ａに収納された処理前の半
導体ウエハ６は、第２図Ａに示す如く、通常シリ
コン等からなる基板６ａ上に、厚さ2000〜4000Å
酸化膜６ｂを形成したものであり、処理後の半導
体ウエハ６′には、同図Ｂに示す如く、この酸化
膜６ｂ上に通常厚さ5000〜20000Åのレジスト膜
６ｃが形成されている。
而して、レジストの塗布処理を行うレジスト塗
布装置は、例えば、第３図に示す如く、排気管１
０を介して排気機構（図示せず）に接続されたカ
ツプ１１内に、真空チヤツク１２を回転自在に設
けたものであり、カツプ１２の上部の開口部１１
ａから半導体ウエハ６を真空チヤツク１２上に載
置し、モータ１３でこれを回転させながら開口部
１１ａの上方に設けられたノズル１４から半導体
ウエハ６上にレジストを吹き付けるようになつて
いる。しかしながら、半導体ウエハ６が回転して
いるため、ノズル１４から半導体ウエハ６上に吹
き付けられたレジストの一部は、その表面に衝突
した後、遠心力で飛ばされカツプ１１の内壁面で
反射して第４図に示す如く、既に半導体ウエハ６
の表面に形成されたレジスト膜６ｃ上に局部的に
レジストの盛り上がり部６ｄを形成する。このよ
うなレジストの所謂照り返し現象を防止するため
に、第５図に示す如く、カツプ１１の内壁面に多
数個の羽根１５を所定の開き角αで取付けたレジ
スト塗布装置１６が開発されている。羽根１５を
有するレジスト塗布装置１６では、半導体ウエハ
６からカツプ１１の内壁面１１ａに向けて飛ばさ
れたレジスト６c1は、内壁面１１ａで反射した後
羽根１５によつてそのはね返りを遮断され羽根１
５に付着する。その結果、レジストの照り返し現
象が発生するのを阻止できる。しかしながら、羽
根１５を有するレジスト塗布装置１６も長期間使
用すると、第６図に示す如く、カツプ１１の内壁
面１１ａの近傍にレジストの薄膜１７が形成され
る。その結果、この薄膜１７が羽根１５の内壁面
１１ａと同様の作用を呈し、再び照り返し現象が
起きる問題があつた。就中、この薄膜１７の形成
は、半導体ウエハ６が高速回転している場合や、
カツプ１１からの排気量が増大した場合に促進さ
れる。
布装置は、例えば、第３図に示す如く、排気管１
０を介して排気機構（図示せず）に接続されたカ
ツプ１１内に、真空チヤツク１２を回転自在に設
けたものであり、カツプ１２の上部の開口部１１
ａから半導体ウエハ６を真空チヤツク１２上に載
置し、モータ１３でこれを回転させながら開口部
１１ａの上方に設けられたノズル１４から半導体
ウエハ６上にレジストを吹き付けるようになつて
いる。しかしながら、半導体ウエハ６が回転して
いるため、ノズル１４から半導体ウエハ６上に吹
き付けられたレジストの一部は、その表面に衝突
した後、遠心力で飛ばされカツプ１１の内壁面で
反射して第４図に示す如く、既に半導体ウエハ６
の表面に形成されたレジスト膜６ｃ上に局部的に
レジストの盛り上がり部６ｄを形成する。このよ
うなレジストの所謂照り返し現象を防止するため
に、第５図に示す如く、カツプ１１の内壁面に多
数個の羽根１５を所定の開き角αで取付けたレジ
スト塗布装置１６が開発されている。羽根１５を
有するレジスト塗布装置１６では、半導体ウエハ
６からカツプ１１の内壁面１１ａに向けて飛ばさ
れたレジスト６c1は、内壁面１１ａで反射した後
羽根１５によつてそのはね返りを遮断され羽根１
５に付着する。その結果、レジストの照り返し現
象が発生するのを阻止できる。しかしながら、羽
根１５を有するレジスト塗布装置１６も長期間使
用すると、第６図に示す如く、カツプ１１の内壁
面１１ａの近傍にレジストの薄膜１７が形成され
る。その結果、この薄膜１７が羽根１５の内壁面
１１ａと同様の作用を呈し、再び照り返し現象が
起きる問題があつた。就中、この薄膜１７の形成
は、半導体ウエハ６が高速回転している場合や、
カツプ１１からの排気量が増大した場合に促進さ
れる。
本発明は、被処理体を回転させる真空チヤツク
を収容したカツプを回転可能な構造にして、レジ
ストの照り返し現象の発生を阻止すると共に、カ
ツプ内に薄膜が形成されるのを阻止し、極めて高
品質のレジスト膜を被処理体上に容易に形成でき
るようにしたカツプ回転機構付レジスト塗布装置
である。
を収容したカツプを回転可能な構造にして、レジ
ストの照り返し現象の発生を阻止すると共に、カ
ツプ内に薄膜が形成されるのを阻止し、極めて高
品質のレジスト膜を被処理体上に容易に形成でき
るようにしたカツプ回転機構付レジスト塗布装置
である。
本発明は、カツプ内でのレジストの照り返し現
象の発生を阻止すると共に、カツプ内の空間に薄
膜が形成されるのを阻止して、極めて高品質のレ
ジスト膜を被処理体上に容易に形成できるカツプ
回転機構付レジスト塗布装置を提供することをそ
の目的とするものである。
象の発生を阻止すると共に、カツプ内の空間に薄
膜が形成されるのを阻止して、極めて高品質のレ
ジスト膜を被処理体上に容易に形成できるカツプ
回転機構付レジスト塗布装置を提供することをそ
の目的とするものである。
以下、本発明の一実施例について第７図を参照
して説明する。
して説明する。
図中３０は、被処理体３１である半導体ウエハ
を収容被処理体収容部を形成したカツプ本体であ
る。カツプ本体３０は、その床部を形成する床板
３２にベヤリング３３を介して回転自在に取付け
られている。床板３２には、カツプ本体３１内を
図示しない排気機構に接続する排気管３４が形成
されている。また、床板３２の略中央部には、先
端部に被処理体３１の固着部を有する真空チヤツ
ク３５が貫挿されている。真空チヤツク３５は、
回転モータ３６に接続されている。カツプ本体３
０の上部には、被処理体３１をカツプ本体３０内
に出入するための開口部３７が形成されている。
開口部３７の上方には、真空チヤツク３５上の被
処理体３１の表面にレジストを吹き付けるノズル
３８が設けられている。カツプ本体３０の下部外
周面には、周面に沿つてギヤ３９が形成されてい
る。このギヤ３９には、カツプ本体回転用モータ
４０の回転軸４０ａに取付けられたギヤ４１が歯
合しており、カツプ本体３０の回転機構を構成し
ている。
を収容被処理体収容部を形成したカツプ本体であ
る。カツプ本体３０は、その床部を形成する床板
３２にベヤリング３３を介して回転自在に取付け
られている。床板３２には、カツプ本体３１内を
図示しない排気機構に接続する排気管３４が形成
されている。また、床板３２の略中央部には、先
端部に被処理体３１の固着部を有する真空チヤツ
ク３５が貫挿されている。真空チヤツク３５は、
回転モータ３６に接続されている。カツプ本体３
０の上部には、被処理体３１をカツプ本体３０内
に出入するための開口部３７が形成されている。
開口部３７の上方には、真空チヤツク３５上の被
処理体３１の表面にレジストを吹き付けるノズル
３８が設けられている。カツプ本体３０の下部外
周面には、周面に沿つてギヤ３９が形成されてい
る。このギヤ３９には、カツプ本体回転用モータ
４０の回転軸４０ａに取付けられたギヤ４１が歯
合しており、カツプ本体３０の回転機構を構成し
ている。
而して、このように構成されたカツプ回転機構
付レジスト塗布装置５０によれば、真空チヤツク
３５の先端部に被処理体３１である半導体ウエハ
を固着し、これを回転モータ３６により所定回転
数で回転しながら、同時にカツプ本体３０をギヤ
３９，４１を介してカツプ本体回転用モータ４０
で回転させ、ノズル３８から被処理体３１の表面
にレジストを吹き付ける。カツプ本体３０の回転
方向は、真空チヤツク３５の回転方向と同方であ
つても逆方向であつても良い。被処理体３１上に
付着したレジストは、真空チヤツク３５の回転に
伴う遠心力でカツプ本体３０の内壁面３０ａまで
飛散すると、カツプ本体３０も回転しているの
で、カツプ本体３０の回転に伴う遠心力により内
壁面３０で反射しても、内壁面３０に沿つてはね
返える。その結果、被処理体３１上に形成された
レジスト膜上に、はね返りのレジストが局部的に
付着する所謂照り返し現象が起きるのを阻止でき
る。また、上述のようにしてレジスト塗布処理に
長期間使用しても、処理の際にはカツプ本体３０
が回転しているので、カツプ本体３０の内壁面３
０ａにレジストの薄膜が形成されるのを阻止でき
る。その結果、被処理体３１の表面に極めて高品
質のレジスト膜を容易に形成することができる。
付レジスト塗布装置５０によれば、真空チヤツク
３５の先端部に被処理体３１である半導体ウエハ
を固着し、これを回転モータ３６により所定回転
数で回転しながら、同時にカツプ本体３０をギヤ
３９，４１を介してカツプ本体回転用モータ４０
で回転させ、ノズル３８から被処理体３１の表面
にレジストを吹き付ける。カツプ本体３０の回転
方向は、真空チヤツク３５の回転方向と同方であ
つても逆方向であつても良い。被処理体３１上に
付着したレジストは、真空チヤツク３５の回転に
伴う遠心力でカツプ本体３０の内壁面３０ａまで
飛散すると、カツプ本体３０も回転しているの
で、カツプ本体３０の回転に伴う遠心力により内
壁面３０で反射しても、内壁面３０に沿つてはね
返える。その結果、被処理体３１上に形成された
レジスト膜上に、はね返りのレジストが局部的に
付着する所謂照り返し現象が起きるのを阻止でき
る。また、上述のようにしてレジスト塗布処理に
長期間使用しても、処理の際にはカツプ本体３０
が回転しているので、カツプ本体３０の内壁面３
０ａにレジストの薄膜が形成されるのを阻止でき
る。その結果、被処理体３１の表面に極めて高品
質のレジスト膜を容易に形成することができる。
尚、カツプ本体３０の回転数は、真空チヤツク
３５の回転数、レジストの種類、性状等に応じて
適宜設定するのが望ましい。また、床板３２とカ
ツプ本体３０の接触部であるベヤリング３３の部
分には、カツプ本体３０内の減圧状態を所定値に
保持するため、及び、ごみ等の不純物がカツプ本
体３０内に侵入するのを防止するために、適当な
シール部材を用いて気密処理を施こしておくのが
望ましい。
３５の回転数、レジストの種類、性状等に応じて
適宜設定するのが望ましい。また、床板３２とカ
ツプ本体３０の接触部であるベヤリング３３の部
分には、カツプ本体３０内の減圧状態を所定値に
保持するため、及び、ごみ等の不純物がカツプ本
体３０内に侵入するのを防止するために、適当な
シール部材を用いて気密処理を施こしておくのが
望ましい。
以上説明した如く、本発明に係るカツプ回転機
能付レジスト塗布装置によれば、カツプ内でのレ
ジストの照り返し現象の発生を阻止できると共
に、カツプ内の空間に薄膜が形成されるのを阻止
して極めて高品質のレジスト膜を被処理体上に容
易に形成することができるものである。
能付レジスト塗布装置によれば、カツプ内でのレ
ジストの照り返し現象の発生を阻止できると共
に、カツプ内の空間に薄膜が形成されるのを阻止
して極めて高品質のレジスト膜を被処理体上に容
易に形成することができるものである。
第１図は、レジスト塗布装置を設けたレジスト
塗布架台の正面図、第２図Ａは、レジスト膜形成
前の半導体ウエハの断面図、同図Ｂは、レジスト
膜形成後の半導体ウエハの断面図、第３図は、従
来のレジスト塗布装置の一部破断断面図、第４図
は、照り返し現象によりレジストの盛り上がり部
が形成された半導体ウエハの断面図、第５図は、
羽根を有する従来のレジスト塗布装置の要部を示
す断面図、第６図は、カツプ内にレジストの薄膜
が形成される状態を示す一部破断断面図、第７図
は、本発明の一実施例の断面図である。 ３０……カツプ本体、３１……被処理体、３２
……床板、３３……ベヤリング、３４……排気
管、３５……真空チヤツク、３６……回転モー
タ、３７……開口部、３９，４１……ギヤ、４０
……カツプ本体回転用モータ、５０……カツプ回
転機構付レジスト塗布装置。
塗布架台の正面図、第２図Ａは、レジスト膜形成
前の半導体ウエハの断面図、同図Ｂは、レジスト
膜形成後の半導体ウエハの断面図、第３図は、従
来のレジスト塗布装置の一部破断断面図、第４図
は、照り返し現象によりレジストの盛り上がり部
が形成された半導体ウエハの断面図、第５図は、
羽根を有する従来のレジスト塗布装置の要部を示
す断面図、第６図は、カツプ内にレジストの薄膜
が形成される状態を示す一部破断断面図、第７図
は、本発明の一実施例の断面図である。 ３０……カツプ本体、３１……被処理体、３２
……床板、３３……ベヤリング、３４……排気
管、３５……真空チヤツク、３６……回転モー
タ、３７……開口部、３９，４１……ギヤ、４０
……カツプ本体回転用モータ、５０……カツプ回
転機構付レジスト塗布装置。
Claims (1)
- １ 被処理体が固着される真空チヤツクを回転自
在に取付けた床板と、前記真空チヤツクを収容す
るようにして該床板に回転自在に取付けられ、か
つ、前記被処理体に対向する開口部および略平坦
な内壁面を有するカツプ本体と、前記開口部を介
して前記被処理体に対向するように設けられたレ
ジスト吹付用ノズルと、前記カツプ本体に取付け
られた該カツプ本体の回転機構と、前記カツプ本
体と前記床板で形成された被処理体収容部に連通
した排気機構とを具備することを特徴とするカツ
プ回転機構付レジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079436A JPS58197732A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | カツプ回転機構付レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079436A JPS58197732A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | カツプ回転機構付レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197732A JPS58197732A (ja) | 1983-11-17 |
| JPH0435897B2 true JPH0435897B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=13689823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57079436A Granted JPS58197732A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | カツプ回転機構付レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197732A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284805A (en) * | 1991-07-11 | 1994-02-08 | Sematech, Inc. | Rapid-switching rotating disk reactor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855976Y2 (ja) * | 1980-07-01 | 1983-12-22 | 富士通株式会社 | スピンコ−タ− |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57079436A patent/JPS58197732A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58197732A (ja) | 1983-11-17 |
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