JPH04364193A - 有機ビスゲルミルブテン類の製造方法及び新規な有機ビスゲルミルブテン類 - Google Patents
有機ビスゲルミルブテン類の製造方法及び新規な有機ビスゲルミルブテン類Info
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- JPH04364193A JPH04364193A JP3062566A JP6256691A JPH04364193A JP H04364193 A JPH04364193 A JP H04364193A JP 3062566 A JP3062566 A JP 3062566A JP 6256691 A JP6256691 A JP 6256691A JP H04364193 A JPH04364193 A JP H04364193A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機ゲルマニウム化合
物の新規な製造方法、及びそれによって得られる新規な
有機ゲルマニウム化合物に関するものである。有機ゲル
マニウム化合物は、触媒及びポリマーへの添加物として
用いられるほか、殺菌剤、防腐剤、坑腫瘍剤等として注
目されている。また、電子、光機能材料として有用なゲ
ルマニウム含有ポリマーを製造するためのモノマーとし
ても脚光を浴びつつある。
物の新規な製造方法、及びそれによって得られる新規な
有機ゲルマニウム化合物に関するものである。有機ゲル
マニウム化合物は、触媒及びポリマーへの添加物として
用いられるほか、殺菌剤、防腐剤、坑腫瘍剤等として注
目されている。また、電子、光機能材料として有用なゲ
ルマニウム含有ポリマーを製造するためのモノマーとし
ても脚光を浴びつつある。
【０００２】
【従来の技術】１，４−ビス（ゲルミル）−２−ブデン
類は、１，４−ジクロロ−２−ブテンをエーテル中、ト
リハロゲルマンと反応させることにより、製造されてい
る。しかしこの方法はトリハロゲルマンに特有の方法で
あり、ゲルマニウム上にハロゲンが３個置換した１，４
−ビス（ゲルミル）−２−ブテン類の製造にしか適用で
きない。
類は、１，４−ジクロロ−２−ブテンをエーテル中、ト
リハロゲルマンと反応させることにより、製造されてい
る。しかしこの方法はトリハロゲルマンに特有の方法で
あり、ゲルマニウム上にハロゲンが３個置換した１，４
−ビス（ゲルミル）−２−ブテン類の製造にしか適用で
きない。
【０００３】またアリルトリメチルゲルマンをレニウム
系触媒でメタセシスさせて１，４−ビス（トリメチルゲ
ルミル）−２−ブテンを得る方法もあるが、ゲルマニウ
ム上の置換基がメチルのものにしか適用できない。従っ
て、これまで知られている１，４−ビス（ゲルミル）−
２−ブテン類は、ゲルミル基上の置換基がすべてハロゲ
ンのものと、ゲルミル基上の置換基がすべてアルキル基
のものに限られており、ゲルマニウム含有ポリマーを製
造するためのモノマーとして有用な、ゲルミル基上にハ
ロゲンまたはアルコキシ基と、アルキル基またはアリー
ル基等の有機基との、両者の置換基を有するものは知ら
れていなかった。
系触媒でメタセシスさせて１，４−ビス（トリメチルゲ
ルミル）−２−ブテンを得る方法もあるが、ゲルマニウ
ム上の置換基がメチルのものにしか適用できない。従っ
て、これまで知られている１，４−ビス（ゲルミル）−
２−ブテン類は、ゲルミル基上の置換基がすべてハロゲ
ンのものと、ゲルミル基上の置換基がすべてアルキル基
のものに限られており、ゲルマニウム含有ポリマーを製
造するためのモノマーとして有用な、ゲルミル基上にハ
ロゲンまたはアルコキシ基と、アルキル基またはアリー
ル基等の有機基との、両者の置換基を有するものは知ら
れていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、各種
の置換基を有する１，４−ビス（ゲルミル）−２−ブテ
ン類を一段で製造する方法を提供すること、及びこの方
法によって得られる、ゲルミル基上にハロゲンまたはア
ルコキシ基と、有機基との両者を有する１，４−ビス（
ゲルミル）−２−ブテン類を提供することにある。
の置換基を有する１，４−ビス（ゲルミル）−２−ブテ
ン類を一段で製造する方法を提供すること、及びこの方
法によって得られる、ゲルミル基上にハロゲンまたはア
ルコキシ基と、有機基との両者を有する１，４−ビス（
ゲルミル）−２−ブテン類を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するべく鋭意研究を重ねた結果、種々のジエン類
がパラジウム含有触媒の存在下、ジケルマン類と容易に
反応するという新規な事実を見出し、この知見をもとに
本発明を完成するに至った。
を解決するべく鋭意研究を重ねた結果、種々のジエン類
がパラジウム含有触媒の存在下、ジケルマン類と容易に
反応するという新規な事実を見出し、この知見をもとに
本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明によれば、一般式（Ｉ）Ｒ１
ＣＨ＝Ｃ（Ｒ２）−Ｃ（Ｒ３）＝ＣＨＲ４ （式中、Ｒ
１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及びＲ４ は水素原子、アルキル
基を表わし、互いに同じであっても異っていてもよく、
互いに結合して環を形成していてもよい。）で表わされ
るジエン類を、一般式（ＩＩ） Ａ１ Ａ２ Ａ３ ＧｅＧｅＡ４ Ａ５ Ａ６ （式中
、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、Ａ５ 、及びＡ６
はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、Ｎ，Ｎ−ジア
ルキルアミノ基、フッ素、塩素または臭素を表わし、互
いに同じであっても異っていてもよい。）で表わされる
ジゲルマン類とパラジウム含有触媒の存在下で反応させ
ることを特徴とする、一般式（ＩＩＩ） Ａ１Ａ２Ａ３Ｇｅ（Ｒ１）ＣＨ−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３
）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＡ４Ａ５Ａ６ （Ｒ１ 、Ｒ２
、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、
Ａ５ 及びＡ６ は式（Ｉ）及び式（ＩＩ） と同じ意
味をもつ。）で表わされる１，４−ビスゲルミル−２−
ブテン類の製造方法、及び一般式（ＩＶ） ＸｍＲ５ｎＲ６３−ｍ−ｎＧｅ（Ｒ１）
ＣＨ−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＲ５
ｎＲ６３−ｍ−ｎＸｍ（式中Ｘはハロゲンまたはアルコ
キシ基を表わし、Ｒ５ 及びＲ６ はアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表わし、互
いに同じであっても異っていてもよく、ｍは１または２
、ｎは１または２であり、Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及び
Ｒ４ は水素原子、アルキル基を表わし、互いに同じで
あっても異っていてもよく、互いに結合して環を形成し
ていてもよい。）で表わされる１，４−ビス（ゲルミル
）−２−ブテン類が提供される。
ＣＨ＝Ｃ（Ｒ２）−Ｃ（Ｒ３）＝ＣＨＲ４ （式中、Ｒ
１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及びＲ４ は水素原子、アルキル
基を表わし、互いに同じであっても異っていてもよく、
互いに結合して環を形成していてもよい。）で表わされ
るジエン類を、一般式（ＩＩ） Ａ１ Ａ２ Ａ３ ＧｅＧｅＡ４ Ａ５ Ａ６ （式中
、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、Ａ５ 、及びＡ６
はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、Ｎ，Ｎ−ジア
ルキルアミノ基、フッ素、塩素または臭素を表わし、互
いに同じであっても異っていてもよい。）で表わされる
ジゲルマン類とパラジウム含有触媒の存在下で反応させ
ることを特徴とする、一般式（ＩＩＩ） Ａ１Ａ２Ａ３Ｇｅ（Ｒ１）ＣＨ−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３
）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＡ４Ａ５Ａ６ （Ｒ１ 、Ｒ２
、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、
Ａ５ 及びＡ６ は式（Ｉ）及び式（ＩＩ） と同じ意
味をもつ。）で表わされる１，４−ビスゲルミル−２−
ブテン類の製造方法、及び一般式（ＩＶ） ＸｍＲ５ｎＲ６３−ｍ−ｎＧｅ（Ｒ１）
ＣＨ−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＲ５
ｎＲ６３−ｍ−ｎＸｍ（式中Ｘはハロゲンまたはアルコ
キシ基を表わし、Ｒ５ 及びＲ６ はアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表わし、互
いに同じであっても異っていてもよく、ｍは１または２
、ｎは１または２であり、Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及び
Ｒ４ は水素原子、アルキル基を表わし、互いに同じで
あっても異っていてもよく、互いに結合して環を形成し
ていてもよい。）で表わされる１，４−ビス（ゲルミル
）−２−ブテン類が提供される。
【０００７】本発明の方法で用いられる一般式（Ｉ）で
表わされるジエン類としては、その置換基が水素または
、アルキル基である種々のものが用いられるが、これを
例示すれば、ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチ
ルブタジエン、１，３−シクロヘキサジエン等があげら
れる。
表わされるジエン類としては、その置換基が水素または
、アルキル基である種々のものが用いられるが、これを
例示すれば、ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチ
ルブタジエン、１，３−シクロヘキサジエン等があげら
れる。
【０００８】本発明の方法で用いられる一般式（ＩＩ）
で表わされるジゲルマン類としては、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、アシロキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、フ
ッ素、塩素または臭素を置換基とするものが用いられる
が、これらジゲルマン類を例示すれば、ヘキサメチルジ
ゲルマン、ヘキサエチルジゲルマン、フェニルペンタメ
チルジゲルマン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２
−テトラメチルジゲルマン、１，２−ビス（ジメチルア
ミノ）−１，１，２，２−テトラメチルジゲルマン、１
，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラメチルジゲル
マン、１，２−ジフルオロ−１，１，２，２−テトラフ
ェニルジゲルマン、ヘキサフルオロジゲルマン等をあげ
ることができる。
で表わされるジゲルマン類としては、アルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
シ基、アシロキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、フ
ッ素、塩素または臭素を置換基とするものが用いられる
が、これらジゲルマン類を例示すれば、ヘキサメチルジ
ゲルマン、ヘキサエチルジゲルマン、フェニルペンタメ
チルジゲルマン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２
−テトラメチルジゲルマン、１，２−ビス（ジメチルア
ミノ）−１，１，２，２−テトラメチルジゲルマン、１
，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラメチルジゲル
マン、１，２−ジフルオロ−１，１，２，２−テトラフ
ェニルジゲルマン、ヘキサフルオロジゲルマン等をあげ
ることができる。
【０００９】本発明の方法におけるジエン類のジゲルマ
ン化合物に対する比率には、特に制限はないが、収率等
を考慮すれば、１００倍から１０分の１程度の範囲が好
ましい。また、ガス状のジエン類を用いる場合には、常
圧以上または以下の圧力で用いることができる。
ン化合物に対する比率には、特に制限はないが、収率等
を考慮すれば、１００倍から１０分の１程度の範囲が好
ましい。また、ガス状のジエン類を用いる場合には、常
圧以上または以下の圧力で用いることができる。
【００１０】本発明においては、触媒としてパラジウム
含有触媒を用いる。パラジウム含有触媒としては、従来
公知の各種のものを使用することができ、活性炭等への
担持触媒、塩、配位子を有する錯体等を用いることがで
きる。それらの具体例を示すと例えば、パラジウムカー
ボン、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、ジクロロビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス
（トリエチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（
トリメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（ト
リメチルホスファイト）パラジウム、テトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリエ
チルホスフィン）パラジウム、トリス（トリフェニルホ
スファイト）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリ
ル）パラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）バラ
ジウム等があげられる。これら塩、錯体などは単独で用
いることもできるが、バラジウム原子に対して１倍から
１０倍程度のトリフェニルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリメチルホス
フィン等のホスフィン類、トリメチルホスファイト、ト
リフェニルホスファイト、１−ホスファ−２，６，７−
トリオキサ−４−エチルビシクロ〔２，２，２〕オクタ
ン等のホスファイト類等の配位子と共存させて用いても
よい。これらパラジウム含有触媒の使用量はいわゆる触
媒量で良く、一般には、ジゲルマン類に対するモル比で
、０．００００１〜０．５の範囲で使用される。
含有触媒を用いる。パラジウム含有触媒としては、従来
公知の各種のものを使用することができ、活性炭等への
担持触媒、塩、配位子を有する錯体等を用いることがで
きる。それらの具体例を示すと例えば、パラジウムカー
ボン、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、ジクロロビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス
（トリエチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（
トリメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（ト
リメチルホスファイト）パラジウム、テトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリエ
チルホスフィン）パラジウム、トリス（トリフェニルホ
スファイト）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリ
ル）パラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）バラ
ジウム等があげられる。これら塩、錯体などは単独で用
いることもできるが、バラジウム原子に対して１倍から
１０倍程度のトリフェニルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリメチルホス
フィン等のホスフィン類、トリメチルホスファイト、ト
リフェニルホスファイト、１−ホスファ−２，６，７−
トリオキサ−４−エチルビシクロ〔２，２，２〕オクタ
ン等のホスファイト類等の配位子と共存させて用いても
よい。これらパラジウム含有触媒の使用量はいわゆる触
媒量で良く、一般には、ジゲルマン類に対するモル比で
、０．００００１〜０．５の範囲で使用される。
【００１１】本発明の方法は０℃以上、好ましくは室温
〜２５０℃の反応温度で実施される。また、本発明の反
応は、溶媒の存在下又は不存在下で実施することができ
るが、溶媒を用いる場合は、通常用いられる溶媒、例え
ば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の各種の有機溶媒
を用いることができる。反応混合物からの目的生成物の
分離精製は、一般的には、蒸留、クロマトグラフィー等
の有機化学的に通常用いられる手段により、容易に達せ
られる。
〜２５０℃の反応温度で実施される。また、本発明の反
応は、溶媒の存在下又は不存在下で実施することができ
るが、溶媒を用いる場合は、通常用いられる溶媒、例え
ば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の各種の有機溶媒
を用いることができる。反応混合物からの目的生成物の
分離精製は、一般的には、蒸留、クロマトグラフィー等
の有機化学的に通常用いられる手段により、容易に達せ
られる。
【００１２】本発明の方法によって得られる一般式（Ｉ
ＩＩ）で表わされる化合物としては、炭素上の置換基と
して水素または、アルキル基を有するものが得られるが
、これらを例示すれば、１，４−ビス（トリメチルゲル
ミル）−２−ブテン、１，４−ビス（クロロジメチルゲ
ルミル）−２−メチル−２−ブテン、１，４−ビス（ト
リメトキシゲルミル）−２−シクロヘキセン等があげら
れる。
ＩＩ）で表わされる化合物としては、炭素上の置換基と
して水素または、アルキル基を有するものが得られるが
、これらを例示すれば、１，４−ビス（トリメチルゲル
ミル）−２−ブテン、１，４−ビス（クロロジメチルゲ
ルミル）−２−メチル−２−ブテン、１，４−ビス（ト
リメトキシゲルミル）−２−シクロヘキセン等があげら
れる。
【００１３】本発明の方法によれば、次の一般式で表わ
される新規な１，４−ビス（ゲルミル）−２−ブテン類
を得ることができる。 ＸｍＲ５ｎＲ６３−ｍ−ｎＧｅＣ（Ｒ１）ＣＨ−Ｃ（Ｒ
２）＝Ｃ（Ｒ３）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＲ５ｎＲ６３−ｍ
−ｎＸｍ …（ＩＶ）前記式中Ｘはハロゲンまたはア
ルコキシ基を表わし、Ｒ６ 及びＲ５ はアルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表わし
、互いに同じであっても異っていてもよく、ｍは１また
は２、ｎは１または２であり、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３
及びＲ４ は水素原子、アルキル基を表わし、互いに同
じであっても異っていてもよく、互いに結合して環を形
成していてもよい。
される新規な１，４−ビス（ゲルミル）−２−ブテン類
を得ることができる。 ＸｍＲ５ｎＲ６３−ｍ−ｎＧｅＣ（Ｒ１）ＣＨ−Ｃ（Ｒ
２）＝Ｃ（Ｒ３）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＲ５ｎＲ６３−ｍ
−ｎＸｍ …（ＩＶ）前記式中Ｘはハロゲンまたはア
ルコキシ基を表わし、Ｒ６ 及びＲ５ はアルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表わし
、互いに同じであっても異っていてもよく、ｍは１また
は２、ｎは１または２であり、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３
及びＲ４ は水素原子、アルキル基を表わし、互いに同
じであっても異っていてもよく、互いに結合して環を形
成していてもよい。
【００１４】
【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ オートクレーブに１，２−ジクロロ−１，１，２，２−
テトラメチルジゲルマン１ｍｍｏｌ、テトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム０．０５ｍｍｏｌ、ト
ルエン２ｍｌ、イソプレン５ｍｍｏｌを入れ、１２０℃
油浴中で３時間加熱した結果、１，４−ビス（クロロジ
メルゲルミル）−２−メチル−２−ブテン０．１９ｍｍ
ｏｌが生成した。このものは、文献未載の新規化合物で
あり、その物性値は以下の通りである。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ オートクレーブに１，２−ジクロロ−１，１，２，２−
テトラメチルジゲルマン１ｍｍｏｌ、テトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム０．０５ｍｍｏｌ、ト
ルエン２ｍｌ、イソプレン５ｍｍｏｌを入れ、１２０℃
油浴中で３時間加熱した結果、１，４−ビス（クロロジ
メルゲルミル）−２−メチル−２−ブテン０．１９ｍｍ
ｏｌが生成した。このものは、文献未載の新規化合物で
あり、その物性値は以下の通りである。
【００１５】無色液体、ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ ０．
６９（ｓ，６Ｈ，Ｇｅ（ＣＨ３）２）、０．７３（ｓ，
６Ｈ，Ｇｅ（ＣＨ３）２） 、１．７７（ｓ，３Ｈ，Ｃ
ＣＨ３） 、２．０１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ，Ｇ
ｅＣＨ２ＣＨ＝） 、２．１４（ｓ，２Ｈ，ＧｅＣＨ２
Ｃ（Ｍｅ）＝）、ＭＳ（ｍ／ｚ） 、３４４（３，Ｍ
＋ ） 、３０９（２，Ｍ−Ｃｌ） 、２０７（１９，
Ｍ−ＣｌＭｅ２Ｇｅ） 、１７２（１４，Ｍ−ＣｌＭｅ
２Ｇｅ−Ｃｌ）、１５７（２０，Ｍ−ＣｌＭｅ２Ｇｅ−
Ｃｌ−Ｍｅ） 、１３９（１００，ＣｌＭｅ２Ｇｅ）、
１０４（１４，Ｍｅ２Ｇｅ） 、８９（１３，ＭｅＧｅ
） 、高分解能ＭＳ ３４５．９３４５（Ｃ９Ｈ２０Ｇ
ｅ２Ｃｌ２ としての計算値３４５．９３６５） 。
６９（ｓ，６Ｈ，Ｇｅ（ＣＨ３）２）、０．７３（ｓ，
６Ｈ，Ｇｅ（ＣＨ３）２） 、１．７７（ｓ，３Ｈ，Ｃ
ＣＨ３） 、２．０１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ，Ｇ
ｅＣＨ２ＣＨ＝） 、２．１４（ｓ，２Ｈ，ＧｅＣＨ２
Ｃ（Ｍｅ）＝）、ＭＳ（ｍ／ｚ） 、３４４（３，Ｍ
＋ ） 、３０９（２，Ｍ−Ｃｌ） 、２０７（１９，
Ｍ−ＣｌＭｅ２Ｇｅ） 、１７２（１４，Ｍ−ＣｌＭｅ
２Ｇｅ−Ｃｌ）、１５７（２０，Ｍ−ＣｌＭｅ２Ｇｅ−
Ｃｌ−Ｍｅ） 、１３９（１００，ＣｌＭｅ２Ｇｅ）、
１０４（１４，Ｍｅ２Ｇｅ） 、８９（１３，ＭｅＧｅ
） 、高分解能ＭＳ ３４５．９３４５（Ｃ９Ｈ２０Ｇ
ｅ２Ｃｌ２ としての計算値３４５．９３６５） 。
【００１６】実施例２〜４
表１に触媒を代えて実施例１を繰返した結果を示す。
【００１７】実施例５
テスラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．
２０ｍｍｏｌを用い、反応温度を１００℃、時間を２０
時間として、実施例１と同様に反応を行った結果、１，
４−ビス（クロロジメチルゲルミル）−２−メチル−２
−ブテン０．４ｍｍｏｌを得た。
２０ｍｍｏｌを用い、反応温度を１００℃、時間を２０
時間として、実施例１と同様に反応を行った結果、１，
４−ビス（クロロジメチルゲルミル）−２−メチル−２
−ブテン０．４ｍｍｏｌを得た。
【００１８】実施例６
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの代
わりにビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム０．
０５ｍｍｏｌ及びトリメチルホスフィン０．１０ｍｍｏ
ｌを添加したほかは、実施例１と同様に反応を行った結
果、１，４−ビス（クロロジメチルゲルミル）−２−メ
チル−２−ブテン０．４４ｍｍｏｌを得た。
わりにビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム０．
０５ｍｍｏｌ及びトリメチルホスフィン０．１０ｍｍｏ
ｌを添加したほかは、実施例１と同様に反応を行った結
果、１，４−ビス（クロロジメチルゲルミル）−２−メ
チル−２−ブテン０．４４ｍｍｏｌを得た。
【００１９】実施例７
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの代
わりにビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム０．
０５ｍｍｏｌ及び１−ホスファ−２，６，７−トリオキ
サ−４−エチルビシクロ〔２，２，２〕オクタン０．１
０ｍｍｏｌを添加したほかは、実施例１と同様に反応を
行った結果、１，４−ビス（クロロジメチルゲルミル）
−２−メチル−２−ブテン０．７７ｍｍｏｌを得た。
わりにビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム０．
０５ｍｍｏｌ及び１−ホスファ−２，６，７−トリオキ
サ−４−エチルビシクロ〔２，２，２〕オクタン０．１
０ｍｍｏｌを添加したほかは、実施例１と同様に反応を
行った結果、１，４−ビス（クロロジメチルゲルミル）
−２−メチル−２−ブテン０．７７ｍｍｏｌを得た。
【００２０】
【発明の効果】本発明の方法によれば、入手の容易なジ
エン類から中性条件で種々の１，４−ビス（ゲルミル）
−２−ブテン類を一段で製造することができ、しかもそ
の分離精製も容易である。また本発明によってゲルマニ
ウム含有ポリマーの製造用原料として好適なビス（ゲル
ミル）化合物が得られる。
エン類から中性条件で種々の１，４−ビス（ゲルミル）
−２−ブテン類を一段で製造することができ、しかもそ
の分離精製も容易である。また本発明によってゲルマニ
ウム含有ポリマーの製造用原料として好適なビス（ゲル
ミル）化合物が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） Ｒ１ＣＨ＝Ｃ（Ｒ２）−Ｃ（Ｒ３）＝ＣＨＲ４（式中、
Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及びＲ４ は水素原子、アルキ
ル基を表わし、互いに同じであっても異っていてもよく
、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表わさ
れるジエン類を、一般式（ＩＩ） Ａ１ Ａ２ Ａ３ ＧｅＧｅＡ４ Ａ５ Ａ６ （式中
、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、Ａ５ 及びＡ６
はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラル
キル基、アルコキシ基、アシロキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアル
キルアミノ基、フツ素、塩素または臭素を表わし、互い
に同じであっても異っていてもよい。）で表わされるジ
ゲルマン類と、パラジウム含有触媒の存在下で反応させ
ることを特徴とする、一般式（ＩＩＩ） Ａ１Ａ２Ａ３Ｇｅ（Ｒ１）ＣＨ−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３
）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＡ４Ａ５Ａ６（Ｒ１ 、Ｒ２ 、
Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ａ１ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４ 、Ａ
５ 及びＡ６ は式（Ｉ）及び式（ＩＩ） と同じ意味
をもつ。）で表わされる１，４−ビスゲルミル−２−ブ
デン類の製造方法。 - 【請求項２】 一般式（ＩＶ） ＸｍＲ５ｎＲ６３−ｍ−ｎＧｅ（Ｒ１）ＣＨ
−Ｃ（Ｒ２）＝Ｃ（Ｒ３）−ＣＨ（Ｒ４）ＧｅＲ５ｎＲ
６３−ｍ−ｎＸｍ（式中Ｘはハロゲンまたはアルコキシ
基を表わし、Ｒ５ 及びＲ６ はアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基、アラルキル基を表わし、互いに
同じであっても異っていてもよく、ｍは１または２、ｎ
は１または２であり、Ｒ１ 、Ｒ２ 、Ｒ３ 及びＲ４
は水素原子、アルキル基を表わし、互いに同じであっ
ても異っていてもよく、互いに結合して環を形成してい
てもよい。）で表わされる１，４−ビス（ゲルミル）−
２−ブテン類。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3062566A JPH0764862B2 (ja) | 1990-03-07 | 1991-03-04 | 有機ビスゲルミルブテン類の製造方法及び新規な有機ビスゲルミルブテン類 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-55782 | 1990-03-07 | ||
| JP5578290 | 1990-03-07 | ||
| JP3062566A JPH0764862B2 (ja) | 1990-03-07 | 1991-03-04 | 有機ビスゲルミルブテン類の製造方法及び新規な有機ビスゲルミルブテン類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364193A true JPH04364193A (ja) | 1992-12-16 |
| JPH0764862B2 JPH0764862B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=26396687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3062566A Expired - Lifetime JPH0764862B2 (ja) | 1990-03-07 | 1991-03-04 | 有機ビスゲルミルブテン類の製造方法及び新規な有機ビスゲルミルブテン類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764862B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122387A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Toshiba Silicone Co Ltd | Preparation of bissilylalkene compound |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3062566A patent/JPH0764862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122387A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Toshiba Silicone Co Ltd | Preparation of bissilylalkene compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0764862B2 (ja) | 1995-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |