JPH0438271Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0438271Y2 JPH0438271Y2 JP1984021805U JP2180584U JPH0438271Y2 JP H0438271 Y2 JPH0438271 Y2 JP H0438271Y2 JP 1984021805 U JP1984021805 U JP 1984021805U JP 2180584 U JP2180584 U JP 2180584U JP H0438271 Y2 JPH0438271 Y2 JP H0438271Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- window
- rotor
- closed
- stepping motor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、焦電形赤外線センサを使用した温
度等の検知装置に係る。
度等の検知装置に係る。
通常焦電形赤外線センサ（以下単に赤外線セン
サという）は、物体等の温度を連続して測定する
場合には該赤外線センサに入射する赤外線を遮続
することが必要である。このため第１図に示すよ
うに、被検知物体１からの赤外線を、該赤外線の
通過する開口をそなえモータ２により駆動される
円板状のシヤツタ３により、遮断、通過を繰返し
て赤外線センサ４に入射させ、該赤外線センサ４
よりの出力を、室温センサ５よりの出力によりミ
キサ６において補正し、物体１の温度を測定する
ことが行われるが、この際のモータ２の発熱によ
る影響を軽減し、シヤツタ開口部の定位を容易に
するため、第２図イ〜ニに略示される単相ステツ
ピングモータと第３図に示される発振回路Ａとを
組合わせてシヤツタ３を駆動する方法（実願昭57
−35938号参照）が提案されている。
サという）は、物体等の温度を連続して測定する
場合には該赤外線センサに入射する赤外線を遮続
することが必要である。このため第１図に示すよ
うに、被検知物体１からの赤外線を、該赤外線の
通過する開口をそなえモータ２により駆動される
円板状のシヤツタ３により、遮断、通過を繰返し
て赤外線センサ４に入射させ、該赤外線センサ４
よりの出力を、室温センサ５よりの出力によりミ
キサ６において補正し、物体１の温度を測定する
ことが行われるが、この際のモータ２の発熱によ
る影響を軽減し、シヤツタ開口部の定位を容易に
するため、第２図イ〜ニに略示される単相ステツ
ピングモータと第３図に示される発振回路Ａとを
組合わせてシヤツタ３を駆動する方法（実願昭57
−35938号参照）が提案されている。
この方法における単相ステツピングモータは、
第２図イ〜ハにその原理を示されるように、両端
に対向する一対のほゞ半円状の磁極７，７′を形
成したステータ８と、該ステータ８を励磁するコ
イル９と、前記一対の磁極７，７′間に回転自在
に軸支された円筒状の中心軸に対称な一対の磁極
をもつ磁石よりなるロータ１０をそなえている
が、ここでステータ８の磁極７，７′とロータ１
０の間の空隙は図示のように不均一に形成されて
おり、このためコイル９に交番電流を流すとロー
タ１０は180°づつ一方向に回転する。即ち、交番
電流は第３図、及び第４図に例示されるように、
発振部Ａにより発生された方形波パルスCKが、
JKフリツプフロツプ回路Ｂを経て同回路の出力
端子１，２より第４図に示すＱ、波形となつて
パルス波発生部Ｃに送られ、その出力M1，M2に
は交互に一定間隔で第４図に示す矩形波パルス
M1，M2が発生し、端子３，４の間に接続された
単相ステツピングモータＭの励磁コイルに与えら
れる。第２図ニに示されるように窓３ａを開口し
た円板状のシヤツタ３がロータ１０に軸止されて
おり、ロータ１０の回転に伴い入射する赤外線の
通過、遮断を繰返す。しかしながら、この従来の
方法においては、シヤツタ３を駆動する電源が開
成されたとき、シヤツタ３は無作意的に停止する
ため、窓３ａが赤外線センサの前面に位置して停
止する場合、が起り得る。シヤツタ３がこの状態
で長時間放置されると、シヤツタの窓３ａを通し
て大気中のごみ、ほこり或は油滴等で赤外線セン
サの前面に設置されているシリコン、結晶ガラス
等よりなる入射窓がよごれ、赤外線の透過が悪く
なり、これが誤差や故障を生じる原因となる。
第２図イ〜ハにその原理を示されるように、両端
に対向する一対のほゞ半円状の磁極７，７′を形
成したステータ８と、該ステータ８を励磁するコ
イル９と、前記一対の磁極７，７′間に回転自在
に軸支された円筒状の中心軸に対称な一対の磁極
をもつ磁石よりなるロータ１０をそなえている
が、ここでステータ８の磁極７，７′とロータ１
０の間の空隙は図示のように不均一に形成されて
おり、このためコイル９に交番電流を流すとロー
タ１０は180°づつ一方向に回転する。即ち、交番
電流は第３図、及び第４図に例示されるように、
発振部Ａにより発生された方形波パルスCKが、
JKフリツプフロツプ回路Ｂを経て同回路の出力
端子１，２より第４図に示すＱ、波形となつて
パルス波発生部Ｃに送られ、その出力M1，M2に
は交互に一定間隔で第４図に示す矩形波パルス
M1，M2が発生し、端子３，４の間に接続された
単相ステツピングモータＭの励磁コイルに与えら
れる。第２図ニに示されるように窓３ａを開口し
た円板状のシヤツタ３がロータ１０に軸止されて
おり、ロータ１０の回転に伴い入射する赤外線の
通過、遮断を繰返す。しかしながら、この従来の
方法においては、シヤツタ３を駆動する電源が開
成されたとき、シヤツタ３は無作意的に停止する
ため、窓３ａが赤外線センサの前面に位置して停
止する場合、が起り得る。シヤツタ３がこの状態
で長時間放置されると、シヤツタの窓３ａを通し
て大気中のごみ、ほこり或は油滴等で赤外線セン
サの前面に設置されているシリコン、結晶ガラス
等よりなる入射窓がよごれ、赤外線の透過が悪く
なり、これが誤差や故障を生じる原因となる。
本考案はこのような従来の検知装置に存する欠
点を改良することを目的とするもので、その実施
例を以下図面にもとづき説明する。
点を改良することを目的とするもので、その実施
例を以下図面にもとづき説明する。
第５図は本考案装置破断側面図、第６図は同分
解斜視図、第７図は本考案に係る駆動回路、第８
図はその電圧波形図である。
解斜視図、第７図は本考案に係る駆動回路、第８
図はその電圧波形図である。
本考案においては第７図に例示されるように中
央処理装置CPU、例えばNECμPD780（商品名）
のデータ端子は入力制御装置プログラマブルＩ／
Ｏデバイス、例えばNECμPD8255（商品名）のデ
ータ端子に接続され、プログラマブルＩ／Ｏデバ
イスの出力端子は抵抗R1を介してＰ形トランジ
スタTR1のコレクタに接続されると共に抵抗R2，
R3のそれぞれの一端に接続され、抵抗R2の他端
はＰ形トランジスタTR2のベースに、又抵抗R3
の他端はＮ形トランジスタTR3のベースにそれぞ
れ接続され、Ｐ形トランジスタTR2及びＮ形トラ
ンジスタTR3のコレクタは共にコンデンサC1の
一端に接続され、コンデンサC1の他端ステツピ
ングモータＭを介してアースに接続され、電源Ｅ
の＋側はスイツチSWを介してＰ形トランジスタ
TR1，TR2のエミツタに接続されると共にコンデ
ンサC2，C3を介してアースに接続され、更に電
源電圧の低下を検出する電圧検出素子VD、例え
ばセイコウ電子Ｓ−8054（商品名）の入力端子に
接続され、該電圧検出素子の出力端子はＰ形トラ
ンジスタTR1のベースに抵抗R4を介して接続さ
れ、Ｎ形トランジスタTR3のエミツタ、中央処理
装置CPU、プログラマブルＩ／Ｏデバイス、電
圧検出素子VDの各グランド端子Ｇ及び電源のマ
イナス側はアースに接続されている。
央処理装置CPU、例えばNECμPD780（商品名）
のデータ端子は入力制御装置プログラマブルＩ／
Ｏデバイス、例えばNECμPD8255（商品名）のデ
ータ端子に接続され、プログラマブルＩ／Ｏデバ
イスの出力端子は抵抗R1を介してＰ形トランジ
スタTR1のコレクタに接続されると共に抵抗R2，
R3のそれぞれの一端に接続され、抵抗R2の他端
はＰ形トランジスタTR2のベースに、又抵抗R3
の他端はＮ形トランジスタTR3のベースにそれぞ
れ接続され、Ｐ形トランジスタTR2及びＮ形トラ
ンジスタTR3のコレクタは共にコンデンサC1の
一端に接続され、コンデンサC1の他端ステツピ
ングモータＭを介してアースに接続され、電源Ｅ
の＋側はスイツチSWを介してＰ形トランジスタ
TR1，TR2のエミツタに接続されると共にコンデ
ンサC2，C3を介してアースに接続され、更に電
源電圧の低下を検出する電圧検出素子VD、例え
ばセイコウ電子Ｓ−8054（商品名）の入力端子に
接続され、該電圧検出素子の出力端子はＰ形トラ
ンジスタTR1のベースに抵抗R4を介して接続さ
れ、Ｎ形トランジスタTR3のエミツタ、中央処理
装置CPU、プログラマブルＩ／Ｏデバイス、電
圧検出素子VDの各グランド端子Ｇ及び電源のマ
イナス側はアースに接続されている。
上記のように接続されているため電源スイツチ
が閉じられている場合は、第８図に示すように電
圧検出素子VDよりの出力電圧VpはＨレベルであ
るためＰ形トランジスタTR1はOFFとなつてい
るので、中央処理装置CPUからプログラマブル
Ｉ／Ｏデバイス、抵抗R1を経て抵抗R2，R3に加
えられる信号出力電圧V1がＬレベルのときはＰ
形トランジスタTR2はONとなりコンデンサC2が
充電されるため、単相ステツピングモータＭには
正方向に鋸歯状波電圧IMの電流が流れて単相ス
テツピングモータＭのロータ１０は半回転する。
シヤツタ３は、この結果が焦電形赤外線センサ４
の窓４ａを開の位置をとるようにロータ１０の軸
１０ａに固定されている。次に信号出力電圧V1
がＨレベルとなると、電圧検出素子VDよりの出
力電圧VpはＨレベルのまゝであるのでＰ形トラ
ンジスタTR1は引続きOFFの状態であり、一方
Ｐ形トランジスタTR2はOFFとなり、Ｎ形トラ
ンジスタTR3はONとなるためコンデンサC1は２
極ステツピングモータＭを通じて放電するため前
記と逆方向の電流が流れ、又ロータ１０の磁極は
半回転したことにより180°位置が移動しているの
でロータ１０は前記と同方向に180°回転し、この
結果シヤツタ３は焦電形赤外線センサ４に対して
閉の位置となる。電源スイツチSWが閉の状態で
は上記の動作を繰返すが、次に電源スイツチSW
が開放されると、コンデンサC3は放電を開始し、
その端子電圧が一定電圧以下となると電圧検出素
子VDよりの出力電圧VpはＬレベルとなり、従つ
てコンデンサC2によりＰ形トランジスタTR1は
ONになり、Ｎ形トランジスタTR3はONとなる。
この結果コンデンサC1が充電された状態、即ち
シヤツタ３が開の状態で電源スイツチSWが開放
された場合は、コンデンサC2はＮ形トランジス
タTR3を通じて放電し、ロータ１０は180°回転し
て、シヤツタ３は閉の状態となる。又、信号出力
電圧V1がＨレベルで、且つシヤツタが閉の状態
で電源スイツチSWが開放された場合は、シヤツ
タ３はそのまゝ閉の状態を保つ。
が閉じられている場合は、第８図に示すように電
圧検出素子VDよりの出力電圧VpはＨレベルであ
るためＰ形トランジスタTR1はOFFとなつてい
るので、中央処理装置CPUからプログラマブル
Ｉ／Ｏデバイス、抵抗R1を経て抵抗R2，R3に加
えられる信号出力電圧V1がＬレベルのときはＰ
形トランジスタTR2はONとなりコンデンサC2が
充電されるため、単相ステツピングモータＭには
正方向に鋸歯状波電圧IMの電流が流れて単相ス
テツピングモータＭのロータ１０は半回転する。
シヤツタ３は、この結果が焦電形赤外線センサ４
の窓４ａを開の位置をとるようにロータ１０の軸
１０ａに固定されている。次に信号出力電圧V1
がＨレベルとなると、電圧検出素子VDよりの出
力電圧VpはＨレベルのまゝであるのでＰ形トラ
ンジスタTR1は引続きOFFの状態であり、一方
Ｐ形トランジスタTR2はOFFとなり、Ｎ形トラ
ンジスタTR3はONとなるためコンデンサC1は２
極ステツピングモータＭを通じて放電するため前
記と逆方向の電流が流れ、又ロータ１０の磁極は
半回転したことにより180°位置が移動しているの
でロータ１０は前記と同方向に180°回転し、この
結果シヤツタ３は焦電形赤外線センサ４に対して
閉の位置となる。電源スイツチSWが閉の状態で
は上記の動作を繰返すが、次に電源スイツチSW
が開放されると、コンデンサC3は放電を開始し、
その端子電圧が一定電圧以下となると電圧検出素
子VDよりの出力電圧VpはＬレベルとなり、従つ
てコンデンサC2によりＰ形トランジスタTR1は
ONになり、Ｎ形トランジスタTR3はONとなる。
この結果コンデンサC1が充電された状態、即ち
シヤツタ３が開の状態で電源スイツチSWが開放
された場合は、コンデンサC2はＮ形トランジス
タTR3を通じて放電し、ロータ１０は180°回転し
て、シヤツタ３は閉の状態となる。又、信号出力
電圧V1がＨレベルで、且つシヤツタが閉の状態
で電源スイツチSWが開放された場合は、シヤツ
タ３はそのまゝ閉の状態を保つ。
上記のように本考案によれば、装置の電源を切
つた場合シヤツタ３の窓３ａが赤外線センサ４の
窓４ａの前で停止することがなく、必ずシヤツタ
３は閉じて赤外線センサ４の窓を外部大気のご
み、ほこり、油滴等の有害物より保護することが
できる。
つた場合シヤツタ３の窓３ａが赤外線センサ４の
窓４ａの前で停止することがなく、必ずシヤツタ
３は閉じて赤外線センサ４の窓を外部大気のご
み、ほこり、油滴等の有害物より保護することが
できる。
第１図は従来の焦電形赤外線感知装置を示すブ
ロツク図、第２図イは単相ステツピングモータの
斜視図、同図ロ及びハはその原理図、同図ニはシ
ヤツタ３を取付けた単相ステツピングモータのそ
の一部分解斜視図、第３図は従来のステツピング
モータ駆動回路図、第４図はその駆動電圧波形
図、第５図は本考案装置の破断側面図、第６図は
同分解斜視図、第７図は本考案に係る駆動回路
図、第８図はその電圧波形図である。 １……被検知物体、２……モータ、３……シヤ
ツタ、３ａ……窓、４……焦電形赤外線センサ、
７，７′……磁極、８……ステータ、９……励磁
コイル、１０……ロータ。
ロツク図、第２図イは単相ステツピングモータの
斜視図、同図ロ及びハはその原理図、同図ニはシ
ヤツタ３を取付けた単相ステツピングモータのそ
の一部分解斜視図、第３図は従来のステツピング
モータ駆動回路図、第４図はその駆動電圧波形
図、第５図は本考案装置の破断側面図、第６図は
同分解斜視図、第７図は本考案に係る駆動回路
図、第８図はその電圧波形図である。 １……被検知物体、２……モータ、３……シヤ
ツタ、３ａ……窓、４……焦電形赤外線センサ、
７，７′……磁極、８……ステータ、９……励磁
コイル、１０……ロータ。
Claims (1)
- 単相ステツピングモータのロータに、赤外線通
過用の窓を設けたシヤツタを取つけ、ロータの間
歇回転により、入射赤外線の通過、遮断を繰返す
焦電形赤外線感知装置において、マイコンよりの
デジタル信号によるコンデンサの充放電々流によ
り上記単相ステツピングモータを駆動し、電圧検
出素子により電源の閉成、開成を検出し、電源開
成時にはコンデンサを放電させてシヤツタの窓を
180°回転せしめて焦電形赤外線センサの窓に対し
て閉の位置に停止させる焦電形赤外線感知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984021805U JPS60135636U (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 焦電形赤外線感知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984021805U JPS60135636U (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 焦電形赤外線感知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135636U JPS60135636U (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0438271Y2 true JPH0438271Y2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=30513533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984021805U Granted JPS60135636U (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 焦電形赤外線感知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135636U (ja) |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP1984021805U patent/JPS60135636U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60135636U (ja) | 1985-09-09 |
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