JPH0439361A - 新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料 - Google Patents
新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、下記一般式(1)で示される新規なフタロシ
アニン化合物およびその製造方法に関するものである。
アニン化合物およびその製造方法に関するものである。
R+ R
\ /
S
S
/ \
RR
・ ・ ・ ・ (1)
〔式中、R3は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコキ
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキン基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル界、−・クロアルキル基、若しくはヘ
ンシル基を表わしくここでR,は各々同一でも異ってい
てもよい)、R2の少なくとも1ケは直鎖若しくは分岐
アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルコキシア
ルキルオキシ基、アシルオキシアルキルオキシ基、ヒド
ロキシアルキルオキシ基、アミノアルキルオキシ基、シ
アノアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキル
オキシ基、ハロゲン化アルキルオキシ基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級
アミノ基、スルホン酸基、若しくはハロゲンで置換され
ていてもよいフェニルオキシ基、シクロアルキルオキシ
基、若しくはベンジルオキシ基を表わしくここでR2は
各々同一でも異っていてもよい)、残部のR2はFを表
わし、MはZn、 Cu、 Pb、 VO,Tie、T
iX2.5nXz+ AI!、X、またはInX (
ここで、Xはハロゲン原子を示す)を表わす〕。
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキン基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル界、−・クロアルキル基、若しくはヘ
ンシル基を表わしくここでR,は各々同一でも異ってい
てもよい)、R2の少なくとも1ケは直鎖若しくは分岐
アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルコキシア
ルキルオキシ基、アシルオキシアルキルオキシ基、ヒド
ロキシアルキルオキシ基、アミノアルキルオキシ基、シ
アノアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキル
オキシ基、ハロゲン化アルキルオキシ基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級
アミノ基、スルホン酸基、若しくはハロゲンで置換され
ていてもよいフェニルオキシ基、シクロアルキルオキシ
基、若しくはベンジルオキシ基を表わしくここでR2は
各々同一でも異っていてもよい)、残部のR2はFを表
わし、MはZn、 Cu、 Pb、 VO,Tie、T
iX2.5nXz+ AI!、X、またはInX (
ここで、Xはハロゲン原子を示す)を表わす〕。
又、本発明は近赤外域に吸収をもつ近赤外線吸収材料に
関するものである。本発明にかかる新規なフタロシアニ
ン化合物は、700nm〜1 、50OnI11の近赤
外域に吸収を有し熔解性に優れているので、半導体レー
ザーを使う光記録媒体、液晶表示装置、光学文字読取機
等における書き込みあるいは読み取りの為の近赤外吸収
色素、感熱転写、感熱紙・感熱孔版等の光熱変換剤、近
赤外吸収フィルター眼精疲労防止剤あるいは光導電材料
等として用いる際に優れた効果を発揮するものである。
関するものである。本発明にかかる新規なフタロシアニ
ン化合物は、700nm〜1 、50OnI11の近赤
外域に吸収を有し熔解性に優れているので、半導体レー
ザーを使う光記録媒体、液晶表示装置、光学文字読取機
等における書き込みあるいは読み取りの為の近赤外吸収
色素、感熱転写、感熱紙・感熱孔版等の光熱変換剤、近
赤外吸収フィルター眼精疲労防止剤あるいは光導電材料
等として用いる際に優れた効果を発揮するものである。
〔従来の技術]
近年、コンパクトディスク、レーザーディスク、光メモ
リ−ディスク、光カード等光記録媒体、液晶表示装置、
光学文字読取機等における書込みあるいは読み取りの為
に、半導体レーザーが光源として用いられることにより
、又、光導電材料、近赤外吸収フィルター、眼精疲労防
止剤、感熱転写。
リ−ディスク、光カード等光記録媒体、液晶表示装置、
光学文字読取機等における書込みあるいは読み取りの為
に、半導体レーザーが光源として用いられることにより
、又、光導電材料、近赤外吸収フィルター、眼精疲労防
止剤、感熱転写。
感熱紙、感熱孔版等の光熱変換剤として近赤外光を吸収
する物質、いわゆる近赤外線吸収色素への開発要求が高
まっている。なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は数多く検討されている。
する物質、いわゆる近赤外線吸収色素への開発要求が高
まっている。なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は数多く検討されている。
しかしながらその大多数は、溶媒不溶性のものであり、
実用上色素を薄膜化するためには、蒸着あるいは樹脂へ
の分散といった工程が必要であった。
実用上色素を薄膜化するためには、蒸着あるいは樹脂へ
の分散といった工程が必要であった。
一方、実用上有利となる溶解性を有するフタロシアニン
化合物も最近開示されている。例えば、3.6−オクタ
アルコキシフタロシアニン(特開昭61−223056
号)があげられるが、近赤外域において吸収が不充分な
ことおよび製造工程が複雑で安価なフタロシアニンを得
ることができないという問題を有している。
化合物も最近開示されている。例えば、3.6−オクタ
アルコキシフタロシアニン(特開昭61−223056
号)があげられるが、近赤外域において吸収が不充分な
ことおよび製造工程が複雑で安価なフタロシアニンを得
ることができないという問題を有している。
また、特開昭60−209583号、同昭61−152
685号、同昭63−308073号、および同昭64
−62361号にはフタロシアニン骨格にチオエーテル
置換基等を多数置換させることにより、溶解度を向上さ
せると同時に、吸収波長を長波長化させた例が開示され
ている。その中で、特開昭60−209583号、およ
び同昭61−152685号では、フタロシアニン骨格
時ムこ3゜6−位にチオエーテル置換基を導入する合成
例が開示されている。その方法は、フタロシアニン骨格
の3,6位にクロル原子を有するフタロシアニン化合物
と有機チオール化合物をキノリン溶媒中、KO)I存在
下加熱して3,6−位にチオエーテル置換基を有するフ
タロシアニンを得ている。しかし、いずれも収率が20
〜30%程度であり製造効率に問題を有している。特開
昭60−209583号、同昭61−152685号、
および特開昭64−62361号ではフタロシアニン骨
格に8〜16ケのポリチオエーテル置換基を導入する合
成例が開示されている。
685号、同昭63−308073号、および同昭64
−62361号にはフタロシアニン骨格にチオエーテル
置換基等を多数置換させることにより、溶解度を向上さ
せると同時に、吸収波長を長波長化させた例が開示され
ている。その中で、特開昭60−209583号、およ
び同昭61−152685号では、フタロシアニン骨格
時ムこ3゜6−位にチオエーテル置換基を導入する合成
例が開示されている。その方法は、フタロシアニン骨格
の3,6位にクロル原子を有するフタロシアニン化合物
と有機チオール化合物をキノリン溶媒中、KO)I存在
下加熱して3,6−位にチオエーテル置換基を有するフ
タロシアニンを得ている。しかし、いずれも収率が20
〜30%程度であり製造効率に問題を有している。特開
昭60−209583号、同昭61−152685号、
および特開昭64−62361号ではフタロシアニン骨
格に8〜16ケのポリチオエーテル置換基を導入する合
成例が開示されている。
その方法は、フタロシアニン骨格のベンゼン核に、8〜
16ケのクロル原子および/またはブロム原子を有する
フタロシアニン化合物と有機チオール化合物とをキノリ
ン溶媒中、K叶存在下加熱してフタロシアニン骨格のベ
ンゼン核に8〜16ケのチオエーテル置換基を有するフ
タロシアニンを得ている。しかし前述のものと同じくい
ずれも収率が20〜30%程度であり製造効率に問題を
有している。即ちクロル原子またはブロム原子のチオエ
ーテル置換基への置換性が悪い為に低収率となり、例え
ば、クロル原子がチオエーテル置換基に全く置換されて
いないままの未反応フタロシアニンあるいは一部のクロ
ル原子がチオエーテル置換基に置換した未反応型フタロ
シアニンが生成する。これらの未反応型のフタロシアニ
ンと目的物質のフタロシアニンとを互いに分離するのは
実際上困難であるために、実質的には種々の組成のフタ
ロシアニンの混合物しか得られないのが実情である。事
実、特開昭64−62361号ではシリカゲルカラムで
分離後でもポリチオール置換混合縮合型フタロシアニン
組成物として記載されており未反応型が残存しているの
を物語っている。なおりロル原子が一部残存した場合そ
れらの溶解性は著しく低下する為、近赤外吸収色素とし
て溶解させて薄膜化させるには不利となる。
16ケのクロル原子および/またはブロム原子を有する
フタロシアニン化合物と有機チオール化合物とをキノリ
ン溶媒中、K叶存在下加熱してフタロシアニン骨格のベ
ンゼン核に8〜16ケのチオエーテル置換基を有するフ
タロシアニンを得ている。しかし前述のものと同じくい
ずれも収率が20〜30%程度であり製造効率に問題を
有している。即ちクロル原子またはブロム原子のチオエ
ーテル置換基への置換性が悪い為に低収率となり、例え
ば、クロル原子がチオエーテル置換基に全く置換されて
いないままの未反応フタロシアニンあるいは一部のクロ
ル原子がチオエーテル置換基に置換した未反応型フタロ
シアニンが生成する。これらの未反応型のフタロシアニ
ンと目的物質のフタロシアニンとを互いに分離するのは
実際上困難であるために、実質的には種々の組成のフタ
ロシアニンの混合物しか得られないのが実情である。事
実、特開昭64−62361号ではシリカゲルカラムで
分離後でもポリチオール置換混合縮合型フタロシアニン
組成物として記載されており未反応型が残存しているの
を物語っている。なおりロル原子が一部残存した場合そ
れらの溶解性は著しく低下する為、近赤外吸収色素とし
て溶解させて薄膜化させるには不利となる。
特開昭63−308073号では、モノブロモテトラデ
カりロロフタロシアニンと2−アミノチオフェノールお
よび4−メチルフェニルチオールの有機チオール混合物
とをDMFi媒中でKO)I存在下加熱してチオエーテ
ル置換基を導入し、フタロシアニンを42%の収率で得
ている。しかしこの方法は、異なる有機チオール混合物
を同時に加えて反応させているので、一種の組み合わせ
の千オニーチル置換基を有しているフタロシアニン混合
物が得うれることになり近赤外吸収色素として使う際単
一な特性が得られず、よって用途が限定されるという問
題を有している。
カりロロフタロシアニンと2−アミノチオフェノールお
よび4−メチルフェニルチオールの有機チオール混合物
とをDMFi媒中でKO)I存在下加熱してチオエーテ
ル置換基を導入し、フタロシアニンを42%の収率で得
ている。しかしこの方法は、異なる有機チオール混合物
を同時に加えて反応させているので、一種の組み合わせ
の千オニーチル置換基を有しているフタロシアニン混合
物が得うれることになり近赤外吸収色素として使う際単
一な特性が得られず、よって用途が限定されるという問
題を有している。
本発明は従来技術の有する前記事情に鑑みてなされたも
のである。すなわち、本発明の目的は700〜1500
nmの近赤外域に吸収を有し溶解性に優れた新規なフタ
ロシアニン化合物を提供することにある。また、本発明
の他の目的は該フタロシアニン化合物を効率よく、しか
も高純度で製造する方法を提供することにある。さらに
、本発明の他の目的は近赤外域に吸収を有し溶解性にす
くねた新規フタロシアニン化合物を含有してなる近赤外
線吸収材料を提供することにある。
のである。すなわち、本発明の目的は700〜1500
nmの近赤外域に吸収を有し溶解性に優れた新規なフタ
ロシアニン化合物を提供することにある。また、本発明
の他の目的は該フタロシアニン化合物を効率よく、しか
も高純度で製造する方法を提供することにある。さらに
、本発明の他の目的は近赤外域に吸収を有し溶解性にす
くねた新規フタロシアニン化合物を含有してなる近赤外
線吸収材料を提供することにある。
本発明者らはフタロンアニン骨格の3.6位にフッ素原
子および、4.5位にチオエーテル置換基を有するフタ
ロシアニン化合物とアルコシト類、アルコールi=たは
フェノール類とを反応させることにより前記目的を満足
する化合物が得られることを見出して本発明を完成させ
た。詳しくは、本発明は下記一般式(II)で示される
含フッ素フタロシアニン化合物と R,R。
子および、4.5位にチオエーテル置換基を有するフタ
ロシアニン化合物とアルコシト類、アルコールi=たは
フェノール類とを反応させることにより前記目的を満足
する化合物が得られることを見出して本発明を完成させ
た。詳しくは、本発明は下記一般式(II)で示される
含フッ素フタロシアニン化合物と R,R。
\ 7/
\
・ ・ ・ ・ (It)
〔式中、R1は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコキ
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベン
ジル基を表わしくここでR,は同一でも異っていてもよ
い)、MはZn、 Cu。
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベン
ジル基を表わしくここでR,は同一でも異っていてもよ
い)、MはZn、 Cu。
Pb、シ0.T+0. T+Xz、 SnX、、 A
II−X、またはIn× (ここで、Xはハロゲン原子
を示す)を表わす。〕一般数式、OA (式中、R3は
直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコキシアルキル基、
゛アシルオキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ア
ミノアルキル基、シアノアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基、ハロゲン化アルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級
アミン基、スルホン酸基、若しくはハロゲンで置換され
ていてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくは
ベンジル基を表わし7、Aは水素、ナトリウムまたはカ
リウムを表わす)で示されるアルコシト類、アルコール
類またはフェノール類とを有機溶媒媒体中、好ましくは
非プロトン性極性溶媒、ベンヅニトリル、アセトニトリ
ル、キノリンおよびピリジンからなる群から選択される
少なくとも1種の媒体中、Aが水素の場合好ましくはア
ルカリ性物質存在下、更に好ましくはKOH+ KzC
Oi、 NaOHおよびNa2CO,からなる群から選
択される少なくとも1種の存在下、好ましくは30℃〜
250℃1更に好ましくは80°c〜200℃の範囲の
温度に加熱して反応させることにより、下記一般式(I
)で示されるフタロシアニン化合物を効率良く製造する
方法および新規フタロシアニン化合物を提供する。
II−X、またはIn× (ここで、Xはハロゲン原子
を示す)を表わす。〕一般数式、OA (式中、R3は
直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコキシアルキル基、
゛アシルオキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ア
ミノアルキル基、シアノアルキル基、アルコキシカルボ
ニルアルキル基、ハロゲン化アルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級
アミン基、スルホン酸基、若しくはハロゲンで置換され
ていてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくは
ベンジル基を表わし7、Aは水素、ナトリウムまたはカ
リウムを表わす)で示されるアルコシト類、アルコール
類またはフェノール類とを有機溶媒媒体中、好ましくは
非プロトン性極性溶媒、ベンヅニトリル、アセトニトリ
ル、キノリンおよびピリジンからなる群から選択される
少なくとも1種の媒体中、Aが水素の場合好ましくはア
ルカリ性物質存在下、更に好ましくはKOH+ KzC
Oi、 NaOHおよびNa2CO,からなる群から選
択される少なくとも1種の存在下、好ましくは30℃〜
250℃1更に好ましくは80°c〜200℃の範囲の
温度に加熱して反応させることにより、下記一般式(I
)で示されるフタロシアニン化合物を効率良く製造する
方法および新規フタロシアニン化合物を提供する。
・ ・ ・ ・ (1)
〔式中、R4は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコキ
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベン
ジル基を表わしくここでR4は各々同一でも異っていて
もよい)、R2の少なくとも1ケは直鎖若しくは分岐ア
ルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アシルオキ
シアルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ基、ア
ミノアルキルオキシ基、シアノアルキルオキシ基、アル
コキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン化アルキ
ルオキシ基、またはアルキル基、アルコキシ基、アミノ
基、置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸基、若
しくはハロゲンで置換されていてもよいフェニルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、若しくはベンジルオキシ
基を表わしくここでR2は各々同一でも異っていてもよ
い)、残部のR2はFを表わし、MはZn、 Cu、
Pb、 VO,Tie。
シアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアルキ
ル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されてい
てもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベン
ジル基を表わしくここでR4は各々同一でも異っていて
もよい)、R2の少なくとも1ケは直鎖若しくは分岐ア
ルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アシルオキ
シアルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ基、ア
ミノアルキルオキシ基、シアノアルキルオキシ基、アル
コキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン化アルキ
ルオキシ基、またはアルキル基、アルコキシ基、アミノ
基、置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸基、若
しくはハロゲンで置換されていてもよいフェニルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、若しくはベンジルオキシ
基を表わしくここでR2は各々同一でも異っていてもよ
い)、残部のR2はFを表わし、MはZn、 Cu、
Pb、 VO,Tie。
TiXz、 SnX、 A I X、またはInX
(ここで、χはハロゲン原子を示す)を表わす〕。
(ここで、χはハロゲン原子を示す)を表わす〕。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明で使用される前記一般式(II)で示される含フ
ッ素フタロシアニンにおいて、R,Sで示される群中、
直鎖または分岐のアルキルチオ基の具体例としては例え
ばメチルチオ、エチルチオ、nプロピルチオ、1so−
プロピルチオ、n−ブチルチオ、1so−ブチルチオ、
ter t−ブチルチオ、n−ペンチルチオ、1,2−
ジメチルプロピルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、
オクチルチオ、ノニルチオ等炭素数1〜20の直鎖また
は分岐のアルキルチオ基等が挙げられる。アルコキシア
ルキルチオ基の具体例としては、例えばメトキシメチル
チオ、エトキシメチルチオ、メトキシエチルチオ、エト
キシエチルチオ、プロポキシエチルチオ、ブトキシエチ
ルチオ、ヘキシルオキシエチルチオ、3−メトキシブチ
ルチオ、フェノキシエチルチオ等が挙げられる。アシル
オキシアルキルチオ基としては、例えばアセチルオキシ
エチルチオ、プロピオニルオキシエチルチオ等が挙げら
れる。アルキル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで
置換されていてもよいフェニルチオ基、シクロアルキル
チオ基またはベンジルチオ基の具体例としては、例えば
フェニルチオ、0−メチルフェニルチオ、p−メチルフ
ェニルチオ、2,4−ジメチルフェニルチオ、2,3−
ジメチルフェニルチオ、26−ジメチルフェニルチオ、
0−フルオロフェニルチオ、p−フルオロフェニルチオ
、2,3,5.6−テトラフルオロフエニルチオ、0−
メトキシフェニルチオ、p−メトキシフェニルチオ、P
−エトキシフェニルチオ、シクロアルキルチオ基の具体
例としてはシクロへキシルチオ、2−シクロヘキシルエ
チルチオ、3−シクロへキシル−2−メチルプロピルチ
オ等およびベンジルチオ基の具体例としては、ベンジル
チオ等が挙げられる。
ッ素フタロシアニンにおいて、R,Sで示される群中、
直鎖または分岐のアルキルチオ基の具体例としては例え
ばメチルチオ、エチルチオ、nプロピルチオ、1so−
プロピルチオ、n−ブチルチオ、1so−ブチルチオ、
ter t−ブチルチオ、n−ペンチルチオ、1,2−
ジメチルプロピルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、
オクチルチオ、ノニルチオ等炭素数1〜20の直鎖また
は分岐のアルキルチオ基等が挙げられる。アルコキシア
ルキルチオ基の具体例としては、例えばメトキシメチル
チオ、エトキシメチルチオ、メトキシエチルチオ、エト
キシエチルチオ、プロポキシエチルチオ、ブトキシエチ
ルチオ、ヘキシルオキシエチルチオ、3−メトキシブチ
ルチオ、フェノキシエチルチオ等が挙げられる。アシル
オキシアルキルチオ基としては、例えばアセチルオキシ
エチルチオ、プロピオニルオキシエチルチオ等が挙げら
れる。アルキル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで
置換されていてもよいフェニルチオ基、シクロアルキル
チオ基またはベンジルチオ基の具体例としては、例えば
フェニルチオ、0−メチルフェニルチオ、p−メチルフ
ェニルチオ、2,4−ジメチルフェニルチオ、2,3−
ジメチルフェニルチオ、26−ジメチルフェニルチオ、
0−フルオロフェニルチオ、p−フルオロフェニルチオ
、2,3,5.6−テトラフルオロフエニルチオ、0−
メトキシフェニルチオ、p−メトキシフェニルチオ、P
−エトキシフェニルチオ、シクロアルキルチオ基の具体
例としてはシクロへキシルチオ、2−シクロヘキシルエ
チルチオ、3−シクロへキシル−2−メチルプロピルチ
オ等およびベンジルチオ基の具体例としては、ベンジル
チオ等が挙げられる。
本発明で使用される前記一般弐R30Aで表わされるア
ルコキシド類、アルコール類またはフェノール類の具体
例としては下記のものが挙げられる。
ルコキシド類、アルコール類またはフェノール類の具体
例としては下記のものが挙げられる。
アルコキシド類としては、ナトリウムメトキシド、ナト
リウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウ
ム=iso−プロポキシド、ナトリウムブトキシド、ナ
トリウム−1so−ブトキシド、ナトリウム−ter
t−ブトキシド、ナトリウムペンチルオキシド、ナトリ
ウム−1,2−ジメチルプロポキシド、ナトリウムへキ
シルオキシド、ナトリウムへブチルオキシド、ナトリウ
ムペンチルオキシド、ナトリウムベンジルオキシド、カ
リウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロ
ポキシド、カリウム−1so−プロポキシド、カリウム
ブトキシド、カリウム−1so−ブトキシド、カリウム
−tert−ブトキシド、カリウムペンチルオキシド、
カリウム−1,2−ジメチルプロポキシド、カリウムへ
キシルオキシド、カリウムへブチルオキシド、カリウム
オクチルオキシド、カリラムノニイルオキシド等の炭素
数1〜20の直鎖または分岐のアルコキシド;ナトリウ
ムメトキシメトキシド、ナトリウムエトキシエトキシド
、ナトリウムヘキシルオキシエトキシド、ナトリウム−
3−メトキシブトキシド、ナトリウムエトキシエトキシ
ド、カリウムメトキシメトキシド、カリウムエトキシエ
トキシド、カリウムヘキシルオキシエトキシド、カリウ
ム−3−メトキシブトキシド、カリウムフェノキシエト
キシド等のアルコキシアルコキシド;ナトリウムアミノ
メトキシド、ナトリウム−2−アミノエトキシド、ナト
リウム−3−アミノブトキシド、カリウムアミツメ1−
キン[、カリウム−3−アミノエトキシド、カリウム−
3−アミノブトキシド等のアミノアルコキシド;ナトリ
ウムシアノメトキシド、ナトリウムシアノエトキシド、
カリウムシアノメトキシド、カリウムシアノエトキシド
等のシアノアルコキシド;ナトリウムアセチルオキシエ
トキシド、ナトリウムプロピオニルオキシエトキシド、
カリウムアセチルオキシエトキシド、カリウムプロピオ
ニルオキシエトキシド等のアシルオキシアルコキシド;
ナトリウムヒドロキシメトキシド、ナトリウム−2ヒド
ロキシプロポキシド、カリウムヒドロキシメトキシド、
カリウム−2−ヒドロキシプロポキシド等のヒドロキシ
アルコキシド;ナトリウムメトキシカルボニルメトキシ
ド、ナトリウムエトキシカルボニルエトキシド、ナトリ
ウムブトキンカルボニルプロポキシド、カリウムメトキ
シカルボニルメトキシド、カリウムエトキシカルボニル
エトキシド、カリウムブトキシ力ルポニルブロボキシド
等のアルコキシカルボニルアルコキシド;ナトリウムト
リフルオロメトキシド、カリウムトリフルオロメトキシ
ド等のハロゲン化アルコキシド;ナトリウムシクロへキ
シルオキシド、ナトリウム−3−シクロへキシルプロポ
キシド、ナトリウムベンジルオキシド、カリウムシクロ
へキシルオキシド、カリウム−3−シクロへキシルプロ
ポキシド、カリウムベンジルオキシド等のアルキル基、
アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ
基、若しくはハロゲンで置換されていてもよいシクロヘ
キシルオキシドおよびヘンシルオキシド等が挙げられる
。
リウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウ
ム=iso−プロポキシド、ナトリウムブトキシド、ナ
トリウム−1so−ブトキシド、ナトリウム−ter
t−ブトキシド、ナトリウムペンチルオキシド、ナトリ
ウム−1,2−ジメチルプロポキシド、ナトリウムへキ
シルオキシド、ナトリウムへブチルオキシド、ナトリウ
ムペンチルオキシド、ナトリウムベンジルオキシド、カ
リウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロ
ポキシド、カリウム−1so−プロポキシド、カリウム
ブトキシド、カリウム−1so−ブトキシド、カリウム
−tert−ブトキシド、カリウムペンチルオキシド、
カリウム−1,2−ジメチルプロポキシド、カリウムへ
キシルオキシド、カリウムへブチルオキシド、カリウム
オクチルオキシド、カリラムノニイルオキシド等の炭素
数1〜20の直鎖または分岐のアルコキシド;ナトリウ
ムメトキシメトキシド、ナトリウムエトキシエトキシド
、ナトリウムヘキシルオキシエトキシド、ナトリウム−
3−メトキシブトキシド、ナトリウムエトキシエトキシ
ド、カリウムメトキシメトキシド、カリウムエトキシエ
トキシド、カリウムヘキシルオキシエトキシド、カリウ
ム−3−メトキシブトキシド、カリウムフェノキシエト
キシド等のアルコキシアルコキシド;ナトリウムアミノ
メトキシド、ナトリウム−2−アミノエトキシド、ナト
リウム−3−アミノブトキシド、カリウムアミツメ1−
キン[、カリウム−3−アミノエトキシド、カリウム−
3−アミノブトキシド等のアミノアルコキシド;ナトリ
ウムシアノメトキシド、ナトリウムシアノエトキシド、
カリウムシアノメトキシド、カリウムシアノエトキシド
等のシアノアルコキシド;ナトリウムアセチルオキシエ
トキシド、ナトリウムプロピオニルオキシエトキシド、
カリウムアセチルオキシエトキシド、カリウムプロピオ
ニルオキシエトキシド等のアシルオキシアルコキシド;
ナトリウムヒドロキシメトキシド、ナトリウム−2ヒド
ロキシプロポキシド、カリウムヒドロキシメトキシド、
カリウム−2−ヒドロキシプロポキシド等のヒドロキシ
アルコキシド;ナトリウムメトキシカルボニルメトキシ
ド、ナトリウムエトキシカルボニルエトキシド、ナトリ
ウムブトキンカルボニルプロポキシド、カリウムメトキ
シカルボニルメトキシド、カリウムエトキシカルボニル
エトキシド、カリウムブトキシ力ルポニルブロボキシド
等のアルコキシカルボニルアルコキシド;ナトリウムト
リフルオロメトキシド、カリウムトリフルオロメトキシ
ド等のハロゲン化アルコキシド;ナトリウムシクロへキ
シルオキシド、ナトリウム−3−シクロへキシルプロポ
キシド、ナトリウムベンジルオキシド、カリウムシクロ
へキシルオキシド、カリウム−3−シクロへキシルプロ
ポキシド、カリウムベンジルオキシド等のアルキル基、
アルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ
基、若しくはハロゲンで置換されていてもよいシクロヘ
キシルオキシドおよびヘンシルオキシド等が挙げられる
。
アルコール類またはフェノール類の具体例としては、メ
タノール、エタノール、n−プロピルアルコール、1s
o−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、1s
o−ブチルアルコール、ter ヘプチルアルコール、
n−ペンチルアルコール、1,2ジメチルプロピルアル
コール、ヘプチルアルコール、ヘプチルアルコール、オ
クチルアルコール、ノニルアルコール等の炭素数1〜2
0の直鎖または分岐のアルキルアルコール:メトキシメ
チルアルコール、エトキシエチルアルコール、ヘキシル
オキシエチルアルコール ルコール、フェノキシエチルアルコール等のアルコキシ
アルキルアルコール;アミノエチルアルコール、2−ア
ミノエチルアルコール、3〜アミノブチルアルコール等
のアミノアルキルアルコール;シアノメチルアルコール
、シアノエチルアルコール等のシアノアルキルアルコー
ル;アセチルオキシエチルアルコール、プロピオニルオ
キシエチルアルコール等のアシルオキシアルキルアルコ
ール;ヒドロキシメチルアルコール、2−ヒドロキシエ
チルアルコール、2−ヒドロキシプロピルアルコール等
のヒドロキシアルキルアルコール;メトキシカルボニル
メチルアルコール、エトキシカルボニルエチルアルコー
ル、ブトキシカルボニルプロピルアルコール等のアルコ
キシカルボニルアルキルアルコール;トリフルオロメチ
ルアルコール等のハロゲン化アルキルアルコール;フェ
ノール、0−メチルフェノール、p−メチルフェノール
、2.4−ジメチルフェノール、2,3−ジメチルフェ
ノール、p−スルフェニルフェノール、0−フルオロフ
ェノール、p−フルオロフェノール、2,35.6−テ
トラフルオロフエノール、0−メトキシフェノール、p
−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、0−
アミノフェノール、p−アミノフェノール、0−ジメチ
ルアミノフェノール、p−ジメチルアミノフェノール、
シクロヘキシルアルコール、3−シクロへキシルプロピ
ルアルコール、ベンジルアルコール等のアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ基
、若しくはハロゲンで置換されていてもよいフェノール
、シクロアルキルアルコールおよびベンジルアルコール
等が挙げられる。
タノール、エタノール、n−プロピルアルコール、1s
o−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、1s
o−ブチルアルコール、ter ヘプチルアルコール、
n−ペンチルアルコール、1,2ジメチルプロピルアル
コール、ヘプチルアルコール、ヘプチルアルコール、オ
クチルアルコール、ノニルアルコール等の炭素数1〜2
0の直鎖または分岐のアルキルアルコール:メトキシメ
チルアルコール、エトキシエチルアルコール、ヘキシル
オキシエチルアルコール ルコール、フェノキシエチルアルコール等のアルコキシ
アルキルアルコール;アミノエチルアルコール、2−ア
ミノエチルアルコール、3〜アミノブチルアルコール等
のアミノアルキルアルコール;シアノメチルアルコール
、シアノエチルアルコール等のシアノアルキルアルコー
ル;アセチルオキシエチルアルコール、プロピオニルオ
キシエチルアルコール等のアシルオキシアルキルアルコ
ール;ヒドロキシメチルアルコール、2−ヒドロキシエ
チルアルコール、2−ヒドロキシプロピルアルコール等
のヒドロキシアルキルアルコール;メトキシカルボニル
メチルアルコール、エトキシカルボニルエチルアルコー
ル、ブトキシカルボニルプロピルアルコール等のアルコ
キシカルボニルアルキルアルコール;トリフルオロメチ
ルアルコール等のハロゲン化アルキルアルコール;フェ
ノール、0−メチルフェノール、p−メチルフェノール
、2.4−ジメチルフェノール、2,3−ジメチルフェ
ノール、p−スルフェニルフェノール、0−フルオロフ
ェノール、p−フルオロフェノール、2,35.6−テ
トラフルオロフエノール、0−メトキシフェノール、p
−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、0−
アミノフェノール、p−アミノフェノール、0−ジメチ
ルアミノフェノール、p−ジメチルアミノフェノール、
シクロヘキシルアルコール、3−シクロへキシルプロピ
ルアルコール、ベンジルアルコール等のアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ基
、若しくはハロゲンで置換されていてもよいフェノール
、シクロアルキルアルコールおよびベンジルアルコール
等が挙げられる。
本発明の反応生成物である前記一般式(1)で示される
フタロシアニンにおいて、R2は原料フタロシアニンに
おけるR6と同一である。また、R2で示される群中、
直鎖または分岐のアルコキシ基の具体例としては例えば
メトキシ、エトキシ、nプロピルオキシ、1so−プロ
ピルオキシ、n−ブチルオキシ、1so−ブチルオキシ
、ter t−ブチルオキシ、n−ペンチルオキシ、1
,2−ジメチルプロピルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ等炭素数1
〜20の直鎖または分岐のアルコキシ基等が挙げられる
。
フタロシアニンにおいて、R2は原料フタロシアニンに
おけるR6と同一である。また、R2で示される群中、
直鎖または分岐のアルコキシ基の具体例としては例えば
メトキシ、エトキシ、nプロピルオキシ、1so−プロ
ピルオキシ、n−ブチルオキシ、1so−ブチルオキシ
、ter t−ブチルオキシ、n−ペンチルオキシ、1
,2−ジメチルプロピルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプ
チルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ等炭素数1
〜20の直鎖または分岐のアルコキシ基等が挙げられる
。
アルコキシアルキルオキシ基の具体例としては、例えば
メトキシメチルオキシ、エトキシメチルオキシ、メトキ
シエチルオキシ、エトキシエチルオキシ、プロポキシエ
チルオキシ、ブトキシエチルオキシ、ヘキシルオキシエ
チルオキシ、3−メトキシブチルオキシ、フェノキシエ
チルオキシ等が挙げられる。アシルオキシアルキルオキ
シ基としては、例えばアセチルオキシエチルオキシ、プ
ロピオニルオキシエチルオキシ等が挙げられる。シアノ
アルキルオキシ基の具体例としては、例えばシアンメチ
ルオキシ、シアノエチルオキシ等が挙げられ、ヒドロキ
シアルキルオキシ基の具体例としては、例えばヒドロキ
シメチルオキシ、2−ヒドロキシエチルオキシ、2−ヒ
ドロキシプロピルオキシ等が挙げられ、アミノアルコキ
シ基の具体例としては、例えばアミノメトキシ、2−ア
ミノエトキシ、3−アミノブトキシ等が挙げられる。
メトキシメチルオキシ、エトキシメチルオキシ、メトキ
シエチルオキシ、エトキシエチルオキシ、プロポキシエ
チルオキシ、ブトキシエチルオキシ、ヘキシルオキシエ
チルオキシ、3−メトキシブチルオキシ、フェノキシエ
チルオキシ等が挙げられる。アシルオキシアルキルオキ
シ基としては、例えばアセチルオキシエチルオキシ、プ
ロピオニルオキシエチルオキシ等が挙げられる。シアノ
アルキルオキシ基の具体例としては、例えばシアンメチ
ルオキシ、シアノエチルオキシ等が挙げられ、ヒドロキ
シアルキルオキシ基の具体例としては、例えばヒドロキ
シメチルオキシ、2−ヒドロキシエチルオキシ、2−ヒ
ドロキシプロピルオキシ等が挙げられ、アミノアルコキ
シ基の具体例としては、例えばアミノメトキシ、2−ア
ミノエトキシ、3−アミノブトキシ等が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキルオキシ基の具体例としで
は、例えばメトキシカルボニルメチルオキシ、エトキシ
カルボニルエチルオキシ、ブトキシカルボニルプロピル
オキシ等が挙げられる。ハロゲン化アルキルオキシ基の
具体例としては、例えばトリフルオロメチルオキシ等が
挙げられ、またアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
置換可能な2級および3級アミノ基、若しくはハロゲン
で置換されていてもよいフェノキシ基、シクロアルキル
オキシ基およびベンジルオキシ基の具体例としては、例
えばフェノキシ、0−メチルフェノキシ、P−メチルフ
ェノキシ、2.4−ジメチルフェノキシ、2.3−ジメ
チルフェノキシ、p−スルフォニルフェノキシ、0−フ
ルオロフェノキシ、p−フルオロフェノキシ、2,3,
5.6−テトラフルオロフエノキシ、0−メトキシフェ
ノキシ、P−メトキシフェノキシ、p−エトキシフェノ
キシ、0−アミノフェノキシ、p−アミノフェノキシ、
〇−ジメチルアミノフェノキシ、p−ジメチルアミノフ
ェノキシ、シクロヘキシルオキシ、3−シクロヘキシル
−2メチルプロピルオキシ、ヘンジルオキシ等が挙げら
れる。
は、例えばメトキシカルボニルメチルオキシ、エトキシ
カルボニルエチルオキシ、ブトキシカルボニルプロピル
オキシ等が挙げられる。ハロゲン化アルキルオキシ基の
具体例としては、例えばトリフルオロメチルオキシ等が
挙げられ、またアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
置換可能な2級および3級アミノ基、若しくはハロゲン
で置換されていてもよいフェノキシ基、シクロアルキル
オキシ基およびベンジルオキシ基の具体例としては、例
えばフェノキシ、0−メチルフェノキシ、P−メチルフ
ェノキシ、2.4−ジメチルフェノキシ、2.3−ジメ
チルフェノキシ、p−スルフォニルフェノキシ、0−フ
ルオロフェノキシ、p−フルオロフェノキシ、2,3,
5.6−テトラフルオロフエノキシ、0−メトキシフェ
ノキシ、P−メトキシフェノキシ、p−エトキシフェノ
キシ、0−アミノフェノキシ、p−アミノフェノキシ、
〇−ジメチルアミノフェノキシ、p−ジメチルアミノフ
ェノキシ、シクロヘキシルオキシ、3−シクロヘキシル
−2メチルプロピルオキシ、ヘンジルオキシ等が挙げら
れる。
なお前記の一般式(1)で示されるフタロシアニンにお
いてR2の少なくとも1ケは上記の具体例で示されるオ
キシ化合物であるが、本発明ではR2は未反応のフッ素
原子が残基として含有していても構わない。
いてR2の少なくとも1ケは上記の具体例で示されるオ
キシ化合物であるが、本発明ではR2は未反応のフッ素
原子が残基として含有していても構わない。
本発明の製造方法は有l!溶媒媒体中で行われるが、好
ましい有機溶媒としては、Ill、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン、N−メチル
−2−ピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、アセトニ
トリル、ベンゾニトリル、キノリン、ピリジン等が挙げ
られるが、特にN、N−ジメチルホルムアミド、キノリ
ン、ピリジンの使用が好ましい。これらの溶媒は1種若
しくは2種以上混合して使用することができる。
ましい有機溶媒としては、Ill、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン、N−メチル
−2−ピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、アセトニ
トリル、ベンゾニトリル、キノリン、ピリジン等が挙げ
られるが、特にN、N−ジメチルホルムアミド、キノリ
ン、ピリジンの使用が好ましい。これらの溶媒は1種若
しくは2種以上混合して使用することができる。
本発明の製造方法はアルカリ性物質の存在下で反応させ
るのが好ましい。それらのアルカリ性物質としては特に
水酸化カリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、ま
たは炭酸ナトリウムが好ましく1種若しくは2種以上併
用することができる。
るのが好ましい。それらのアルカリ性物質としては特に
水酸化カリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、ま
たは炭酸ナトリウムが好ましく1種若しくは2種以上併
用することができる。
本発明では有i溶媒100部に対して一般式(II)で
示される含フッ素フタロシアニンは2〜30部の範囲内
で仕込むのが望ましく、一般式(II)で示される含フ
ッ素フタロシアニン1モル部に対して一般式R30Aで
示されるアルコシト類、アルコール類またはフェノール
類は8.8〜80モル部の範囲内で使用するのが好まし
く、特に12〜24モル部の範囲内で使用するのが好ま
しく、又アルカリ性物質は、アルコシト類、アルコール
類またはフェノール類1モル部に対して0.9〜3.0
モル部の範囲内、特に1〜1.5モル部の範囲内で使用
するのが好ましい。
示される含フッ素フタロシアニンは2〜30部の範囲内
で仕込むのが望ましく、一般式(II)で示される含フ
ッ素フタロシアニン1モル部に対して一般式R30Aで
示されるアルコシト類、アルコール類またはフェノール
類は8.8〜80モル部の範囲内で使用するのが好まし
く、特に12〜24モル部の範囲内で使用するのが好ま
しく、又アルカリ性物質は、アルコシト類、アルコール
類またはフェノール類1モル部に対して0.9〜3.0
モル部の範囲内、特に1〜1.5モル部の範囲内で使用
するのが好ましい。
本発明では反応温度としては30〜250℃の範囲が好
ましく、特に80〜200℃の範囲が好ましい。
ましく、特に80〜200℃の範囲が好ましい。
本発明において、本発明の出発原料である含フッ素フタ
ロシアニンは、例えば下記のスキーム、すなわち、第一
ステップおよび第二ステップに従って合成できる。かく
して本発明は、それらの原料を用いて下記の第三ステッ
プのスキームに従つって目的物質のフタロシアニンが合
成できる。
ロシアニンは、例えば下記のスキーム、すなわち、第一
ステップおよび第二ステップに従って合成できる。かく
して本発明は、それらの原料を用いて下記の第三ステッ
プのスキームに従つって目的物質のフタロシアニンが合
成できる。
なお、本発明者らは下記の第一、第ニステップの製造方
法については既に特願昭63−65806号、特願平1
403554号、特願平1−103555号および特願
平1−209599号等に開示している。
法については既に特願昭63−65806号、特願平1
403554号、特願平1−103555号および特願
平1−209599号等に開示している。
(第一ステップ)
(第ニステップ)
ハロゲン化金属
ト
\
(第三ステップ)
/ \
S
/ \
R,R。
(R2はR30またはFを表わす)
〔発明の効果〕
本発明の製造方法を用いることによってフタロシアニン
骨格の3,6位に任意の数のエーテル基を導入すること
が可能となり、原料のフタロンアニン骨格の4,5位に
存在していたチオエーテル基と新たに導入されたエーテ
ル基との共同作用によって特異な吸収波長領域を有し、
しかも溶媒に対する溶解性の優れた新規なフタロシアニ
ンの提供が可能となった。つまり、本発明の製造方法は
、用途に応じて近赤外線の吸収波長領域または熔解性を
変えた化合物の分子設計が可能となる特徴を有している
。また、この位置のフッ素原子はクロル原子、プロ広原
子に比べて求核置換を受は易いので、従って収率良く(
70〜95%程度)しかも純度の良いエーテル置換基を
有するフタロシアニンを製造できる。また、フッ素原子
が残存していても、クロル原子、プロ広原子を有してい
るフタロシアニンに比べてフッ素原子を有しているフタ
ロシアニンは熔解性が高いのですべてのフッ素原子がエ
ーテル置に置換されてなるフタロシアニンと比較しても
その有用性において劣るものではない。
骨格の3,6位に任意の数のエーテル基を導入すること
が可能となり、原料のフタロンアニン骨格の4,5位に
存在していたチオエーテル基と新たに導入されたエーテ
ル基との共同作用によって特異な吸収波長領域を有し、
しかも溶媒に対する溶解性の優れた新規なフタロシアニ
ンの提供が可能となった。つまり、本発明の製造方法は
、用途に応じて近赤外線の吸収波長領域または熔解性を
変えた化合物の分子設計が可能となる特徴を有している
。また、この位置のフッ素原子はクロル原子、プロ広原
子に比べて求核置換を受は易いので、従って収率良く(
70〜95%程度)しかも純度の良いエーテル置換基を
有するフタロシアニンを製造できる。また、フッ素原子
が残存していても、クロル原子、プロ広原子を有してい
るフタロシアニンに比べてフッ素原子を有しているフタ
ロシアニンは熔解性が高いのですべてのフッ素原子がエ
ーテル置に置換されてなるフタロシアニンと比較しても
その有用性において劣るものではない。
本発明の新規フタロシアニン化合物は、従来知られてい
るフタロシアニン化合物に比べ、ジメチルフォルムアミ
ド、テトラヒドロフラン、ケトン類、アルコール類等の
有機溶媒への溶解性が高く、700〜1500n*の近
赤外線に吸収をもつので、近赤外線吸収色素として実用
的に使用できる。
るフタロシアニン化合物に比べ、ジメチルフォルムアミ
ド、テトラヒドロフラン、ケトン類、アルコール類等の
有機溶媒への溶解性が高く、700〜1500n*の近
赤外線に吸収をもつので、近赤外線吸収色素として実用
的に使用できる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例1
オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(エトキシ)
バナジルフタロシアニン [VOPc(n−BuS)s(EtO)e]の合成ナト
リウムエトキシド2.72g(40mmo 12 )お
よびN、N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す
、)30Id!を100cc四ツロフラスコに仕込み、
80℃で1時間攪拌した。そこヘオクタキス(n−ブチ
ルチオ)オクタフルオロバナジルフタロシアニン(以下
νOPc (n −J3uS) a F eと略す。)
1.43g(1mmo r!、)を加え還流温度で2
時間反応させた。反応終了後、水中に投入し希塩酸で中
和し生成した固形分を炉別し、水およびメタノールで洗
浄することにより暗緑色のケーキν0Pc(n−BuS
)e(EtO)a 1.23g (収率75.1%)
を得た。
バナジルフタロシアニン [VOPc(n−BuS)s(EtO)e]の合成ナト
リウムエトキシド2.72g(40mmo 12 )お
よびN、N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す
、)30Id!を100cc四ツロフラスコに仕込み、
80℃で1時間攪拌した。そこヘオクタキス(n−ブチ
ルチオ)オクタフルオロバナジルフタロシアニン(以下
νOPc (n −J3uS) a F eと略す。)
1.43g(1mmo r!、)を加え還流温度で2
時間反応させた。反応終了後、水中に投入し希塩酸で中
和し生成した固形分を炉別し、水およびメタノールで洗
浄することにより暗緑色のケーキν0Pc(n−BuS
)e(EtO)a 1.23g (収率75.1%)
を得た。
元素分析
理論イ直 C:58.69% H:6.89%
N : 5.97%S:13.66% F : 0.
00%分析イ直 C:5B、52% H:6.60
% N : 5.59%S:13.51% F:0
.00% 吸収波長 D、MP中 λwax : 760
nm塗膜 λwax : 820nm熔解度
D M F 1.5智t%アセトン
0.6wt%イソプロピルアルコール 0.
3wt%実施例2 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(nブトキシ
)バナジルフタロシアニン [VOPc(n−BuS)s(n−BuO)s]の合成
ナトリウムブトキシド1 、92g (20a+mo
l )およびDMF30dを100cc四ソロフラスコ
に仕込み、80℃で1時間攪拌した。その後VOPc(
n−BuS) sFs1.43g(1mmof)を加え
たのち還流温度で2時間反応させた。反応終了後実施例
1と同様の操作を行うことにより暗緑色のケーキVOP
c (n−BuS) 5(n−BuO)s 1.62g
(収率86.3%)を得た。
N : 5.97%S:13.66% F : 0.
00%分析イ直 C:5B、52% H:6.60
% N : 5.59%S:13.51% F:0
.00% 吸収波長 D、MP中 λwax : 760
nm塗膜 λwax : 820nm熔解度
D M F 1.5智t%アセトン
0.6wt%イソプロピルアルコール 0.
3wt%実施例2 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(nブトキシ
)バナジルフタロシアニン [VOPc(n−BuS)s(n−BuO)s]の合成
ナトリウムブトキシド1 、92g (20a+mo
l )およびDMF30dを100cc四ソロフラスコ
に仕込み、80℃で1時間攪拌した。その後VOPc(
n−BuS) sFs1.43g(1mmof)を加え
たのち還流温度で2時間反応させた。反応終了後実施例
1と同様の操作を行うことにより暗緑色のケーキVOP
c (n−BuS) 5(n−BuO)s 1.62g
(収率86.3%)を得た。
元素分析
理論値 C:61.94% H: 7.80% N :
6.02%S:13.78% F : 0.00%分
析値 C:62.08% H:8.01% N:6.1
5%S:14.02% F : 0.00%吸収波長
DMF中 λwax : 778.5%m熔解
度D M F 2.8wt%アセトン
2.0wt%イソプロピルアルコール 1
.1wt%実施例3 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(2メトキシ
エトキシ)バナジルフタロシアニン[VOPc(n−B
uS)a i(2−MeO)EtOl a]の合成実施
例2においてナトリウムノルマルブトキシドのかわりに
ナトリウム(2−メトキシ)エトキシド1.96g(2
0mmo I2)を用いた以外は実施例2と同様に操作
することにより黒色のグーキシ叶C(n−BuS)*
((2−MeO)EtO) s L31g (収率7
8.9%)を得た。
6.02%S:13.78% F : 0.00%分
析値 C:62.08% H:8.01% N:6.1
5%S:14.02% F : 0.00%吸収波長
DMF中 λwax : 778.5%m熔解
度D M F 2.8wt%アセトン
2.0wt%イソプロピルアルコール 1
.1wt%実施例3 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(2メトキシ
エトキシ)バナジルフタロシアニン[VOPc(n−B
uS)a i(2−MeO)EtOl a]の合成実施
例2においてナトリウムノルマルブトキシドのかわりに
ナトリウム(2−メトキシ)エトキシド1.96g(2
0mmo I2)を用いた以外は実施例2と同様に操作
することにより黒色のグーキシ叶C(n−BuS)*
((2−MeO)EtO) s L31g (収率7
8.9%)を得た。
元素分析
理論値 C:56.30% H:6.87% N:5.
97%S :13.66% F:0.00% 分析値 C:56.61% H: 6.92% N :
6.05%S:I3.78% F : 0.00%吸
収波長 DMF中 λwax : 795.5
r++w熔解度DMF 4.2wt%アセ
トン 2.8wt%イソプロピルアルコ
ール 1.5wt%実施例4 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(2ヒドロキ
シエトキシ)バナジルフタロシアニン[VOPc(n−
BuS)s(2−)10EtO)sJの合成実施例2に
おいてナトリウムノルマルブトキシドのかわりにナトリ
ウム−2−ヒドロキシエトキシド1.68gを用い、反
応溶媒としてDMFのかわりにN、N−ジメチルアセト
アミドを用いた以外は実施例2と同様に操作を行うこと
により黒色のケーキシ叶c(n−BuS)e(2−HO
EtO)l11.25g (収率7]、1%)を得た。
97%S :13.66% F:0.00% 分析値 C:56.61% H: 6.92% N :
6.05%S:I3.78% F : 0.00%吸
収波長 DMF中 λwax : 795.5
r++w熔解度DMF 4.2wt%アセ
トン 2.8wt%イソプロピルアルコ
ール 1.5wt%実施例4 オクタキス(n−ブチルチオ)オクタキス(2ヒドロキ
シエトキシ)バナジルフタロシアニン[VOPc(n−
BuS)s(2−)10EtO)sJの合成実施例2に
おいてナトリウムノルマルブトキシドのかわりにナトリ
ウム−2−ヒドロキシエトキシド1.68gを用い、反
応溶媒としてDMFのかわりにN、N−ジメチルアセト
アミドを用いた以外は実施例2と同様に操作を行うこと
により黒色のケーキシ叶c(n−BuS)e(2−HO
EtO)l11.25g (収率7]、1%)を得た。
元素分析
埋置*(バ! C:54.68 % H:5.9
7 % N : 6.38 %S :14.60%
F:0.00% 分析値 C:54.19% H:6.03% N :
6.50%S :14.71% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λvnax : 791
%m塗膜 λ’1aX : 830%w+溶
解度DMF 3.1i%アセトン
3.3wt%イソプロピルアルコール 1.8
14・t%実施例5 オクタキス(フェニルチオ)オクタキス(エトキシ)亜
鉛フタロシアニン[ZnPc(PhS)s(EtO)s
]の合成 ナトリウムエトキシド2.72gおよびピリジン2゜フ
ルオロ亜鉛フタロシアニン1 、59gを加え還流条件
下4時間反応させた。反応終了後溶媒を留去し、水およ
びメタノールで洗浄することにより暗緑色ケーキZnP
C(PhS)s(EtO)s 1.40g (収率85
.5%)を得た。
7 % N : 6.38 %S :14.60%
F:0.00% 分析値 C:54.19% H:6.03% N :
6.50%S :14.71% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λvnax : 791
%m塗膜 λ’1aX : 830%w+溶
解度DMF 3.1i%アセトン
3.3wt%イソプロピルアルコール 1.8
14・t%実施例5 オクタキス(フェニルチオ)オクタキス(エトキシ)亜
鉛フタロシアニン[ZnPc(PhS)s(EtO)s
]の合成 ナトリウムエトキシド2.72gおよびピリジン2゜フ
ルオロ亜鉛フタロシアニン1 、59gを加え還流条件
下4時間反応させた。反応終了後溶媒を留去し、水およ
びメタノールで洗浄することにより暗緑色ケーキZnP
C(PhS)s(EtO)s 1.40g (収率85
.5%)を得た。
元素分析
理論値 C:64.22% + 4.49% N:6
.24%S:14.28% : 0.00% 分析値 C:64.12% : 4.51% N :
6.21%S:]3.91% :0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 755%
m塗 膜 λ船ax : 810%m溶解度
DMF 1.1wt%アセトン
1.2ivt%イソプロピルアルコール 0.5
111t%実施例6 オクタキス(0=メチルフエニルチオ)オクタキス(1
,2−ジメチルプロポキン)鉛フタロシアニン[PbP
c(o−TolS)e (1,2−(!1e)Proo
1 sJの合成実施例2においてナトリウムエトキッ
ドのかわりにナトリウム−1,2−ジメチルプロポキシ
ド2.20gを用い、VOPc(n−BuS) 1lF
sのかわりに(o−メチルフェニルチオ)オクタフルオ
ロ鉛フタロシアニン(PbPc(o−TolS) 5F
llと略す。) 1.73gを用いた以外実施例2と同
様に操作を行うことにより黒色ケーキPbPc(o−T
olS)s (1,2−(Me)ProO) sl、4
0g (収率76.2%)を得た。
.24%S:14.28% : 0.00% 分析値 C:64.12% : 4.51% N :
6.21%S:]3.91% :0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 755%
m塗 膜 λ船ax : 810%m溶解度
DMF 1.1wt%アセトン
1.2ivt%イソプロピルアルコール 0.5
111t%実施例6 オクタキス(0=メチルフエニルチオ)オクタキス(1
,2−ジメチルプロポキン)鉛フタロシアニン[PbP
c(o−TolS)e (1,2−(!1e)Proo
1 sJの合成実施例2においてナトリウムエトキッ
ドのかわりにナトリウム−1,2−ジメチルプロポキシ
ド2.20gを用い、VOPc(n−BuS) 1lF
sのかわりに(o−メチルフェニルチオ)オクタフルオ
ロ鉛フタロシアニン(PbPc(o−TolS) 5F
llと略す。) 1.73gを用いた以外実施例2と同
様に操作を行うことにより黒色ケーキPbPc(o−T
olS)s (1,2−(Me)ProO) sl、4
0g (収率76.2%)を得た。
元素分析
理論値
C:65.80% H: 5.85% N:4.51%
S :10.33% F:0.00% 分析値 C:66.03% H:S、98% N :
4.52%S:10.57% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 781n
a+塗 膜 λwax : 830ns熔
解度D M F 1.8wt%アセトン
1.4imt%イソプロピルアルコール
0.8wt%実施例7 オクタキス(ノルマルブチル)オクタキス(2フルオロ
フエノキシ)チタニルフタロシアニン[TjOPc(n
−BuS)s(2−FPhO)Il]の合成0−フルオ
ロフェノール4.23g、水酸化ナトリウム1.60g
およびベンゾニトリル20dを100cc四ンロフラス
コに仕込み80″Cで1時間反応させた。その後、オク
タキス(ブチルチオ)オクタフルオロチタニルフタロシ
アニンTiOPC(BuS)BFg ト略す、0.54
gを加え180℃で4時間反応させた。
S :10.33% F:0.00% 分析値 C:66.03% H:S、98% N :
4.52%S:10.57% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 781n
a+塗 膜 λwax : 830ns熔
解度D M F 1.8wt%アセトン
1.4imt%イソプロピルアルコール
0.8wt%実施例7 オクタキス(ノルマルブチル)オクタキス(2フルオロ
フエノキシ)チタニルフタロシアニン[TjOPc(n
−BuS)s(2−FPhO)Il]の合成0−フルオ
ロフェノール4.23g、水酸化ナトリウム1.60g
およびベンゾニトリル20dを100cc四ンロフラス
コに仕込み80″Cで1時間反応させた。その後、オク
タキス(ブチルチオ)オクタフルオロチタニルフタロシ
アニンTiOPC(BuS)BFg ト略す、0.54
gを加え180℃で4時間反応させた。
反応終了後ベンゼン中に投入し水酸化ナトリウムをJ側
稜溶媒を留去、さらにメタノールで洗浄することにより
暗緑色ケーキTi0PC(Bus)s(2−FPhO)
sl、21g (収率74.4%)を得た。
稜溶媒を留去、さらにメタノールで洗浄することにより
暗緑色ケーキTi0PC(Bus)s(2−FPhO)
sl、21g (収率74.4%)を得た。
元素分析
理論イ直 C:66.91% H: 5.21%
N : 5.57%S:12.76% F : 0
.00%分析値 C:66.72% H: 5.14%
N : 5.48%S:I2.50% F:0.00
% 吸収波長 DMF中 λ1Iax : 782
ni塗 膜 λmax : 830nm溶解
度DMF 1.6wt%アセトン
1,0wt%イソプロピルアルコール 0.3
wt%実施例8 オクタキス(ノルマルブチルチオ)オクタキス(2−ア
ミノエトキシ)銅フタロシアニン[CuPc(n−Bu
s)e(2−Nl(JtO)* ]の合成実施例5にお
いてナトリウムエトキシドのかわりにカリウム−2−ア
ミノエトキシド3.96gを用い、溶媒としてDMFの
かわりにキノリンを用い、反応温度を180℃とした以
外は実施例5と同様に操作することにより、黒色ケーキ
CuPc(n−BuS) e(2−NHJtO)a、1
.18g (収率76.4%)を得た。
N : 5.57%S:12.76% F : 0
.00%分析値 C:66.72% H: 5.14%
N : 5.48%S:I2.50% F:0.00
% 吸収波長 DMF中 λ1Iax : 782
ni塗 膜 λmax : 830nm溶解
度DMF 1.6wt%アセトン
1,0wt%イソプロピルアルコール 0.3
wt%実施例8 オクタキス(ノルマルブチルチオ)オクタキス(2−ア
ミノエトキシ)銅フタロシアニン[CuPc(n−Bu
s)e(2−Nl(JtO)* ]の合成実施例5にお
いてナトリウムエトキシドのかわりにカリウム−2−ア
ミノエトキシド3.96gを用い、溶媒としてDMFの
かわりにキノリンを用い、反応温度を180℃とした以
外は実施例5と同様に操作することにより、黒色ケーキ
CuPc(n−BuS) e(2−NHJtO)a、1
.18g (収率76.4%)を得た。
元素分析
理論4IIC:58.52% H: 7.37% N
: 6.82%S :15.62% F:0.OO% 分析値 C:58.43% H: 7.24% N :
6.69%S:15.48 % F 20.00%
吸収波長 DMF中 λwax : 773.
Snm塗 膜 λwax : 81Snm溶
解度DMF 2.1wt%アセトン
1.6wt%イソプロピルアルコール 0.
4wt%実施例9 オクタキス(2−アセチルエチルチオ)オクタキス(オ
クチルオキシ)ジクロロ錫フタロシアニン[SnCl
2Pc (2−AcEtS) 1l(Oct、) e
]の合成実施例2においてナトリウムブトキシドのかわ
りにナトリウムノルマルオクトキシド3.06+gを用
い、VOPc (n−BuS) @Fgのかわりにオク
タキス(2−アセチルエチルチオ)オクタフルオロジク
ロロ錫フタロシアニン1 、70gを用いた以外実施例
2と同様に操作することにより黒色ケーキ 5nCf!、zPc(2−AcEtS)s(OctO)
a 1.38g (収率71.6%)を得た。
: 6.82%S :15.62% F:0.OO% 分析値 C:58.43% H: 7.24% N :
6.69%S:15.48 % F 20.00%
吸収波長 DMF中 λwax : 773.
Snm塗 膜 λwax : 81Snm溶
解度DMF 2.1wt%アセトン
1.6wt%イソプロピルアルコール 0.
4wt%実施例9 オクタキス(2−アセチルエチルチオ)オクタキス(オ
クチルオキシ)ジクロロ錫フタロシアニン[SnCl
2Pc (2−AcEtS) 1l(Oct、) e
]の合成実施例2においてナトリウムブトキシドのかわ
りにナトリウムノルマルオクトキシド3.06+gを用
い、VOPc (n−BuS) @Fgのかわりにオク
タキス(2−アセチルエチルチオ)オクタフルオロジク
ロロ錫フタロシアニン1 、70gを用いた以外実施例
2と同様に操作することにより黒色ケーキ 5nCf!、zPc(2−AcEtS)s(OctO)
a 1.38g (収率71.6%)を得た。
元素分析
理論値 C:60.41% H: 7.60% N :
4.40%S:10.08% F : 0.00%分
析値 C:60.09% H: 7.43% N :
4.21%S:10.12% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 762n
m塗 膜 λo+ax : 810nm溶解
度D M F 1.3wt%アセトン
1.4wt%イソプロピルアルコール 0
.5ht%実施例10 オクタキス(ベンジルチオ)オクタキス(シクロへキシ
ルオキシ)アルミクロロフタロシアニン[AfCfPc
(BzS)s(c−HexO)sコの合成実施例1にお
いてナトリウムエトキシドのかわりにナトリウムシクロ
ヘキシドを4.84g用い、VOPc(n−BuS)s
Fsのかわりにオクタキス(ベンジルチオ)オクタフル
オロアルミクロロフタロシアニン1.55gを用いた以
外は実施例1と同様に操作することにより黒色ケーキA
I CI Pc (BzS) a (c−HexO)
*1.37g) (収率80.2%)を得た。
4.40%S:10.08% F : 0.00%分
析値 C:60.09% H: 7.43% N :
4.21%S:10.12% F:0.00% 吸収波長 DMF中 λwax : 762n
m塗 膜 λo+ax : 810nm溶解
度D M F 1.3wt%アセトン
1.4wt%イソプロピルアルコール 0
.5ht%実施例10 オクタキス(ベンジルチオ)オクタキス(シクロへキシ
ルオキシ)アルミクロロフタロシアニン[AfCfPc
(BzS)s(c−HexO)sコの合成実施例1にお
いてナトリウムエトキシドのかわりにナトリウムシクロ
ヘキシドを4.84g用い、VOPc(n−BuS)s
Fsのかわりにオクタキス(ベンジルチオ)オクタフル
オロアルミクロロフタロシアニン1.55gを用いた以
外は実施例1と同様に操作することにより黒色ケーキA
I CI Pc (BzS) a (c−HexO)
*1.37g) (収率80.2%)を得た。
元素分析
理論41 C:69.40% H: 6.17%N
: 4.76%S:10.90% F+0.OO% 分析値 C:69.56% H:6.23% N:4.
91%S :11.02% F:o、oo% 吸収波長 DMF中 λwax + 7641
1111塗 膜 λWax : 810n
+++溶解度DMF 1.8wt%アセト
ン 1.、ht%イソプロピルアルコー
ル 0.7wt%実施例11 オクタキス(tert−ブチルチオ)オクタキス(2−
ジエチルアミノエトキシ)インジウムクロロフタロシア
ニン [TnCnPc(tert−BuS)s (2−(Et
)、NEto 1 e ]の合成 実施例1においてナトリウムエトキシドのかわりにナト
リウム−2−ジエチルアミノエトキシド5.56gを用
い、VOPc(n−BuS) 、Fllのかわりにオク
タキス(tert−ブチルチオ)オクタフルオロバナジ
ルフタロシアニン1.51gを用いた以外実施例1と同
様に操作することにより黒色ケーキ InCfPc(tert−BuS)e (2−(Et
)2NEtO) e 1.24g(収率72.8%)を
得た 元素分析 理論値 C:58.76% J(:8.10% N:9
.79%S :11.20% F : 0.00%分
析イ直 C:59.02% H:8.14% N
: 9.88%S:11.29% F:0.00
% 吸収波長 DMF中 λwax : 768n
蒙塗 膜 λwax : 805%m熔解
度DMF 1.2wt%アセトン
1.Owt%イソプロピルアル]−ル 0.5
wt%実施例12 オクタキス(n−ブチルチオ)ビス(n−ブトキシ)へ
キサフルオロバナジルフタロシアニン[VOPc(n−
BuS)s(n−BuO)zFa]の合成ノルマルブタ
ノール1.48g、水酸化カリウム1.12gおよび、
DMF20dを100cc四ツ目フラスコに仕込み80
℃で1時間反応させた。その後、VOPc(n−BuS
)sFe 1.43gを加え還流温度でさらに10時間
反応させた。反応終了後実施例1と同様の操作を行うこ
とにより黒色のケーキ VOPc(n−BuS)*(n−BuO)Jb 1.3
2g (収率86.8%)を得た。
: 4.76%S:10.90% F+0.OO% 分析値 C:69.56% H:6.23% N:4.
91%S :11.02% F:o、oo% 吸収波長 DMF中 λwax + 7641
1111塗 膜 λWax : 810n
+++溶解度DMF 1.8wt%アセト
ン 1.、ht%イソプロピルアルコー
ル 0.7wt%実施例11 オクタキス(tert−ブチルチオ)オクタキス(2−
ジエチルアミノエトキシ)インジウムクロロフタロシア
ニン [TnCnPc(tert−BuS)s (2−(Et
)、NEto 1 e ]の合成 実施例1においてナトリウムエトキシドのかわりにナト
リウム−2−ジエチルアミノエトキシド5.56gを用
い、VOPc(n−BuS) 、Fllのかわりにオク
タキス(tert−ブチルチオ)オクタフルオロバナジ
ルフタロシアニン1.51gを用いた以外実施例1と同
様に操作することにより黒色ケーキ InCfPc(tert−BuS)e (2−(Et
)2NEtO) e 1.24g(収率72.8%)を
得た 元素分析 理論値 C:58.76% J(:8.10% N:9
.79%S :11.20% F : 0.00%分
析イ直 C:59.02% H:8.14% N
: 9.88%S:11.29% F:0.00
% 吸収波長 DMF中 λwax : 768n
蒙塗 膜 λwax : 805%m熔解
度DMF 1.2wt%アセトン
1.Owt%イソプロピルアル]−ル 0.5
wt%実施例12 オクタキス(n−ブチルチオ)ビス(n−ブトキシ)へ
キサフルオロバナジルフタロシアニン[VOPc(n−
BuS)s(n−BuO)zFa]の合成ノルマルブタ
ノール1.48g、水酸化カリウム1.12gおよび、
DMF20dを100cc四ツ目フラスコに仕込み80
℃で1時間反応させた。その後、VOPc(n−BuS
)sFe 1.43gを加え還流温度でさらに10時間
反応させた。反応終了後実施例1と同様の操作を行うこ
とにより黒色のケーキ VOPc(n−BuS)*(n−BuO)Jb 1.3
2g (収率86.8%)を得た。
元素分析
理論値 C:56.86% H: 5.96%S:16
.86% F : 7.49%分析値 C:56.59
% H:6.01%S:16.58% F : 7.2
7%吸収波長 DMF中 λwax 塗 膜 λ銀ax 溶解度DMF アセトン イソプロピルアルコール N : 7.37% N : 7.18% : 752.5%m : 795%m 1.2wt% 0.6wt% 0.1wt%
.86% F : 7.49%分析値 C:56.59
% H:6.01%S:16.58% F : 7.2
7%吸収波長 DMF中 λwax 塗 膜 λ銀ax 溶解度DMF アセトン イソプロピルアルコール N : 7.37% N : 7.18% : 752.5%m : 795%m 1.2wt% 0.6wt% 0.1wt%
Claims (9)
- (1)下記一般式( I )で示される新規フタロシアニ
ン化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、R_1は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコ
キシアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアル
キル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されて
いてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベ
ンジル基を表わし(ここでR_1は各々同一でも異って
いてもよい)、R_2の少なくとも1ヶは直鎖若しくは
分岐アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アシ
ルオキシアルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ
基、アミノアルキルオキシ基、シアノアルキルオキシ基
、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン化
アルキルオキシ基、またはアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸
基、若しくはハロゲンで置換されていてもよいフェニル
オキシ基、シクロアルキルオキシ基、若しくはベンジル
オキシ基を表わし(ここでR_2は各々同一でも異って
いてもよい)、残部のR_2はFを表わし、MはZn、
Cu、Pb、VO、TiO、TiX_2、SnX_2、
AlX、またはInX(ここで、Xはハロゲン原子を示
す)を表わす〕。 - (2)下記一般式(II)で示される含フッ素フタロシア
ニン化合物と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) 〔式中、R_1は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコ
キシアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアル
キル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されて
いてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベ
ンジル基を表わし(ここでR_1は各々同一でも異って
いてもよい)、MはZn、Cu、Pb、VO、TiO、
TiX_2、SnX_2、AlX、またはInX(ここ
で、Xはハロゲン原子を示す)を表わす。〕一般式R_
3OA(式中、R_3は直鎖若しくは分岐アルキル基、
アルコキシアルキル基、アシルオキシアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、アミノアルキル基、シアノアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、ハロゲン化アル
キル基、またはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、
置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸基、若しく
はハロゲンで置換されていてもよいフェニル基、シクロ
アルキル基、若しくはベンジル基を表わし、Aは水素、
ナトリウムまたはカリウムを表わす)で示されるアルコ
シド類、アルコール類またはフェノール類とを有機溶媒
媒体中、反応させることを特徴とする、下記一般式(
I )で示されるフタロシアニン化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、R_1は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコ
キシアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアル
キル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されて
いてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベ
ンジル基を表わし(ここでR_1は各々同一でも異って
いてもよい)、R_2の少なくとも1ヶは直鎖若しくは
分岐アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アシ
ルオキシアルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ
基、アミノアルキルオキシ基、シアノアルキルオキシ基
、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン化
アルキルオキシ基、またはアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸
基、若しくはハロゲンで置換されていてもよいフェニル
オキシ基、シクロアルキルオキシ基、若しくはベンジル
オキシ基を表わし(ここでR_2は各々同一でも異って
いてもよい)、残部のR_2はFを表わし、MはZn、
Cu、Pb、VO、TiO、TiX_2、SnX_2、
AlX、またはInX(ここで、Xはハロゲン原子を示
す)を表わす〕。 - (3)Aが水素の場合、アルカリ性物質の存在下反応さ
せる請求項(2)記載の方法。 - (4)有機溶媒が、非プロトン性極性溶媒、アセトニト
リル、ベンゾニトリル、キノリンおよびピリジンからな
る群から選択される少なくとも1種である請求項(2)
記載の方法。 - (5)アルカリ性物質が水酸化カリウム、炭酸カリウム
、水酸化ナトリウムおよび炭酸ナトリウムからなる群か
ら選択される少なくとも1種である請求項(3)記載の
方法。 - (6)含フッ素フタロシアニン化合物と、アルコキシド
類、アルコール類またはフェノール類とを30〜250
℃の範囲の温度で反応させる請求項(2)記載の方法。 - (7)非プロトン性極性溶媒がN、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルスルホン、スルホランおよびN−メ
チル−2−ピロリドンからなる群から選択される少なく
とも1種である請求項(4)記載の方法。 - (8)80℃〜2000℃の範囲の温度で反応させる請
求項(6)に記載の方法。 - (9)下記一般式( I )で示される新規フタロシアニ
ン化合物を含有してなる700〜1500nmの範囲に
吸収をもつ近赤外線吸収材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・( I ) 〔式中、R_1は直鎖若しくは分岐アルキル基、アルコ
キシアルキル基、アシルオキシアルキル基、またはアル
キル基、アルコキシ基、若しくはハロゲンで置換されて
いてもよいフェニル基、シクロアルキル基、若しくはベ
ンジル基を表わし(ここでR_1は各々同一でも異って
いてもよい)、R_2の少なくとも1ヶは直鎖若しくは
分岐アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アシ
ルオキシアルキルオキシ基、ヒドロキシアルキルオキシ
基、アミノアルキルオキシ基、シアノアルキルオキシ基
、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン化
アルキルオキシ基、またはアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換可能な2級・3級アミノ基、スルホン酸
基、若しくはハロゲンで置換されていてもよいフェニル
オキシ基、シクロアルキルオキシ基、若しくはベンジル
オキシ基を表わし(ここでR_2は各々同一でも異って
いてもよい)、残部のR_2はFを表わし、MはZn、
Cu、Pb、VO、TiO、TiX_2、SnX_2、
AlX、またはInX(ここで、Xはハロゲン原子を示
す)を表わす〕。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144292A JPH0439361A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144292A JPH0439361A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439361A true JPH0439361A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15358678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144292A Pending JPH0439361A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0439361A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09279125A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Tdk Corp | 近赤外線吸収部材および熱線遮断部材ならびに近赤外線吸収方法および熱線遮断方法 |
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| WO2014084289A1 (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性樹脂組成物、これを用いたイメージセンサチップの製造方法及びイメージセンサチップ |
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| JPWO2014084331A1 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-01-05 | 宇部興産株式会社 | ペンタフルオロスルファニルフタロシアニン誘導体およびその中間体 |
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-
1990
- 1990-06-04 JP JP2144292A patent/JPH0439361A/ja active Pending
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