JPH0440553U - - Google Patents
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- JPH0440553U JPH0440553U JP8268090U JP8268090U JPH0440553U JP H0440553 U JPH0440553 U JP H0440553U JP 8268090 U JP8268090 U JP 8268090U JP 8268090 U JP8268090 U JP 8268090U JP H0440553 U JPH0440553 U JP H0440553U
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- JP
- Japan
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- noise
- light
- built
- circuit
- layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図ａは本案の一実施例とノイズ発生源との
平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ′断面のホ
トダイオードを有する回路内蔵受光素子の略断面
図、第２図は従来の回路内蔵受光素子の一例の略
断面図、第３図はその他の例の略断面図、第４図
はノイズレベルとノイズシールド用Ｐ＋層の面積
とホトダイオードのリーク成分及びノイズ飛び込
みに起因する変動との関係を示すグラフである。 １……Ｐ型半導体基板、２……Ｐ＋型分離拡散
層、３……Ｎ型エピタキシヤル層、４……カソー
ド電極取り出し用Ｎ＋層、５……ノイズシールド
用Ｐ＋層、６……ノイズ発生端子、７……ノイズ
発生端子ワイヤ。
平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ′断面のホ
トダイオードを有する回路内蔵受光素子の略断面
図、第２図は従来の回路内蔵受光素子の一例の略
断面図、第３図はその他の例の略断面図、第４図
はノイズレベルとノイズシールド用Ｐ＋層の面積
とホトダイオードのリーク成分及びノイズ飛び込
みに起因する変動との関係を示すグラフである。 １……Ｐ型半導体基板、２……Ｐ＋型分離拡散
層、３……Ｎ型エピタキシヤル層、４……カソー
ド電極取り出し用Ｎ＋層、５……ノイズシールド
用Ｐ＋層、６……ノイズ発生端子、７……ノイズ
発生端子ワイヤ。
Claims (1)
- ノイズ発生源に近いホトダイオードの受光部の
表面のみに必要な面積のノイズシールド用の半導
体層を形成し、これを定電位に接続する部分を設
けた回路内蔵受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268090U JPH0440553U (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268090U JPH0440553U (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440553U true JPH0440553U (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=31629711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268090U Pending JPH0440553U (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440553U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329426A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-08 | 岡崎 資 | 温度ヒユ−ズ |
| JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
-
1990
- 1990-08-02 JP JP8268090U patent/JPH0440553U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6329426A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-08 | 岡崎 資 | 温度ヒユ−ズ |
| JPS649655A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Photodetector built-in type semiconductor integrated circuit |
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