JPH0441519B2 - - Google Patents

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JPH0441519B2
JPH0441519B2 JP57041807A JP4180782A JPH0441519B2 JP H0441519 B2 JPH0441519 B2 JP H0441519B2 JP 57041807 A JP57041807 A JP 57041807A JP 4180782 A JP4180782 A JP 4180782A JP H0441519 B2 JPH0441519 B2 JP H0441519B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子マイクロ回路の接点領域上に突出
接点部を形成する方法に関するものである。
突出接点部（“ボール接点”又は“バンプ接点”
と称されている）を有する半導体回路素子は公知
である。磁気バブルドメイン装置や液晶装置のよ
うな他の電子マイクロ回路にもバンプ接点を設け
ることができる。バンプ接点は支持体上の導体又
は金属導体格子と、接続線を必要とすることなく
電気的に接続するのに用いられる。既知のバンプ
接点形成法はかなり複雑で、多数の処理工程を必
要とする。通常、バンプ接点は電気メツキ法とホ
トエツチング法を用いて一又は数層の金属層で形
成している。
本発明の目的は電子メツキを用いずにバンプ接
点を形成する著しく簡単な方法を提供することに
ある。本発明方法はこの目的のために、金属ワイ
ヤの先端に熱エネルギーによつてボールを形成
し、このボールを電子マイクロ回路の接点領域に
押圧して前記接点領域に接続し、次いでワイヤを
ボール近くにおいてワイヤに付与された脆弱部で
切断することを特徴とする。
この方法によればバンプ接点は完全に機械的に
得られ、ホトエツチング及び電気メツキは不要で
ある。このバンプ接点の形成は略々完全に機械化
した方法で実施することができる。この際、半導
体製造技術においてワイヤボールを形成する既知
の方法を部分的に使用することができる。上述の
如きバンプ接点を形成する簡単な方法の結果とし
て著しいコストの削減を達成することができる。
本発明の好適例においては、ワイヤとキヤピラ
リ中に通し、ワイヤ先端に形成したボールをキヤ
ピラリの下端面で電子マイクロ回路の接点領域に
押圧接続し、次いでキヤピラリをワイヤに対し上
方及び横方向に小距離動かした後にキヤピラリを
再び押し下げてキヤピラリの下端面によりワイヤ
に切欠部を与える。
脆弱部を正確に付与することは好適な形状の突
出接点部を得るのに極めて重要であり、上記の方
法によればキヤピラリの下端面によりワイヤを一
定の個所で脆弱化できるので、高い再現性で突出
接点部を得ることができる。現在の制御技術（例
えばマイクロプロセツサを用いることができる）
によれば脆弱化する個所を予め極めて精密に決め
ることができる。
本発明の好適例では、キヤピラリを上方にワイ
ヤの太さの約２〜３倍の距離動かし、横方向にワ
イヤの太さの約1.5〜２倍の距離動かす。
本発明の他の例では、ワイヤとして高い硬度を
有すると共に微粒状結晶構造を有するものを用
い、その先端に熱エネルギーによりボールを形成
した後にこのボールに近接するワイヤ部分が再結
晶により粗粒状の結晶構造となつてワイヤの該部
分が脆弱部となるようにする。
図面につき本発明を説明する。
第１図は突出接点部又はバンプを設けるべき接
点領域２を有する基板１を示す。以下の説明にお
いては基板は半導体素子であつて、接点領域は半
導体素子の能動領域に接続された金属化領域であ
るものとする。しかし、本発明は他の電子マイク
ロ回路、例えば磁気バブルドメイン装置や液晶装
置にも用いることができ、なたマイクロエレクト
ロニクス用ハイブリツド回路に用いられる支持体
にも用いることができる。突出接点部を有する基
板はその全ての接点部を支持体の導体に同時に、
且つ接続線を必要とすることなく接続することが
できる。
第１図にはキヤピラリ３の下端部が半導体素子
１の上方に示してある。このキヤピラリ３の孔４
にワイヤ５を通す、このワイヤ５の先端にボール
６を形成する。このボールは既知のように例えば
ガス炎又は静電放電によつて形成することができ
る。ワイヤの材料は通常は金又はアルミニウムで
あるが、銅のような他の材料を用いることもでき
る。キヤピラリ３は例えばセラミツク材料で造る
ことができる。必要に応じてキヤピラリ３を既知
の手段で加熱することができる。
第２図は半導体素子１の接点領域２に固着した
ワイヤ５を示し、ボール６がキヤピラリ３により
接点領域２に押しつけられ、熱圧着又は超音波振
動によつて接点領域２に固着される。
次にキヤピラリ３を上方向及び横方向に少距離
だけ移動させる。この位置を第３図に示す。次に
キヤピラリ３を再び押し下げてワイヤに切欠部７
のような脆弱部を形成する（第４図）。この脆弱
化の結果、ワイヤを容易に切断することができ
る。第５図はバンプ又は突出接点部８が設けられ
た基板１を示す。
必要に応じ、突出接点部は基板１の他の接点領
域に設けることができる。このように機械的に突
出接点部を設けた基板は既知の方法で支持体の導
体に接続することができる。
突出接点部を基板に接続後にキヤピラリを上方
にワイヤの太さの約２〜３倍の距離だけ動かし、
横方向にワイヤの太さの約1.5〜２倍の距離だけ
動かすのが極めて有利であることを確かめた。こ
の場合、ワイヤの脆弱化が所望の個所に良好に得
られる。
ワイヤの脆弱化は異なる方法で達成することも
できる。例えば、比較的高い硬度を有すると共に
微粒状結晶構造を有するワイヤを用い、このワイ
ヤの先端に熱エネルギーによつてボール６を形成
すると（第１図）、ボール６のすぐ上のワイヤ部
分に再結晶の結果として粗い結晶構造が形成され
ることによりその部分が脆弱化するようにするこ
とができる。ワイヤを第２図に示すように接点領
域２に接続した後に、引張り力をワイヤに加えて
ワイヤを脆弱部で破断する。第６図はこのように
して設けた突出接点部を示す。この場合、時々接
点部８上に極く短かいワイヤ片が残存し得る。こ
の残片はじやまになるとは限らず、特に斯る接点
部を有する基板を金属化孔を有する支持体に接続
するときは残片は支持体の孔内におさまり、全く
じやまにならない。
ワイヤの脆弱化は他の任意の適当な方法で行な
つてもよいこと勿論である。
【図面の簡単な説明】
第１図は先端にボールが形成されたワイヤを有
するキヤピラリの下端部を示す図、第２図は基板
に圧着されたバンプを示す図、第３図はキヤピラ
リが上方及び横方向に移動した位置を示す図、第
４図はワイヤの加圧脆弱化工程を示す図、第５図
はワイヤ切断後におけるバンプが設けられた基板
を示す図、第６図は異なる方法で基板上に設けら
れたバンプを示す図である。 １……基板、２……接点領域、３……キヤピラ
リ、４……孔、５……金属ワイヤ、６……ボー
ル、７……切欠部、８……バンプ（突出接点部）。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属ワイヤの先端に熱エネルギーによつてボ
    ールで形成し、このボールを電子マイクロ回路の
    接点領域に押圧して該接点領域にくつつけ、次い
    でワイヤをボール近くで切断して電子マイクロ回
    路の接点領域上に突出接点部を形成する方法にお
    いて、金属ワイヤをキヤピラリに通し、ワイヤ先
    端に形成されたボールをこのキヤピラリの下端面
    によつて電子マイクロ回路の接点領域に押圧して
    該接点領域にくつつけ、次いでこのキヤピラリを
    ワイヤと相対的に動かし、このキヤピラリの下端
    面によりワイヤのボール近くに切欠部を付与し、
    次いでワイヤをこの切欠き部で引き切ることを特
    徴とする突出接点部形成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の突出接点部形成
    方法において、キヤピラリは上方にワイヤの太さ
    の約２〜３倍の距離動かし、横方向にワイヤの太
    さの約1.5〜２倍の距離動かし、次いで再び押し
    下げることを特徴とする突出接点部形成方法。 ３ 金属ワイヤの先端に熱エネルギーによつてボ
    ールで形成し、このボールを電子マイクロ回路の
    接点領域に押圧して該接点領域にくつつけ、次い
    でワイヤをボール近くで切断して電子マイクロ回
    路の接点領域上に突出接点部を形成する方法にお
    いて、金属ワイヤとして高い硬度を有すると共に
    微粒状結晶構造を有するものを用い、熱エネルギ
    ーによるボールの形成後にこのボールに近接する
    ワイヤ部分が再結晶により組粒状結晶構造となつ
    てこのワイヤ部分が脆弱化するようにし、ワイヤ
    をこの脆弱化部分で引き切ることを特徴とする突
    出接点部形成方法。
JP4180782A 1981-03-20 1982-03-18 Method of forming protruded contact Granted JPS57163919A (en)

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JPS57163919A JPS57163919A (en) 1982-10-08
JPH0441519B2 true JPH0441519B2 (ja) 1992-07-08

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