JPH0442838B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、IC部品のようにリード端子間の間
隔が非常に狭い電子部品を半田付けによつて絶縁
基板に取付けるのに適した電子部品の取付方法に
関するものである。

［従来の技術］ 銅箔やメツキ等によつて導電体パターンが形成
された絶縁基板（以下プリント配線板と言う。）
りリード端子間の間隔が狭い電子部品を取付ける
場合、リード端子が半田付けされる導電体パター
ンの半田付けランド間の間隔は非常に狭くなる。
隣接するランド間の間隔（ランド間隔）が狭くな
ると、半田付着を防止するソルダレジストと呼ば
れる半田付抵抗層をランド間に形成しても、半田
付抵抗層を乗り越えて隣接するランドまで延び、
しばしば半田によるランド間の橋絡が発生するよ
うになる。

そこで従来から、このような半田による橋絡を
防止するための技術が種々提案されている。例え
ば特公昭54−41102号公報に示される技術では、
ランド間に形成されたソルダレジストからなる第
１の半田付抵抗層の上に更に橋絡防止用の第２の
半田付抵抗層を形成して壁を作ることにより、半
田が容易に隣接するランドに延びないようにして
いる。また特開昭62−114293号公報には、ランド
間隔の狭い部分に、ソルダレジストを介さずに直
接橋絡防止用の半田付抵抗層を形成して壁を作る
技術が開示されている。

第４図には、前者の従来技術を用いて例えば
IC部品のリード端子を半田付けした場合の状態
を示してある。同図において、１は絶縁基板、２
は基板１を貫通するスルーホール、３はIC部品
のリード端子である。４は基板１の一方の上面に
スルーホールの一方の開口部を囲むようにして形
成された環状の半田付けランドである。図示して
いないがこのランド４には印刷配線パターンが接
続されており、ランド４と配線パターンとにより
導電体パターンが形成されている。５はランド４
とランド４との間及び半田付けの不要な部分に形
成された、ソルダレジストからなる第１の半田付
抵抗層であり、６はランド間隔の狭い部分に形成
されて半田の乗り越えを防止する第２の半田付抵
抗層である。そして７は、溶融半田槽や噴流式半
田槽に、導電体パターンが形成された面を浸漬す
ることにより付けられて、リード端子３とランド
４との間を電気的、機械的に結合する半田であ
る。

実際に第２の半田付抵抗層６を第１の半田付抵
抗層５上に重ねて正確に印刷することは難しく、
印刷ズレが生じることも多々ある。また半田槽の
半田の量及び粘性並びにフラツクスの性質も常に
一定ではなく、常時第２の半田付抵抗層６で仕切
られた領域内に半田を止めておくことは難しい。
例えば印刷ズレにより第２の半田付抵抗層６がラ
ンド４上に大幅に重なるように印刷されると、半
田付抵抗層６がリード端子３に近付き過ぎて、符
号７′で示すように半田が第２の半田付抵抗層６
の上面まで付着することがある。また半田の粘性
が高すぎる場合にも、符号７″で示すように半田
が第２の半田付抵抗層６の上面まで付着すること
があり、最悪の場合には完全短絡が発生すること
もある。更に半田が第２の半田付抵抗層６で仕切
られた領域内に止まつたとしても、半田付けの際
に発生するフラツクス残査が符号８で示すように
第２の半田付抵抗層６の上まで延びることもあ
る。更に符号９で示すように、抵抗層６上に半田
粒が残ることもある。このように余分な半田７′，
７″，９やフラツクス残査８が第２の半田付抵抗
層６の上に残ると、リード端子間の絶縁距離が短
くなる。余分な半田７′，７″，９が付着した場合
に、絶縁距離が短くなるのは当然のことである
が、フラツクス残査８が残つた場合にも、絶縁距
離が短くなる。これはフラツクス残査は本来非導
電性であるが、フラツクス残査の中にハンダの成
分が残ることがあり、温度が上昇する部分に残つ
たフラツクス残査は、軟化してその範囲が徐々に
拡がる傾向にあるからである。したがつて、製品
の信頼性を向上させるためには、半田付け工程の
後に、不必要な半田やフラツクス残査を洗浄等の
面倒な工程によつて除去する必要があつた。しか
しながら、洗浄液を用いてフラツクス残査を除去
すると、洗浄液によつて導電体パターンと基板と
の間の接着強度を低下させたり、電子部品や絶縁
基板に化学的及び物理的な劣化を与えることが多
いため、一般的には半田付け工程の後に洗浄を行
なうことは希であつた。そのため、長期の使用の
間に絶縁耐力が低下したり、ゴミやホコリが抵抗
層上に付着するとリード端子間の短絡が発生する
こともあり、信頼性に欠けるという問題があつ
た。

そこでこのような問題を解決するために、特開
昭57−87195号公報に示されるように、前述の第
２の半田付抵抗層に代えて剥離可能な第２の半田
付抵抗層を用い、半田付け後に第２の半田付抵抗
層を剥離する方法が提案された。該公報に示され
た方法では、第１の半田付抵抗層を形成するため
に用いたマスクと同じマスクを用いて剥離可能な
第２の半田付抵抗層を形成する。このように剥離
可能な第２の半田付抵抗層を用いて、半田付け後
に第２の半田付抵抗層を剥離すれば、ランド間の
絶縁距離を短くする不要な物質（半田やフラツク
ス残査）を簡単に除去することができる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら剥離可能な第２の半田付抵抗層を
第１の半田付抵抗層を形成するマスクと同じマス
クを用いて形成すると次のような問題が生じる。

同じマスクを用いると実質的に剥離可能な第
２の半田付抵抗層は第１の半田付抵抗層の上に
のみ位置することになる。剥離可能な第２の半
田付抵抗層は剥離しやすい性質を有しているも
のの、銅箔等からなる半田付けランド上に位置
する場合と絶縁樹脂からなる第１の半田付抵抗
層上に位置する場合とでは、第１の半田付抵抗
層上に位置する場合の方が剥がれにくい。この
原因は半田付けランドと第１の半田付抵抗層の
表面粗さを比べると、第１の半田付抵抗層の表
面の方が粗く、第２の半田付抵抗層の密着強度
が高くなることと、両抵抗層の材料に関係があ
るものと推測される。半田付けランド間の間隔
が広い場合には、ランド間に位置する第２の半
田付抵抗層の幅も広くなるため、第１の半田抵
抗層と第２の半田付抵抗層との間の密着力が多
少高くなつても、第２の半田付抵抗層を剥離す
ることは容易である。しかしながらランド間隔
が狭くなると、ランド間に位置する第２の半田
付抵抗層の幅が狭くなり、第１の半田付抵抗層
と第２の半田付抵抗層との間の密着力が大きい
ことが原因となつて、第２の半田付抵抗層をス
ムーズに剥離させることができなくなる問題が
ある。

同じマスクを用いると、ランド間隔が広くて
本来第２の半田付抵抗層が不要な部分にまで第
２の半田付抵抗層を形成することになり、第２
の半田付抵抗層を作るための材料が無駄になる
問題が生じる上、不要な剥離作業が増える問題
が生じる。

第２の半田付抵抗層を形成する樹脂塗料は、
表面張力との関係から塗着幅が狭くなるほど厚
みが薄くなる性質を有している。したがつてラ
ンド間隔が狭くなると第１の半田付抵抗層の幅
が狭くなり、その結果第２の半田付抵抗体の幅
も狭くなり且つ厚みも薄くなつて、第２の半田
付抵抗体の橋絡防止機能が低下する問題があ
る。

本発明の目手は、第２の半田付抵抗層を確実に
剥離することができ、しかも材料を無駄にせず且
つ無駄な剥離作業を必要としない電子部品の取付
方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明では、剥離可能な第２の半田付抵抗層を
ランド間隔の狭い複数の半田付けランド間に該半
田付けランドの一部と重なるように形成する。

［作用］ 剥離可能な第２の半田付抵抗層が半田付けラン
ドに重なつている部分は、第１の半田付抵抗層と
重なつている部分より容易に第２の半田付抵抗層
が剥離する。そのためランド間隔の狭い半田付け
ランド間に形成される剥離可能な第２の半田付抵
抗層の部分を剥離する場合も、まず半田付けラン
ドの一部と重なつている部分から剥離が始まり、
その剥離が第１の半田付抵抗層と重なつている部
分の剥離を助長し、第２の半田付抵抗層を容易に
剥離できる。したがつて従来と比べて第２の半田
付抵抗層の剥離をスムーズに行える。

また本発明においては、本来第２の半田付抵抗
層を必要とするランド間隔の狭い複数の半田付け
ランド間に剥離可能な第２の半田付抵抗層を形成
するだけで、第１の半田付抵抗層の上に第２の半
田付抵抗層を全て形成しないため、第２の半田付
抵抗層の材料が無駄にならず、しかも無駄な剥離
作業が不要になる利点がある。

更にランド間隔が狭くなつても、半田付けラン
ドに重なつている分、ランド間の第２の半田付抵
抗層の幅を広くすることができるため、その部分
厚みを厚くして第２の半田付抵抗層の橋絡防止機
能の低下を抑制できる利点がある。

［実施例］ 以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細に
説明する。

第１図には、本発明の方法の一実施例を実施す
る場合の、工程の一態様が示してある。なお第１
図において、第４図に示した従来の技術と異なる
のは、第２の半田付抵抗層６の代わりに剥離可能
な橋絡防止用の第２の半田付抵抗層１０を半田付
けランド４の一部と重なるように設けている点で
あり、本発明の方法では半田付け工程の後に半田
付抵抗層１０を剥離する。剥離可能な橋絡防止用
の半田付抵抗層１０を形成するため材料として
は、公知の剥離可能な樹脂を用いるこができる。
例えば、ビニール型樹脂55wt％にエステル系可
塑材42wt％と顔料3wt％とを混ぜて構成される
「ピルコート」の商標で販売されている熱硬化型
の可剥性ソルダレジストを用いることができる。

以下第１図を参照して、本発明の一実施例の工
程を説明する。まず、プリント配線板の製造工程
について説明する。片面銅箔の絶縁基板１をエツ
チングして、所定の導電体パターンを形成し、次
にドリル等を用いつてスルーホール２を形成す
る。そしてスクリーン印刷によりソルダ−レジス
トをランド４，４間及び半田が付着してはならな
い部分に塗布して、第１の半田付抵抗層５を形成
する。所定の乾燥工程を経た後、所定の粘性の可
塑性ソルダレジストを100メツシユ以下のスクリ
ーンを用いてランド間隔の狭い部分（例えば0.5
mm以下の間隔の部分）に印刷塗布して、膜厚150
〜200μｍの剥離可能な橋絡防止用の半田付抵抗
層１０を形成する。そして140°〜150°の恒温槽に
基板を入れて所定時間加熱して半田付抵抗層１０
を硬化させる。半田付抵抗層１０は、ランド４の
上に一部重なるようにして形成する。これは半田
付抵抗層１０の厚みを少しでも厚くすることがで
き、また後の剥離工程において少しでも容易に剥
離できるようにするために、半田付抵抗層１０の
幅寸法を大きくするためである。

プリント配線板への電子部品のリード端子３の
取付けは次のようにして行う。まずプリント配線
板のスルーホール２に電子部品のリード端子３を
挿入し、例えばリフロソルダリングを用いて半田
付けを行い、リード端子３の端部とランド４との
間に半田７を付着させる。この半田付け工程にお
いては、例えば符号７′で示すように半田付抵抗
層１０の上まで半田が乗ることもあるし、また符
号９で示すように半田付抵抗層１０の上に半田粒
が付着することもある。また符号８で示したよう
にフラツクス残査が大量に残ることもある。

そこで半田付け工程の後に、本発明の方法では
橋絡防止用の半田付抵抗層１０を剥離する工程を
実施する。半田付抵抗層１０を剥離する場合に
は、通常はピンセツトまたは手で剥離する。但
し、余分な半田の量が多い場合には、剥離し難い
こともあるが、その場合には半田ごて等を用いて
余分な半田を切断または溶融させながら半田付抵
抗層１０を剥離する。

第２図には、橋絡防止用の半田付抵抗層１０を
形成するにあたつて、その周囲に枠部１１を形成
する場合の好ましくない例を示してある。この図
に示すように、半田付けランド４を避けて枠部１
１及び半田付抵抗層１０を形成すると本発明の効
果は得られないので、枠部１１を形成する場合に
は、図１に示した半田付抵抗層１０と同様に、ラ
ンド４の一部と重なるようにするのが好ましい。
この枠部１１は、橋絡防止用の抵抗層１０の幅寸
法を小さくした場合でも、抵抗層１０にある程度
多きな力を加えるこができるようにして、剥離を
容易にするためのものである。特に枠部１１を指
でつまめる程度の大きさにすれば、簡単に半田付
抵抗層１０を剥離することができる。この例のよ
うに、半田付抵抗層１０を直線パターンで形成す
れば、印刷ズレを少なくすることができる。

また第３図は、半田付抵抗層１０の他のパター
ンの一例を示している。なおこの図では、半田付
抵抗層１０の下に第１の半田付抵抗層５を設けて
おらず、また半田抵抗層１０がランド４と重なつ
ていないが、このパターンを本発明に適用する場
合には、半田付抵抗層１０の下に第１の半田付抵
抗層５を設け且つ半田抵抗層１０の一部をランド
４と重ねる必要がある。

［発明の効果］ 本発明のように、剥離可能な第２の半田付抵抗
層をランド間隔の狭い複数の半田付けランド間に
該半田付けランドの一部と重なるように形成する
と下記の優れた効果を得ることができる。

(1) ランド間隔の狭い半田付けランド間に形成さ
れる剥離可能な第２の半田付抵抗層の部分を剥
離する場合も、まず半田付けランドの一部と重
なつている部分から剥離が始まり、その剥離が
第１の半田付抵抗層と重なつている部分の剥離
を助長するため、第２の半田付抵抗層を容易に
剥離でき、従来と比べて第２の半田付抵抗層の
剥離をスムーズに行える。

(2) 本来第２の半田付抵抗層を必要とするランド
間隔の狭い複数の半田付けランド間に剥離可能
な第２の半田付抵抗層を形成するだけで、第１
の半田付抵抗層の上に第２の半田付抵抗層を全
て形成しないため、第２の半田付抵抗層の材料
が無駄にならず、しかも無駄な剥離作業が不要
になる利点がある。

(3) ランド間隔が狭くなつても、半田付けランド
に重なつている分、ランド間の第２の半田付抵
抗層の幅を広くすることができるため、その部
分の厚みを厚くして第２の半田付抵抗層の橋絡
防止機能の低下を抑制できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施する場合の一工程
の一例を示す断面図、第２図及び第３図は剥離可
能な半田付抵抗層の他のパターンを示す平面図、
第４図は従来の技術を示す断面図である。 １……絶縁基板、２……スルーホール、３……
リード端子、４……ランド、５……第１の半田付
抵抗層、６……第２の半田付抵抗層、７，７′，
７″，９……半田、８……フラツクス残査、１０
……剥離可能な第２の半田付抵抗層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数のスルーホールの開口部をそれぞれ囲む
   ように複数の半田付けランドが形成され且つ各半
   田付けランド間に第１の半田付抵抗層が形成され
   た絶縁基板の前記半田付抵抗層の上に剥離可能な
   橋絡防止用の第２の半田付抵抗層を形成し、 前記絶縁基板の前記半田付けランドが形成され
   た面から端部が突出するように電子部品のリード
   端子を前記複数のスルーホールに挿入し、 前記リード端子の前記端部を前記半田付けラン
   ドに半田付けし、 半田付け後に剥離可能な前記第２の半田付抵抗
   層を剥離することにより前記絶縁基板に電子部品
   を取付ける方法において、 剥離可能な前記第２の半田付抵抗層をランド間
   隔の狭い複数の半田付けランド間に該半田付けラ
   ンドの一部と重なるように形成することを特徴と
   する電子部品の取付方法。 ２ 前記第２の半田付抵抗層は前記複数の半田付
   けランドの間の部分から外れた位置に面積の大き
   な部分を有する特許請求の範囲第１項に記載の電
   子部品の取付方法。