JPH0442992A - Forming method for conductor pattern multilayer structure - Google Patents
Forming method for conductor pattern multilayer structureInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
導体パターン多層構造の形成方法に関し、導体パターン
多層構造の平坦化を可能とすることを目的とし、
基板の上に導体パターンを絶縁層を介して複数順次積層
して形成する導体パターン多層構造の形成方法において
、前記絶縁層を形成する工程を、前記導体パターンの周
囲に該導体パターンと略同一の膜厚を有する第1の絶縁
層を形成する工程と、前記導体パターン及び前記第1の
絶縁層の上に第2の絶縁層を形成する工程とよりなる構
成とした。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method for forming a conductor pattern multilayer structure, the purpose is to make it possible to flatten the conductor pattern multilayer structure, by sequentially laminating a plurality of conductor patterns on a substrate via an insulating layer. In the method for forming a multilayer conductor pattern structure, the step of forming the insulating layer comprises forming a first insulating layer around the conductor pattern and having a thickness substantially the same as that of the conductor pattern; The method includes a step of forming a second insulating layer on the conductor pattern and the first insulating layer.
本発明は、例えばセラミックプリント配線板の表面の導
体パターン多層構造の形成方法に関する。The present invention relates to a method for forming a multilayer conductor pattern structure on the surface of, for example, a ceramic printed wiring board.
第5図は一般的なセラミックプリント配線板10を示す
。FIG. 5 shows a general ceramic printed wiring board 10. As shown in FIG.
4は複数枚のグリーンシートか積層されたグリーンシー
ト積層体を焼成してなるセラミック積層基板であり、バ
イヤ5及び内層導体パターン6を有する。Reference numeral 4 denotes a ceramic laminated substrate formed by firing a plurality of green sheets or a laminated green sheet laminate, and has vias 5 and an inner layer conductor pattern 6.
更に、セラミック積層基板4の表面には表面導体パター
ン1が形成されている。Furthermore, a surface conductor pattern 1 is formed on the surface of the ceramic laminated substrate 4.
近年の高密度化に伴って、表面導体パターン1も多層化
される傾向にある。With the recent increase in density, the surface conductor pattern 1 also tends to be multilayered.
この場合に、表面導体パターンlの断線等を確実に防止
しつる構造とすることが必要となる。In this case, it is necessary to provide a hanging structure that reliably prevents disconnection of the surface conductor pattern l.
従来、上記表面導体パターンlの形成は、第6図のよう
な工程で行なわれていた。ここでは、導体パターン1を
3層構造する場合について第5図を参照して説明する。Conventionally, the formation of the above-mentioned surface conductor pattern l has been carried out in a process as shown in FIG. Here, a case where the conductor pattern 1 has a three-layer structure will be explained with reference to FIG.
まず、第4図工程601により、第7図に示すように、
セラミック積層基板4の表面に第1の導体パターン1a
をスパッタ及びメツキにて形成する。First, in step 601 in FIG. 4, as shown in FIG.
First conductor pattern 1a on the surface of ceramic multilayer substrate 4
is formed by sputtering and plating.
次に、工程602により、第1の導体パターン1aの上
部及び周囲に無機又は育機材を塗布して絶縁層2aを形
成する。Next, in step 602, an inorganic or growing material is applied over and around the first conductor pattern 1a to form an insulating layer 2a.
そして、工程603により、第2の導体パターン1bを
第1の導体パターン1aと絶縁層2aの重なり部分に形
成する。Then, in step 603, the second conductor pattern 1b is formed in the overlapping portion of the first conductor pattern 1a and the insulating layer 2a.
以下、工程604においては、工程602と同様に第2
の導体パターンlbの上部及び周囲に絶縁層2bを形成
し、工程605で絶縁層2bの上部に第3の導体パター
ンICを形成する。Hereinafter, in step 604, the second
An insulating layer 2b is formed on and around the conductor pattern lb, and in step 605, a third conductor pattern IC is formed on the insulating layer 2b.
これにより、導体パターン多層構造か第7図に拡大して
示すように形成される。As a result, a conductor pattern multilayer structure is formed as shown in an enlarged view in FIG.
〔発明が解決する課題)
第5図から分かるように、破線の円Aて囲んだ導体パタ
ーン1a〜1c同士か重なりあった部分は破線の円Bで
囲んだ周辺の平坦な部分より盛り上かった状態となり、
段差が生じることとなる。[Problem to be Solved by the Invention] As can be seen from FIG. 5, the overlapping portions of the conductor patterns 1a to 1c surrounded by the broken line circle A are raised higher than the surrounding flat areas surrounded by the broken line circle B. It became a state of
A difference in level will occur.
レジストの硬化時、あるいは、他のIC部品の実装時等
にプリント配線板を加熱する工程かある。There is a step of heating the printed wiring board when curing the resist or mounting other IC components.
この場合は、導体パターンと絶縁層との熱膨張率の差に
より熱応力が発生する。この熱応力は上記の段差部分に
集中し、これか原因で例えば導体パターンIb、1cが
断線する事故か発生する虞かる。In this case, thermal stress is generated due to the difference in thermal expansion coefficient between the conductive pattern and the insulating layer. This thermal stress is concentrated at the step portion, and this may cause an accident in which, for example, the conductor patterns Ib, 1c are disconnected.
導体パターンの積み重ねる層数が増えると、段差が大と
なり、熱応力が更に集中し易くなり、断線は更に発生し
易くなる。As the number of stacked conductor patterns increases, the level difference becomes larger, thermal stress becomes more likely to concentrate, and wire breakage becomes more likely to occur.
上記課題に鑑み、本発明は導体パターン多層構造の平坦
化を可能どする導体パターン多層構造の形成方法を提供
することを目的どして、以下の手段を設けた。In view of the above problems, the present invention provides the following means for the purpose of providing a method for forming a conductor pattern multilayer structure that enables flattening of the conductor pattern multilayer structure.
」1記課題を解決すべく、本発明は、基板の」二に導体
パターンを絶縁層を介して複数順次積層して形成する導
体パターン多層構造の形成方法において、前記絶縁層を
形成する工程を、前記導体パターンの周囲に略同一の膜
厚を有する第1の絶縁層を形成する工程と、前記導体パ
ターン及び前記第1の絶縁層の士に第2の絶縁層を形成
する工程とよりなる構成と17だ。In order to solve the problem described in item 1, the present invention provides a method for forming a conductor pattern multilayer structure in which a plurality of conductor patterns are sequentially laminated on a substrate through an insulating layer, the step of forming the insulating layer being formed. , a step of forming a first insulating layer having substantially the same thickness around the conductor pattern, and a step of forming a second insulating layer between the conductor pattern and the first insulating layer. Composition and 17.
第1の絶縁層を導体パターンと略同一の膜厚で形成し、
この第1の絶縁層のうち導体パターンの上部を除去する
ことにより、導体パターンとと略同一の膜厚を有する第
1の絶縁層か導体パターンの周囲に配置される。この上
に第2の絶縁層を形成することにより、その表面は平坦
となる。従って、次の導体パターンは平坦な面に形成さ
れる。forming a first insulating layer with substantially the same thickness as the conductor pattern;
By removing the upper part of the conductor pattern from the first insulating layer, a first insulating layer having substantially the same thickness as the conductor pattern is placed around the conductor pattern. By forming the second insulating layer thereon, the surface becomes flat. Therefore, the next conductor pattern is formed on a flat surface.
即ち、導体パターンは常に平坦な絶縁層の表面に形成さ
れることになる。That is, the conductor pattern is always formed on the flat surface of the insulating layer.
また、第2の導体パターン2bは、」1下の導体パター
ン相互間を電気的に絶縁する。Further, the second conductor pattern 2b electrically insulates the conductor patterns under "1" from each other.
以下、グリーンシート多層配線板の表面導体パターンを
例どして、本発明の2つの実施例を説明する。一般に絶
縁層に使用される材料は最終的に熱硬化させないと絶縁
材料としての機能を有しないものが多い。熱硬化の過程
で、塗布層は体積収縮を起こす。そこで、以下に述べる
実施例では、この体積収縮を考慮に入れた構成としであ
る。なお、絶縁材料を感光性絶縁材を使用した場合と非
感光性絶縁材を使用した場合とに分けて説明する。Hereinafter, two embodiments of the present invention will be described using a surface conductor pattern of a green sheet multilayer wiring board as an example. In general, many materials used for insulating layers do not function as an insulating material unless they are finally thermally cured. During the heat curing process, the coating layer undergoes volumetric shrinkage. Therefore, in the embodiment described below, a configuration is adopted that takes this volumetric contraction into consideration. In addition, the case where the insulating material is a photosensitive insulating material and the case where a non-photosensitive insulating material is used will be explained separately.
本発明の第1の実施例は絶縁材料に感光性絶縁材を使用
した場合について説明する。感光性絶縁材としては、感
光性ポリイミド等がある。A first embodiment of the present invention will be described in the case where a photosensitive insulating material is used as the insulating material. Examples of the photosensitive insulating material include photosensitive polyimide.
第1図に本発明にかかる導体パターン多層構造の形成方
法の工程をブロック図により示す。第2図は各工程にお
ける状態を示す。FIG. 1 is a block diagram showing the steps of a method for forming a multilayer conductor pattern structure according to the present invention. FIG. 2 shows the conditions in each step.
まず、工程101では、第2図(A)に示すように、セ
ラミック積層基板4の表面に第1の導体パターン1aを
形成する。導体パターン1aはセラミック積層基板4に
平行に形成さね、導体パターン1aの膜厚はt、である
。First, in step 101, a first conductor pattern 1a is formed on the surface of the ceramic multilayer substrate 4, as shown in FIG. 2(A). The conductor pattern 1a is formed parallel to the ceramic multilayer substrate 4, and the film thickness of the conductor pattern 1a is t.
次に、塗布層形成工程102を行なう。こては、第2図
(B)に示すように、塗布1!2a’を導体パターン1
aを覆って形成する。塗布層2a″の膜厚をt、より厚
い第2とする。後述する熱硬化により体積収縮を起こし
て膜厚が、1+ と略同程度の厚さts (t+ #
t* )となるように収縮分だ+5導体パターンの膜厚
1+より厚くするのである。Next, a coating layer forming step 102 is performed. As shown in FIG. 2(B), the iron applies coating 1!2a' to conductor pattern
Form by covering a. The thickness of the coating layer 2a'' is t, which is the second thicker layer. Volume shrinkage occurs due to heat curing, which will be described later, and the thickness becomes approximately the same as 1+ (t+ #).
The film thickness is made thicker than the film thickness 1+ of the +5 conductor pattern due to the shrinkage so that the thickness becomes t*).
即ち、t、 ++が熱硬化により収縮される厚さである
。塗布層2a’と第1の導体パターン1aとが重なり合
った部分 2 a’−1は、周囲の部分より盛り上かっ
た状態となる。That is, t, ++ is the thickness shrunk by heat curing. The portion 2a'-1 where the coating layer 2a' and the first conductor pattern 1a overlap is in a state where it is more raised than the surrounding portions.
次に、工程103により露光・現像工程を行い、塗布層
2a’のうち第1の導体パターン1aの上部を除去して
第1の導体パターン1aの上面を露出させる。Next, in step 103, an exposure and development step is performed to remove the upper part of the first conductor pattern 1a from the coating layer 2a' to expose the upper surface of the first conductor pattern 1a.
まず第2図(C)のように、塗布J!i2a’の上に、
露光用マスク3をかぶせる。かかるマスク3は、第1の
導体パターンと同一パターンである。即ぢ、1ai部で
不透明、それ以外では透明なパターンとなっている。First, as shown in Figure 2 (C), apply J! On top of i2a',
Cover with exposure mask 3. This mask 3 has the same pattern as the first conductor pattern. In other words, the pattern is opaque in the 1ai portion and transparent in the rest.
この状態で、露光を行い、続いて現像を行なう。In this state, exposure is performed and then development is performed.
これにより、導体パターンIa1部の塗布層の部分2a
’−1か除去され、第2図(D)のように、第1の導体
パターン1aと第1の絶縁層2a’とよりなる層11の
上面か平坦にされ、かつ、基板と平行とされる。As a result, the coating layer portion 2a of the conductor pattern Ia1 portion
'-1 is removed, and as shown in FIG. 2(D), the upper surface of the layer 11 consisting of the first conductive pattern 1a and the first insulating layer 2a' is made flat and parallel to the substrate. Ru.
次に、工程104により熱硬化工程を行い、溶剤を含ん
だ塗布層2a’を乾燥・硬化させる。これにより、第2
図(E)のように、塗布層2a’の膜厚は上述のように
、1+ と略同程度の厚さt、となる。熱硬化による体
積収縮は、一般に、もとの体積の40%から50%程度
である。なお、熱硬化後によって、塗布層2a“は第1
の絶縁層2aとなる。Next, in step 104, a thermosetting step is performed to dry and harden the coating layer 2a' containing the solvent. This allows the second
As shown in Figure (E), the coating layer 2a' has a thickness t, which is approximately the same as 1+, as described above. Volume shrinkage due to heat curing is generally about 40% to 50% of the original volume. Note that, depending on the heat curing, the coating layer 2a"
This becomes the insulating layer 2a.
上記の工程102〜104が第1の絶縁層2aを形成す
る工程である。The above steps 102 to 104 are steps for forming the first insulating layer 2a.
この後、工程105を行い、第2図(F)に示すように
、第2の絶縁層2bを上記層11の上に形成する。第2
の絶縁層2bにかかる絶縁体は第1の絶縁層2aと同材
質である。第2の絶縁層2bはその後に積層される第2
の導体パターンlbと導体パターン1aとの間を電気的
に絶縁する働きをする。また、層11の上面が平坦であ
るため、第2の絶縁層2aはその表面2b−1が平坦と
された状態で形成される。Thereafter, step 105 is performed to form a second insulating layer 2b on the layer 11, as shown in FIG. 2(F). Second
The insulator covering the insulating layer 2b is made of the same material as the first insulating layer 2a. The second insulating layer 2b is the second insulating layer laminated thereafter.
The conductive pattern lb and the conductive pattern 1a are electrically insulated from each other. Further, since the upper surface of the layer 11 is flat, the second insulating layer 2a is formed with its surface 2b-1 flattened.
次いで工程106を行い、第2図(G)に示すように、
第2の絶縁層2bの表面2cm1に平行に形成する。こ
の第2の導体パターンlbは第1の導体パターン1aと
重なり合う部分でも基板に平行に配置される。Next, step 106 is performed, and as shown in FIG. 2(G),
It is formed parallel to 2 cm 1 of the surface of the second insulating layer 2b. This second conductor pattern lb is arranged parallel to the substrate even in the portion where it overlaps with the first conductor pattern 1a.
以下、工程102と同様に工程107を行ない、第2の
導体パターン1bの上部及び周囲に塗布層2c’を形成
する。続いて、工程103と同様に工程108を行ない
、第2の導体パターン1b上部の塗布層を除去し、第2
の導体パターン1bの上面を露出する。工程104と同
様に工程109を行ない、熱硬化処理を施し、乾燥・硬
化させると共に、第2の導体パターンと略同一の膜厚の
塗布層2cを配置する。最後に、工程105と同様に工
程110を行ない、第2の絶縁層2dを形成する。Thereafter, step 107 is performed in the same manner as step 102 to form a coating layer 2c' on and around the second conductor pattern 1b. Subsequently, step 108 is performed in the same manner as step 103, and the coating layer on the top of the second conductor pattern 1b is removed, and the second conductor pattern 1b is removed.
The upper surface of the conductor pattern 1b is exposed. Step 109 is carried out in the same manner as step 104, and a heat curing treatment is carried out, followed by drying and curing, and a coating layer 2c having approximately the same thickness as the second conductor pattern is disposed. Finally, step 110 is performed in the same manner as step 105 to form the second insulating layer 2d.
第2の絶縁層2d上面2d−1は平坦である。そして、
工程111を行い、第2図(H)に示すように、第2の
絶縁層2dの表面2d−1上に第3の導体パターンIC
を形成する。The upper surface 2d-1 of the second insulating layer 2d is flat. and,
Step 111 is performed to form a third conductive pattern IC on the surface 2d-1 of the second insulating layer 2d, as shown in FIG. 2(H).
form.
本発明のような方法で積層されることにより、セラミッ
ク積層基板4の表面に第2図(G)に示すように導体パ
ターンの多層構造が、平坦化された状態で形成される。By laminating the layers by the method of the present invention, a multilayer structure of conductive patterns is formed on the surface of the ceramic multilayer substrate 4 in a flattened state as shown in FIG. 2(G).
このため、絶縁層2a〜2dと導体パターン1a〜IC
との熱膨張率の差異による熱応力が発生した場合であっ
ても、これが導体パターン1a−1cが重なり合う箇所
が集中することがなく、導体パターン!a〜ICの断線
は確実に防止される。For this reason, insulating layers 2a to 2d and conductor patterns 1a to IC
Even if thermal stress occurs due to the difference in coefficient of thermal expansion between the conductor patterns 1a and 1c, this will not be concentrated in the areas where the conductor patterns 1a-1c overlap. A~IC disconnection is reliably prevented.
本発明の第2の実施例は絶縁材料に非感光性絶縁材を使
用した場合について説明する。非感光性絶縁材としては
、非感光性ポリイミド等がある。A second embodiment of the present invention will be described in the case where a non-photosensitive insulating material is used as the insulating material. Examples of the non-photosensitive insulating material include non-photosensitive polyimide.
第3図に本発明の第2の実施例による導体パターン多層
構造の形成方法の工程を示すブロック図を示す。第1図
と異なるのは、非感光性絶縁材の塗布層形成後に熱硬化
を行ない、エツチングして、第1の絶縁層を導体パター
ンの周囲に配置する点である。具体的に、第3図及び第
4図を参照して説明すると以下のようになる。第4図は
第3図各工程における状態を示す。FIG. 3 is a block diagram showing the steps of a method for forming a multilayer conductor pattern structure according to a second embodiment of the present invention. The difference from FIG. 1 is that after forming a coating layer of a non-photosensitive insulating material, thermal curing and etching are performed to arrange the first insulating layer around the conductive pattern. A concrete explanation will be given below with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 4 shows the state in each step of FIG. 3.
まず、第1図工程101と同様の第3図工程301を行
い、第4図(A)のように、セラミック積層基板4の表
面に膜厚t1の第1の導体パターン1aを形成する。First, step 301 in FIG. 3, which is similar to step 101 in FIG. 1, is performed to form a first conductor pattern 1a having a thickness of t1 on the surface of the ceramic multilayer substrate 4, as shown in FIG. 4(A).
次いで、第1図工程102と同様の第3図中工程302
を行い、第4図(B)のように、熱硬化による収縮を考
慮した、t、より厚い膜厚t、の塗布層2a”が形成さ
れる。Next, step 302 in FIG. 3, which is similar to step 102 in FIG.
As shown in FIG. 4(B), a coating layer 2a'' having a thicker thickness t is formed in consideration of shrinkage due to heat curing.
次に、工程303による熱硬化工程を行い、塗布層2a
”に絶縁層としての機能をもたせると共に、塗布層2a
”は収縮し、第4図(C)のように、その膜厚t2はt
lと略同様の膜厚t3になる。なお、熱硬化によって、
塗布層2a”は絶縁層2a”−1となる。Next, a heat curing process in step 303 is performed to form the coating layer 2a.
” has a function as an insulating layer, and the coating layer 2a
” contracts, and as shown in FIG. 4(C), the film thickness t2 becomes t.
The film thickness t3 is approximately the same as l. In addition, due to heat curing,
The coating layer 2a'' becomes an insulating layer 2a''-1.
続いて、工程304によりエツチング工程を行ない、第
1の導体パターン1aの上部を露出させる。まず、導体
パターンと逆パターンのエツチングマスク7を、第4図
(D)のように、絶縁層2a”−1の上に形成する。そ
して、プラズマ装置、RIE等のドライエツチング装置
にて、エツチングマスク7がかかっていない部分をエツ
チングし、その後、エツチングマスク7を除去する。除
去後は、第4図(E)に示すように、第1の導体パター
ンの周囲にその膜厚と略同一の膜厚を有する第1の絶縁
層2aが形成される。Subsequently, in step 304, an etching process is performed to expose the upper part of the first conductor pattern 1a. First, an etching mask 7 having a pattern opposite to that of the conductor pattern is formed on the insulating layer 2a''-1 as shown in FIG. The part not covered by the mask 7 is etched, and then the etching mask 7 is removed.After removal, as shown in FIG. A first insulating layer 2a having a thickness is formed.
以下、第1図工程105.106と同様の第3図工程3
05.306が行なわれ、第4図(F)(G)に示すよ
うに、第2の絶縁層2b、第2の導体パターン1bが形
成される。その後、第3図工程303.304と同様の
工程308.309か行なわれ、熱硬化、エツチング処
理を経て、工程301と同様のJ程311か行なわれ第
3の導体パターンlcか形成される。本発明の第2の実
施例により形成される多層構造も第1の実施例と同様の
特長を有することは言うまでもない。Below, Step 3 in Figure 3, which is similar to Steps 105 and 106 in Figure 1.
05 and 306 are performed, and as shown in FIGS. 4(F) and 4(G), the second insulating layer 2b and the second conductor pattern 1b are formed. Thereafter, steps 308 and 309 similar to steps 303 and 304 in FIG. 3 are performed, and after thermal curing and etching, a step 311 similar to step 301 is performed to form a third conductor pattern lc. It goes without saying that the multilayer structure formed by the second embodiment of the present invention also has the same features as the first embodiment.
なお、本発明にかかる導体バタ・−ン多層構造の形成方
法はセラミックプリント配線板の表面に限定されるもの
てはなく、一般のポリイミド等の基板上に導体パターン
を絶R層を介して複数順次積層して形成する全てのプリ
ント配線板の形成方法に適用できる。Note that the method for forming a conductor pattern multilayer structure according to the present invention is not limited to the surface of a ceramic printed wiring board, but can be applied by forming a plurality of conductor patterns on a substrate such as a general polyimide through an R layer. It can be applied to all methods of forming printed wiring boards that are formed by sequentially laminating layers.
以上説明したように、本発明によれば、絶縁層の形成を
2工程に分けることにより、導体パターン多層構造の形
成において、導体パターンか重なり合う部分を平坦とす
ることかできる。これにより、熱応力の集中か避けられ
、導体パターンか断線する手放を防止することかできる
。また、プリント配線板の精度の向上を図ることかでき
る。As explained above, according to the present invention, by dividing the formation of an insulating layer into two steps, it is possible to flatten the overlapping portion of the conductor patterns in the formation of a multilayer conductor pattern structure. This avoids the concentration of thermal stress and prevents the conductor pattern from breaking. Furthermore, it is possible to improve the accuracy of printed wiring boards.
第1図は本発明の第1の実施例による導体パターン多層
構造の形成方法の工程を示すブロック図、第2図は本発
明第1の実施例による導体パターン多層構造の形成方法
を説明する図、
第3図は本発明の第2の実施例による導体パターン多層
構造の形成方法の工程を示すブロック図、第4図は本発
明第2の実施例による導体パターン多層構造の形成方法
を説明する図、
第5図はセラミックプリント配線板の要部断面図、
第6図は従来の導体パターン多層構造の形成方法の工程
を示す図、
第7図は従来の導体パターン多層構造の形成方法を説明
する図である。
図において、
■は表面層に形成される導体パターン、1aは第1の導
体バタ・−ン、
11)は第2の導体パターン、
Icは第3の導体パターン、
2は絶縁層、
2a’、2a”は塗布層、
2a、2cは第1の絶縁層、
2b、2dは第2の絶縁層、
3は露光用マスク、
4はセラミック積層基板、
5はバイア、
6は配線板内部の導体パターン、
7はエツチングマスク、
lOはセラミックプリント配線板、
11は第1の導体パターン1aと第1の絶縁層2aとよ
りなる層、
Olは第1の導体パターン形成工程、
02は塗布層形成工程、
03は露光・現像工程、
04は熱硬化工程、
05は第2の絶縁層形成工程、
を示ず。
才筆2の導体パターン形成工程、
ま第1の導体パターン形成工程、
ま塗布層形成工程、
ま熱硬化工程、
よエツチング工程、
ま第2の絶縁層形成工程、
ま第2の導体パターン形成工程FIG. 1 is a block diagram showing the steps of a method for forming a multilayered conductor pattern structure according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating the method for forming a multilayered conductor pattern structure according to the first embodiment of the present invention. , FIG. 3 is a block diagram showing the steps of a method for forming a multilayered conductor pattern structure according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates a method for forming a multilayered conductor pattern structure according to the second embodiment of the present invention. Figure 5 is a sectional view of the main parts of a ceramic printed wiring board, Figure 6 is a diagram showing the steps of a conventional method for forming a multilayer conductor pattern structure, and Figure 7 is an explanation of a conventional method for forming a multilayer conductor pattern structure. This is a diagram. In the figure, (2) is a conductor pattern formed on the surface layer, 1a is a first conductor pattern, 11) is a second conductor pattern, Ic is a third conductor pattern, 2 is an insulating layer, 2a', 2a'' is a coating layer, 2a and 2c are first insulating layers, 2b and 2d are second insulating layers, 3 is an exposure mask, 4 is a ceramic laminated board, 5 is a via, 6 is a conductive pattern inside the wiring board , 7 is an etching mask, IO is a ceramic printed wiring board, 11 is a layer consisting of a first conductor pattern 1a and a first insulating layer 2a, OL is a first conductor pattern forming process, 02 is a coating layer forming process, 03 is an exposure/development process, 04 is a thermosetting process, and 05 is a second insulating layer forming process.The conductor pattern forming process of Saihide 2, the first conductor pattern forming process, and the coating layer forming process , a heat curing process, an etching process, a second insulating layer formation process, a second conductor pattern formation process
Claims (3)
(2)を介して複数順次積層して形成する導体パターン
多層構造の形成方法において、 前記絶縁層(2)を形成する工程を、 前記導体パターン(1a)の周囲に該導体パターンと略
同一の膜厚を有する第1の絶縁層(2a)を形成する工
程と、 前記導体パターン(1a)及び前記第1の絶縁層(2a
)の上に第2の絶縁層(2b)を形成する工程とよりな
る構成としたことを特徴とする導体パターン多層構造の
形成方法。(1) A method for forming a conductor pattern multilayer structure in which a plurality of conductor patterns (1a) are sequentially laminated on a substrate (4) via an insulating layer (2), the step of forming the insulating layer (2). forming a first insulating layer (2a) having substantially the same thickness as the conductor pattern around the conductor pattern (1a); 2a
) A method for forming a multilayer conductor pattern structure, characterized in that the method comprises the step of forming a second insulating layer (2b) on top of the conductor pattern.
(2)を介して複数順次積層して形成する導体パターン
多層構造の形成方法において、 前記絶縁層(2)を形成する工程を、 前記導体パターン(1)の厚さ(t_1)より硬化収縮
分だけ厚い厚さ(t_2)に感光性絶縁材を塗布して塗
布層(2a′)を形成する工程(102)と、該塗布層
のうち上記導体パターン(1)の上部(2a′−1)を
除去して導体パターンを露出させる工程(103)と、 上記一部除去された塗布膜を熱硬化させて上記導体パタ
ーンの厚さと略同一厚さ(t_3)の第1の絶縁層(2
a)とする熱硬化工程(104)と、上記導体パターン
(1a)及び第1の絶縁層(2a)の上に第2の絶縁層
(2b)を形成する工程(105)とよりなる構成とし
たことを特徴とする導体パターン多層構造の形成方法。(2) A method for forming a conductor pattern multilayer structure in which a plurality of conductor patterns (1a) are sequentially laminated on a substrate (4) via an insulating layer (2), the step of forming the insulating layer (2). a step (102) of forming a coating layer (2a') by applying a photosensitive insulating material to a thickness (t_2) that is thicker than the thickness (t_1) of the conductor pattern (1) by the amount of curing shrinkage; A step (103) of removing the upper part (2a'-1) of the conductor pattern (1) of the coating layer to expose the conductor pattern, and thermally curing the partially removed coating film to form the conductor pattern. The first insulating layer (2
a); and a step (105) of forming a second insulating layer (2b) on the conductive pattern (1a) and the first insulating layer (2a). A method for forming a multilayer conductor pattern structure, characterized in that:
(2)を介して複数順次積層して形成する導体パターン
多層構造の形成方法において、 前記絶縁層(2)を形成する工程を、 前記導体パターン(1a)の厚さ(t_1)より硬化収
縮分だけ厚い厚さ(t_2)に非感光性絶縁材を塗布し
て塗布層(2a″)を形成する工程(302)と、該塗
布層を熱硬化させて、上記導体パターンの厚さと略同一
の厚さ(t_3)の第1の絶縁層(2a″)とする熱硬
化工程(303)と、 上記第1の絶縁層(2a″)のうち上記導体パターン(
1a)の上部を除去して導体パターンを露出させる工程
(304)と、 前記導体パターン(1)及び前記第1の絶縁層(2a″
)の上に第2の絶縁層(2b)を形成する工程とよりな
る構成としたことを特徴とする導体パターン多層構造の
形成方法。(3) A method for forming a conductor pattern multilayer structure in which a plurality of conductor patterns (1a) are sequentially laminated on a substrate (4) via an insulating layer (2), the step of forming the insulating layer (2). a step (302) of applying a non-photosensitive insulating material to a thickness (t_2) that is thicker than the thickness (t_1) of the conductor pattern (1a) by the amount of curing shrinkage to form a coating layer (2a''); a thermosetting step (303) of thermosetting the applied layer to form a first insulating layer (2a'') having a thickness (t_3) substantially the same as the thickness of the conductor pattern; 2a″), the above conductor pattern (
1a) to expose a conductor pattern by removing the upper part of the conductor pattern (1) and the first insulating layer (2a'');
) A method for forming a multilayer conductor pattern structure, characterized in that the method comprises the step of forming a second insulating layer (2b) on top of the conductor pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14771990A JPH0442992A (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Forming method for conductor pattern multilayer structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14771990A JPH0442992A (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Forming method for conductor pattern multilayer structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442992A true JPH0442992A (en) | 1992-02-13 |
Family
ID=15436644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14771990A Pending JPH0442992A (en) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | Forming method for conductor pattern multilayer structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442992A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955577A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nec Corp | Production of printed wiring board |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14771990A patent/JPH0442992A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955577A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nec Corp | Production of printed wiring board |
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