JPH0443641A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH0443641A JPH0443641A JP15204290A JP15204290A JPH0443641A JP H0443641 A JPH0443641 A JP H0443641A JP 15204290 A JP15204290 A JP 15204290A JP 15204290 A JP15204290 A JP 15204290A JP H0443641 A JPH0443641 A JP H0443641A
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- JP
- Japan
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- photosensitive polyimide
- film
- inorganic insulating
- insulating film
- polyimide film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、有機絶縁膜を有する半導体素子の製造方法に
関する。
関する。
従来の技術
近年、半導体集積回路の高集積化、高密度化に伴い、多
層配線が多用されるようになり、これに伴い、配線の層
間あるいは層上での凹凸が激しくなり、この凹凸の解消
手段として、感光性ポリイミド樹脂などの有機物をウェ
ハ上に回転塗布して平坦化を行なう技術が利用されてい
る。さらに、半導体素子の樹脂封止型パッケージにおい
て、封止樹脂中に含まれる石英を主成分とした充填材が
半導体素子に与えるダメージの保護材として、半導体素
子表面にも感光性ポリイミド樹脂が用いられている。
層配線が多用されるようになり、これに伴い、配線の層
間あるいは層上での凹凸が激しくなり、この凹凸の解消
手段として、感光性ポリイミド樹脂などの有機物をウェ
ハ上に回転塗布して平坦化を行なう技術が利用されてい
る。さらに、半導体素子の樹脂封止型パッケージにおい
て、封止樹脂中に含まれる石英を主成分とした充填材が
半導体素子に与えるダメージの保護材として、半導体素
子表面にも感光性ポリイミド樹脂が用いられている。
以下、その構成について第２図を参照しながら説明する
。まず、第２図（ａ）に示した所定の前段工程を終了し
、無機絶＆ｔｌｌｌ１２をパターン形成した半導体基板
１１上に、第２図（ｂ）に示したように液状の感光性ポ
リイミドを回転塗布し、半硬化させ、感光性ポリイミド
膜１３を形成する。引き続と、第２図（（２）に示した
ように、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性ポリ
イミド膜１３を所定の現像液によってパターンニングし
、その後、感光性ポリイミド膜１３を硬化する。
。まず、第２図（ａ）に示した所定の前段工程を終了し
、無機絶＆ｔｌｌｌ１２をパターン形成した半導体基板
１１上に、第２図（ｂ）に示したように液状の感光性ポ
リイミドを回転塗布し、半硬化させ、感光性ポリイミド
膜１３を形成する。引き続と、第２図（（２）に示した
ように、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性ポリ
イミド膜１３を所定の現像液によってパターンニングし
、その後、感光性ポリイミド膜１３を硬化する。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体素子の製造方法では、第２図（
（２）に示した感光性ポリイミド膜１３の現像時に、抜
きパターン部にポリイミド残渣１４が発生し、これは現
像時間を延長してもなくならない。そのため、最終保護
膜として使用する場合、その後の組立工程のワイヤーボ
ンド時にボンディング不良が発生し、組立不能となるこ
とがしばしば起きていた。また、眉間絶縁膜として使用
する場合は、下層の配線層とポリイミド膜を介した上層
の配線層がコンタクト不良を引き起こしてしまうという
課題があった。
（２）に示した感光性ポリイミド膜１３の現像時に、抜
きパターン部にポリイミド残渣１４が発生し、これは現
像時間を延長してもなくならない。そのため、最終保護
膜として使用する場合、その後の組立工程のワイヤーボ
ンド時にボンディング不良が発生し、組立不能となるこ
とがしばしば起きていた。また、眉間絶縁膜として使用
する場合は、下層の配線層とポリイミド膜を介した上層
の配線層がコンタクト不良を引き起こしてしまうという
課題があった。
本発明は上記課題を解決するもので、接触不良の起こら
ない、低価格の半導体素子を提供することを目的として
いる。
ない、低価格の半導体素子を提供することを目的として
いる。
課題を解決するための手段
本発明は」二足目的を達成するために、無機絶縁膜が形
成された半導体基板上に感光性ポリイミドを塗布してプ
リベークし、感光性ポリイミド膜を露光・現像・硬化し
、さらに引き続と、感光性ポリイミド膜をマスクとして
、下地の無機絶縁膜をエツチングする工程を備えたもの
である。
成された半導体基板上に感光性ポリイミドを塗布してプ
リベークし、感光性ポリイミド膜を露光・現像・硬化し
、さらに引き続と、感光性ポリイミド膜をマスクとして
、下地の無機絶縁膜をエツチングする工程を備えたもの
である。
作用
本発明は上記した構成により、感光性ポリイミド膜をマ
スクとして、下地の無機絶縁膜をパターンニングするた
め、ポリイミド現像時の残渣は下地の無機絶縁膜のエツ
チング時にエツチングされて除去される。
スクとして、下地の無機絶縁膜をパターンニングするた
め、ポリイミド現像時の残渣は下地の無機絶縁膜のエツ
チング時にエツチングされて除去される。
実施例
以下、本発明の第１の実施例を第１図を用いて説明する
。まず、第１図（ａ）のように、例えばＰ−３ｉＮなど
の無機絶縁膜２が形成された半導体基板１に、これらを
おおって、有機物として感光性ポリイミド膜３を回転塗
布方法によって回転数２０００ｒｐｍ、付近で被膜形成
し、１００℃程度の温度でプリベークする。次に第１図
（ｂ）に示したように、感光性ポリイミド膜３を露光・
現像・硬化してパターン形成する。この特に、抜きパタ
ーン部にポリイミド残渣４が発生する。これは現像時間
を延長してもなくならない。さらにその直後（こ、］”
４＋０２プラズマ（こよるドライエツチングを行なう。
。まず、第１図（ａ）のように、例えばＰ−３ｉＮなど
の無機絶縁膜２が形成された半導体基板１に、これらを
おおって、有機物として感光性ポリイミド膜３を回転塗
布方法によって回転数２０００ｒｐｍ、付近で被膜形成
し、１００℃程度の温度でプリベークする。次に第１図
（ｂ）に示したように、感光性ポリイミド膜３を露光・
現像・硬化してパターン形成する。この特に、抜きパタ
ーン部にポリイミド残渣４が発生する。これは現像時間
を延長してもなくならない。さらにその直後（こ、］”
４＋０２プラズマ（こよるドライエツチングを行なう。
このエツチングの初期過程でポリイミド残渣４はエツチ
ングされ、さらに、露出した下地の無機絶縁膜２がエツ
チングされ、第１図（（２）に示したようにパターンニ
ングされる。
ングされ、さらに、露出した下地の無機絶縁膜２がエツ
チングされ、第１図（（２）に示したようにパターンニ
ングされる。
この時の感光性ポリイミド膜３と、Ｐ−８ｉＮの無機絶
縁膜２のＣＦ４＋０２プラズマドライエツチの選択比は
６程度で、例えば、１００００ＡのＰ−３ｉＮをエツチ
ングするとずれば、感光性ポリイミド膜３は１７００Ａ
程度エツヂングされ、５０Ａ程度のポリイミド残渣４は
確実にエツチングされる。
縁膜２のＣＦ４＋０２プラズマドライエツチの選択比は
６程度で、例えば、１００００ＡのＰ−３ｉＮをエツチ
ングするとずれば、感光性ポリイミド膜３は１７００Ａ
程度エツヂングされ、５０Ａ程度のポリイミド残渣４は
確実にエツチングされる。
なお、ここでは、Ｐ−８ｉＮ膜を用いたが、他の無機絶
縁膜においても、それに応じたガス系を用いることによ
って同様の効果が得られる。
縁膜においても、それに応じたガス系を用いることによ
って同様の効果が得られる。
次に本発明の第２の実施例を説明する。これは、第１図
における硬化の工程の順序が異なり、第１図（ａ）のよ
うに、例えばＰ−３ｉＮなどの無機絶縁膜２が形成され
た半導体基板１に、これらをおおって、有機物として感
光性ポリイミド膜３を回転塗布法によって被膜形成し、
プリベークする。次に、感光性ポリイミド膜３を露光・
現像してパターン形成し、さらにそれらの直後に、感光
付ポリイミド膜３をマスクとして、下地の無機絶縁膜２
をＣＦＪ十０２プラズマによるドライ、エツチングを用
いてパターンニーングする。、これにより、ポリイミド
残渣が同時にエツチングされて除去される。この直後、
感光付ポリイミド膜３を硬化する。ずなわちドライ−エ
ツチング時のプラズマによるダメージが、後の感光性ポ
リイミド膜３の硬化時の熱処理により解消されるという
特徴がある。
における硬化の工程の順序が異なり、第１図（ａ）のよ
うに、例えばＰ−３ｉＮなどの無機絶縁膜２が形成され
た半導体基板１に、これらをおおって、有機物として感
光性ポリイミド膜３を回転塗布法によって被膜形成し、
プリベークする。次に、感光性ポリイミド膜３を露光・
現像してパターン形成し、さらにそれらの直後に、感光
付ポリイミド膜３をマスクとして、下地の無機絶縁膜２
をＣＦＪ十０２プラズマによるドライ、エツチングを用
いてパターンニーングする。、これにより、ポリイミド
残渣が同時にエツチングされて除去される。この直後、
感光付ポリイミド膜３を硬化する。ずなわちドライ−エ
ツチング時のプラズマによるダメージが、後の感光性ポ
リイミド膜３の硬化時の熱処理により解消されるという
特徴がある。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、感光
性ポリイミド膜をマスクとして、下地の無機絶縁膜をド
ライエッチによってパターンニングするため、ポリイミ
ド膜現像時の残渣は、下地の無機絶縁膜のドライエツチ
ング時にエツチングされて除去され、簡単な構造工程で
接触不良の起こらない、低価格、高品質の半導体素子を
提供できる。
性ポリイミド膜をマスクとして、下地の無機絶縁膜をド
ライエッチによってパターンニングするため、ポリイミ
ド膜現像時の残渣は、下地の無機絶縁膜のドライエツチ
ング時にエツチングされて除去され、簡単な構造工程で
接触不良の起こらない、低価格、高品質の半導体素子を
提供できる。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は本発明の一実
施例の半導体素子の製造方法を示した工程順断面図、第
２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （（２）は従来の半導体
素子の製造方法を示した工程順断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・無機絶縁膜
、３・・・・・・感光性ポリイミド膜。
施例の半導体素子の製造方法を示した工程順断面図、第
２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （（２）は従来の半導体
素子の製造方法を示した工程順断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・無機絶縁膜
、３・・・・・・感光性ポリイミド膜。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に無機絶縁膜を形成する工程と、そ
の無機絶縁膜の上に感光性ポリイミド膜を塗布してプリ
ベークする工程と、前記感光性ポリイミド膜を露光・現
像・硬化する工程と、前記感光性ポリイミド膜をマスク
として前記無機絶縁膜をエッチングする工程とを有する
半導体素子の製造方法。 - （２）半導体基板上に無機絶縁膜を形成する工程と、そ
の無機絶縁膜の上に感光性ポリイミド膜を塗布してプリ
ベークする工程と、前記感光性ポリイミド膜を露光・現
像する工程と、前記感光性ポリイミド膜をマスクとして
前記無機絶縁膜をエッチングする工程と、前記感光性ポ
リイミド膜を硬化する工程とを有する半導体素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15204290A JPH0443641A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15204290A JPH0443641A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443641A true JPH0443641A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15531790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15204290A Pending JPH0443641A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127099A (en) * | 1995-04-24 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Method of producing a semiconductor device |
| WO2021064944A1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| CN115373215A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-22 | 西北工业大学 | 一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15204290A patent/JPH0443641A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127099A (en) * | 1995-04-24 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Method of producing a semiconductor device |
| WO2021064944A1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| JPWO2021064944A1 (ja) * | 2019-10-03 | 2021-04-08 | ||
| CN115373215A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-22 | 西北工业大学 | 一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用 |
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