JPH0444042A - フォトマスク - Google Patents

フォトマスク

Info

Publication number
JPH0444042A
JPH0444042A JP2153354A JP15335490A JPH0444042A JP H0444042 A JPH0444042 A JP H0444042A JP 2153354 A JP2153354 A JP 2153354A JP 15335490 A JP15335490 A JP 15335490A JP H0444042 A JPH0444042 A JP H0444042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
vernier
photomask
accuracy
pellicle frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2153354A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Iwai
計夫 岩井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2153354A priority Critical patent/JPH0444042A/ja
Publication of JPH0444042A publication Critical patent/JPH0444042A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置などの製造に使用するフォトマス
クのペリクル装着精度確認用のマークに関する。
〔従来の技術〕
従来のフォトマスクのペリクル装着精度確認用のマーク
は、第6図(α)に示すように矩形の精度確認用マーク
5を、フォトマスク1のパターン面側のペリクルが装着
される位置に数ケ所設けていた。精度確認用マークの短
辺はペリタルフレームの装着位置規格であり、第6図(
b)に示すように、ペリクルフレーム4がすべて精度確
認用マーク5の上にあれば、ペリクル装着精度は正常で
あると判断していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述の従来技術では、精度確認用マークをフォ
トマスク製造のパターン描画工程において同時に設ける
ため、精度確認用マークの位置にもばらつきが生じ、精
度確認用マークの短辺寸法を「ペリクル装着規格+マー
ク位置のばらつき」にしなげればならないという問題点
を有していたそこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは、正確なペリクル装
着精度が求められる精度確認用マークを提供するところ
にある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のフォトマスクは、四角形のペリクルを装着する
フォトマスクにおいて、フォトマスクのパターン面側の
端面の際とペリクルフレームが装着される位置に、バー
ニアを設けた事を特徴とする。
〔実施例〕
第1図(a)は本発明の実施例におけるフォトマスクの
平面図であって、フォトマスク1のパターン面側に、端
面の際にはバーニア2が、ペリクルフレームが装着され
る位置にはバーニア6がそれぞれ設けられている。第2
図(α)はバーニア2、バーニア6の実施例を示す図で
ある。実際の場合、バーニア2は第2図(b)のバーニ
ア2の拡大図に示すように、約半分フォトマスク1から
食み出し途切れた状態になる。
次に、第1図(b)は本発明の実施例におけるフォトマ
スクにペリクルを装着した状態の平面図である。ペリク
ルを装着した時のバーニア3は、第2図(c)のバーニ
ア6の拡大図に示すように、約半分ペリクルフレームで
隠される。
前記実施例において実際の精度を求めてみると以下のよ
うになる。
第2図(b)のバーニア2の読み値は「−o、 6叫」
である。また第2図(c)のバーニア6の読み値は「−
0,1mm Jである。よって、本実施例の場合ペリク
ル装着精度は、 (装着精度)=(バーニア2)−(バーニア6)により
求められるので「−0,2mm Jとなる。
〔発明の効果〕
以上に述べたように本発明によれば、フォトマスクのパ
ターン面側の端面の際とペリクルフレームが装着される
位置に、バーニアを設ける事により、開学にかつ正確に
ペリクルの装着精度を求めることができるという効果を
有する。また、ノギスなど機械的な測定の必要もないの
で、異物付着の防止という効果も有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(α)、(b)は本発明のフオ)fスフの実施例
を示す、ペリクル装着前後の平面図である。 第2図(d)、(1,(C)は本発明のフォトマスクに
設けるバーニアの実施例を示す拡大図である。 第6図(α)、(b)は従来のフォトマスクを示す、ペ
リクル装着前後の平面図である。 1・・・・・・・・・フォトマスク 2・・・・・・・・・バーニア 6・・・・・・・・・バーニア 4・・・・・・・・・ペリクルフレーム5・・・・・・
・・・精度確認用マーク以上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  四角形のペリクルを装着するフォトマスクにおいて、
    フォトマスクのパターン面側の端面の際とペリクルフレ
    ームが装着される位置に、バーニアを設けた事を特徴と
    するフォトマスク。
JP2153354A 1990-06-12 1990-06-12 フォトマスク Pending JPH0444042A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2153354A JPH0444042A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 フォトマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2153354A JPH0444042A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 フォトマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0444042A true JPH0444042A (ja) 1992-02-13

Family

ID=15560630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2153354A Pending JPH0444042A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 フォトマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0444042A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100303743B1 (ko) 노광 방법
JP4286194B2 (ja) ペリクルフレーム、および該フレームを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル
US5557855A (en) Reticle
CN101625528B (zh) 掩模版夹具
JPH0444042A (ja) フォトマスク
JPS6022319A (ja) 半導体露光装置
JP2015001683A (ja) 高平坦リソグラフィ用ペリクル
US5552251A (en) Reticle and method for measuring rotation error of reticle by use of the reticle
JPH06324475A (ja) レチクル
SG138458A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPH0132044Y2 (ja)
JPH0545710U (ja) ペリクル用フレーム
KR20050066889A (ko) 마스크 정렬 및 오버레이 정렬을 위한 마크 시스템
JPS63103951A (ja) ゴミ検査装置
JPS63220143A (ja) フオトマスク
JPS5996729A (ja) ホトマスク等の位置精度測定方法
JPH08114911A (ja) フォトマスク用ペリクル及びフォトマスク
JPH0227811B2 (ja)
JPH04102851A (ja) レチクル
JP2764925B2 (ja) 半導体装置の製造方法
Skinner Photomask limitations and directions
JPS5858807B2 (ja) フオトマスク
JPS61124943A (ja) マスク
JPH01228128A (ja) 位置合わせ方法
JPH0437113A (ja) 縮小投影露光装置