JPH0444212A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0444212A JPH0444212A JP2149212A JP14921290A JPH0444212A JP H0444212 A JPH0444212 A JP H0444212A JP 2149212 A JP2149212 A JP 2149212A JP 14921290 A JP14921290 A JP 14921290A JP H0444212 A JPH0444212 A JP H0444212A
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- JP
- Japan
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- resist
- substrate
- semiconductor substrate
- resist film
- temperature
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にしシスト液を塗布する技術の改良に関する。
板上にしシスト液を塗布する技術の改良に関する。
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板の温度は、装置のおかれている室内の温度と同
じ状態にて行なわれていた。
導体基板の温度は、装置のおかれている室内の温度と同
じ状態にて行なわれていた。
つまり第２図１〜４．１５は、従来の方法による半導体
装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明すれば、
まず半導体基板２をコーターカップ４内の特に温調して
いないチャッキングテーブル１５上にセットする０次に
レジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト
液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２を回
転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する。
装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明すれば、
まず半導体基板２をコーターカップ４内の特に温調して
いないチャッキングテーブル１５上にセットする０次に
レジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト
液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２を回
転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する。
従来の方法では、コーターカップ内が密閉状態となって
いないため、常に半導体基板２の周囲の環境は大気圧に
保たれている。
いないため、常に半導体基板２の周囲の環境は大気圧に
保たれている。
通常、半導体を製造する際にレジスト液を塗布する工程
は、１０工程前後ありレジスト膜厚についても、２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を帰るためには、レジスト液の粘度を変え
て各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に厚いレジ
スト膜を得るためには高粘度のレジスト液が必贅であっ
た。ところが、高粘度のレジスト液はど気泡が発生しや
すく、レジスト液を塗布する際にこの気泡により塗布む
らが発生しやすくなるといった問題があった。
は、１０工程前後ありレジスト膜厚についても、２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を帰るためには、レジスト液の粘度を変え
て各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に厚いレジ
スト膜を得るためには高粘度のレジスト液が必贅であっ
た。ところが、高粘度のレジスト液はど気泡が発生しや
すく、レジスト液を塗布する際にこの気泡により塗布む
らが発生しやすくなるといった問題があった。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で厚いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で厚いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
Ｃ！ｌ’ｗｉを解決するための手段〕
本発明による半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗
布する際に、半導体１＆板を３ｏ″Ｃがら８０℃の範囲
の高温に保持してレジスト液を塗布することを特徴とす
る。
布する際に、半導体１＆板を３ｏ″Ｃがら８０℃の範囲
の高温に保持してレジスト液を塗布することを特徴とす
る。
第１図１〜５は、本発明の実施例における半導体装置の
断面図である、 半導体基板２をコーターカップ４内の温調付きチャッキ
ングテーブル５上を二セットする。この時この温調付き
チャッキングテーブル５は、あらかじめ所定の高温＃ｆ
：、ａに設定しておく、その後、 レジスト滴下用ノズ
ル１より半導体基板２上にレジスト液を滴下し、スピン
モーター３により半導体基板２を回転させ半導体基板２
上に均一なレジスト膜を形成する。
断面図である、 半導体基板２をコーターカップ４内の温調付きチャッキ
ングテーブル５上を二セットする。この時この温調付き
チャッキングテーブル５は、あらかじめ所定の高温＃ｆ
：、ａに設定しておく、その後、 レジスト滴下用ノズ
ル１より半導体基板２上にレジスト液を滴下し、スピン
モーター３により半導体基板２を回転させ半導体基板２
上に均一なレジスト膜を形成する。
ところで、レジスト膜厚を決める要因としてはレジスト
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する蒸発速度の３つ
が考えられる。第２図１〜４．１５は従来の方法による
半導体装置の断面図であるが、チャッキングテーブル１
５には温調機能がないため、常に室内温度と同じ温度に
チャッキングテーブル１５はなっていた。このためレジ
スト塗布時のレジストからの溶剤の蒸発速度は常に一定
にだもたれていた。さらに回転速度については、低速側
ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くなり、高速側では
スピンモーター３の能力に限界があるために、はぼ３０
００回転から６０００回転／分が実用域であり、この回
転速度内では大きく膜厚を変化させることができなかっ
た。従って従来は、レジスト液の粘度を高くすることに
よって厚いレジスト膜を形成していた。
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する蒸発速度の３つ
が考えられる。第２図１〜４．１５は従来の方法による
半導体装置の断面図であるが、チャッキングテーブル１
５には温調機能がないため、常に室内温度と同じ温度に
チャッキングテーブル１５はなっていた。このためレジ
スト塗布時のレジストからの溶剤の蒸発速度は常に一定
にだもたれていた。さらに回転速度については、低速側
ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くなり、高速側では
スピンモーター３の能力に限界があるために、はぼ３０
００回転から６０００回転／分が実用域であり、この回
転速度内では大きく膜厚を変化させることができなかっ
た。従って従来は、レジスト液の粘度を高くすることに
よって厚いレジスト膜を形成していた。
本発明によれば、レジスト塗布時に半導体基板２を３０
＠Ｃ〜８０℃の範囲の高温状態にすることにより、レジ
スト塗布時のレジストからの溶剤蒸発速度を大きくする
ことができるために、比較的低粘度のレジスト液を用い
て、厚いレジスト膜を帰ることができる。
＠Ｃ〜８０℃の範囲の高温状態にすることにより、レジ
スト塗布時のレジストからの溶剤蒸発速度を大きくする
ことができるために、比較的低粘度のレジスト液を用い
て、厚いレジスト膜を帰ることができる。
以上述べたように本発明によれば、レジスト塗布時半導
体基板を高温に保持することにより、レジストからの溶
剤蒸発速度を高くすることができるので、比較的低粘度
のレジスト液でも厚いレジスト膜を形成することができ
、気泡による塗布むらを防止でき、塗布むらの発生しな
い品質のよいレジスト膜を形成できる。
体基板を高温に保持することにより、レジストからの溶
剤蒸発速度を高くすることができるので、比較的低粘度
のレジスト液でも厚いレジスト膜を形成することができ
、気泡による塗布むらを防止でき、塗布むらの発生しな
い品質のよいレジスト膜を形成できる。
第１図
第１図は本発明による半導体装置の断面図である。
Ｗ４２図は従来の半導体１４１［の断面図である。
メよ月
Claims (1)
- 半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
体基板を３０℃から８０℃の範囲の高温に保持して、レ
ジスト液を塗布することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149212A JPH0444212A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149212A JPH0444212A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444212A true JPH0444212A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15470291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149212A Pending JPH0444212A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444212A (ja) |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149212A patent/JPH0444212A/ja active Pending
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