JPH0444214A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH0444214A
JPH0444214A JP2149214A JP14921490A JPH0444214A JP H0444214 A JPH0444214 A JP H0444214A JP 2149214 A JP2149214 A JP 2149214A JP 14921490 A JP14921490 A JP 14921490A JP H0444214 A JPH0444214 A JP H0444214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
semiconductor substrate
substrate
temperature
low
Prior art date
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Pending
Application number
JP2149214A
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English (en)
Inventor
Naoyuki Morita
直幸 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0444214A publication Critical patent/JPH0444214A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板は装置のおかれている室内と同じ温度に保持さ
れていた。
つまり第２図１〜４．１５は、従来の方法による半導体
装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明すれば、
まず半導体基板２をコーターカップ４内の特に温調され
ていないチャッキングテーブル１５上にセットする０次
にレジスト滴下用ノズルｌより半導体基板２上にレジス
ト液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２を
回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する
。
〔発明が解決しようとする課題〕
通常、半導体を製造する際に、レジスト液を塗布する工
程は１０工程前後あり、レジスト膜厚についても２〜３
８１ｇ４の条件があるのが一般的である。ところで、所
望のレジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を
変えて各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に薄い
レジスト膜厚を得るためには、低粘度のレジスト液が必
要であった。
ところが、低粘度のレジスト液はど、レジスト液をノズ
ルより塗布した債にノズル内のレジスト液の液だれを防
止するのが難かしく、液だれが発生すると塗布むらにな
るといった問題があった。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、低粘
度のレジスト液を用いないで、薄いレジスト膜を得るこ
とができる半導体装置の製造方法を提供するところにあ
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗布す
る際に、半導体基板をＯ’Ｃ〜２０＃Ｃの範囲の低温状
態に保持してレジスト液を塗布することを特徴とする。
〔実施例〕
第１図１〜５は、本発明の実施例における半導体装置の
断面図である。
半導体基板２をコーターカップ４内の温調付きチャッキ
ングテーブル５上にセットする。この時チャッキングテ
ーブル５は、あらかじめ所定の低温に設定されている６
次にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジ
スト液を滴下し、スピンモーター３により半導体基板２
を回転させ、半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成
する。
ところで、レジスト膜厚を訣める要因としてはレジスト
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する速度の３つが考
えられる。第２図１〜４．１５は従来の方法による半導
体装置の断面図であるが、チャッキングテーブル１５に
は温調機能がないため常に室内温度と同じ温度にチャッ
キングテーブル１５はなっていた。このためレジスト塗
布時のレジストからの溶剤の蒸発速度は常に一定にだも
たれていた。さらに回転速度については、低速側ではレ
ジスト膜厚の面内均一性が悪くなり、高速側ではスピン
モーター３の能力に限界があるために、はぼ３０００回
転から６０００回転／分が実用域であり、この回転速度
内では大きく膜厚を変化させることができなかった。従
って従来は、レジスト液の粘度を低くすることによって
薄いレジスト膜を形成していた。
本発明によれば、レジスト塗布時に半導体基板２を０℃
〜２０℃の範囲の低温状態にすることにより、レジスト
塗布時のレジストからの溶剤蒸発速度を低下させること
ができるために、比較的高粘度のレジスト液を用いて、
薄いレジスト膜を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、レジスト塗布時の半
導体基板を０℃〜２０″″Ｃの範囲で低温状態にするこ
とにより、レジストからの溶剤蒸発速度を低く抑えるこ
とができるので、比較的高粘度のレジスト液でも薄いレ
ジスト膜を形成することができ、ノズル内の液だれを完
全に防止でき塗布むらの発生のない品質のよいレジスト
膜を形成できる。
ｍ／ＵｉＪ
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の断面図である。 第２図は従来の半導体装置の断面図である。 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会１社 第ユ因

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
    体基板を０℃〜２０℃の範囲の低温状態に保持して、レ
    ジスト液を塗布することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP2149214A 1990-06-07 1990-06-07 半導体装置の製造方法 Pending JPH0444214A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004078363A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Nitto Denko Corporation 塗布膜の乾燥方法および光学フィルム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004078363A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Nitto Denko Corporation 塗布膜の乾燥方法および光学フィルム

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