JPH0444213A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0444213A JPH0444213A JP2149213A JP14921390A JPH0444213A JP H0444213 A JPH0444213 A JP H0444213A JP 2149213 A JP2149213 A JP 2149213A JP 14921390 A JP14921390 A JP 14921390A JP H0444213 A JPH0444213 A JP H0444213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- solvent
- semiconductor substrate
- resist liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板周囲の環境は、装置の置かれている室内の雰囲
気と同じ状態にて行なわれていた。
導体基板周囲の環境は、装置の置かれている室内の雰囲
気と同じ状態にて行なわれていた。
つまり第２図１〜４．１５は、従来の方法による半導体
装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明すれば、
まず半導体基板２を特に密閉されていないコーターカッ
プ１５内のチャッキングテーブル３上にセットする０次
にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジス
ト液を滴下し、スピンモーター４により半導体基板２を
回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する
。
装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明すれば、
まず半導体基板２を特に密閉されていないコーターカッ
プ１５内のチャッキングテーブル３上にセットする０次
にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジス
ト液を滴下し、スピンモーター４により半導体基板２を
回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する
。
従来の方法では、コーターカップ内が密閉状態となって
いないため、常に半導体基板２の周囲の環境は大気圧に
保たれている。
いないため、常に半導体基板２の周囲の環境は大気圧に
保たれている。
通常、半導体を製造する際に、レジスト液を塗布する工
程は１０工程前後あり、レジスト膜厚についても２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変え
て、各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に薄いレ
ジスト膜を得るためには低粘度のレジスト液が必要であ
った。
程は１０工程前後あり、レジスト膜厚についても２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変え
て、各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に薄いレ
ジスト膜を得るためには低粘度のレジスト液が必要であ
った。
ところが、低粘度のレジスト液はどレジスト液をノズル
より塗布した後に、ノズル内のレジスト液の液だれを防
止するのが難かしく、液だれか発生すると塗布むらにな
るといった問題があった。
より塗布した後に、ノズル内のレジスト液の液だれを防
止するのが難かしく、液だれか発生すると塗布むらにな
るといった問題があった。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解法するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で薄いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を促供するところにある。
題点を解法するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で薄いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を促供するところにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗布す
る際に、半導体基板の周囲の環境を、レジスト液中の溶
剤の雰囲気状態にして、レジスト液を塗布することを特
徴とする。
る際に、半導体基板の周囲の環境を、レジスト液中の溶
剤の雰囲気状態にして、レジスト液を塗布することを特
徴とする。
第１図１〜６は、本発明の実施例における半導体装置の
断面図である。
断面図である。
半導体基板２を密閉されたコーターカップ５内のチャッ
キングテーブル３上にセットする。その後、コーターカ
ップ５と接続されたガス配管６より、レジスト液中の溶
剤（従来アセトン、エチルセルソルブアセテート等が一
般的に用いられている）を気化させたものを注入し、コ
ーターカップ５内を溶剤雰囲気にする０次にし・シスト
滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト液を滴下
し、スピンモーター４により半導体基板２を回転させ半
導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する。
キングテーブル３上にセットする。その後、コーターカ
ップ５と接続されたガス配管６より、レジスト液中の溶
剤（従来アセトン、エチルセルソルブアセテート等が一
般的に用いられている）を気化させたものを注入し、コ
ーターカップ５内を溶剤雰囲気にする０次にし・シスト
滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジスト液を滴下
し、スピンモーター４により半導体基板２を回転させ半
導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する。
ところで、レジスト膜厚を決める要因としてはレジスト
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する速度の３つが考
えられる。第２図は、従来の方法による半導体装置の断
面図であるが、図から明らかなように、コーターカップ
５が密閉状態となっていないため、常に半導体基板２の
周囲の環境は、装置のおかれている室内のＳ囲気となっ
ている。このためレジスト塗布時のレジストからの溶剤
の蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに回転速度につ
いては、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くな
り、高速側ではスピンモーターの能力に限界があるため
に、はぼ３０００回転から６０００回転／分が実用域で
あり、この回転速度内では大きく膜厚を変化させること
ができなかった。従って従来は、レジスト液の粘度を低
くすることによって、薄いレジスト膜を形成していた。
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する速度の３つが考
えられる。第２図は、従来の方法による半導体装置の断
面図であるが、図から明らかなように、コーターカップ
５が密閉状態となっていないため、常に半導体基板２の
周囲の環境は、装置のおかれている室内のＳ囲気となっ
ている。このためレジスト塗布時のレジストからの溶剤
の蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに回転速度につ
いては、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くな
り、高速側ではスピンモーターの能力に限界があるため
に、はぼ３０００回転から６０００回転／分が実用域で
あり、この回転速度内では大きく膜厚を変化させること
ができなかった。従って従来は、レジスト液の粘度を低
くすることによって、薄いレジスト膜を形成していた。
本発明によれば、レジスト液塗布時に半導体基板２周囲
の環境をレジスト液中の溶剤の雰囲気にすることで、レ
ジスト液塗布時のレジストからの溶剤蒸発速度を低下さ
せることができるために、比較的高粘度のレジスト液を
用いて、薄いレジスト膜を得ることができる。
の環境をレジスト液中の溶剤の雰囲気にすることで、レ
ジスト液塗布時のレジストからの溶剤蒸発速度を低下さ
せることができるために、比較的高粘度のレジスト液を
用いて、薄いレジスト膜を得ることができる。
以上述べたように本発明によれば、レジスト液塗布時の
コーターカップ内の雰囲気をレジスト液中の溶剤の雰囲
気にすることで、レジストからの溶剤蒸発速度を抑える
ことができるので、比較的高粘度のレジスト液でも薄い
レジスト膜を形成することができ、ノズル内の液だれを
完全に防止でき塗布むらの発生のない品質のよいレジス
ト膜を形成できる。
コーターカップ内の雰囲気をレジスト液中の溶剤の雰囲
気にすることで、レジストからの溶剤蒸発速度を抑える
ことができるので、比較的高粘度のレジスト液でも薄い
レジスト膜を形成することができ、ノズル内の液だれを
完全に防止でき塗布むらの発生のない品質のよいレジス
ト膜を形成できる。
第１図は本発明による半導体装置の断面図Ｃある。
第２スは従来の半導体装置の断面図である。
以 上
Claims (1)
- 半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
体基板の周囲の環境を、レジスト液中の溶剤の雰囲気に
して、レジスト液を塗布することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149213A JPH0444213A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149213A JPH0444213A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444213A true JPH0444213A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15470316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149213A Pending JPH0444213A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104810252A (zh) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂布方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149213A patent/JPH0444213A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104810252A (zh) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂布方法 |
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