JPH0444215A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0444215A JPH0444215A JP2149215A JP14921590A JPH0444215A JP H0444215 A JPH0444215 A JP H0444215A JP 2149215 A JP2149215 A JP 2149215A JP 14921590 A JP14921590 A JP 14921590A JP H0444215 A JPH0444215 A JP H0444215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- inert gas
- semiconductor substrate
- resist liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板周囲の環境は、装置のおかれている室内の雰囲
気と同じ状態になっていた。
導体基板周囲の環境は、装置のおかれている室内の雰囲
気と同じ状態になっていた。
通常、半導体を製造する際に、レジスト液を塗布する工
程は１０工程前後あり、レジスト膜厚についても２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変え
て各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に薄いレジ
スト膜を得るには、低粘度のレジスト液が必要であった
。ところが、低粘度のレジスト液はど表面張力が小さい
ため、ノズルにてレジスト液を塗布した後、ノズル内残
留のレジスト液が、液だれをおこし、塗布むらが発生す
るといった問題があった。
程は１０工程前後あり、レジスト膜厚についても２〜３
種類の条件があるのが一般的である。ところで、所望の
レジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変え
て各々のレジスト膜厚を得る必要があり、特に薄いレジ
スト膜を得るには、低粘度のレジスト液が必要であった
。ところが、低粘度のレジスト液はど表面張力が小さい
ため、ノズルにてレジスト液を塗布した後、ノズル内残
留のレジスト液が、液だれをおこし、塗布むらが発生す
るといった問題があった。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で薄いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法で薄いレジスト膜厚を得ることができる半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
（課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗布す
る際に半導体基板周囲の環境を０℃から２０℃の不活性
ガス雰囲気状態にして、レジスト液を塗布することを特
徴とする。
る際に半導体基板周囲の環境を０℃から２０℃の不活性
ガス雰囲気状態にして、レジスト液を塗布することを特
徴とする。
第１図（１）〜（６）は、本発明の実施例における半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
半導体基板（２）を密閉されたコーターカップ（４）内
のチャッキングテーブル（５）上にセットする。その後
コーターカップ（４）と接続されたガス配管（６）より
Ｎ２又はＡｒガス等の不活性ガスを所定の低温にしたも
のを注入し、コーターカップ（４）内を低温の不活性ガ
ス雰囲気にする１次にレジスト滴下用ノズル（１）より
半導体基板（２）上にレジスト液を滴下し、スピンモー
ター（３）により半導体基板（２）を回転させ半導体基
板（２）上に均一なレジスト膜を形成する。
のチャッキングテーブル（５）上にセットする。その後
コーターカップ（４）と接続されたガス配管（６）より
Ｎ２又はＡｒガス等の不活性ガスを所定の低温にしたも
のを注入し、コーターカップ（４）内を低温の不活性ガ
ス雰囲気にする１次にレジスト滴下用ノズル（１）より
半導体基板（２）上にレジスト液を滴下し、スピンモー
ター（３）により半導体基板（２）を回転させ半導体基
板（２）上に均一なレジスト膜を形成する。
ところで、レジスト膜厚をきめる要因としてはレジスト
液の粘度、レジスト液滴下情の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する速度の３つが考
えられる。第２図（１）〜（３）、 （５）、 （１４
）は従来の方法による半導体装置の断面図である。従来
の方法を簡単に説明すれば、まず半導体基板（２）を特
に密閉されていないコーターカップ（１４）内のチャッ
キングテーブル（５）上にセットする０次にレジスト滴
下用ノズル（１）より半導体基板（２）上にレジスト液
を滴下し、スピンモーター（３）により半導体基板（２
）を回転させ半導体基板（２）上に均一なレジスト膜を
形成する。従来の方法では、コーターカップ内は、装置
のおかれている室内の雰囲気と同じ状態に常に保たれて
いる。このためレジスト塗布時のレジストからの溶剤の
蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに回転速度につい
ては、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くなり
、高速側ではスピンモーターの能力に限界があり、はぼ
３０００回転から６０００回転／分が実用域であり、こ
の回転速度内では大きく膜厚を変化させることができな
かった。従って従来は、レジスト液の粘度を低くするこ
とによって薄いレジスト膜を形成していた。
液の粘度、レジスト液滴下情の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストからの溶剤が蒸発する速度の３つが考
えられる。第２図（１）〜（３）、 （５）、 （１４
）は従来の方法による半導体装置の断面図である。従来
の方法を簡単に説明すれば、まず半導体基板（２）を特
に密閉されていないコーターカップ（１４）内のチャッ
キングテーブル（５）上にセットする０次にレジスト滴
下用ノズル（１）より半導体基板（２）上にレジスト液
を滴下し、スピンモーター（３）により半導体基板（２
）を回転させ半導体基板（２）上に均一なレジスト膜を
形成する。従来の方法では、コーターカップ内は、装置
のおかれている室内の雰囲気と同じ状態に常に保たれて
いる。このためレジスト塗布時のレジストからの溶剤の
蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに回転速度につい
ては、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪くなり
、高速側ではスピンモーターの能力に限界があり、はぼ
３０００回転から６０００回転／分が実用域であり、こ
の回転速度内では大きく膜厚を変化させることができな
かった。従って従来は、レジスト液の粘度を低くするこ
とによって薄いレジスト膜を形成していた。
本発明によれば、レジスト塗布時に半導体基板（２）周
囲の環境を０℃から２０１Ｃの範囲の低温の不活性ガス
雰囲気にすることで、レジスト塗布時の溶剤蒸発速度を
低下させることができるので比較的高粘度のレジスト液
を用いて、薄いレジスト膜厚を得ることができる。
囲の環境を０℃から２０１Ｃの範囲の低温の不活性ガス
雰囲気にすることで、レジスト塗布時の溶剤蒸発速度を
低下させることができるので比較的高粘度のレジスト液
を用いて、薄いレジスト膜厚を得ることができる。
以上述べたように本発明によれば、レジスト塗布時のコ
ーターカップ内の雰囲気を０℃から２０℃の範囲の低温
の不活性ガス雰囲気にすることで、レジストからの溶剤
蒸発速度を抑えることができるので、比較的高粘度のレ
ジスト液でも薄いレジスト膜を形成することができ、ノ
ズル内の液だれを完全に防止でき、塗布むらの発生のな
い品質のよいレジスト膜を形成できる。
ーターカップ内の雰囲気を０℃から２０℃の範囲の低温
の不活性ガス雰囲気にすることで、レジストからの溶剤
蒸発速度を抑えることができるので、比較的高粘度のレ
ジスト液でも薄いレジスト膜を形成することができ、ノ
ズル内の液だれを完全に防止でき、塗布むらの発生のな
い品質のよいレジスト膜を形成できる。
第１因
第１図は本発明による半導体装置の断面図である。
第２図は一従来の半導体装置の断面図である。
第ま因
Claims (1)
- 半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
体基板周囲の環境を０℃から２０℃の範囲の低温の不活
性ガス雰囲気状態にして、レジスト液を塗布することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149215A JPH0444215A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149215A JPH0444215A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444215A true JPH0444215A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15470366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149215A Pending JPH0444215A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444215A (ja) |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149215A patent/JPH0444215A/ja active Pending
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