JPH0444217A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0444217A JPH0444217A JP2149211A JP14921190A JPH0444217A JP H0444217 A JPH0444217 A JP H0444217A JP 2149211 A JP2149211 A JP 2149211A JP 14921190 A JP14921190 A JP 14921190A JP H0444217 A JPH0444217 A JP H0444217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- cup
- substrate
- resist liquid
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板周囲の環境は、大気圧状態にして行なっていた
。
導体基板周囲の環境は、大気圧状態にして行なっていた
。
通常、半導体を製造する際に、レジスト液を塗布する工
程は、１０工程以上に及び、レジスト膜厚についても、
２〜３種類の条件が有るのが一般的である。ところで、
所望のレジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度
を変えて、各々のレジスト膜厚を得るν・要があり、レ
ジスト膜厚の条件ごとにレジスト液の粘度を変えなけれ
ばならず。
程は、１０工程以上に及び、レジスト膜厚についても、
２〜３種類の条件が有るのが一般的である。ところで、
所望のレジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度
を変えて、各々のレジスト膜厚を得るν・要があり、レ
ジスト膜厚の条件ごとにレジスト液の粘度を変えなけれ
ばならず。
レジスト膜厚の条例が増えるごとに粘度の違うレジスト
液が増え、作業が大変になるといった問題があった。
液が増え、作業が大変になるといった問題があった。
さらに薄いレジスト膜を帰るためには、低粘度のレジス
ト液がν・要になるが、低粘度になるほど必要なレジス
ト液滴下皿の高精度な制御が難かしくなるといった問題
もあった。
ト液がν・要になるが、低粘度になるほど必要なレジス
ト液滴下皿の高精度な制御が難かしくなるといった問題
もあった。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法でレジスト膜厚をコントロールする事ができ
る半導体装置の製造方法を提供するところにある。
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法でレジスト膜厚をコントロールする事ができ
る半導体装置の製造方法を提供するところにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗布す
る際に、半導体基板の周囲の環境を大気圧以上の高圧状
態にして、レジスト液を塗布することを特徴とする。
る際に、半導体基板の周囲の環境を大気圧以上の高圧状
態にして、レジスト液を塗布することを特徴とする。
第１図１〜６は、本発明の実施例における半導体装置の
断面図である。
断面図である。
半導体基板２を密閉されたコーターカップ５内のチャッ
キングテーブル３上にセットする。その後、コーターカ
ップ５と接続されたガス配管６より、空気もしくはＮ２
等のガスをカップ内に所定圧力になるまで注入する０次
にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジス
ト液を滴下し、スピンモーター４により半導体基板２を
回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する
。
キングテーブル３上にセットする。その後、コーターカ
ップ５と接続されたガス配管６より、空気もしくはＮ２
等のガスをカップ内に所定圧力になるまで注入する０次
にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上にレジス
ト液を滴下し、スピンモーター４により半導体基板２を
回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を形成する
。
ところで、レジスト膜厚を決める要因としてはレジスト
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストから溶剤が蒸発する蒸発速度の３つが
考えられる。第２図１〜４．１５は、従来の方法による
半導体装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明す
れば、まず、半導体基板２を特に密閉されていないコー
ターカップ１５内のチャッキングテーブル３上にセット
する０次にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上
にレジスト液に滴下し、スピンモーター４により半導体
基板２を回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を
形成する。従来の方法では、コーターカップ内が密閉状
態となっていないため、常に半導体基板２の周囲の環境
は大気圧に保たれている。このためレジスト塗布時のレ
ジストからの溶剤の蒸発速度は常に一定に保たれる。さ
らに、回転速度については、低速側ではレジスト膜厚の
面内均一性が悪くなり、高速側ではスピンモーターの能
力に限界があるために、はぼ３０００回転から６０００
回転／分が実用域であり、この回転速度内では、大きく
膜厚を変化させることができなかった。従って従来は、
レジスト液の粘度を変化させることによって、所望のレ
ジスト膜を得ていた。
液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度、
回転時のレジストから溶剤が蒸発する蒸発速度の３つが
考えられる。第２図１〜４．１５は、従来の方法による
半導体装置の断面図である。従来の方法を簡単に説明す
れば、まず、半導体基板２を特に密閉されていないコー
ターカップ１５内のチャッキングテーブル３上にセット
する０次にレジスト滴下用ノズル１より半導体基板２上
にレジスト液に滴下し、スピンモーター４により半導体
基板２を回転させ半導体基板２上に均一なレジスト膜を
形成する。従来の方法では、コーターカップ内が密閉状
態となっていないため、常に半導体基板２の周囲の環境
は大気圧に保たれている。このためレジスト塗布時のレ
ジストからの溶剤の蒸発速度は常に一定に保たれる。さ
らに、回転速度については、低速側ではレジスト膜厚の
面内均一性が悪くなり、高速側ではスピンモーターの能
力に限界があるために、はぼ３０００回転から６０００
回転／分が実用域であり、この回転速度内では、大きく
膜厚を変化させることができなかった。従って従来は、
レジスト液の粘度を変化させることによって、所望のレ
ジスト膜を得ていた。
本発明によれば、レジスト塗布時に半導体基板２周囲の
環境を高圧状態にすることにより、レジスト液内の溶剤
の蒸発速度をコントロールすることが可能になり、圧力
を変化させることでレジスト膜厚のコントロールが可能
になる０例えば従来の方法にて２μｍ膜厚が得られる条
件の時に、コーターカップ５内を２気圧にするだけで、
レジスト膜厚は２μｍからｌｌ１ｍへと変化する。すな
わち、いくつかのレジスト膜厚が必要になってもレジス
ト液の粘度を変えることなく、コーターカップ５内の圧
力状態を変更するだけで対応可能となる。
環境を高圧状態にすることにより、レジスト液内の溶剤
の蒸発速度をコントロールすることが可能になり、圧力
を変化させることでレジスト膜厚のコントロールが可能
になる０例えば従来の方法にて２μｍ膜厚が得られる条
件の時に、コーターカップ５内を２気圧にするだけで、
レジスト膜厚は２μｍからｌｌ１ｍへと変化する。すな
わち、いくつかのレジスト膜厚が必要になってもレジス
ト液の粘度を変えることなく、コーターカップ５内の圧
力状態を変更するだけで対応可能となる。
以上述べたように本発明によれば、レジスト膜厚のコン
トロールを、コーターカップ内の高圧状態を変化させる
ことにより行なうことができるので、粘度の違うレジス
ト液を用意する必要がなくなり作業が簡単になる。さら
に薄いレジスト膜厚の時に必要になる低粘度レジスト液
も必要なくなり、レジスト液滴下量の高精度な制御も必
要なくなり、品質の向上が期待される。
トロールを、コーターカップ内の高圧状態を変化させる
ことにより行なうことができるので、粘度の違うレジス
ト液を用意する必要がなくなり作業が簡単になる。さら
に薄いレジスト膜厚の時に必要になる低粘度レジスト液
も必要なくなり、レジスト液滴下量の高精度な制御も必
要なくなり、品質の向上が期待される。
第１図は本発明による実施例の半導体装置の断面図であ
る。 第２図は従来の半導体装置の断面図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
る。 第２図は従来の半導体装置の断面図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
体基板の周囲の環境を大気圧以上の高圧状態にして、レ
ジスト液を塗布する事を特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149211A JPH0444217A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149211A JPH0444217A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444217A true JPH0444217A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15470271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149211A Pending JPH0444217A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456221A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149211A patent/JPH0444217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456221A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
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