JPH0456221A - 回転塗布方法および回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布方法および回転塗布装置Info
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- JPH0456221A JPH0456221A JP16715590A JP16715590A JPH0456221A JP H0456221 A JPH0456221 A JP H0456221A JP 16715590 A JP16715590 A JP 16715590A JP 16715590 A JP16715590 A JP 16715590A JP H0456221 A JPH0456221 A JP H0456221A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造に用いる回転塗布方法およ
び回転塗布装置に関する。
び回転塗布装置に関する。
従来の技術
近年、２層以上の配線を有する半導体装置か多くなって
きているが、第１層の配線の段差を平坦化するためにＳ
ＯＧ膜が使用される。ＳＯＧとは、Ｓ ｐｉｎ−Ｏｎ−
Ｇ １ａｓｓの略称で、シリコン化合物を有機溶剤に溶
解した溶液またはこの溶液を塗布焼成することにより形
成される酸化シリコン膜の総称である。以下に説明する
従来例および本発明の実施例においては、シリコン化合
物を溶解した液をＳＯＧ液、これを塗布した膜をＳＯＧ
膜と称する。
きているが、第１層の配線の段差を平坦化するためにＳ
ＯＧ膜が使用される。ＳＯＧとは、Ｓ ｐｉｎ−Ｏｎ−
Ｇ １ａｓｓの略称で、シリコン化合物を有機溶剤に溶
解した溶液またはこの溶液を塗布焼成することにより形
成される酸化シリコン膜の総称である。以下に説明する
従来例および本発明の実施例においては、シリコン化合
物を溶解した液をＳＯＧ液、これを塗布した膜をＳＯＧ
膜と称する。
以下に従来の回転塗布方法および回転塗布装置について
説明する。
説明する。
第４図（ａ）〜（ｄｌは従来の回転塗布方法を説明する
ための工程断面図であり、シリコン基板上に形成された
アルミニウム系金属薄膜またはシリサイド等からなる配
線の段差を平坦化するためのＳＯＧ液の回転塗布方法の
例を示している。第４図＋ａｌはシリコン基板１上にト
ランジスタ等の素子（図では省略した）を形成した後、
層間絶縁膜として常圧ＣＶＤ法等により第一のシリコン
酸化膜２を形成し、その上に１μｍ厚の第一のアルミニ
ウム配線３を形成したものである。第４図（ｂｌは第一
のアルミニウム配線３の上にプラズマＣＶＤ法により第
二のシリコン酸化膜４を４０００人の厚さに形成したも
のである。このシリコン基板１上にＳＯＧＯｓＯ４成す
るのであるが、まずシリコン基板１を毎分２０回転で回
転させなからＳＯＧ液を５秒間で４ ｃｃシリコン基板
１の中心に滴下し、その後シリコン基板１を毎分５００
０回転で８秒間回転させてＳＯＧ液を全面に広げて溶剤
を蒸発させた後、窒素雰囲気中で４７０℃−２０分の熱
処理を行う。この状態を第４図（Ｃ１に示したが、シリ
コン基板１の表面の凹部かＳＯＧＯｓＯ４められている
。このＳＯＧＯｓＯ４にプラズマＣＶＤ法によって第三
のシリコン酸化膜４ａを３０００人堆積した状態を第４
図（ｄｉに示した。このようにしてＳＯＧＯｓＯ４成し
てアルミニウム配線３の段差ヲ平坦化し、第二のアルミ
ニウム配線（図では省略した）の段切れや配線抵抗の増
大を抑える。
ための工程断面図であり、シリコン基板上に形成された
アルミニウム系金属薄膜またはシリサイド等からなる配
線の段差を平坦化するためのＳＯＧ液の回転塗布方法の
例を示している。第４図＋ａｌはシリコン基板１上にト
ランジスタ等の素子（図では省略した）を形成した後、
層間絶縁膜として常圧ＣＶＤ法等により第一のシリコン
酸化膜２を形成し、その上に１μｍ厚の第一のアルミニ
ウム配線３を形成したものである。第４図（ｂｌは第一
のアルミニウム配線３の上にプラズマＣＶＤ法により第
二のシリコン酸化膜４を４０００人の厚さに形成したも
のである。このシリコン基板１上にＳＯＧＯｓＯ４成す
るのであるが、まずシリコン基板１を毎分２０回転で回
転させなからＳＯＧ液を５秒間で４ ｃｃシリコン基板
１の中心に滴下し、その後シリコン基板１を毎分５００
０回転で８秒間回転させてＳＯＧ液を全面に広げて溶剤
を蒸発させた後、窒素雰囲気中で４７０℃−２０分の熱
処理を行う。この状態を第４図（Ｃ１に示したが、シリ
コン基板１の表面の凹部かＳＯＧＯｓＯ４められている
。このＳＯＧＯｓＯ４にプラズマＣＶＤ法によって第三
のシリコン酸化膜４ａを３０００人堆積した状態を第４
図（ｄｉに示した。このようにしてＳＯＧＯｓＯ４成し
てアルミニウム配線３の段差ヲ平坦化し、第二のアルミ
ニウム配線（図では省略した）の段切れや配線抵抗の増
大を抑える。
第５図は従来の回転塗布装置を示す要部断面図である。
シリコン基板１は真空チャック６に吸着されており、こ
の真空チャック６はモーター７の回転軸８に連結されて
いる。ＳＯＧ液はＳＯＧ液導入管９によりシリコン基板
１上に導かれ、ソレノイドバルブ１０の開閉により一定
量が滴下されるようになっている。
の真空チャック６はモーター７の回転軸８に連結されて
いる。ＳＯＧ液はＳＯＧ液導入管９によりシリコン基板
１上に導かれ、ソレノイドバルブ１０の開閉により一定
量が滴下されるようになっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、シリコン基板内での
ＳＯＧ膜にばらつきが多く、部分的に平坦度の悪い場所
が生し、アルミニウム配線の段切れや配線抵抗の増大が
発生するという課題を有していた。
ＳＯＧ膜にばらつきが多く、部分的に平坦度の悪い場所
が生し、アルミニウム配線の段切れや配線抵抗の増大が
発生するという課題を有していた。
またＳＯＧ液はシリコン基板の中心部に滴下されると時
間とともに溶媒であるエチルアルコールが蒸発し、粘度
が高くなりながらシリコン基板の回転によって中心部か
ら周辺部へと広がって行く。したがってＳＯＧ液は粘度
が高くならない状態でシリコン基板の回転による遠心力
で周辺部へ流れて行くためにシリコン基板の中心部では
凹部に溜りにくく膜厚が薄くなる。一方シリコン基板の
周辺部ではＳＯＧ液の粘度が高いため凹部に溜りやすく
膜厚が厚くなる。
間とともに溶媒であるエチルアルコールが蒸発し、粘度
が高くなりながらシリコン基板の回転によって中心部か
ら周辺部へと広がって行く。したがってＳＯＧ液は粘度
が高くならない状態でシリコン基板の回転による遠心力
で周辺部へ流れて行くためにシリコン基板の中心部では
凹部に溜りにくく膜厚が薄くなる。一方シリコン基板の
周辺部ではＳＯＧ液の粘度が高いため凹部に溜りやすく
膜厚が厚くなる。
また回転数を下げてＳＯＧ液か周辺部に流れる速度を遅
くしてシリコン基板の中心部でのＳＯＧ液の粘度を高め
た場合、シリコン基板の中心部ではＳＯＧ液が凹部に溜
りやすくなり膜厚も厚くなるが、シリコン基板の周辺部
ではＳＯＧ液の粘度が高くなりすぎて塗布むらが発生す
る。ＳＯＧ液がシリコン基板の中心部から周辺部へ流れ
る速度はシリコン基板の回転数によっても制御できるが
、単位時間あたりのＳＯＧ液の粘度の上昇程度は分散さ
せた物質と溶媒固有のものである。
くしてシリコン基板の中心部でのＳＯＧ液の粘度を高め
た場合、シリコン基板の中心部ではＳＯＧ液が凹部に溜
りやすくなり膜厚も厚くなるが、シリコン基板の周辺部
ではＳＯＧ液の粘度が高くなりすぎて塗布むらが発生す
る。ＳＯＧ液がシリコン基板の中心部から周辺部へ流れ
る速度はシリコン基板の回転数によっても制御できるが
、単位時間あたりのＳＯＧ液の粘度の上昇程度は分散さ
せた物質と溶媒固有のものである。
第６図（ａｌ〜ｆｃｌは従来の塗布方法でシリコン基板
１上にＳＯＧ液５ａを塗布する過程を説明するためのシ
リコン基板の断面図である。第６図（ａｌはＳＯＧ液５
ａをシリコン基板１上に滴下したところである。第６図
ｔｂ＋はシリコン基板１を５０００回転で回転させ始め
たところでＳＯＧ液５ａの粘度が増大しながら周辺に広
がって行くところを示している。第６図（Ｃ１は回転を
終えたところで、ＳＯＧＯｓＯ４リコン基板１の中心部
で薄く、周辺部で厚くなっている。この段階でＳＯＧＯ
ｓＯ４厚はシリコン基板１の中心部で１５００人、周辺
部で１８００人である。
１上にＳＯＧ液５ａを塗布する過程を説明するためのシ
リコン基板の断面図である。第６図（ａｌはＳＯＧ液５
ａをシリコン基板１上に滴下したところである。第６図
ｔｂ＋はシリコン基板１を５０００回転で回転させ始め
たところでＳＯＧ液５ａの粘度が増大しながら周辺に広
がって行くところを示している。第６図（Ｃ１は回転を
終えたところで、ＳＯＧＯｓＯ４リコン基板１の中心部
で薄く、周辺部で厚くなっている。この段階でＳＯＧＯ
ｓＯ４厚はシリコン基板１の中心部で１５００人、周辺
部で１８００人である。
第７図（ａｌ、 （ｂｌに上記の方法でＳＯＧ液５ａを
回転塗布した後のシリコン基板１の中心部および周辺部
の断面図を示す。第７図ｆａ）はシリコン基板１の中心
部での断面図、第７図（ｂｌはシリコン基板１の周辺部
での断面図である。シリコン基板１の中心部では周辺部
に比べＳＯＧ液５ａが溜りにくく、中心部の凹部でのＳ
ＯＧＯｓＯ４厚は周辺部の凹部での膜厚の５０％しかな
い。
回転塗布した後のシリコン基板１の中心部および周辺部
の断面図を示す。第７図ｆａ）はシリコン基板１の中心
部での断面図、第７図（ｂｌはシリコン基板１の周辺部
での断面図である。シリコン基板１の中心部では周辺部
に比べＳＯＧ液５ａが溜りにくく、中心部の凹部でのＳ
ＯＧＯｓＯ４厚は周辺部の凹部での膜厚の５０％しかな
い。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、シリコン基
板上の凹部にＳＯＧ液が溜りゃすく、膜厚の均一性およ
び平坦化に優れたＳＯＧ膜を形成できる回転塗布方法お
よび回転塗布装置を提供することを目的とする。
板上の凹部にＳＯＧ液が溜りゃすく、膜厚の均一性およ
び平坦化に優れたＳＯＧ膜を形成できる回転塗布方法お
よび回転塗布装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の回転塗布方法は、溶
液を陽圧下で半導体基板上へ滴下し、その直後に回転塗
布するものであり、また本発明の回転塗布装置は圧力容
器中に半導体基板を吸着して回転する真空チャックと、
半導体基板へ溶液を滴下する滴下装置を備えた構成を有
している。
液を陽圧下で半導体基板上へ滴下し、その直後に回転塗
布するものであり、また本発明の回転塗布装置は圧力容
器中に半導体基板を吸着して回転する真空チャックと、
半導体基板へ溶液を滴下する滴下装置を備えた構成を有
している。
作用
この構成によって圧力容器内の圧力制御ができ、溶液中
の溶媒の蒸発速度で決定される粘度を制御して半導体基
板上の凹部へ溶液が溜りやすくすることで、溶媒蒸発後
の膜厚の均一性を向上させることができる。
の溶媒の蒸発速度で決定される粘度を制御して半導体基
板上の凹部へ溶液が溜りやすくすることで、溶媒蒸発後
の膜厚の均一性を向上させることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図（ａ）、 ｆｂｌは本発明の一実施例における回
転塗布方法を説明するためのシリコン基板の断面図であ
る。シリコン基板１を窒素ガス雰囲気１．５〜１．８気
圧の加圧状態で毎分２０回転で回転させなから、エチル
アルコールを溶媒としたＳＯＧ液５ａを５秒間−４ｃｃ
たけシリコン基板１上の中心に滴下したものが第１図（
ａｌである。その後シリコン基板１を毎分２０００回転
で８秒間回転させ、ＳＯＧＯｓＯ４リコン基板１の全面
に形成したものが第１図ｆｂｌである。このときシリコ
ン基板１の中心部での膜厚は２１００〜２１５０人、シ
リコン基板１の周辺部では２０５０〜２１００人であっ
た。
転塗布方法を説明するためのシリコン基板の断面図であ
る。シリコン基板１を窒素ガス雰囲気１．５〜１．８気
圧の加圧状態で毎分２０回転で回転させなから、エチル
アルコールを溶媒としたＳＯＧ液５ａを５秒間−４ｃｃ
たけシリコン基板１上の中心に滴下したものが第１図（
ａｌである。その後シリコン基板１を毎分２０００回転
で８秒間回転させ、ＳＯＧＯｓＯ４リコン基板１の全面
に形成したものが第１図ｆｂｌである。このときシリコ
ン基板１の中心部での膜厚は２１００〜２１５０人、シ
リコン基板１の周辺部では２０５０〜２１００人であっ
た。
以上のようにＳＯＧ液５ａを陽圧下で回転塗布すること
によりＳＯＧ液５ａの溶媒であるエチルアルコールの蒸
発を制御してその粘度を一定に保ちながら低速回転を行
い、ＳＯＧ液５ａのシリコン基板１の周辺部への流れ速
度を低下させ、従来常圧下での回転塗布方法ではＳＯＧ
液５ａが溜りにくかったシリコン基板１の中心部の凹部
も含め膜厚均一性に優れたＳＯＧＯｓＯ４成することか
できる。なおＳＯＧ溶液５ａを塗布後に回転数を下げな
がら徐々に圧力を下げることにより、発泡などによるＳ
ＯＧＯｓＯ４くれが防止できる。
によりＳＯＧ液５ａの溶媒であるエチルアルコールの蒸
発を制御してその粘度を一定に保ちながら低速回転を行
い、ＳＯＧ液５ａのシリコン基板１の周辺部への流れ速
度を低下させ、従来常圧下での回転塗布方法ではＳＯＧ
液５ａが溜りにくかったシリコン基板１の中心部の凹部
も含め膜厚均一性に優れたＳＯＧＯｓＯ４成することか
できる。なおＳＯＧ溶液５ａを塗布後に回転数を下げな
がら徐々に圧力を下げることにより、発泡などによるＳ
ＯＧＯｓＯ４くれが防止できる。
第２図は本発明の一実施例における回転塗布装置の構成
図である。第２図において、圧力容器１１はシリコン基
板の回転装置系（図面では省略した）を内部に備えてお
り、ＳＯＧ液の滴下はＳＯＧ液導入管９、ソレノイドバ
ルブ１０を通して行われる。
図である。第２図において、圧力容器１１はシリコン基
板の回転装置系（図面では省略した）を内部に備えてお
り、ＳＯＧ液の滴下はＳＯＧ液導入管９、ソレノイドバ
ルブ１０を通して行われる。
圧力容器１１内を１．５〜１．８気圧に加圧するために
、１５０ｋｇ／ａｔ／で充填された窒素ガスホンへ１２
のガスを減圧弁１３で５ ｋｇ／ａｄに減圧し、第一の
マスフローコントローラ１４によって流量コントロール
しながら圧力容器１１内に導入する。また圧力容器１１
内のガスは可変オリフィス１５、第二のマスフローコン
トローラ１６を通して外部へ排出される。圧力容器１１
内の圧力は圧力検出装置１７で検出されて電気信号とし
てマイクロコンピュータ１８に送られ、マイクロコンピ
ュータ１８は圧力容器１１内が一定圧力になるように第
一および第二のマスフローコントローラ１４．１６およ
び可変オリフィス１５を制御する。
、１５０ｋｇ／ａｔ／で充填された窒素ガスホンへ１２
のガスを減圧弁１３で５ ｋｇ／ａｄに減圧し、第一の
マスフローコントローラ１４によって流量コントロール
しながら圧力容器１１内に導入する。また圧力容器１１
内のガスは可変オリフィス１５、第二のマスフローコン
トローラ１６を通して外部へ排出される。圧力容器１１
内の圧力は圧力検出装置１７で検出されて電気信号とし
てマイクロコンピュータ１８に送られ、マイクロコンピ
ュータ１８は圧力容器１１内が一定圧力になるように第
一および第二のマスフローコントローラ１４．１６およ
び可変オリフィス１５を制御する。
第３図は圧力容器の断面図である。圧力容器１１は下部
容器１９と上蓋２０の２つの部分に分かれていてＯリン
グ２１とクランプ２２で密閉される。下部容器１９には
内部を加圧するための不活性ガスを導入するためのガス
導入管２３および排気管２４が接続されている。また上
蓋２０にはＳＯＧ液導入管９が接続されており、ソレノ
イドバルブ１０の開閉によってＳＯＧ液を滴下する。
容器１９と上蓋２０の２つの部分に分かれていてＯリン
グ２１とクランプ２２で密閉される。下部容器１９には
内部を加圧するための不活性ガスを導入するためのガス
導入管２３および排気管２４が接続されている。また上
蓋２０にはＳＯＧ液導入管９が接続されており、ソレノ
イドバルブ１０の開閉によってＳＯＧ液を滴下する。
シリコン基板１は真空チャック６に吸着され、その真空
チャック６は回転軸８を通してモーター７で回転する。
チャック６は回転軸８を通してモーター７で回転する。
以上のように本実施例の回転塗布装置は密閉できる圧力
容器１１を有し、陽圧下でＳＯＧ液５ａの回転塗布が可
能であり、この装置を用いてＳＯＧ液５ａを陽圧下でシ
リコン基板１上に塗布することにより、シリコン基板１
上の凹部にＳＯＧ液５ａが溜りやすくなり、最終的に膜
厚均一性に優れたＳＯＧＯｓＯ４成できる。
容器１１を有し、陽圧下でＳＯＧ液５ａの回転塗布が可
能であり、この装置を用いてＳＯＧ液５ａを陽圧下でシ
リコン基板１上に塗布することにより、シリコン基板１
上の凹部にＳＯＧ液５ａが溜りやすくなり、最終的に膜
厚均一性に優れたＳＯＧＯｓＯ４成できる。
なお、本実施例において圧力容器１１内を窒素ガスで加
圧したが、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよいこと
はいうまでもない。
圧したが、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよいこと
はいうまでもない。
また本実施例においては、ＳＯＧ液５ａの回転塗布を例
として説明したか、ポリイミド系樹脂の塗布に応用して
も同様の効果が得られる。
として説明したか、ポリイミド系樹脂の塗布に応用して
も同様の効果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明は、陽圧下で無機または有機の物質
を分散または溶解した溶液を半導体基板上に滴下し、そ
の半導体基板を回転して溶液を半導体基板全面に塗布す
ることにより、半導体基板上の凹部へ溶液が溜りやすく
、最終的に膜厚均一性に優れた塗布膜が得られる優れた
回転塗布方法および回転塗布装置を実現できるものであ
る。
を分散または溶解した溶液を半導体基板上に滴下し、そ
の半導体基板を回転して溶液を半導体基板全面に塗布す
ることにより、半導体基板上の凹部へ溶液が溜りやすく
、最終的に膜厚均一性に優れた塗布膜が得られる優れた
回転塗布方法および回転塗布装置を実現できるものであ
る。
第１図（ａｌ、 （ｂｌは本発明の一実施例における回
転塗布方法を適用するためのシリコン基板の断面図、第
２図は本発明の一実施例における回転塗布装置の概略断
面図、第３図は本発明の回転塗布装置の圧力容器の断面
図、第４図（ａｌ〜（ｄｌは従来の回転塗布方法を説明
するための工程断面図、第５図は従来の回転塗布装置を
示す要部断面図、第６図ｆａｔ〜ｆｃｌは従来の塗布方
法を適用するためのシリコン基板の断面図、第７図ｆａ
ｌ、 （ｂｌは従来の方法で回転塗布した後のシリコン
基板の中心部および周辺部の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板（半導体基板）、５ａ・・
・・・・ＳＯＧ溶液（溶液）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 １ ・シリコン基Ｍ（９９伯本幕不ｑ）ａ・ ＳＯ＠
渣（ダ寥珂★） 弔 図 弔 図 第 図 第 図
転塗布方法を適用するためのシリコン基板の断面図、第
２図は本発明の一実施例における回転塗布装置の概略断
面図、第３図は本発明の回転塗布装置の圧力容器の断面
図、第４図（ａｌ〜（ｄｌは従来の回転塗布方法を説明
するための工程断面図、第５図は従来の回転塗布装置を
示す要部断面図、第６図ｆａｔ〜ｆｃｌは従来の塗布方
法を適用するためのシリコン基板の断面図、第７図ｆａ
ｌ、 （ｂｌは従来の方法で回転塗布した後のシリコン
基板の中心部および周辺部の断面図である。 １・・・・・・シリコン基板（半導体基板）、５ａ・・
・・・・ＳＯＧ溶液（溶液）。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 １ ・シリコン基Ｍ（９９伯本幕不ｑ）ａ・ ＳＯ＠
渣（ダ寥珂★） 弔 図 弔 図 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）陽圧下で無機または有機の物質を分散または溶解
した溶液を半導体基板上に滴下し、前記半導体基板を回
転して溶液を半導体基板全面に塗布する回転塗布方法。 - （２）半導体基板上に溶液を塗布した後、回転数を下げ
ながら陽圧から常圧へ戻す請求項１記載の回転塗布方法
。 - （３）圧力検出手段、ガス導入手段、ガス排気手段およ
び溶液供給手段を取り付けた圧力容器中に、半導体基板
を吸着回転するための吸着回転手段と、前記溶液供給手
段から供給される無機または有機の物質を分散または溶
解した溶液を前記半導体基板上へ滴下するための溶液滴
下手段とを備え、かつ前記各手段を制御する制御手段を
備えた回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16715590A JPH0456221A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16715590A JPH0456221A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456221A true JPH0456221A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15844444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16715590A Pending JPH0456221A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319847B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Semiconductor device using a thermal treatment of the device in a pressurized steam ambient as a planarization technique |
| JP2007123460A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜の成膜方法及びその装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176572A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Toshiba Corp | 塗膜形成装置 |
| JPH03187217A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Rohm Co Ltd | ウエハの表面処理装置 |
| JPH0444217A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16715590A patent/JPH0456221A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176572A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Toshiba Corp | 塗膜形成装置 |
| JPH03187217A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Rohm Co Ltd | ウエハの表面処理装置 |
| JPH0444217A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319847B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Semiconductor device using a thermal treatment of the device in a pressurized steam ambient as a planarization technique |
| JP2007123460A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜の成膜方法及びその装置 |
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