JPH0444346A - 封止型ハイブリッド回路装置 - Google Patents
封止型ハイブリッド回路装置Info
- Publication number
- JPH0444346A JPH0444346A JP15331290A JP15331290A JPH0444346A JP H0444346 A JPH0444346 A JP H0444346A JP 15331290 A JP15331290 A JP 15331290A JP 15331290 A JP15331290 A JP 15331290A JP H0444346 A JPH0444346 A JP H0444346A
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- Japan
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- resin case
- end side
- case body
- rib
- case
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は封止型ハイブリッド回路装置に係り、特に放熱
フィンを備えた樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装置
の改良に関する。
フィンを備えた樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装置
の改良に関する。
（従来の技術）
機能の信頼性ないし安定性などを考慮して、いわゆるハ
イブリッド回路装置本体を樹脂ケース内に封止した構造
のハイブリッド回路装置が、各種の電子機器類において
実用化されている。また、前記樹脂ケース封止型ハイブ
リッド回路装置において、たとえばパワートランジスタ
ーなど動作により比較的高温を発熱する電子部品が実装
された場合には、たとえばＣｕやＡｌなど熱伝導性の良
好な材料から成る放熱フィンを、回路基板の裏面に付設
した構造を採っている。
イブリッド回路装置本体を樹脂ケース内に封止した構造
のハイブリッド回路装置が、各種の電子機器類において
実用化されている。また、前記樹脂ケース封止型ハイブ
リッド回路装置において、たとえばパワートランジスタ
ーなど動作により比較的高温を発熱する電子部品が実装
された場合には、たとえばＣｕやＡｌなど熱伝導性の良
好な材料から成る放熱フィンを、回路基板の裏面に付設
した構造を採っている。
すなわち、第２図（ａ）に平面的に、また第２図（ｂ）
に断面的に示すごとく、筒状の樹脂ケース本体１と、前
記樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａを封止する放熱
フィン２と、前記放熱フィン２の内側面に接着剤３など
て固定化されたたとえば厚膜回路基板４と、前記厚膜回
路基板４面に搭載・実装された所要の電子部品５と、前
記電子部品５および厚膜回路基板４面を被覆するため充
填された充填剤６、たとえば室温加硫型シリコーンがら
形成された硬化物と、前記樹脂ケース本体１の他端側の
開口部１ｂを封止するカバー７とを具備した構成の樹脂
ケース封止型ハイブリッド回路装置が知られている。図
において８はリード端子である。
に断面的に示すごとく、筒状の樹脂ケース本体１と、前
記樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａを封止する放熱
フィン２と、前記放熱フィン２の内側面に接着剤３など
て固定化されたたとえば厚膜回路基板４と、前記厚膜回
路基板４面に搭載・実装された所要の電子部品５と、前
記電子部品５および厚膜回路基板４面を被覆するため充
填された充填剤６、たとえば室温加硫型シリコーンがら
形成された硬化物と、前記樹脂ケース本体１の他端側の
開口部１ｂを封止するカバー７とを具備した構成の樹脂
ケース封止型ハイブリッド回路装置が知られている。図
において８はリード端子である。
しかして、上記樹脂ケース封止型ハイブリッド回路装置
は、一般に次のような手順で構成されている。すなわち
、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａに、接着
剤で放熱フィン２を先ず接着−鉢体して封止する。なお
、この放熱フィン２による筒状の樹脂ケース本体１の一
端側開口部１ａの封止は、筒状の樹脂ケース本体１の成
形時に一体成形する場合もある。
は、一般に次のような手順で構成されている。すなわち
、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａに、接着
剤で放熱フィン２を先ず接着−鉢体して封止する。なお
、この放熱フィン２による筒状の樹脂ケース本体１の一
端側開口部１ａの封止は、筒状の樹脂ケース本体１の成
形時に一体成形する場合もある。
次いで、上記接着−鉢体した放熱フィン２の内側面に、
所要の電子部品５たとえばパワートランジスター、チッ
プ抵抗、チップコンテンサーなど搭載・実装した厚膜回
路基板４を接着剤３などで装着・固定化する。この場合
、一般に厚膜回路基板４の寸法は、樹脂ケース本体１内
側に露出している放熱フィン２の寸法よりも小さく設定
されている。
所要の電子部品５たとえばパワートランジスター、チッ
プ抵抗、チップコンテンサーなど搭載・実装した厚膜回
路基板４を接着剤３などで装着・固定化する。この場合
、一般に厚膜回路基板４の寸法は、樹脂ケース本体１内
側に露出している放熱フィン２の寸法よりも小さく設定
されている。
しかる後、前記電子部品５が搭載・実装された厚膜回路
基板４を内装した樹脂ケース本体１内に、たとえば室温
加硫型シリコーンを充填し硬化６させる。このようにし
て前記電子部品５およびこれを搭載・実装した厚膜回路
基板４を被覆ないしモールドしてから、樹脂ケース本体
１の他端側開口部１ｂに、カバー７を接着剤で接着−鉢
体し封止した構成としている。
基板４を内装した樹脂ケース本体１内に、たとえば室温
加硫型シリコーンを充填し硬化６させる。このようにし
て前記電子部品５およびこれを搭載・実装した厚膜回路
基板４を被覆ないしモールドしてから、樹脂ケース本体
１の他端側開口部１ｂに、カバー７を接着剤で接着−鉢
体し封止した構成としている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記構造の樹脂ケース封止型ハイブリッド回路
装置の場合は、次のような不都合が認められる。すなわ
ち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａに、放
熱フィン２を接着剤で接着−鉢体しているが、厳密に接
合−鉢体することは事実上困難であるため、後処理とし
て放熱フィン２上面および樹脂ケース本体１の内壁面と
が接する部分（コーナ一部）に、接着剤を補充して隙間
を封止する必要かあり、作業の煩雑を避けえない。
装置の場合は、次のような不都合が認められる。すなわ
ち、筒状の樹脂ケース本体１の一端側開口部１ａに、放
熱フィン２を接着剤で接着−鉢体しているが、厳密に接
合−鉢体することは事実上困難であるため、後処理とし
て放熱フィン２上面および樹脂ケース本体１の内壁面と
が接する部分（コーナ一部）に、接着剤を補充して隙間
を封止する必要かあり、作業の煩雑を避けえない。
一方、筒状の樹脂ケース本体１の成形時に、放熱フィン
を一体成形した場合には、樹脂ケース本体１を成す熱可
塑性樹脂と放熱フィンを成すＡＩやＣｕなどとの熱膨張
係数差によって、成形後の収縮率が異なるため、接合面
に隙間が生じる。
を一体成形した場合には、樹脂ケース本体１を成す熱可
塑性樹脂と放熱フィンを成すＡＩやＣｕなどとの熱膨張
係数差によって、成形後の収縮率が異なるため、接合面
に隙間が生じる。
したがって、前記室温加硫型シリコーンを充填剤として
用い、樹脂ケース本体１に内装させた電子部品５および
これを搭載・実装した厚膜回路基板４を被覆ないしモー
ルドする場合、充填した室温加硫型シリコーンなどが、
前記微小な隙間からいわゆる毛管現象によって樹脂ケー
ス本体１外に流出し、外観を損ったり、場合によっては
気密封止の機能を十分に果さないという問題がある。
用い、樹脂ケース本体１に内装させた電子部品５および
これを搭載・実装した厚膜回路基板４を被覆ないしモー
ルドする場合、充填した室温加硫型シリコーンなどが、
前記微小な隙間からいわゆる毛管現象によって樹脂ケー
ス本体１外に流出し、外観を損ったり、場合によっては
気密封止の機能を十分に果さないという問題がある。
本発明は上記事情に対処してなされたもので、充填剤の
流出による外観の損いも防止され、機能的にも高い信頼
性を備えた封止型ハイブリット−回路装置の提供を目的
とする。
流出による外観の損いも防止され、機能的にも高い信頼
性を備えた封止型ハイブリット−回路装置の提供を目的
とする。
［発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
本発明の封止型ハイブリッド回路装置は、一端側内壁面
に突設されたリブによって一部を縮径した筒状の樹脂ケ
ース本体と、 前記樹脂ケース本体の縮径するリブ内周面に一部か嵌合
して上記一端側開口部を封止する放熱フィンと、 前記放熱フィンの内側面に装着固定化された回路基板と
、 前記回路基板面に搭載・実装された所要の電子部品と、 前記電子部品および回路基板面を被覆するため充填され
た充填剤と、 前記樹脂ケース本体の他端側の開口部を封止するカバー
とを具備して成ることを特徴とする。
に突設されたリブによって一部を縮径した筒状の樹脂ケ
ース本体と、 前記樹脂ケース本体の縮径するリブ内周面に一部か嵌合
して上記一端側開口部を封止する放熱フィンと、 前記放熱フィンの内側面に装着固定化された回路基板と
、 前記回路基板面に搭載・実装された所要の電子部品と、 前記電子部品および回路基板面を被覆するため充填され
た充填剤と、 前記樹脂ケース本体の他端側の開口部を封止するカバー
とを具備して成ることを特徴とする。
（作 用）
本発明に係る封止型ハイブリッド回路装置においては、
回路基板を上面に配設する放熱フィンが、樹脂ケース本
体の縮径するリブ内周面に嵌合した形で保持され、樹脂
ケース本体側壁とりブおよび放熱フィンの上面で封止型
容器の主要部を構成している。つまり、底面部を成す放
熱フィンは、樹脂ケース本体側壁およびリブによって段
付けの形で接合−鉢体され、接合面が大きくとられてい
るため、毛細管現象による充填剤の流出などが抑制され
る。したがって、前記充填剤の流出による外観の損いも
防止され、良好な気密性保持により機能的にも高い信頼
性を発揮する。
回路基板を上面に配設する放熱フィンが、樹脂ケース本
体の縮径するリブ内周面に嵌合した形で保持され、樹脂
ケース本体側壁とりブおよび放熱フィンの上面で封止型
容器の主要部を構成している。つまり、底面部を成す放
熱フィンは、樹脂ケース本体側壁およびリブによって段
付けの形で接合−鉢体され、接合面が大きくとられてい
るため、毛細管現象による充填剤の流出などが抑制され
る。したがって、前記充填剤の流出による外観の損いも
防止され、良好な気密性保持により機能的にも高い信頼
性を発揮する。
（実施例）
以下第１図を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係る樹脂ケース封止型ハイブリッド回
路装置の構成例を断面的に示したもので、１１は一端側
１１ａ内壁面に突設されたリブｌｉｅによって一部を縮
径した筒状の樹脂ケース本体である。
路装置の構成例を断面的に示したもので、１１は一端側
１１ａ内壁面に突設されたリブｌｉｅによって一部を縮
径した筒状の樹脂ケース本体である。
１２は、前記樹脂ケース本体１１を縮径するリブｌｉｅ
内周面に一部が嵌合して上記一端側１１ａ開口部を封止
する放熱フィンである。
内周面に一部が嵌合して上記一端側１１ａ開口部を封止
する放熱フィンである。
しかして、前記放熱フィン１２は、断面凸型に構成され
ており、縮径部が樹脂ケース本体１１のりブ１１ｃ内周
面に嵌合する形で接着し、膨径部が樹脂ケース本体１１
のリブｌｉｅ下側内周面に嵌合する形で接着−鉢体して
いる。つまり、底面部を成す放熱フィン１２は、樹脂ケ
ース本体１１側壁およびリブ１１ｃによって段付けの形
で接合−鉢体された構成を成している。
ており、縮径部が樹脂ケース本体１１のりブ１１ｃ内周
面に嵌合する形で接着し、膨径部が樹脂ケース本体１１
のリブｌｉｅ下側内周面に嵌合する形で接着−鉢体して
いる。つまり、底面部を成す放熱フィン１２は、樹脂ケ
ース本体１１側壁およびリブ１１ｃによって段付けの形
で接合−鉢体された構成を成している。
１４は前記放熱フィン１２の内側面に接着剤１３などに
よって装着固定化された回路基板であり、また１５はこ
の回路基板１４面に搭載・実装された所要の電子部品１
５、たとえばＩＣチップ、チップコンデンサー、チップ
抵抗などである。さらに、１６は前記電子部品１５およ
び回路基板１４面を被覆するため充填された充填剤、た
とえばシリコーンゴム層であり、１７は前記樹脂ケース
本体１１の他端側１１ｂの開口部を封止するカバーであ
る。
よって装着固定化された回路基板であり、また１５はこ
の回路基板１４面に搭載・実装された所要の電子部品１
５、たとえばＩＣチップ、チップコンデンサー、チップ
抵抗などである。さらに、１６は前記電子部品１５およ
び回路基板１４面を被覆するため充填された充填剤、た
とえばシリコーンゴム層であり、１７は前記樹脂ケース
本体１１の他端側１１ｂの開口部を封止するカバーであ
る。
上記構成の封止型ハイブリッド回路装置は、筒状の樹脂
ケース本体１１として一端側１１ａ内壁面に突設された
リブｌｌｃによって一部を縮径したものを用い、また放
熱フィン１２として断面凸型に構成したものを用いて、
放熱フィン１２の縮径部を樹脂ケース本体１１のリブｌ
ｌｃ内周面に嵌合する形で接着し、膨径部を樹脂ケース
本体１１のリブｌｉｅ下側内周面に嵌合する形で接着−
鉢体する工程を採る以外は、従来の製造手段によって容
易に製造し得る。
ケース本体１１として一端側１１ａ内壁面に突設された
リブｌｌｃによって一部を縮径したものを用い、また放
熱フィン１２として断面凸型に構成したものを用いて、
放熱フィン１２の縮径部を樹脂ケース本体１１のリブｌ
ｌｃ内周面に嵌合する形で接着し、膨径部を樹脂ケース
本体１１のリブｌｉｅ下側内周面に嵌合する形で接着−
鉢体する工程を採る以外は、従来の製造手段によって容
易に製造し得る。
本発明に係る封止型型ハイブリッド回路装置においては
、放熱フィン１２と樹脂ケース本体１１との接合部を、
内装する回路基板１４の裏面に設定されている。つまり
、放熱フィン１２と樹脂ケース本体１１とは２重に接合
封着された形を成すとともに、放熱フィン１２と樹脂ケ
ース本体１１との対接面ないし被接合面も大幅に拡大し
ている。したがって、製造工程において、充填剤として
たとえば室温加硫型シリコーンを充填剤として充填した
場合も、ケース本体ｌｌ外に流出することも全面的に抑
止ないし防止され良好な外観を呈する。しかも、良好な
気密性が形成・保持されるため、機能的な信頼性向上も
併せて図られる。
、放熱フィン１２と樹脂ケース本体１１との接合部を、
内装する回路基板１４の裏面に設定されている。つまり
、放熱フィン１２と樹脂ケース本体１１とは２重に接合
封着された形を成すとともに、放熱フィン１２と樹脂ケ
ース本体１１との対接面ないし被接合面も大幅に拡大し
ている。したがって、製造工程において、充填剤として
たとえば室温加硫型シリコーンを充填剤として充填した
場合も、ケース本体ｌｌ外に流出することも全面的に抑
止ないし防止され良好な外観を呈する。しかも、良好な
気密性が形成・保持されるため、機能的な信頼性向上も
併せて図られる。
なお、上記では充填剤として、室温加硫型シリコーンを
例示したが、これに限定されないことは勿論である。
例示したが、これに限定されないことは勿論である。
［発明の効果］
上記説明から分るように、本発明に係る樹脂ケース封止
型ハイブリッド回路装置は、外観良好に仕上げ得るばか
りでなく、良好な封止も形成・保持し得るので、内装し
たハイブリッド回路は、安定した所要の機能を常時発揮
することが可能である。
型ハイブリッド回路装置は、外観良好に仕上げ得るばか
りでなく、良好な封止も形成・保持し得るので、内装し
たハイブリッド回路は、安定した所要の機能を常時発揮
することが可能である。
第１図は本発明に係る封止型ハイブリッド回路装置の構
造例を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は従来の
封止型ハイブリッド回路装置の構造を示すもので第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は断面図である。 １１１・・・・・ケース本体 ｌａ、ｌｌａ・・・・・・ケース本体の一端側開ロ部ｌ
ｂ、Ｉｌｂ・・・・・・ケース本体の他端側聞口部ｌｉ
ｅ・・・・・・・・ケース本体のリブ２．１２・・・・
・放熱フィン ３．１３・・・・・・接着剤 １４・・・・・・回路基板 １５・・・・・・電子部品 １６・・・・・充填剤 １７・・・・・・封止カバ
造例を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は従来の
封止型ハイブリッド回路装置の構造を示すもので第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は断面図である。 １１１・・・・・ケース本体 ｌａ、ｌｌａ・・・・・・ケース本体の一端側開ロ部ｌ
ｂ、Ｉｌｂ・・・・・・ケース本体の他端側聞口部ｌｉ
ｅ・・・・・・・・ケース本体のリブ２．１２・・・・
・放熱フィン ３．１３・・・・・・接着剤 １４・・・・・・回路基板 １５・・・・・・電子部品 １６・・・・・充填剤 １７・・・・・・封止カバ
Claims (1)
- 一端側内壁面に突設されたリブによって一部を縮径し
た筒状の樹脂ケース本体と、前記樹脂ケース本体の縮径
するリブ内周面に一部が嵌合して上記一端側開口部を封
止する放熱フィンと、前記放熱フィンの内側面に装着固
定化された回路基板と、前記回路基板面に搭載・実装さ
れた所要の電子部品と、前記電子部品および回路基板面
を被覆するため充填された充填剤と、前記樹脂ケース本
体の他端側の開口部を封止するカバーとを具備して成る
ことを特徴とする封止型ハイブリッド回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153312A JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153312A JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444346A true JPH0444346A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2793330B2 JP2793330B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=15559739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153312A Expired - Fee Related JP2793330B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 封止型ハイブリッド回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2793330B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442843A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2153312A patent/JP2793330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442843A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2793330B2 (ja) | 1998-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |