JPH0446667A - リフロー装置 - Google Patents
リフロー装置Info
- Publication number
- JPH0446667A JPH0446667A JP2154761A JP15476190A JPH0446667A JP H0446667 A JPH0446667 A JP H0446667A JP 2154761 A JP2154761 A JP 2154761A JP 15476190 A JP15476190 A JP 15476190A JP H0446667 A JPH0446667 A JP H0446667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating chamber
- nitrogen gas
- substrate
- conveyor
- cream solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリフロー装置に関し、詳しくは、密閉されたチ
ッソガス雰囲気中において、クリーム半田の加熱処理を
行うにあたり、クリーム半田から蒸発した溶剤ガスを吸
着除去しながら、クリーム半田の加熱処理を行うように
したものである。
ッソガス雰囲気中において、クリーム半田の加熱処理を
行うにあたり、クリーム半田から蒸発した溶剤ガスを吸
着除去しながら、クリーム半田の加熱処理を行うように
したものである。
（従来の技術）
基板に電子部品を表面実装するにあたっては、基板に形
成された銅箔などの回路パターンの電極部にクリーム半
田を塗布し、このクリーム半田上に電子部品を接着した
後、この基板をリフロー装置へ送り、クリーム半田の加
熱処理が行われる。
成された銅箔などの回路パターンの電極部にクリーム半
田を塗布し、このクリーム半田上に電子部品を接着した
後、この基板をリフロー装置へ送り、クリーム半田の加
熱処理が行われる。
従来、このような半田の加熱処理は、大気中で行われて
いたが、大気中にあっては、銅箔などから成る回路パタ
ーンやクリーム半田が加熱されて酸化しやすく、酸化す
ると半田のヌレ性が低下し、電子部品を基板に良好に接
着できなくなりやすい問題があった。
いたが、大気中にあっては、銅箔などから成る回路パタ
ーンやクリーム半田が加熱されて酸化しやすく、酸化す
ると半田のヌレ性が低下し、電子部品を基板に良好に接
着できなくなりやすい問題があった。
その改善策として、回路パターンやクリーム半田が酸化
する虞れのないチッソガス雰囲気中において、加熱処理
を行うリフロー手段が提案されている。
する虞れのないチッソガス雰囲気中において、加熱処理
を行うリフロー手段が提案されている。
（発明が解決しようとする手段）
しかしながらチッソガス雰囲気中のリフローは、密室中
若しぐは略密室中で行われることから、リフローの進行
にともなって、クリーム半田から蒸発した溶剤ガスは加
熱室内に充満し、加熱室内の溶剤ガス濃度は次第に高く
なって飽和状態となり、その結果、クリーム半田中の溶
剤が蒸発しにくくなるとともに、ガスが液化して基板上
に凝集し、半田の品質劣化の要因になっていた。
若しぐは略密室中で行われることから、リフローの進行
にともなって、クリーム半田から蒸発した溶剤ガスは加
熱室内に充満し、加熱室内の溶剤ガス濃度は次第に高く
なって飽和状態となり、その結果、クリーム半田中の溶
剤が蒸発しにくくなるとともに、ガスが液化して基板上
に凝集し、半田の品質劣化の要因になっていた。
そこで本発明は、上記のような問題を解消できるリフロ
ー装置を提供することを目的とする。
ー装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
このために本発明は、ヒータが配設された加熱室と、こ
の加熱室内に基板を搬送するコンベヤと、この加熱室に
チッソガスを供給するチッソガス供給部と、加熱室内の
チッソガスを循環させる循環路と、この循環路に設けら
れてチッソガス中に含まれる溶剤ガスを吸着除去するフ
ィルターとからリフロー装置を構成したものである。
の加熱室内に基板を搬送するコンベヤと、この加熱室に
チッソガスを供給するチッソガス供給部と、加熱室内の
チッソガスを循環させる循環路と、この循環路に設けら
れてチッソガス中に含まれる溶剤ガスを吸着除去するフ
ィルターとからリフロー装置を構成したものである。
（作用）
上記構成において、加熱処理中に、クリーム半田中の溶
剤は蒸発してガスになるが、この溶剤ガスは循環路中の
フィルターに吸着除去されることから、加熱室内のガス
濃度が異常に高（なるのは防止される。
剤は蒸発してガスになるが、この溶剤ガスは循環路中の
フィルターに吸着除去されることから、加熱室内のガス
濃度が異常に高（なるのは防止される。
（実施例）
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図はリフロー装置の正面図であって、１は本体ボッ
クスであり、その内部に加熱室２が設けられている。こ
の加熱室２は、予熱ゾーン３、均熱ゾーン４、リフロー
ゾーン５に区画され、ている。また加熱室２の土壁には
、チッソガス供給部６が形成されており、このチッソガ
ス供給部６から加熱室２内にチッソガスが供給される。
クスであり、その内部に加熱室２が設けられている。こ
の加熱室２は、予熱ゾーン３、均熱ゾーン４、リフロー
ゾーン５に区画され、ている。また加熱室２の土壁には
、チッソガス供給部６が形成されており、このチッソガ
ス供給部６から加熱室２内にチッソガスが供給される。
７は加熱室２の内部に配設された基板８を搬送するコン
ベヤ、９はファン、１０はヒータ、１１は加熱室２の入
口部、１２は出口部である。基板８には、クリーム半田
により電子部品２７が接着されている。
ベヤ、９はファン、１０はヒータ、１１は加熱室２の入
口部、１２は出口部である。基板８には、クリーム半田
により電子部品２７が接着されている。
１３．１４は基板８をコンベヤ７に移送する搬送コンベ
ヤ、２８．２９はコンベヤ７から搬出する搬出コンベヤ
である。加熱室２の入口部１１と出口部１２には、シリ
ンダ（図示せず）にて駆動されて開閉するシャ・７ター
１５．１６゜１７．１８と、開閉を指示するセンサ１９
，２０．２１．２２が設けられている。センサとしては
、例えば光電管などが使用される。これらのシャ、ター
１５〜１８は、加熱室２内のチッソガスが流出するのを
防止する。
ヤ、２８．２９はコンベヤ７から搬出する搬出コンベヤ
である。加熱室２の入口部１１と出口部１２には、シリ
ンダ（図示せず）にて駆動されて開閉するシャ・７ター
１５．１６゜１７．１８と、開閉を指示するセンサ１９
，２０．２１．２２が設けられている。センサとしては
、例えば光電管などが使用される。これらのシャ、ター
１５〜１８は、加熱室２内のチッソガスが流出するのを
防止する。
加熱室２内には、チッソガスの循環路２３が２カ所設け
られている。夫々の循環路２３にはファン２４と溶剤ガ
スを吸着除去するフィルター２５が設けられており、フ
ァン２４が回転すると、加熱室２内のチッソガスは循環
する。フィルターとしては、例えば活性炭、ゼオライト
等が使用される。
られている。夫々の循環路２３にはファン２４と溶剤ガ
スを吸着除去するフィルター２５が設けられており、フ
ァン２４が回転すると、加熱室２内のチッソガスは循環
する。フィルターとしては、例えば活性炭、ゼオライト
等が使用される。
このリフロー装置は上記のような構成より成り、次に動
作を説明する。
作を説明する。
コンベヤ１３上の基板８をセンサ１９が検出すると、シ
ャッター１５は開き、基板８はコンベヤ１４へ移送され
る。次いでセンサ２０が基板８を検出するとシャッター
１６は開き、基板８はコンベヤ７へ移送される。基板８
が通過すると、こられのシャッター１５．１６は閉じて
、加熱室２内のチッソガスが入口部１１から流出するの
を防止する。
ャッター１５は開き、基板８はコンベヤ１４へ移送され
る。次いでセンサ２０が基板８を検出するとシャッター
１６は開き、基板８はコンベヤ７へ移送される。基板８
が通過すると、こられのシャッター１５．１６は閉じて
、加熱室２内のチッソガスが入口部１１から流出するの
を防止する。
基板８はコンベヤ７により搬送されながら、徐々に加熱
され、クリーム半田は溶融する。クリーム半田が加熱さ
れると、このクリーム半田に含まれる溶剤はガス化して
蒸発するが、この溶剤ガスは循環路２３を循環し、フィ
ルター２５に吸着除去される。したがって加熱室２内の
溶剤ガス濃度が異常に高くなって、クリーム半田中の溶
剤が蒸発しにくくなったり、ガスが基板８上に凝集する
ことはない。次いでセンサ２１が基板８を検出すると、
シャッター１７は開いて、基板８はコンベヤ２８へ移送
され、次いでセンサ２２が基板８を検出すると、シャッ
ター１８は開き、基板８はコンベヤ２９に搬出され、ま
た基板８が通過すると、これらのシャツター１７．１８
は閉じる。
され、クリーム半田は溶融する。クリーム半田が加熱さ
れると、このクリーム半田に含まれる溶剤はガス化して
蒸発するが、この溶剤ガスは循環路２３を循環し、フィ
ルター２５に吸着除去される。したがって加熱室２内の
溶剤ガス濃度が異常に高くなって、クリーム半田中の溶
剤が蒸発しにくくなったり、ガスが基板８上に凝集する
ことはない。次いでセンサ２１が基板８を検出すると、
シャッター１７は開いて、基板８はコンベヤ２８へ移送
され、次いでセンサ２２が基板８を検出すると、シャッ
ター１８は開き、基板８はコンベヤ２９に搬出され、ま
た基板８が通過すると、これらのシャツター１７．１８
は閉じる。
（発明の効果）−
以上説明したように本発明は、ヒータが配設された加熱
室と、この加熱室２内に基板を搬送するコンベヤと、こ
の加熱室にチッソガスを供給するチッソガス供給部と、
加熱室内のチッソガスを循環させる循環路と、この循環
路に設けられて、チッソガス中に含まれる溶剤ガスを吸
着除去するフィルターとからリフロー装置を構成してい
るので、加熱室内の溶剤ガス濃度が異常に高くなるのは
防止され、チッソガス雰囲気中において、クリーム半田
を良好に加熱処理することができる。
室と、この加熱室２内に基板を搬送するコンベヤと、こ
の加熱室にチッソガスを供給するチッソガス供給部と、
加熱室内のチッソガスを循環させる循環路と、この循環
路に設けられて、チッソガス中に含まれる溶剤ガスを吸
着除去するフィルターとからリフロー装置を構成してい
るので、加熱室内の溶剤ガス濃度が異常に高くなるのは
防止され、チッソガス雰囲気中において、クリーム半田
を良好に加熱処理することができる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はリフ
ロー装置の正面図である。 ２・・・加熱室 ６・・・チッソガス供給部 ７・・・コンベヤ ８・・・基板 １０・・・ヒータ ２３・・・循環路 ２５・ ・ ・フィルター
ロー装置の正面図である。 ２・・・加熱室 ６・・・チッソガス供給部 ７・・・コンベヤ ８・・・基板 １０・・・ヒータ ２３・・・循環路 ２５・ ・ ・フィルター
Claims (1)
- ヒータが配設された加熱室と、この加熱室内に基板を
搬送するコンベヤと、この加熱室にチッソガスを供給す
るチッソガス供給部と、加熱室内のチッソガスを循環さ
せる循環路と、この循環路に設けられて、チッソガス中
に含まれる溶剤ガスを吸着除去するフィルターとから成
ることを特徴とするリフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154761A JPH0446667A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154761A JPH0446667A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リフロー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0446667A true JPH0446667A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15591319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154761A Pending JPH0446667A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | リフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0446667A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043884A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de soudage par refusion |
| US6501051B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-12-31 | Radient Technology Corp. | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
| WO2008047639A1 (fr) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Nikki-Universal Co., Ltd. | Catalyseur de purification pour un gaz à l'intérieur d'un four à fusion, procédé pour empêcher la contamination du four à fusion, et four à fusion |
| US7478540B2 (en) | 2001-10-26 | 2009-01-20 | Brooks Automation, Inc. | Methods of freezeout prevention and temperature control for very low temperature mixed refrigerant systems |
| US7914595B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-03-29 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Fume removal method for a reflow furnace and a reflow furnace |
| US9335070B2 (en) | 2008-09-10 | 2016-05-10 | Panasonic Healthcare Holdings Co., Ltd. | Refrigerating apparatus |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154761A patent/JPH0446667A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997043884A1 (fr) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de soudage par refusion |
| US6120585A (en) * | 1996-05-15 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reflow soldering device |
| US6501051B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-12-31 | Radient Technology Corp. | Continuous-conduction wafer bump reflow system |
| US7478540B2 (en) | 2001-10-26 | 2009-01-20 | Brooks Automation, Inc. | Methods of freezeout prevention and temperature control for very low temperature mixed refrigerant systems |
| US7914595B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-03-29 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Fume removal method for a reflow furnace and a reflow furnace |
| WO2008047639A1 (fr) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Nikki-Universal Co., Ltd. | Catalyseur de purification pour un gaz à l'intérieur d'un four à fusion, procédé pour empêcher la contamination du four à fusion, et four à fusion |
| JP5330831B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2013-10-30 | 日揮ユニバーサル株式会社 | リフロー炉内ガスの浄化用触媒、リフロー炉の汚れ防止方法、およびリフロー炉 |
| US8883667B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-11-11 | Nikki-Universal Co., Ltd. | Purification catalyst for reflow furnace gas, method for preventing contamination of reflow furnace, and reflow furnace |
| US9335070B2 (en) | 2008-09-10 | 2016-05-10 | Panasonic Healthcare Holdings Co., Ltd. | Refrigerating apparatus |
| US9360238B2 (en) | 2008-09-10 | 2016-06-07 | Panasonic Healthcare Holdings Co., Ltd. | Refrigerating apparatus |
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