JPH044736U - - Google Patents

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JPH044736U
JPH044736U JP4403890U JP4403890U JPH044736U JP H044736 U JPH044736 U JP H044736U JP 4403890 U JP4403890 U JP 4403890U JP 4403890 U JP4403890 U JP 4403890U JP H044736 U JPH044736 U JP H044736U
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film forming
forming apparatus
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案に従つた、ガス導入装置を組
み込んだ縦型ＣＶＤ装置の一部断面図である。第
２図はガス導入装置のホルダーを示す部分拡大断
面図である。第３図は、従来のインジエクタを組
み込んだ縦型ＣＶＤ装置の略示断面図である。 主要符号の説明、１……縦型ＣＶＤ装置、２…
…ガス導入装置、３……ホルダー、４……開口、
５……水平部、６……上方部、７……下方部、１
０……調節ネジ、１５……インジエクタ、１６…
…穴。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 反応管内部に複数の半導体基板を平行に並べ
    て収納し、ガスを供給し半導体基板上に気相成長
    層を形成する薄膜形成装置において、 反応管内にガスを供給するための、反応管に沿
    つて伸びた複数の穴を有するインジエクタと、 ガスを前記インジエクタ内に導入するための、
    インジエクタの末端を着脱自在に収納するホルダ
    ーと から成るガス導入装置を設けたことを特徴とする
    薄膜形成装置。 ２ 反応管内部に複数の半導体基板を平行に並べ
    て収納し、ガスを供給し半導体基板上に気相成長
    層を形成する薄膜形成装置において、 反応管内にガスを供給するための、反応管に沿
    つて伸びた複数の穴を有するインジエクタと、 ガスを前記インジエクタ内に導入するための、
    インジエクタの末端を着脱自在に収納するホルダ
    ーであつて、さらにガスが通過できる開口を有す
    るホルダーと、 から成るガス導入装置を設けたことを特徴とする
    薄膜形成装置。 ３ 請求項１または２記載の装置であつて、 前記インジエクタの穴の大きさおよびそれらの
    間の間隔は、反応管内で所定のガスの濃度傾斜が
    形成されるように決定される、ところの装置。 ４ 請求項２記載の薄膜形成装置であつて、 前記ホルダーが、開口から流出するガスの流量
    を所定の流量にするための調節装置を有する、と
    ころの薄膜形成装置。 ５ 請求項４記載の装置であつて、 薄膜形成装置が、縦型ＣＶＤ装置である、とこ
    ろの装置。 ６ 請求項５記載の薄膜形成装置であつて、 前記ホルダーが、ガス源に連結される水平部と
    、前記インジエクタの末端を収納する上方に伸び
    た上方部と、前記開口を有する下方に伸びた下方
    部とから成り、薄膜形成装置の下方に位置する、
    ところの装置。
JP1990044038U 1990-04-26 1990-04-26 ガス導入装置を有するｃｖｄ装置 Expired - Lifetime JPH0719143Y2 (ja)

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JPH0719143Y2 JPH0719143Y2 (ja) 1995-05-01

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230151B1 (ko) * 1996-07-23 1999-11-15 윤종용 저압 화학기상증착 설비의 종형 확산로에서 사용되는 가스노즐 고정장치
JP2009224765A (ja) * 2008-02-20 2009-10-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2013506300A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 フェローテック（ユーエスエー）コーポレイション ハイブリッドガスインジェクタ

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JPH0719143Y2 (ja) 1995-05-01

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