JPH0447527A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0447527A JPH0447527A JP15793390A JP15793390A JPH0447527A JP H0447527 A JPH0447527 A JP H0447527A JP 15793390 A JP15793390 A JP 15793390A JP 15793390 A JP15793390 A JP 15793390A JP H0447527 A JPH0447527 A JP H0447527A
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- Japan
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- thin film
- magnetic recording
- recording medium
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- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は非磁性基材にＣｒ、Ｃｊｏ合金薄膜を順次積
層して形成する磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
層して形成する磁気記録媒体の製造方法に関するもので
ある。
従来、磁気記録媒体としては、ＮＬＰ等の下地硬化層を
設けたＡ／−ＭＰ基板あるいは直接Ａ／ −Ｍｐ基板上
に酸化鉄などの針状粒子あるいは強磁性合金の超微粉末
を樹脂バインダー中に分散させたものを磁気記録層とし
て形成せしめたものが玉流であった。しかし、近年の情
報の高密度記録化の要求から、湿式メツキ、真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成法
により形成された強磁性薄膜層を磁気記録層とする磁気
記録媒体が精力的に研究開発されており、なかでも、ス
パッタリング法により作製される磁気記録媒体が高密度
記録化性ならびに量産性に優れるもので、今後の磁気記
録媒体の主１５１Ｅ［々るものと考えられている。
設けたＡ／−ＭＰ基板あるいは直接Ａ／ −Ｍｐ基板上
に酸化鉄などの針状粒子あるいは強磁性合金の超微粉末
を樹脂バインダー中に分散させたものを磁気記録層とし
て形成せしめたものが玉流であった。しかし、近年の情
報の高密度記録化の要求から、湿式メツキ、真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の薄膜形成法
により形成された強磁性薄膜層を磁気記録層とする磁気
記録媒体が精力的に研究開発されており、なかでも、ス
パッタリング法により作製される磁気記録媒体が高密度
記録化性ならびに量産性に優れるもので、今後の磁気記
録媒体の主１５１Ｅ［々るものと考えられている。
ところで、このスパッタリング法により作製される磁気
記録媒体（以下、メタルスパッタ媒体と称す。）は、一
般［Ｎ１−Ｐ下地硬化層を設けたＡ／ −ＭＰ基板上に
Ｃｒ、Ｃ７０合金薄膜を順次形成することにより得られ
る。ローディングチャ／バー、 Ｊ［２［熱チヤンバ−
、Ｃｒカソード。
記録媒体（以下、メタルスパッタ媒体と称す。）は、一
般［Ｎ１−Ｐ下地硬化層を設けたＡ／ −ＭＰ基板上に
Ｃｒ、Ｃ７０合金薄膜を順次形成することにより得られ
る。ローディングチャ／バー、 Ｊ［２［熱チヤンバ−
、Ｃｒカソード。
ＣＯ合金カンード及び保護膜カソードを備えたスパッタ
チャンバー並ひにアンａ−デイ／グチヤンバーから構成
されるインライン型スパッタリング装置により製造され
るが、Ｃｒ薄膜層。
チャンバー並ひにアンａ−デイ／グチヤンバーから構成
されるインライン型スパッタリング装置により製造され
るが、Ｃｒ薄膜層。
Ｃｏ合金薄膜層及び保護膜層を形成する方法とじては、
基板が各ターゲットの前を通過すら通過型タイプ、基板
がターゲットの前に静止する静止対向型タイプがあるが
、いずれのタイプにおいても、メタルスパッタ媒体を製
造する際の手順は同じである。
基板が各ターゲットの前を通過すら通過型タイプ、基板
がターゲットの前に静止する静止対向型タイプがあるが
、いずれのタイプにおいても、メタルスパッタ媒体を製
造する際の手順は同じである。
第８図は従来の通過型タイプのスパッタリング装置の一
例の概要を示す構成図である。４板はローディングチャ
ンバーＩｌ＋で真ｇ！に排気された後、基板加熱チャン
バー１２１に搬送され所定の温度まで加熱される。次に
スパッタチャンバー３；に搬送され、Ｃｒ薄膜層、 Ｃ
ｏ合金薄膜層、保護膜層が順次形成され、最後にアンロ
ーディングチャンバー（４）に搬送され、大気に戻され
る。
例の概要を示す構成図である。４板はローディングチャ
ンバーＩｌ＋で真ｇ！に排気された後、基板加熱チャン
バー１２１に搬送され所定の温度まで加熱される。次に
スパッタチャンバー３；に搬送され、Ｃｒ薄膜層、 Ｃ
ｏ合金薄膜層、保護膜層が順次形成され、最後にアンロ
ーディングチャンバー（４）に搬送され、大気に戻され
る。
なお１図中、＋５１はヒータ、（６）はＣｒターゲット
。
。
１７）はＣＯ合合金ターフッ、ｆ８）ｉ保護膜材ターゲ
ット、＋９１１ｄ仕切パルプである。
ット、＋９１１ｄ仕切パルプである。
ところで、このメタルスパッタ媒体の磁気特性及び電磁
変換特性に、 Ｃｒ 薄膜層、 Ｃｏ合金薄膜層形成
時の条件（基板温度、スパッタガス圧等）に強く依存し
ており、基板温度の影響を見ても９例えは、昭和６８年
電子通信学会研究会責料ＭＲ８８−２において報告され
ているように、基板温度を高めることＫより磁気特性（
特に保磁力）は向上し、高密度記録時の再生信号は大き
くなるものの、媒体ノイズも増加するため、 ｓ ／
Ｎ比信号強度と雑音との比）で見る限りにおいては０Ｍ
ｉ気特性の同上から期待されるほどの改善が見られない
という問題点がある。
変換特性に、 Ｃｒ 薄膜層、 Ｃｏ合金薄膜層形成
時の条件（基板温度、スパッタガス圧等）に強く依存し
ており、基板温度の影響を見ても９例えは、昭和６８年
電子通信学会研究会責料ＭＲ８８−２において報告され
ているように、基板温度を高めることＫより磁気特性（
特に保磁力）は向上し、高密度記録時の再生信号は大き
くなるものの、媒体ノイズも増加するため、 ｓ ／
Ｎ比信号強度と雑音との比）で見る限りにおいては０Ｍ
ｉ気特性の同上から期待されるほどの改善が見られない
という問題点がある。
この媒体ノイズＦｉ磁気記録層である００合金薄膜の結
晶粒径と密接な関係があり、まｆｃｃｏ合金薄膜結晶粒
径は下地Ｃｒ層の結晶粒径と密接な関係にあることが知
られている。つ１す、Ｏ。
晶粒径と密接な関係があり、まｆｃｃｏ合金薄膜結晶粒
径は下地Ｃｒ層の結晶粒径と密接な関係にあることが知
られている。つ１す、Ｏ。
合金薄膜は０１層上にエビクキシャル成長？するため、
Ｃｏ合金薄膜の結晶粒径？制御するためには、Ｃｒ層
の結晶粒径をＩＩＩ御してやる必要がある。前述した基
板温ｉｔ上げると媒体ノイズが増加するのはｃｒの結晶
粒径が増大するため、その結果、ｃｏ合金薄膜屡の結晶
粒径が増大するためによるものと考えられる。
Ｃｏ合金薄膜の結晶粒径？制御するためには、Ｃｒ層
の結晶粒径をＩＩＩ御してやる必要がある。前述した基
板温ｉｔ上げると媒体ノイズが増加するのはｃｒの結晶
粒径が増大するため、その結果、ｃｏ合金薄膜屡の結晶
粒径が増大するためによるものと考えられる。
以上のように、従来のスパッタリング法による磁気記録
媒体の製造方法においては、５ａ気特性を同上させるた
めＫＭ気記録層形成の際に基材温度を高めてやる必要が
あった。ところが。
媒体の製造方法においては、５ａ気特性を同上させるた
めＫＭ気記録層形成の際に基材温度を高めてやる必要が
あった。ところが。
同時に媒体ノイズをも増大させるという！４！題があっ
た。
た。
この発明に上記のような課題を解消するためになされた
もので、ａ気持性を向上させ、高密度記録時の再生出力
を向上できるとともに、媒体ノイズを低減させ、８／Ｎ
比を向上できる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
もので、ａ気持性を向上させ、高密度記録時の再生出力
を向上できるとともに、媒体ノイズを低減させ、８／Ｎ
比を向上できる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
を目的とする。
この発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基材にＣ
ｒ薄膜、００合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形
成するもので、上記Ｃｒ薄膜を二層構造とし、上記基材
温度？室温風上１５０℃以下とし＠ｌｌ７）Ｃｒ薄膜を
形成した後、上記基材温１ｆｔ１５０℃以上ｓ ｏ Ｏ
’Ｃ以下［ｙｒＪＭして第２のＣｒ薄膜および００合金
薄膜を順に形成するようにしたものである。
ｒ薄膜、００合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形
成するもので、上記Ｃｒ薄膜を二層構造とし、上記基材
温度？室温風上１５０℃以下とし＠ｌｌ７）Ｃｒ薄膜を
形成した後、上記基材温１ｆｔ１５０℃以上ｓ ｏ Ｏ
’Ｃ以下［ｙｒＪＭして第２のＣｒ薄膜および００合金
薄膜を順に形成するようにしたものである。
この発明における磁気記録媒体の製造方法は第１のＣｒ
薄膜を低温で成膜することによりＣｒ薄膜の結晶粒径を
小さくシ、その彼処２のｃｒ薄膜および００合金薄膜を
基材温度を高くして成膜しているので、第２のＣｒ薄膜
の結晶粒径をＮ１−Ｐ下地層の上に直接形成したものに
比べ小さくでき、その上に形成されるｃｏ合金Ｒ膜の結
晶粒径を小さくでき、かつ磁気特性を向上できる。従っ
て％磁気記録媒体の高密度記録時の再生出力を同上でき
、媒体ノイズを低くできる。
薄膜を低温で成膜することによりＣｒ薄膜の結晶粒径を
小さくシ、その彼処２のｃｒ薄膜および００合金薄膜を
基材温度を高くして成膜しているので、第２のＣｒ薄膜
の結晶粒径をＮ１−Ｐ下地層の上に直接形成したものに
比べ小さくでき、その上に形成されるｃｏ合金Ｒ膜の結
晶粒径を小さくでき、かつ磁気特性を向上できる。従っ
て％磁気記録媒体の高密度記録時の再生出力を同上でき
、媒体ノイズを低くできる。
以下、この発明の一実施例の磁気記録媒体製造方法を図
について説明する。
について説明する。
第１図はこの発明の一夷ＩＭ列に係るインライン型スパ
ッタ装置の概要を示す構成図である。
ッタ装置の概要を示す構成図である。
図中、＋ｌＩｒ１ローディングチャンバー、１ｚ１は基
杆加熱チャンバー ・３）はスパッタチャンバー１４は
アンローディングチャンバー、＋５１及び＋１０１ ｎ
ａ板加熱ビータ−１（６）およびυυはＣｒターゲッ
ト（７）は００合金ターゲツト、（８）は保護膜材ター
ゲット、１９１ｉ仕切りパルプである。
杆加熱チャンバー ・３）はスパッタチャンバー１４は
アンローディングチャンバー、＋５１及び＋１０１ ｎ
ａ板加熱ビータ−１（６）およびυυはＣｒターゲッ
ト（７）は００合金ターゲツト、（８）は保護膜材ター
ゲット、１９１ｉ仕切りパルプである。
基材をローディングチャンバー（１１で真空に磁気した
後、基板加熱チャンバーＩｌｌ Ｋ搬送して９定の温度
（室温〜１５０℃）まで加熱する。υにスパッタチャン
バー（３）に搬送し第１のＣｒ薄膜を成膜する。その後
さらに基板を加熱してＢ定の温度（１５０〜ｓｏＯ℃）
まで加熱して第２のＣｒ薄膜を成膜し、続いて００合金
薄膜、保護膜を成膜する。その後、アンローブイングチ
倉ンハ１４１に搬送し大気に戻す。
後、基板加熱チャンバーＩｌｌ Ｋ搬送して９定の温度
（室温〜１５０℃）まで加熱する。υにスパッタチャン
バー（３）に搬送し第１のＣｒ薄膜を成膜する。その後
さらに基板を加熱してＢ定の温度（１５０〜ｓｏＯ℃）
まで加熱して第２のＣｒ薄膜を成膜し、続いて００合金
薄膜、保護膜を成膜する。その後、アンローブイングチ
倉ンハ１４１に搬送し大気に戻す。
この発明に係る第１のＣａｒ＠膜の成膜温度は基材＠度
を高くすると成膜されるＣｒ薄膜の結晶粒径が大きくな
り、＠１のＣｒ薄膜上にエピタキシャル成長する第２Ｃ
ｒ薄膜の結晶粒径も大きくなり、第２のＣｒ薄膜上にエ
ピタキシャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶粒径も大きく
なり、媒体ノイズが増大するので、１５０℃以下が過当
である。
を高くすると成膜されるＣｒ薄膜の結晶粒径が大きくな
り、＠１のＣｒ薄膜上にエピタキシャル成長する第２Ｃ
ｒ薄膜の結晶粒径も大きくなり、第２のＣｒ薄膜上にエ
ピタキシャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶粒径も大きく
なり、媒体ノイズが増大するので、１５０℃以下が過当
である。
また、第２のＣｒ薄膜およびＣｏ合金薄膜の成膜温度は
基材温度が低くなると磁気特性（特に保磁力）の向上が
顕著に現れず、高くすぎると基材を損ねるので１５０℃
〜８００℃の範囲が適当であり、２００℃〜ｊ！５０℃
の範囲がより望ましいＯ 次に具体例を挙げて説明する。
基材温度が低くなると磁気特性（特に保磁力）の向上が
顕著に現れず、高くすぎると基材を損ねるので１５０℃
〜８００℃の範囲が適当であり、２００℃〜ｊ！５０℃
の範囲がより望ましいＯ 次に具体例を挙げて説明する。
実施列ｌ。
非磁性基材としてＮ１−Ｐ下地硬化層が設けられたＡ／
−Ｍｙ 基板にテクスチャー加工ｆｔ施したもの倉
用い、ｃｏ合金としてｃｏ６２５ ＭＬｓ。
−Ｍｙ 基板にテクスチャー加工ｆｔ施したもの倉
用い、ｃｏ合金としてｃｏ６２５ ＭＬｓ。
０１−ｑ、５ａｔ Ｔｏの組成のＣｏ Ｎｉ Ｃｒを保
護膜材としてにカーボンを用いた。第１図に示すスパッ
タ。
護膜材としてにカーボンを用いた。第１図に示すスパッ
タ。
装置を用い、筐ず、第１のＣｒ薄膜を基材温度を室温と
して１００ＯＡ 應し、次いで基材温度２ｓｏｏ′ｃま
で上げて、第２のＣｒ薄膜を１０００Ａ成膜し、Ｃｏ
Ｎｉ Ｃｒ薄膜を５０ ＯＡ 成膜し、さらにカーボ
ン膜を４００Ａ成暎して磁気記録媒体を形成した。なお
、この時のスパッタガス圧は全て１０ ｍ Ｔｏｒｒと
した。
して１００ＯＡ 應し、次いで基材温度２ｓｏｏ′ｃま
で上げて、第２のＣｒ薄膜を１０００Ａ成膜し、Ｃｏ
Ｎｉ Ｃｒ薄膜を５０ ＯＡ 成膜し、さらにカーボ
ン膜を４００Ａ成暎して磁気記録媒体を形成した。なお
、この時のスパッタガス圧は全て１０ ｍ Ｔｏｒｒと
した。
ス厖的２゜
第１のＣｒ博膜形成時の基材温度’１ｌＬｌＯ℃とし、
他は全て実施列１と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体
を形成した。
他は全て実施列１と同一条件で成膜を行い磁気記録媒体
を形成した。
比較例
累２図に示す従来装置を用い、Ｃｒ薄膜、Ｃ。
Ｎｉ Ｃｒ薄膜とも基材温度２００℃で成膜して磁気記
録媒体を形成した。
録媒体を形成した。
他の条件は実施列ｌと同じに行った、。
ダ施的１．２及び比較例にて得られたメタルスパッタ媒
体の’［磁変換特性及び磁気特性を測定した０篭磁変換
特性測定ｔ／Ｃｒ１薄膜出気ヘツドを用い相対速度ｉｇ
、１ｍ／五記録周波数８ＭＨ５，ノイズ帯域２０ＭＨｚ
にて行った。また磁気特性測定には試料振動梨磁力計（
７８Ｍ）ｆｔ用いた。
体の’［磁変換特性及び磁気特性を測定した０篭磁変換
特性測定ｔ／Ｃｒ１薄膜出気ヘツドを用い相対速度ｉｇ
、１ｍ／五記録周波数８ＭＨ５，ノイズ帯域２０ＭＨｚ
にて行った。また磁気特性測定には試料振動梨磁力計（
７８Ｍ）ｆｔ用いた。
篭出変羨特性及び磁気特性測定給果を表に示す。
表
実＊列ｌ及び２とも保磁力は比較例と比べやや低い値を
示してｈ・す、再生出力もやや低いＩＣＥ ｆｔ示して
いる。一方、ノイズに関しては実見ｇＡＪ ｌ及び２は
比較例に比べ低い＃Ｌを示して３す、Ｓ／Ｈにおいて２
〜８ｄＢ の改善が見られた。
示してｈ・す、再生出力もやや低いＩＣＥ ｆｔ示して
いる。一方、ノイズに関しては実見ｇＡＪ ｌ及び２は
比較例に比べ低い＃Ｌを示して３す、Ｓ／Ｈにおいて２
〜８ｄＢ の改善が見られた。
この発明においては、Ｃｏ合金薄膜の結晶粒径を１ｉＩ
ＩＪ御するＣｒ薄膜を二層とし、第１のＣｒ薄膜を低温
で成膜し、＠晶粒径を小さクシ、第１のＣｒ薄膜上にエ
ピタキシャル成長する第２のＣｒ薄膜を高温でＦｉｙ、
農してもその結晶粒径を小さな状態で形成し、第２のＣ
ｒ薄膜上にエピタキシャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶
粒径を小さい状態で形成できる。叩ち％Ｃｒ薄膜そして
００合金薄膜の結晶粒径を小さくしたまま、 Ｃ。
ＩＪ御するＣｒ薄膜を二層とし、第１のＣｒ薄膜を低温
で成膜し、＠晶粒径を小さクシ、第１のＣｒ薄膜上にエ
ピタキシャル成長する第２のＣｒ薄膜を高温でＦｉｙ、
農してもその結晶粒径を小さな状態で形成し、第２のＣ
ｒ薄膜上にエピタキシャル成長するＣｏ合金薄膜の結晶
粒径を小さい状態で形成できる。叩ち％Ｃｒ薄膜そして
００合金薄膜の結晶粒径を小さくしたまま、 Ｃ。
合金薄膜の磁気特性を向上させることができるので、高
密度記録時の再生出力を高く維持するとともにノイズを
低減することができ％ ８／Ｎを向上できる優れた磁気
記録媒体が得られる。
密度記録時の再生出力を高く維持するとともにノイズを
低減することができ％ ８／Ｎを向上できる優れた磁気
記録媒体が得られる。
なお、上記実施例においては非磁性基材としてＮ１−Ｐ
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施こしたＡ／−Ｍ
ｙ基板、００合金薄膜として（！０６２．５Ｎｉ３０
Ｃ！ｒ？、５ ａｔ ％のＣｏ Ｎｉ （！ｒ薄！ｓを
形成した場合について説明したが、これに限らず他の基
板また他のＣｏ合金薄膜に適用しても同様の効果を奏す
る。また基板加熱温度、スパッタカス圧等スパッタ条件
も上記実施例に限定されるものではない。
下地硬化層を設はテクスチャー加工を施こしたＡ／−Ｍ
ｙ基板、００合金薄膜として（！０６２．５Ｎｉ３０
Ｃ！ｒ？、５ ａｔ ％のＣｏ Ｎｉ （！ｒ薄！ｓを
形成した場合について説明したが、これに限らず他の基
板また他のＣｏ合金薄膜に適用しても同様の効果を奏す
る。また基板加熱温度、スパッタカス圧等スパッタ条件
も上記実施例に限定されるものではない。
以上のように、この発明によれば非磁性基材にＣｒ薄膜
、００合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形成する
ものにおいて、上記Ｃｒ薄膜を二層とし第１０ｒ薄膜を
上記基材温度を室温以上１５０℃以下にして成膜した後
、上記基材温４゜ 度ｆ７ｒ１５０℃以上８００℃以下に加熱して第２ Ｃ
ｒ薄膜およびＣｏ合金薄膜を成膜するようにしたので、
磁気特性をそこなわず媒体ノイズを低減でき、ＢｌＮ比
が同上した磁気記録媒体が得られる。
、００合金薄膜を順に積層して磁気記録媒体を形成する
ものにおいて、上記Ｃｒ薄膜を二層とし第１０ｒ薄膜を
上記基材温度を室温以上１５０℃以下にして成膜した後
、上記基材温４゜ 度ｆ７ｒ１５０℃以上８００℃以下に加熱して第２ Ｃ
ｒ薄膜およびＣｏ合金薄膜を成膜するようにしたので、
磁気特性をそこなわず媒体ノイズを低減でき、ＢｌＮ比
が同上した磁気記録媒体が得られる。
第１図はこの発明の一実施例に係わるインライン型スパ
ッタ装置を示す構成図、第２図に従来例に係わるインラ
イン型スパッタ装置を示す構成図である。 図において、（３１はスパッタチャンバー、（６１およ
びσυはＣｒメタ−ット、（７）はＣＯ合金ターゲット
、（１０１は基板加熱ヒータである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ッタ装置を示す構成図、第２図に従来例に係わるインラ
イン型スパッタ装置を示す構成図である。 図において、（３１はスパッタチャンバー、（６１およ
びσυはＣｒメタ−ット、（７）はＣＯ合金ターゲット
、（１０１は基板加熱ヒータである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 非磁性体基材にＣｒ薄膜、Ｃｏ合金薄膜を順に積層して
磁気記録媒体を形成するものにおいて、上記Ｃｒ薄膜を
二層構造とし、上記基材温度を室温以上１５０℃以下と
し第１のＣｒ薄膜を形成した後、上記基材温度を１５０
℃以上８００℃以下に加熱して第２のＣｒ薄膜およびＣ
ｏ合金薄膜を順に形成するようにしたことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15793390A JPH0447527A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15793390A JPH0447527A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447527A true JPH0447527A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15660653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15793390A Pending JPH0447527A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456978A (en) * | 1993-08-03 | 1995-10-10 | Hmt Technology Corporation | Thin-film recording medium with thin metal sublayer |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15793390A patent/JPH0447527A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456978A (en) * | 1993-08-03 | 1995-10-10 | Hmt Technology Corporation | Thin-film recording medium with thin metal sublayer |
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