JPH0448655U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448655U JPH0448655U JP9143790U JP9143790U JPH0448655U JP H0448655 U JPH0448655 U JP H0448655U JP 9143790 U JP9143790 U JP 9143790U JP 9143790 U JP9143790 U JP 9143790U JP H0448655 U JPH0448655 U JP H0448655U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding layer
- layer
- ridge portion
- laser device
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Pending
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Description
第１図は本考案の半導体レーザ装置の一実施例
を示す拡大正面図、第２図Ａ，Ｂは結晶方位によ
るエツチング形状の違いを示す説明図、第３図Ａ
〜Ｅは従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す
工程図である。 １……ｎ−半導体基板、２……ｎ−クラツド層
（第１のクラツド層）、３……活性層、４……ｐ
−クラツド層（第２のクラツド層）、４ａ，４ｂ
……リツジ部、５……ＳｉＯ２膜、６ａ，６ｂ…
…ｎ−電流狭窄層、７……ｐ−キヤツプ層、８，
９……電極。
を示す拡大正面図、第２図Ａ，Ｂは結晶方位によ
るエツチング形状の違いを示す説明図、第３図Ａ
〜Ｅは従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す
工程図である。 １……ｎ−半導体基板、２……ｎ−クラツド層
（第１のクラツド層）、３……活性層、４……ｐ
−クラツド層（第２のクラツド層）、４ａ，４ｂ
……リツジ部、５……ＳｉＯ２膜、６ａ，６ｂ…
…ｎ−電流狭窄層、７……ｐ−キヤツプ層、８，
９……電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも半導体基板、第１のクラツド層、活
性層、第２のクラツド層が順次積層された半導体
レーザ装置であつて、 前記第２のクラツド層の一部厚さを変えて設け
られた逆メサ型のリツジ部と、 このリツジ部以外の第２のクラツド層上に前記
リツジ部上面と同じ高さまで設けられた電流狭窄
層とを有することを特徴とする半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143790U JPH0448655U (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143790U JPH0448655U (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448655U true JPH0448655U (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=31827067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9143790U Pending JPH0448655U (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448655U (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP9143790U patent/JPH0448655U/ja active Pending