JPH0449703A - 高周波半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、特にｘ　−Ｋ　ｖ帯以十のマイクＬｌ波帯
での高周波半導体装置の構造に関するものである。

（（η来の技術〕 第４図は、従来の高周波半導体装置の構造を内部整合型
増幅器について示した平面図であり、第５図は第４図の
ｖ　Ｖ線における断面図である。

図において、（１）はＣｕなとの放熱効果の大きい金属
湯体製の放熱板、（２）は放熱板ｆｌ）　、、、に：、
に設けられた側壁、（３ａ）、　（３ｂ）はマイクロ波
Ｆ　Ｅ　Ｔ　（４１は整合回路基板、そのうち（４ａ）
は入力側整合回路基板１、（４ｂ）は出力側整合回路基
板、（５ａ）および（５ｂ）は整合回路基板（４ａ）、
　（４ｂ）十ζこそれぞれ形成された入力側整合回路お
よび出力側整合回路、（６ａ）は入力端り一１′電極、
（６ｂ）は出力側リード電極、（７）はポンディング川
金ワイヤ、（８）はギヤ、ブである。

次に１１作について説明する。入力側り一１゛電極（６
ａ）より人ツノされたマイク［１波電力は、入力側整合
回路（５ｔｉ）ｆｉｆｌす°１イクｏ　ｆｌｌ　Ｆ　Ｅ
　Ｔ　（３ａ）　、　（３ｂ）に供給される。マイクロ
波電力Ｅ　Ｔ　（３ａ）、　（３ｈ）で増幅されたマイ
クロ波電力は、出力側整合回路（５ｂ　）を通り、出力
側り−Ｉ′電極（６ｂ）から出力される。

〔発明が解決し、ようとするｉｌＪ題）従来の高周波半
導体装置は１？１１のようＣ５＝構成されているので、
周波記（が、装置容器内の大きさ？こまって決まる酋断
周波数以−Ｆの（ｆシ域では、導波管モードの影響によ
って良い特性が得られないため、遮断周波数以下の周波
数で使用されていた。この遮断周波数は装置容器内の大
きさに反比例し、容器が大きくなると、使用可能なＩｉ
１波数帯域が低くなるという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので遮断周波数を高めて、使用可能な周波数が高い
高周波半導体装置を得ることを目的志する。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る高周波１′導体装置は、ｇＡ冨容器内に
、増幅部と整合回路部と装置容器内を複数の区域に分け
る分割フィンとを内蔵したものである。

〔作用〕

この発明における高周波半導体装置は、分割フィンによ
っ′Ｃ装置内が複数の区域を二分けられている。そのた
め、分割されたそれぞれの区域の大きさは、装置容器内
全体の大きさに比べて、格段に小さくなる。よって、装
置容器内の大きさによって決まり、またその大きさに反
比例する遮断周波数が高められ、使用可能な周波数帯域
を高くすることができる。

Ｃ実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。なお
、従来の技術の説明と重複する部分は、適宜その説明を
省略する。

第１図は、この発明の一実施例を通用した内部整合型増
幅器の構造を示す断面図、第２図は第１図の部分拡大図
で、特に分割フィンの斜視図である。

第１図および第２図において、＋１１　、　（２１、（
３ａ）（３ｂ）　、　Ｍ）　、　＋８）は従来のものと
同じもの、（９）は内部整合型増幅器容器内に取りつけ
られた分割フィンである。

内部整合型増Ｉｌａ！ｉ！内は、分割フィン（９（によ
って２つの区域に分割される。そのため、装置容器内の
１つの区域の大きさは従来のものの１／２になり、装置
容器内の大きさに反比例する遮断周波数を高めることが
できる。従って、上記内部整合型増幅器の使用可能な周
波数Ｉ！）城を高めることができる。

なお、上記実施例では内部整合型増幅器について示した
が、その他の高周波半導体装置でもよい。

また、上記実施例では２つの区域に分割するものを示し
たが、複数に分割してもよい。

また、上記実施例では分割フィン（９）による分割点が
２つのマイクロ波１ｉ’　Ｅ　Ｔ　（３ａ）　、　（３
ｈ）の間であったが、Ｆ　Ｆ’、　Ｔ’　（３ａ）　、
　（３ｂ）　■−および整合回路基板（４）十の整合回
路（５ａ）、　（５ｂ）上に分割点がくるとき６、二は
、分４１１７２イン（９）に切れ込みの入ったものを使
用する。ずなわら簗３図は分割フィン（９）の他の実施
例で、分割フィン（９）に設けられた切れ込みＱωによ
、って、分Ｎり点にあるＦ　Ｅ　Ｔ　（３ａ）、　（３
ｈ）または整合回路（５ａ）、　（５ｈ）に、分割フィ
ン（９）が接触しないように構成されている。

また、分割フィン（９）を弾性のある金属導体で作ると
、高周波半導体装置内に、押し入れるだけで容易Ｃ装着
がｎ１能なため、従来の装置の容器に、分割フィン（９
）を取り付けても同様の効果を奏する。

このとき、従来の装置を流用するため、安価である。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれか、分割フィンによって
、高周波半導体装置の装置容器内が複数の区域に分けら
れるので、使用可能な周波数帯域を高めることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による内部整合型増６Ｉ器
の構造を示す断面図、第２図は第１図の部分拡大図で、
特に分割フィンの斜視図、第３図は他の実施例による分
割フィンの斜視図、Ｒ４図は従来の内部整合型増幅器の
構造を示した平面図、第５図は第４図の■−ｖｋｌＡに
よる断面図である。 図ζこおいて、　（３ａ）、　（３ｂ）はマイクロ波Ｆ
ＥＴ。 （４）は整合回路基板、（９）は分割フィンである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　　　　大　　岩　　増　　雄 第１図 第４図 第２図 第５図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 装置容器内に、増幅部と整合回路部と装置容器内を複数
   の区域に分ける分割フィンとを内蔵した高周波半導体装
   置。