JPH0450262B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0450262B2
JPH0450262B2 JP63275297A JP27529788A JPH0450262B2 JP H0450262 B2 JPH0450262 B2 JP H0450262B2 JP 63275297 A JP63275297 A JP 63275297A JP 27529788 A JP27529788 A JP 27529788A JP H0450262 B2 JPH0450262 B2 JP H0450262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz glass
synthetic quartz
less
elongation rate
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63275297A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02124739A (ja
Inventor
Masatoshi Takita
Takaaki Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP63275297A priority Critical patent/JPH02124739A/ja
Priority to US07/427,792 priority patent/US5063181A/en
Priority to EP89119956A priority patent/EP0367127B1/en
Priority to DE8989119956T priority patent/DE68904292T2/de
Publication of JPH02124739A publication Critical patent/JPH02124739A/ja
Publication of JPH0450262B2 publication Critical patent/JPH0450262B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/10—Forming beads
    • C03B19/1005—Forming solid beads
    • C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
    • C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2203/00—Production processes
    • C03C2203/20—Wet processes, e.g. sol-gel process
    • C03C2203/26—Wet processes, e.g. sol-gel process using alkoxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は合成石英ガラス、特には高純度で1250
℃における伸びが小さいことから半導体工業にお
ける不純物拡散工程などにおいて使用される熱処
理部材として有用とされる合成石英ガラスおよび
その製造方法に関するものである。
（従来の技術） 半導体工業の不純物拡散工程などにおいて使用
されている拡散プロセスチユーブ、ウエーハバス
ケツト、ウエーハボート、カンチレバーなどの熱
処理部材は高純度であり、高温においても溶融し
ないものであることが要求される。
このため、通常この種の熱処理部材としては石
英ガラス製のものが使用されているが、石英ガラ
スは1200℃以上になると軟化するために、1200℃
以上の高温で使用されるものは耐熱性にすぐれて
おり、変形、たわみなども殆どない炭化けい素製
のものが使用されている。
（解決されるべき課題） しかし、この石英ガラス製のものは天然の水晶
を粉砕し、精製してインゴツトを作り、管引して
棒状体およびパイプとしたものであるために、電
気分解などで精製を行なつたとしても純度に限界
があるし、高純度の水晶自体資源的にも限りがあ
るという問題があり、この炭化けい素も不純物が
多く純度に問題がある。
したがつて、これについては高純度であり、量
産性もある合成石英ガラスを使うことも検討され
ているが、このものは高温粘性が低く、使用温度
は最高1000℃程度であり、また増粘剤として米国
特許第4028124号明細書に記載されているように
Cr2O3，MoO3，ZrO，Fe2O3などを添加したり、
米国特許第4047966号明細書に記載されているよ
うにAl2O3とSiを添加して粘度を向上させる方法
があるが、この場合にはこれらの金属の拡散が起
きるために半導体拡散部材としては使用できない
という欠点がある。
（課題を解決するための手段） 本発明は高温度における寸法精度が高く、かつ
純度も高いので、特に半導体拡散部材の材料とし
てすぐれている合成石英ガラスおよびその製造方
法に関するものであり、これは下端に62.5g／mm2
の荷重を加え、1250℃での５分間の伸び率が
0.025％以下であることを特徴とする合成石英ガ
ラスおよびその製造方法としてオルガノシリケー
トを加水分解して得たシリカ粒子を固化させ、真
空中の加熱で開孔ガラス化したのち粉砕し、つい
で真空溶融しガラス化することを特徴とする合成
石英ガラスの製造方法に関する。
すなわち、本発明者らは半導体拡散部材として
有用とされる合成石英ガラスを開発すべく種々検
討した結果、1250℃での加熱時の伸び率とこれを
用いた半導体拡散部材の使用時の温度である1200
℃での1000時間後の変形度との間に関係のあるこ
とを見出し、又1250℃の伸び率を短時間で検知す
る目的で下端に62.5g／mm2の荷重を加え、昇温し
て1250℃とし、この温度での５分間の伸び率が
0.025％以下であると、これより作成した半導体
拡散部材、例えば拡散プロセスチユーブの1200℃
で1000時間経過後の変形度が1.10以下と著しく改
善され、この伸び率が0.025％を越えると変形度
が1.10を大巾に越えるために寸法精度が著しく低
下するので使用することができなくなるというこ
とを確認して本発明を完成させた。
また、この合成石英ガラスは半導体工業などに
使用されるものであることから、高純度のものと
する必要があり、従つて増粘用添加剤としての各
種金属化合物の添加は不適であり、又このものは
OH基やNa、Ｋ、Liなどのアルカリ金属が存在
すると結合に弱い切れ目をつくり、特に1250℃以
下でも粘度を下げる要因となるので、このOH基
については10ppm以下、好ましくは赤外吸収スペ
クトル装置による定量で2ppm以下のものとする
ことがよく、またNa、Ｋ、Liなどについては
100ppb以下、好ましくは50ppb以下とすることが
望ましい。
また、本発明の合成石英ガラスは精製によつて
Na、Ｋ、Liなどの不純物を50ppb以下としたエ
チルシリケート、メチルシリケートなどのような
有機シリコン化合物をアンモニアなどの存在下に
加水分解してシリカ粒を作り、乾燥後有機物を除
去してから真空中において1500℃程度に加熱して
閉孔化し、ついで焼結してガラス塊とする方法で
製造すれば、OH基含有量が10ppm以下でNa、
Ｋ、Liが50ppb以下である石英ガラスとすること
ができるので、これを粉砕し粒度を揃えたのち、
真空溶融すれば得ることができる。
（実施例） つぎに本発明の実施例をあげるが、例中におけ
る伸び率および変形度はつぎの方法による測定値
を示したものである。
（伸び率測定方法） ブロツクから研削によつて40mm（ｌ）×φ3.2mm
の合成石英ガラス棒を作り、この両端に1200℃に
おける粘度が1013ポイズ以上である天然石英ガラ
スの直径10mm、長さ200mmの丸棒を溶着し、これ
を電気炉中に吊り下げ、その下端に500gの鉛製
重りを付けて1250℃に昇温し、５分間の伸び率を
測定する。
（変形度（Sugging Value）測定方法） インゴツトを穴開加工し、管引して30mmφ×50
mmｌで厚さ２mmのパイプを作り、これらを1200℃
で1000時間保持して横径と縦径との比を求め、変
形度（Sugging Value）とした。
実施例 メチルシリケート152gをメタノール500ml、
NH4OH（29重量％水溶液）300ml中に滴下し、10
℃で加水分解させ、滴下終了後沈澱物を遠心分離
機中で純水洗浄したのち、減圧下に120℃で３時
間乾燥し、ついで空気中において600℃で有機物
を酸化除去し、その後 10-2トール程度の真空中で1500℃に昇温して閉孔
化したところ、非常にかたい焼結物（ガラスの集
合体）が得られたので、これをロールクラツシヤ
ーで粉砕し、50〜100メツシユに篩別後フツ酸５
％水溶液で洗浄し、これを高純度黒鉛製筒に詰
め、10-3トールの真空中で1800℃で10時間まで昇
温、この温度と時間を変えて60mmφ×30mmの伸び
率の異なる各種の合成石英ガラスブロツクを作成
した。
ついで、これらのブロツクを光学研磨したの
ち、このもののOH基含有量を赤外吸収スペクト
ルで定量したところ、伸び率が0.025％以下のも
のはこれにはOH基のピークは観測されなかつ
た。また、このものの不純物量を測定したとこ
ろ、これらはいずれもAl 30ppb、Fe 80ppb、
Na、Ｋ、Liをそれぞれ80ppb、60ppb、30ppb含
有するものであつた。
つぎにこれらの各ブロツクについて伸び率と変
形度を求め、これらをプロツトしたところ、第１
図に示したとおりの結果が得られ、この図から荷
重62.5g／mm2における1250℃、５分間の伸び率が
0.025％以下であると変形度が1.10以下であり、
この伸び率が0.025％を越えると変形度が著しく
増大することが確認された。
比較例 １ メチルシリケート152gをメタノール500ml、水
200ml中で60℃で加水分解させ、乾燥、酸化した
のち１，300℃に昇温したところ、得られたガラ
スは発泡していたが、これを粉砕して50〜100メ
ツシユに篩別後、フツ酸で洗浄し、実施例と同じ
方法で真空溶融したところ発泡したので、ベルヌ
イ法で60mmφ×70mlのインゴツトを作つた。
ついでこのもののOH基含有量を測定したとこ
ろ、これは350ppmであり、この不純物量はAl
80ppb、Fe 90ppb、Na、Ｋ、Liをそれぞれ
70ppb、90ppb、20ppb含有するものであつたが、
このものは伸び率が0.0625％であり、変形度も
1.213であつた。
（発明の効果） 本発明の合成石英ガラスは1250℃での伸びが小
さく、変形度も1.10以下なので、半導体工業にお
ける熱処理部材などとして有用とされるという有
利性が与えられる。
【図面の簡単な説明】
第１図は合成石英ガラスの伸び率と変形度との
関係図を示したものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 下端に62.5g／mm2の荷重を加え、1250℃での
    ５分間の伸び率が0.025％以下であることを特徴
    とする合成石英ガラス。 ２ 合成石英ガラスが実質的に増粘用添加剤を含
    まず、OH基含有量10ppm以下、Na、Ｋ、Liの
    含有量が100ppb以下のものである請求項１に記
    載の合成石英ガラス。 ３ オルガノシリケートを加水分解して得たシリ
    カ粒子を固化させ、真空中の加熱で閉孔ガラス化
    したのち粉砕し、ついで真空溶融しガラス化する
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の合成
    石英ガラスの製造方法。
JP63275297A 1988-10-31 1988-10-31 合成石英ガラスおよびその製造方法 Granted JPH02124739A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63275297A JPH02124739A (ja) 1988-10-31 1988-10-31 合成石英ガラスおよびその製造方法
US07/427,792 US5063181A (en) 1988-10-31 1989-10-26 Synthetic silica glass article for dopant-diffusion process in semiconductors
EP89119956A EP0367127B1 (en) 1988-10-31 1989-10-27 Synthetic silica glass article for dopant-diffusion process in semiconductors
DE8989119956T DE68904292T2 (de) 1988-10-31 1989-10-27 Gegenstand aus synthetischem quarzglas fuer den dotierungs-diffusionsprozess in halbleitern.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63275297A JPH02124739A (ja) 1988-10-31 1988-10-31 合成石英ガラスおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02124739A JPH02124739A (ja) 1990-05-14
JPH0450262B2 true JPH0450262B2 (ja) 1992-08-13

Family

ID=17553468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63275297A Granted JPH02124739A (ja) 1988-10-31 1988-10-31 合成石英ガラスおよびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5063181A (ja)
EP (1) EP0367127B1 (ja)
JP (1) JPH02124739A (ja)
DE (1) DE68904292T2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141786A (en) * 1989-02-28 1992-08-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them
JPH0653593B2 (ja) * 1989-06-09 1994-07-20 信越石英株式会社 合成シリカガラス光学体及びその製造方法
JPH0627013B2 (ja) * 1989-06-14 1994-04-13 信越石英株式会社 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法
JPH0627014B2 (ja) * 1989-06-19 1994-04-13 信越石英株式会社 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法
JPH0829960B2 (ja) * 1990-08-10 1996-03-27 信越石英株式会社 紫外線レーザ用光学部材
JP2908150B2 (ja) * 1992-11-27 1999-06-21 日本電気株式会社 Ｓｏｉ基板構造及びその製造方法
JPH0826742A (ja) * 1994-07-11 1996-01-30 Mitsubishi Chem Corp 合成石英ガラス粉

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3681113A (en) * 1969-11-19 1972-08-01 Owens Illinois Inc Refractory article and method for producing same
DE2041321C3 (de) * 1970-08-20 1978-06-08 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur Herstellung von SiO2 -Fasern, ihre Verwendung und kohlenstoffhaltige SiO2 -Fasern
US3666414A (en) * 1971-03-15 1972-05-30 Heraeus Schott Quarzschmelze Method of producing transparent or opaque fused silica or glass with a high silicon content
EP0029590B1 (en) * 1979-11-21 1984-03-21 Hitachi, Ltd. Method for producing optical glass
JPS5858292B2 (ja) * 1980-01-21 1983-12-24 株式会社日立製作所 シリカガラスの製造方法
JPS5777044A (en) * 1980-10-30 1982-05-14 Central Glass Co Ltd Manufacture of glass from metallic alcoholate
US4419115A (en) * 1981-07-31 1983-12-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of sintered high-silica glasses
GB2113200B (en) * 1982-01-08 1985-06-19 Hitachi Ltd Process for producing optical glass
GB2140408B (en) * 1982-12-23 1987-03-18 Suwa Seikosha Kk Process for producing quartz glass
GB2165233B (en) * 1984-10-04 1988-03-09 Suwa Seikosha Kk Method of making a tubular silica glass member
JPS6191024A (ja) * 1984-10-05 1986-05-09 Seiko Epson Corp 円筒状シリカ系ガラスの製造方法
GB2165534B (en) * 1984-10-05 1988-10-19 Suwa Seikosha Kk Method of preparing parent material for optical fibres
DE3522194A1 (de) * 1985-06-21 1987-01-02 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von glaskoerpern
DE3525495C1 (de) * 1985-07-17 1987-01-02 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zur Herstellung von Gegenstaenden aus synthetischem Siliziumdioxid
JPS62207711A (ja) * 1986-03-10 1987-09-12 Seiko Epson Corp シリカ球の製造方法
US4872895A (en) * 1986-12-11 1989-10-10 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method for fabricating articles which include high silica glass bodies
JPH068181B2 (ja) * 1987-03-26 1994-02-02 信越石英株式会社 半導体工業用石英ガラス製品
US4789389A (en) * 1987-05-20 1988-12-06 Corning Glass Works Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles
US4883521A (en) * 1987-09-30 1989-11-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of silica glass
US4943542A (en) * 1987-10-31 1990-07-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing silica glass
DE3739907A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von glaskoerpern
US4954327A (en) * 1988-08-12 1990-09-04 Blount David H Production of silica aerogels
US4979973A (en) * 1988-09-13 1990-12-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate

Also Published As

Publication number Publication date
DE68904292T2 (de) 1993-05-06
JPH02124739A (ja) 1990-05-14
US5063181A (en) 1991-11-05
DE68904292D1 (de) 1993-02-18
EP0367127A1 (en) 1990-05-09
EP0367127B1 (en) 1993-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0360659B1 (en) Synthetic fused silica glass and method for the preparation thereof
JPH08119664A (ja) 高純度透明石英ガラス及びその製造方法
JPH0643246B2 (ja) シリカの高純度化方法
JP3040315B2 (ja) 高粘度合成石英ガラス部材およびその製造方法
EP0451818B1 (en) Method for producing unsintered cristobalite particles
JP3128451B2 (ja) 合成石英ガラスの製造方法
JPH0450262B2 (ja)
JP4181226B2 (ja) 高純度、高耐熱性石英ガラスの製造方法
JPH11310423A (ja) 合成石英ガラスおよびその製造方法
JP3672592B2 (ja) 合成石英ガラス部材の製造方法
JPH0912322A (ja) 高純度透明石英ガラス及びその製造方法
JP3123696B2 (ja) 石英ガラス坩堝の製造方法
JP4000399B2 (ja) 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉並びにそれを用いた石英ガラスルツボ
JPH0264027A (ja) 石英ガラスの製造方法
JP3121733B2 (ja) 高純度合成クリストバライト粉、その製造方法及びシリカガラス
JP4070154B2 (ja) 超高純度シリカ粉及びその製造方法、並びに前記超高純度シリカ粉を用いた単結晶引上げ用シリカガラスルツボ
JPH0531509B2 (ja)
JPH0517172B2 (ja)
JPH0563416B2 (ja)
JP2003012331A (ja) 高純度合成石英ガラス粒子
JPH035329A (ja) 合成石英ガラスの製造方法
JP2614583B2 (ja) クリストバライト焼結体およびその製造方法
JP2723643B2 (ja) 合成石英ガラスルツボの製造方法
JPH0567575B2 (ja)
JP3687872B2 (ja) 高純度シリコン等の熱処理用電気炉材の製造方法、及び熱処理用電気炉材

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070813

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813

Year of fee payment: 17

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813

Year of fee payment: 17