JPH02124739A - 合成石英ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
合成石英ガラスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02124739A JPH02124739A JP63275297A JP27529788A JPH02124739A JP H02124739 A JPH02124739 A JP H02124739A JP 63275297 A JP63275297 A JP 63275297A JP 27529788 A JP27529788 A JP 27529788A JP H02124739 A JPH02124739 A JP H02124739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- synthetic quartz
- vacuum
- particles
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
- C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/20—Wet processes, e.g. sol-gel process
- C03C2203/26—Wet processes, e.g. sol-gel process using alkoxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は合成石英ガラス、特には高純度で1゜250℃
における伸びが小さいことから半導体工業における不純
物拡散工程などにおいて使用される熱処理部材として有
用とされる合成石英ガラスおよびその製造方法に関する
ものである。
における伸びが小さいことから半導体工業における不純
物拡散工程などにおいて使用される熱処理部材として有
用とされる合成石英ガラスおよびその製造方法に関する
ものである。
(従来の技術)
半導体工業の不純物拡散工程などにおいて使用されてい
る拡散プロセスチューブ、ウェーハバスケット、ウェー
ハボート、カンチレバーなどの熱処理部材は高純度であ
り、高温においても溶融しないものであることが要求さ
れる。
る拡散プロセスチューブ、ウェーハバスケット、ウェー
ハボート、カンチレバーなどの熱処理部材は高純度であ
り、高温においても溶融しないものであることが要求さ
れる。
このため、通常この種の熱処理部材としては石英ガラス
製のものが使用されているが、石英ガラスは1,200
℃以上になると軟化するために、1.200℃以上の高
温で使用されるものは耐熱性にすぐれており、変形、た
わみなども殆どない炭化けい前装のものが使用されてい
る。
製のものが使用されているが、石英ガラスは1,200
℃以上になると軟化するために、1.200℃以上の高
温で使用されるものは耐熱性にすぐれており、変形、た
わみなども殆どない炭化けい前装のものが使用されてい
る。
(解決されるべき課題)
しかし、この石英ガラス製のものは天然の水晶を粉砕し
、精製してインゴットを作り、管引して棒状体およびパ
イプとしたものであるために、電気分解などで精製を行
なったとしても純度に限界があるし、高純度の水晶自体
資源的にも限りがあるという問題があり、この炭化けい
素も不純物が多く純度に問題がある。
、精製してインゴットを作り、管引して棒状体およびパ
イプとしたものであるために、電気分解などで精製を行
なったとしても純度に限界があるし、高純度の水晶自体
資源的にも限りがあるという問題があり、この炭化けい
素も不純物が多く純度に問題がある。
したがって、これについては高純度であり、量産性もあ
る合成石英ガラスを使うことも検討されているが、この
ものは高温粘性が低く、使用温度は最高1,000″C
程度であり、また増粘剤として米国特許第4,028,
124号明細書に記載されているようにCr2O,、M
oO2、Zr○。
る合成石英ガラスを使うことも検討されているが、この
ものは高温粘性が低く、使用温度は最高1,000″C
程度であり、また増粘剤として米国特許第4,028,
124号明細書に記載されているようにCr2O,、M
oO2、Zr○。
Fe、O,などを添加したり、米国特許第4,047.
966号明細書に記載されているようにAl。
966号明細書に記載されているようにAl。
03と5itt添加して粘度を向上させる方法があるが
、この場合にはこれらの金属の拡散が起きるために半導
体拡散部材としては使用できないという欠点がある。
、この場合にはこれらの金属の拡散が起きるために半導
体拡散部材としては使用できないという欠点がある。
(課題を解決するための手段)
本発明は高温度における寸法精度が高く、か1純度も高
いので、特に半導体拡散部材の材料としてすぐれている
合成石英ガラスおよびその製造方法に関するものであり
、これは下端に62.5 g/■2の荷重を加え、1,
250℃での5分間の伸び率が0.025%以下である
ことを特徴とする合成石英ガラスおよびその製造方法と
してオルガノシリケートを加水分解して得たシリカ粒子
を固化させ、真空中の加熱で開孔ガラス化したのち粉砕
し、ついで真空溶融しガラス化することを特徴とする合
成石英ガラスの製造方法に関する。
いので、特に半導体拡散部材の材料としてすぐれている
合成石英ガラスおよびその製造方法に関するものであり
、これは下端に62.5 g/■2の荷重を加え、1,
250℃での5分間の伸び率が0.025%以下である
ことを特徴とする合成石英ガラスおよびその製造方法と
してオルガノシリケートを加水分解して得たシリカ粒子
を固化させ、真空中の加熱で開孔ガラス化したのち粉砕
し、ついで真空溶融しガラス化することを特徴とする合
成石英ガラスの製造方法に関する。
すなわち、本発明者らは半導体拡散部材として有用とさ
れる合成石英ガラスを開発すべく種々検討した結果、1
,250℃での加熱時の伸び率とこれを用いた半導体拡
散部材の使用時の温度である1、200℃でのi、oo
o時間後の変形度との間に関係のあることを見出し、又
1,250℃の伸び率を短時間で検知する目的で下端に
62.5g/12の荷重を加え、昇温して1,250℃
とし。
れる合成石英ガラスを開発すべく種々検討した結果、1
,250℃での加熱時の伸び率とこれを用いた半導体拡
散部材の使用時の温度である1、200℃でのi、oo
o時間後の変形度との間に関係のあることを見出し、又
1,250℃の伸び率を短時間で検知する目的で下端に
62.5g/12の荷重を加え、昇温して1,250℃
とし。
この温度での5分間の伸び率が0.025%以下である
と、これより作成した半導体拡散部材、例えば拡散プロ
セスチューブの1,200℃で1,000時間経過後の
変形度が1.10以下と著しく改善され、この伸び率が
0.025%を越えると変形度が1.10を大巾に越え
るために寸法精度が著しく低下するので使用することが
できなくなるということを確認して本発明を完成させた
。
と、これより作成した半導体拡散部材、例えば拡散プロ
セスチューブの1,200℃で1,000時間経過後の
変形度が1.10以下と著しく改善され、この伸び率が
0.025%を越えると変形度が1.10を大巾に越え
るために寸法精度が著しく低下するので使用することが
できなくなるということを確認して本発明を完成させた
。
また、この合成石英ガラスは半導体工業などに使用され
るものであることから、高純度のものとする必要があり
、従って増粘用添加剤としての各種金属化合物の添加は
不適であり、又このものはOR基やNa、に、Liなど
のアルカリ金属が存在すると結合に弱い切れ目をつくり
、特に1,250℃以下でも粘度を下げる要因となるの
で、このOH基については10pPm以下、好ましくは
赤外吸収スペクトル装置による定量で2ppm以下のも
のとすることがよく、またNa、に、Liなどについて
は100ppb以下、好ましくは50ppb以下とする
ことが望ましい。
るものであることから、高純度のものとする必要があり
、従って増粘用添加剤としての各種金属化合物の添加は
不適であり、又このものはOR基やNa、に、Liなど
のアルカリ金属が存在すると結合に弱い切れ目をつくり
、特に1,250℃以下でも粘度を下げる要因となるの
で、このOH基については10pPm以下、好ましくは
赤外吸収スペクトル装置による定量で2ppm以下のも
のとすることがよく、またNa、に、Liなどについて
は100ppb以下、好ましくは50ppb以下とする
ことが望ましい。
また、本発明の合成石英ガラスは精製によってNa、に
、Liなどの不純物を50ppb以下としたエチルシリ
ケート、メチルシリケートなどのような有機シリコン化
合物をアンモニアなどの存在下に加水分解してシリカ粒
を作り、乾燥後有機物を除去してから真空中において1
,500℃程度に加熱して閉孔化し、ついで焼結してガ
ラス塊とする方法で製造すれば、OH基含有量が10p
pm以下でNa、に、Liが50ppb以下である石英
ガラスとすることができるので、これを粉砕し粒度を揃
えたのち、真空溶融すれば得ることができる。
、Liなどの不純物を50ppb以下としたエチルシリ
ケート、メチルシリケートなどのような有機シリコン化
合物をアンモニアなどの存在下に加水分解してシリカ粒
を作り、乾燥後有機物を除去してから真空中において1
,500℃程度に加熱して閉孔化し、ついで焼結してガ
ラス塊とする方法で製造すれば、OH基含有量が10p
pm以下でNa、に、Liが50ppb以下である石英
ガラスとすることができるので、これを粉砕し粒度を揃
えたのち、真空溶融すれば得ることができる。
(実施例)
つぎに本発明の実施例をあげるが、例中における伸び率
および変形度はつぎの方法による測定値を示したもので
ある。
および変形度はつぎの方法による測定値を示したもので
ある。
(伸び率測定方法)
ブロックから研削によって40+m(Q)Xφ3゜2n
mの合成石英ガラス捧を作り、この両端に1゜200℃
における粘度が1013ボイズ以上である天然石英ガラ
スの直径10m、長さ200rrImの丸棒を溶着し、
これを電気炉中に吊り下げ、その下端に500gの鉛製
重りを付けて1,250℃に昇温し、5分間の伸び率を
測定する。
mの合成石英ガラス捧を作り、この両端に1゜200℃
における粘度が1013ボイズ以上である天然石英ガラ
スの直径10m、長さ200rrImの丸棒を溶着し、
これを電気炉中に吊り下げ、その下端に500gの鉛製
重りを付けて1,250℃に昇温し、5分間の伸び率を
測定する。
(変形度(Sugging Value)測定方法)イ
ンゴットを穴開加工し、管引して30mφX50 an
Qで厚さ2mのパイプを作り、これらを1゜200℃
で1,000時間保持して横様と縦径との比を求め、変
形度(Sugging Value)とした。
ンゴットを穴開加工し、管引して30mφX50 an
Qで厚さ2mのパイプを作り、これらを1゜200℃
で1,000時間保持して横様と縦径との比を求め、変
形度(Sugging Value)とした。
実施例
メチルシリケート152gをメタノール500yr Q
、 N H40H(29重量%水溶液)300+I2
中に滴下し、10℃で加水分解させ、滴下終了後沈殿物
を遠心分離機中で純水洗浄したのち、減圧下に120℃
で3時間乾燥し、ついで空気中において600℃で有機
物を酸化除去し、その後10−” )−−ル程度の真空
中で1,500℃に昇温して閉孔化したところ、非常に
かたい焼結物(ガラスの集合体)が得られたので、これ
をロールクラッシャーで粉砕し、50〜100メツシユ
に篩別後フッ酸5%水溶液で洗浄し、これを高純度黒鉛
製部に詰め、10−’トールの真空中で1,800℃で
10時間まで昇温、この温度と時間を変えて60amφ
X30mの伸び率の異なる各種の合成石英ガラスブロッ
クを作成した。
、 N H40H(29重量%水溶液)300+I2
中に滴下し、10℃で加水分解させ、滴下終了後沈殿物
を遠心分離機中で純水洗浄したのち、減圧下に120℃
で3時間乾燥し、ついで空気中において600℃で有機
物を酸化除去し、その後10−” )−−ル程度の真空
中で1,500℃に昇温して閉孔化したところ、非常に
かたい焼結物(ガラスの集合体)が得られたので、これ
をロールクラッシャーで粉砕し、50〜100メツシユ
に篩別後フッ酸5%水溶液で洗浄し、これを高純度黒鉛
製部に詰め、10−’トールの真空中で1,800℃で
10時間まで昇温、この温度と時間を変えて60amφ
X30mの伸び率の異なる各種の合成石英ガラスブロッ
クを作成した。
ついで、これらのブロックを光学研磨したのち、このも
ののOH基含有量を赤外吸収スペクトルで定量したとこ
ろ、伸び率が0.025%以下のものはこれにはOH基
のピークは観測されなかった。
ののOH基含有量を赤外吸収スペクトルで定量したとこ
ろ、伸び率が0.025%以下のものはこれにはOH基
のピークは観測されなかった。
また、このものの不純物量を測定したところ、これらは
いずれもAl 30ppb、Fe 80ppb、N
a、に、Liをそれぞれ80ppb。
いずれもAl 30ppb、Fe 80ppb、N
a、に、Liをそれぞれ80ppb。
60ppb、aoppb含有するものであった。
つぎにこれらの各ブロックについて伸び率と変形度を求
め、これらをプロットしたところ、第1図に示したとお
りの結果が得られ、この図から荷重62.5g/m++
+”における1、250℃、5分間の伸び率が0.02
5%以下であると変形度が1゜10以下であり、この伸
び率が0.025%を越えると変形度が著しく増大する
ことが確認された。
め、これらをプロットしたところ、第1図に示したとお
りの結果が得られ、この図から荷重62.5g/m++
+”における1、250℃、5分間の伸び率が0.02
5%以下であると変形度が1゜10以下であり、この伸
び率が0.025%を越えると変形度が著しく増大する
ことが確認された。
比較例1
メチルシリケート152gをメタノール500+111
I、水200mQ中で60℃で加水分解させ、乾燥、酸
化したのち1,300℃に昇温したところ。
I、水200mQ中で60℃で加水分解させ、乾燥、酸
化したのち1,300℃に昇温したところ。
得られたガラスは発泡していたが、これを粉砕して50
〜100メツシユに篩別後、フッ酸で洗浄し、実施例と
同じ方法で真空溶融したところ発泡したので、ベルタイ
法で60mφX 70 rm Qのインゴットを作った
。
〜100メツシユに篩別後、フッ酸で洗浄し、実施例と
同じ方法で真空溶融したところ発泡したので、ベルタイ
法で60mφX 70 rm Qのインゴットを作った
。
ついでこのものの○I−(基含有量を測定したところ、
これは350ppmであり、この不純物量はAl 8
0ppb、Fe 90ppb、Na、K。
これは350ppmであり、この不純物量はAl 8
0ppb、Fe 90ppb、Na、K。
Liをそれぞれ70ppb、90ppb、20ppb含
有するものであったが、このものは伸び率が0.062
5%であり、変形度も1.213であった。
有するものであったが、このものは伸び率が0.062
5%であり、変形度も1.213であった。
(発明の効果)
本発明の合成石英ガラスは1,250℃での伸びが小さ
く、変形度も1.10以下なので、半導体工業における
熱処理部材などとして有用とされるという有利性が与え
られる。
く、変形度も1.10以下なので、半導体工業における
熱処理部材などとして有用とされるという有利性が与え
られる。
第1図は合成石英ガラスの伸び率と変形度との関係図を
示したものである。
示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下端に62.5g/mm^2の荷重を加え、1,2
50℃での5分間の伸び率が0.025%以下であるこ
とを特徴とする合成石英ガラス。 2、合成石英ガラスが実質的に増粘用添加剤を含まず、
OH基含有量10ppm以下、Na、K、Liの含有量
が100ppb以下のものである請求項1に記載の合成
石英ガラス。 3、オルガノシリケートを加水分解して得たシリカ粒子
を固化させ、真空中の加熱で閉孔ガラス化したのち粉砕
し、ついで真空溶融しガラス化することを特徴とする請
求項1または2に記載の合成石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63275297A JPH02124739A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| US07/427,792 US5063181A (en) | 1988-10-31 | 1989-10-26 | Synthetic silica glass article for dopant-diffusion process in semiconductors |
| EP89119956A EP0367127B1 (en) | 1988-10-31 | 1989-10-27 | Synthetic silica glass article for dopant-diffusion process in semiconductors |
| DE8989119956T DE68904292T2 (de) | 1988-10-31 | 1989-10-27 | Gegenstand aus synthetischem quarzglas fuer den dotierungs-diffusionsprozess in halbleitern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63275297A JPH02124739A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124739A true JPH02124739A (ja) | 1990-05-14 |
| JPH0450262B2 JPH0450262B2 (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=17553468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63275297A Granted JPH02124739A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5063181A (ja) |
| EP (1) | EP0367127B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02124739A (ja) |
| DE (1) | DE68904292T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388743A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-04-15 | Shinetsu Sekiei Kk | 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH0388742A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-04-15 | Shinetsu Sekiei Kk | 合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH03109233A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-05-09 | Shinetsu Sekiei Kk | 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH0497922A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 紫外線レーザ用光学部材 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141786A (en) * | 1989-02-28 | 1992-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
| JP2908150B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | Soi基板構造及びその製造方法 |
| JPH0826742A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-01-30 | Mitsubishi Chem Corp | 合成石英ガラス粉 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207711A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Seiko Epson Corp | シリカ球の製造方法 |
| JPS63236723A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Shinetsu Sekiei Kk | 半導体工業用石英ガラス製品 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3681113A (en) * | 1969-11-19 | 1972-08-01 | Owens Illinois Inc | Refractory article and method for producing same |
| DE2041321C3 (de) * | 1970-08-20 | 1978-06-08 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von SiO2 -Fasern, ihre Verwendung und kohlenstoffhaltige SiO2 -Fasern |
| US3666414A (en) * | 1971-03-15 | 1972-05-30 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Method of producing transparent or opaque fused silica or glass with a high silicon content |
| EP0029590B1 (en) * | 1979-11-21 | 1984-03-21 | Hitachi, Ltd. | Method for producing optical glass |
| JPS5858292B2 (ja) * | 1980-01-21 | 1983-12-24 | 株式会社日立製作所 | シリカガラスの製造方法 |
| JPS5777044A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-14 | Central Glass Co Ltd | Manufacture of glass from metallic alcoholate |
| US4419115A (en) * | 1981-07-31 | 1983-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of sintered high-silica glasses |
| GB2113200B (en) * | 1982-01-08 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | Process for producing optical glass |
| GB2140408B (en) * | 1982-12-23 | 1987-03-18 | Suwa Seikosha Kk | Process for producing quartz glass |
| GB2165233B (en) * | 1984-10-04 | 1988-03-09 | Suwa Seikosha Kk | Method of making a tubular silica glass member |
| JPS6191024A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-09 | Seiko Epson Corp | 円筒状シリカ系ガラスの製造方法 |
| GB2165534B (en) * | 1984-10-05 | 1988-10-19 | Suwa Seikosha Kk | Method of preparing parent material for optical fibres |
| DE3522194A1 (de) * | 1985-06-21 | 1987-01-02 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von glaskoerpern |
| DE3525495C1 (de) * | 1985-07-17 | 1987-01-02 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Verfahren zur Herstellung von Gegenstaenden aus synthetischem Siliziumdioxid |
| US4872895A (en) * | 1986-12-11 | 1989-10-10 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method for fabricating articles which include high silica glass bodies |
| US4789389A (en) * | 1987-05-20 | 1988-12-06 | Corning Glass Works | Method for producing ultra-high purity, optical quality, glass articles |
| US4883521A (en) * | 1987-09-30 | 1989-11-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for the preparation of silica glass |
| US4943542A (en) * | 1987-10-31 | 1990-07-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for producing silica glass |
| DE3739907A1 (de) * | 1987-11-25 | 1989-06-08 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von glaskoerpern |
| US4954327A (en) * | 1988-08-12 | 1990-09-04 | Blount David H | Production of silica aerogels |
| US4979973A (en) * | 1988-09-13 | 1990-12-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of fused silica glass by hydrolysis of methyl silicate |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63275297A patent/JPH02124739A/ja active Granted
-
1989
- 1989-10-26 US US07/427,792 patent/US5063181A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-27 EP EP89119956A patent/EP0367127B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-27 DE DE8989119956T patent/DE68904292T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207711A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Seiko Epson Corp | シリカ球の製造方法 |
| JPS63236723A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Shinetsu Sekiei Kk | 半導体工業用石英ガラス製品 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388742A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-04-15 | Shinetsu Sekiei Kk | 合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH03109233A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-05-09 | Shinetsu Sekiei Kk | 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH0388743A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-04-15 | Shinetsu Sekiei Kk | 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JPH0497922A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-30 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 紫外線レーザ用光学部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450262B2 (ja) | 1992-08-13 |
| DE68904292T2 (de) | 1993-05-06 |
| US5063181A (en) | 1991-11-05 |
| DE68904292D1 (de) | 1993-02-18 |
| EP0367127A1 (en) | 1990-05-09 |
| EP0367127B1 (en) | 1993-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3751326B2 (ja) | 高純度透明石英ガラスの製造方法 | |
| JP3128451B2 (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
| JPH02124739A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| JPH0940434A (ja) | 高純度石英ガラス及びその製造方法 | |
| JP4181226B2 (ja) | 高純度、高耐熱性石英ガラスの製造方法 | |
| CN108821294A (zh) | 以普通石英砂为原料制备超纯石英砂的方法 | |
| CN108675310A (zh) | 以氟硅酸为原料制备超纯石英砂的方法 | |
| JP3672592B2 (ja) | 合成石英ガラス部材の製造方法 | |
| JPH08183621A (ja) | 高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法 | |
| JPH0912322A (ja) | 高純度透明石英ガラス及びその製造方法 | |
| JPH0264027A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JP3123696B2 (ja) | 石英ガラス坩堝の製造方法 | |
| CN108793176B (zh) | 以四氟化硅为原料制备超纯石英砂的方法 | |
| JPS63166730A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JPH0427177B2 (ja) | ||
| JPS6090843A (ja) | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 | |
| JP4000399B2 (ja) | 超高純度シリカ粉の製造方法および該製造方法で得られた超高純度シリカ粉並びにそれを用いた石英ガラスルツボ | |
| JPH0531509B2 (ja) | ||
| JP2614583B2 (ja) | クリストバライト焼結体およびその製造方法 | |
| JPH0624993B2 (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JPH0563416B2 (ja) | ||
| JPH035329A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
| JP2723643B2 (ja) | 合成石英ガラスルツボの製造方法 | |
| JP2581612B2 (ja) | ドーピングシリカ粒子の製造方法 | |
| JPH0567575B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070813 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 17 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 17 |