JPH0450652B2 - - Google Patents

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JPH0450652B2
JPH0450652B2 JP62289778A JP28977887A JPH0450652B2 JP H0450652 B2 JPH0450652 B2 JP H0450652B2 JP 62289778 A JP62289778 A JP 62289778A JP 28977887 A JP28977887 A JP 28977887A JP H0450652 B2 JPH0450652 B2 JP H0450652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
targets
conicr
magnetic disk
base film
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP62289778A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01130321A (ja
Inventor
Akimasa Ishii
Katsuhisa Enjoji
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Sheet Glass Co Ltd filed Critical Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication of JPH01130321A publication Critical patent/JPH01130321A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、インライン型スパツタ法により下地
膜、磁気記録膜および保護膜を形成する磁気デイ
スクの製造方法に関する。
（従来の技術） 従来より、例えば第３図に示すようなインライ
ン型スパツタ装置を用いて金属薄膜型の磁気デイ
スクを製造することが試みられている。
第３図において、１はスパツタ装置を構成する
真空容器であり、この真空容器１内には、下地膜
（例えば、Cr膜）を形成するための一対の第１ダ
ーゲツト２，３と、磁気記録膜（例えばCoNiCr
膜）を形成するための一対の第２ターゲツト４，
５と、保護膜（例えば、Ｃ膜）を形成するための
一対の第３ターゲツト６，７と、が矢印Ａで示す
デイスク基板の搬送方向に順次収納されている。
このように構成されたスパツタ装置において、
まず、Crダーゲツト２，３を用いて環状マグネ
トロンスパツタを行なつて、Cr粒子を飛来させ
て基板８上に所定の厚さの下地膜となるCr膜９
を形成し、次いでこのCr膜９上にCoNiCrダーゲ
ツト４，５を用いて環状マグネトロンスパツタを
行ない、CoNiCr粒子を飛来させて磁気記録膜と
なるCoNiCr膜１０を所定の厚さに形成し、さら
にＣターゲツト６，７を用いて環状マグネトロン
スパツタを行ない、Ｃ粒子を飛来させてCoNiCr
膜１０上にＣ膜１１を所定の厚さに形成する（第
４図および第５図、参照）。
こうして、磁気デイスクが製造される。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような従来の磁気デイスク
の製造方法にあつては、製造された磁気デイスク
の膜断面は、第４図および第５図に示すような粒
構成となつていた。すなわち、第４図に示すよう
に、デイスク基板の搬送方向（矢印Ａ、参照）に
対して垂直な方向からみた断面では、Cr膜９の
Cr粒子９ＡおよびCoNiCr膜１０のCoNiCr粒子
１０Ａは弓状にそれぞれ湾曲した形状となつてい
るが、これに対して第５図に示すようにデイスク
基板の搬送方向（○†ぐ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ スパツタ法で基板を複数のターゲツト上を一
    方向に通過させながら基板上に下地膜、磁気記録
    膜および保護膜を形成する磁気デイスクの製造方
    法であつて、複数組のターゲツトを用いて多層と
    なるように前記下地膜を形成して、下地膜の粒子
    構造を柱状に近づけるようにすることを特徴とす
    る磁気デイスクの製造方法。
JP62289778A 1987-11-17 1987-11-17 磁気ディスクの製造方法 Granted JPH01130321A (ja)

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JPH01130321A (ja) 1989-05-23

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