JPH0450760B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は多層配線基板の製造方法に関し、特に
第２層目の導電パターンの形成を改良した多層配
線基板の製造方法に関する。

(ロ) 従来の技術 従来の多層配線基板の製造方法を第２図Ａ乃至
第２図Ｃを参照して説明する。

先ず第２図Ａに示す如く、絶縁基板１１上に第
１の導電パターン１２を形成する。絶縁基板１１
としてはセラミツクス等を用い、基板１１全面に
銅箔を貼着した後所望のパターンにエツチングし
て形成される。

続いて第２図Ｂに示す如く、第１の導電パター
ン１２を被覆する様に層間絶縁膜１３を形成し、
所望の第１の導電パターン１２上にスルーホール
１４を形成している。層間絶縁膜１３としてはポ
リイミド層あるいは永久ホトレジスト層等を用い
る。

更に第２図Ｃに示す如く、層間絶縁膜１３上に
無電解銅又はニツケルメツキにより第２の導電パ
ターン１５を形成する。第２の導電パターン１５
はスルーホール１４を介して第１の導電パターン
１２と接続され、多層構造を実現する。

なお斯る多層配線基板の製造方法は特開昭60−
10697号に開示されている。

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 斯上の従来の方法では第２の導電パターンを銅
又はニツケルの無電解メツキで形成するので導電
路とするために厚さを30μ以上に形成するのに24
時間以上要する問題点があつた。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点に鑑みて為されたもの
であり、絶縁基板上に第１の導電パターンを形成
する工程と、第１の導電パターン上に導電パター
ンの一部分を囲む樹脂コート膜を形成する工程
と、樹脂コート膜に対応する開口部及びバイアホ
ール用の孔を金属箔付き樹脂層に設けた後、金属
箔付き樹脂層を第１の導電パターン上に貼着する
工程と、バイアホールに電気メツキを施し第１の
導電パターンと前記金属箔とを接続する工程と、
金属箔とエツチングして第２の導電パターンを形
成する工程とを具備して解決する。

(ホ) 作用 この様に本発明に依れば第１の導電パターン上
にパターンの一部分を囲む樹脂コート膜を形成
し、樹脂コート膜に対応する開口部及びバイアホ
ール用の孔を金属箔付き樹脂に設けて第１の導電
パターン上に貼着することにより、金属箔をエツ
チングして第２の導電パターンを形成することが
でき短時間で第２の導電パターンを形成すること
ができる。

(ヘ) 実施例 以下に第１図Ａ乃至第１図Ｈに示した実施例に
基づいて本発明を詳細に説明する。

先ず第１図Ａに示す如く、絶縁基板１上に第１
の導電パターン２を形成する。絶縁基板１として
はセラミツクスあるいは表面を酸化膜で被覆した
アルミニウム等を用い、第１の導電パターン２は
基板１全面に銅箔を貼着した後所望のパターンに
エツチングして形成される。

次に第１図Ｂに示す如く、第１の導電パターン
２上に第１の導電パターン２の一部分を囲む樹脂
コート膜３を形成する。樹脂コート膜３は、エポ
キシ樹脂等の樹脂を第１の導電パターン２と重畳
する様に印刷形成する。即ち、第１の導電パター
ン２の半導体素子が固着されるパツド２′の周囲
の第１の導電パターン２と重畳する様に且つ半導
体素子が固着されるパツド２′の周囲を囲む様枠
状に形成する。樹脂コート膜３の厚み及び幅は任
意に選択することができ本実施例では厚みは
15μ、幅は約1.5mmに形成するものとする。

次に第１図Ｃに示す如く、樹脂コート膜３に対
応する開口部４及びバイアホール用の孔５を金属
箔付き樹脂６に設けた後、金属箔付き樹脂層６を
絶縁基板１上に貼着する。金属箔付き樹脂６はポ
リイミド樹脂等の絶縁樹脂８と銅箔７とが一体化
された、いわゆるフレキシブルシートを用いる。
この金属箔付き樹脂６にはあらかじめパンチング
等により、枠状に形成された樹脂コート膜３と対
応する開口部４及び第１の導電パターン２と多層
配線するためのバイアホール用の孔５が形成され
ており、基板１全面上に熱圧着する。このとき金
属箔付き樹脂６の開口部４内の終端辺は樹脂コー
ト３上の中央付近に位置する様に考慮する。

次に第１図Ｄに示す如く、基板１上にドライフ
イルム９を約80〜100℃で熱圧着して基板１全面
に付着する。

次に第１図Ｅに示す如く、多層配線用の孔５及
び周辺のドライフイルム９を写真蝕刻法により除
去しバイアホールを形成する。

次に第１図Ｆに示す如く、バイアホールに電気
メツキを施し、第１の導電パターン２と銅箔７と
を接続する。

第１図Ｅの如く、バイアホール及びバイアホー
ルの周辺の銅箔７は露出され、銅の無電解メツキ
を行い、第１の導電パターン２と銅箔７とを接続
して、残りのドライフイルム９を除去する。

次に第１図Ｇ及び第１図Ｈに示す如く、銅箔７
をエツチングして第２の導電パターン１０を形成
する。ドライフイルム除去後、再び絶縁基板１全
面にドライフイルムを熱圧着して写真蝕刻法によ
り、第１図Ｇの如く、第２の導電パターン１０と
なる銅箔７上及び樹脂コート膜３内の第１の導電
パターン２上のみにドライフイルム９′を残して
他の部分を除去した後、銅箔７をエツチングする
ことにより、第１図Ｈの如く、第１の導電パター
ン２上に第２の導電パターン１０を形成すること
ができる。即ち、第１図Ｉに示す如く、半導体素
子が固着されるパツド２′は枠状の樹脂コート膜
３によつて囲まれ、その囲まれた領域内には第１
の導電パターン２の先端部がパツド２′の近傍ま
で延在形成される。そして、パツド２′上には、
図示されないが、半導体素子が固着され、周辺の
第１の導電パターン２と接続される。

第１図Ｇに示した工程において、樹脂コート膜
３内の第１の導電パターン２上にドライフイルム
９′を残す場合、写真蝕刻法により微細加工に形
成することができるが、マスクの位置ズレ等でド
ライフイルム９′と絶縁樹脂８との間に微小に隙
間が発生し銅箔エツチング時に隙間からエツチヤ
ントが入り第１の導電パターン２を蝕刻する恐れ
があるが本発明では樹脂コート膜３が形成されて
いるので第１の導電パターン２が蝕刻される恐れ
はない。

(ト) 発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第２の
導電パターンを銅箔により形成することができ、
第２の導電パターンの断線を防止することができ
る。

また本発明では開口部が設けられているため、
第１の導電パターン上に回路素子を固着すること
ができるので、熱抵抗を損なうことなく発熱を有
する回路素子を搭載することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ乃至第１図Ｉは本発明の実施例を示す
断面図および平面図、第２図Ａ乃至第２図Ｃは従
来例を示す断面図である。 １……絶縁基板、２……第１の導電パターン、
３……樹脂コート膜、４……開口部、５……孔、
６……金属箔付き樹脂、７……銅箔、８……絶縁
樹脂、９，９′……ドライフイルム、１０……第
２の導電パターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に第１の導電パターンを形成する
   工程と、 前記第１の導電パターン上に前記パターンの一
   部を囲む樹脂コート膜を枠状に形成する工程と、 前記樹脂コート膜に囲まれた領域に対応する開
   口部およびバイアホール用の孔を金属箔付き樹脂
   層に設けた後、前記金属箔付き樹脂層を前記絶縁
   基板上に貼着する工程と、 前記孔に電気メツキを施してバイアホールを形
   成し前記第１の導電パターンと前記金属箔とを接
   続する工程と、 前記基板上にレジスト膜を形成し、少なくとも
   前記樹脂コート膜に重畳させた開口部領域および
   バイアホール上に前記レジスト膜を残存させ、金
   属箔をエツチングし第２の導電パターンを形成す
   る工程とを具備することを特徴とする多層配線基
   板の製造方法。