JPH01128493A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH01128493A JPH01128493A JP62286205A JP28620587A JPH01128493A JP H01128493 A JPH01128493 A JP H01128493A JP 62286205 A JP62286205 A JP 62286205A JP 28620587 A JP28620587 A JP 28620587A JP H01128493 A JPH01128493 A JP H01128493A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は多層配線基板の製造方法に関し、特に第２層目
の導電パターンの形成を改良した多層配線基板の製造方
法に関する。
の導電パターンの形成を改良した多層配線基板の製造方
法に関する。
（ロ）従来の技術
従来の多層配線基板の製造方法を第２図Ａ乃至第２図Ｃ
を参照して説明する。
を参照して説明する。
先ず第２図Ａに示す如く、絶縁基板（１１）上に第１の
導電パターン（１２）’を形成する。絶縁基板（１１）
としてはセラミックス等を用い、基板（１１〉全面に銅
箔を貼着した後所望のパターンにエツチングして形成さ
れる。
導電パターン（１２）’を形成する。絶縁基板（１１）
としてはセラミックス等を用い、基板（１１〉全面に銅
箔を貼着した後所望のパターンにエツチングして形成さ
れる。
続いて第２図Ｂに示す如く、第１の導電パターン（１２
）を被覆する様に居間絶縁膜（１３〉を形成し、所望の
第１の導電パターン（１２）上にスルーホール（１４）
を形成している。層間絶縁膜（ｘ３＞とじてはポリイミ
ド層あるいは永久ホトレジスト后等を用いる。
）を被覆する様に居間絶縁膜（１３〉を形成し、所望の
第１の導電パターン（１２）上にスルーホール（１４）
を形成している。層間絶縁膜（ｘ３＞とじてはポリイミ
ド層あるいは永久ホトレジスト后等を用いる。
更に第２図Ｃに示す如く、層間絶縁膜（１３）上に無電
解銅又はニッケルメッキにより第２の導電パターン（１
５）を形成する。第２の導電パターン（１５）はスルー
ホール（１４）を介して第１の導電パターン（１２）と
接続され、多層構造を実現する。
解銅又はニッケルメッキにより第２の導電パターン（１
５）を形成する。第２の導電パターン（１５）はスルー
ホール（１４）を介して第１の導電パターン（１２）と
接続され、多層構造を実現する。
なお断る多層配線基板の製造方法は特開昭６０−１０６
９７号に開示されている。
９７号に開示されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
斯上の従来の方法では第２の導電パターンを銅又はニッ
ケルの無電解メッキで形成するので導電路とするために
厚さを３０μ以上に形成するのに２４時間以上要する問
題点があった。
ケルの無電解メッキで形成するので導電路とするために
厚さを３０μ以上に形成するのに２４時間以上要する問
題点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述した問題点に鑑みて為されたものであり、
絶縁基板上に第１の導電パターンを形成する工程と、第
１の導電パターン上に導電パターンの一部分を囲む樹脂
コート膜を形成する工程と、樹脂コート膜に対応する開
口部及びバイアホール用の孔を金属箔付き樹脂層に設け
た後、金属箔付き樹脂層を第１の導電パターン上に貼着
する工程と、バイアホールに電気メッキを施し第１の導
電パターンと前記金属箔とを接続する工程と、金属箔を
エツチングして第２の導電パターンを形成する工程とを
具備して解決する。
絶縁基板上に第１の導電パターンを形成する工程と、第
１の導電パターン上に導電パターンの一部分を囲む樹脂
コート膜を形成する工程と、樹脂コート膜に対応する開
口部及びバイアホール用の孔を金属箔付き樹脂層に設け
た後、金属箔付き樹脂層を第１の導電パターン上に貼着
する工程と、バイアホールに電気メッキを施し第１の導
電パターンと前記金属箔とを接続する工程と、金属箔を
エツチングして第２の導電パターンを形成する工程とを
具備して解決する。
（＊）作用
この様に本発明に依れば第１の導電パターン上にパター
ンの一部分を囲む樹脂コート膜を形成し、樹脂コート膜
に対応する開口部及びバイアホール用の孔を金属箔付き
樹脂に設けて第１の導電パターン上に貼着することによ
り、金属箔をエツチングして第２の導電パターンを形成
することができ短時間で第２の導電パターンを形成する
ことができる。
ンの一部分を囲む樹脂コート膜を形成し、樹脂コート膜
に対応する開口部及びバイアホール用の孔を金属箔付き
樹脂に設けて第１の導電パターン上に貼着することによ
り、金属箔をエツチングして第２の導電パターンを形成
することができ短時間で第２の導電パターンを形成する
ことができる。
（へ）実施例
以下に第１図Ａ乃至第１図Ｈに示した実施例に基づいて
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
先ず第１図Ａに示す如く、絶縁基板（１）Ｌに第１の導
電パターン（２）を形成する。絶縁基板（１）としては
セラミックスあるいは表面を酸化膜で被覆したアルミニ
ウム等を用い、第１の導電パターン（２）は基板（１）
全面に銅箔を貼着した後所望のパターンにエツチングし
て形成される。
電パターン（２）を形成する。絶縁基板（１）としては
セラミックスあるいは表面を酸化膜で被覆したアルミニ
ウム等を用い、第１の導電パターン（２）は基板（１）
全面に銅箔を貼着した後所望のパターンにエツチングし
て形成される。
次に第１図Ｂに示す如く、第１の導電パターン（２）上
に第１の導電パターン（２）の一部分を囲む樹脂コート
膜（３）を形成する。樹脂コート膜（３）は、エポキシ
樹脂等の樹脂を第１の導電パターン（２）と重畳する様
に印刷形成する。即ち、第１の導電パターン（２）の半
導体素子が固着されるパッド（２′）の周囲の第１の導
電パターン（２）と重畳する様に且つ半導体素子が固着
されるバッド（２゛）の周囲を囲む様枠状に形成する。
に第１の導電パターン（２）の一部分を囲む樹脂コート
膜（３）を形成する。樹脂コート膜（３）は、エポキシ
樹脂等の樹脂を第１の導電パターン（２）と重畳する様
に印刷形成する。即ち、第１の導電パターン（２）の半
導体素子が固着されるパッド（２′）の周囲の第１の導
電パターン（２）と重畳する様に且つ半導体素子が固着
されるバッド（２゛）の周囲を囲む様枠状に形成する。
樹脂コート膜（３）の厚み及び幅は任意に選択すること
ができ本実施例では厚みは１５μ、幅は約ｉ、ｓｍｎに
形成するものとする。
ができ本実施例では厚みは１５μ、幅は約ｉ、ｓｍｎに
形成するものとする。
次に第１図Ｃに示す如く、樹脂フート膜（３）に対応す
る開口部（４）及びバイアホール用の孔（５）を金属箔
付き樹脂（６）に設けた後、金属箔付き樹脂Ｗ！Ｊ（６
）を絶縁基板（１）上に貼着する。金属箔付き樹Ｗｊ（
６）はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂（８）とｆｉ４箔（
７）とが一体化された、いわゆるフレキシブルシートを
用いる。この金属箔付き樹脂（６）にはあらかじめパン
チング等により、枠状に形成された樹脂コート膜（３）
と対応する開口部（４）及び第１の導電パターン（２）
と多層配線するためのバイアホール用の孔（５）が形成
されており、基板（１）全面上に熱圧着する。このとき
金属箔付き樹脂（６）の開口部（４）内の終端辺は樹脂
コート（３）上の中央付近に位置する様に考慮する。
る開口部（４）及びバイアホール用の孔（５）を金属箔
付き樹脂（６）に設けた後、金属箔付き樹脂Ｗ！Ｊ（６
）を絶縁基板（１）上に貼着する。金属箔付き樹Ｗｊ（
６）はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂（８）とｆｉ４箔（
７）とが一体化された、いわゆるフレキシブルシートを
用いる。この金属箔付き樹脂（６）にはあらかじめパン
チング等により、枠状に形成された樹脂コート膜（３）
と対応する開口部（４）及び第１の導電パターン（２）
と多層配線するためのバイアホール用の孔（５）が形成
されており、基板（１）全面上に熱圧着する。このとき
金属箔付き樹脂（６）の開口部（４）内の終端辺は樹脂
コート（３）上の中央付近に位置する様に考慮する。
次に第１図りに示す如く、基板（１）上にドライフィル
ム（９）を約８０〜１００″Ｃで熱圧着して基板（１）
全面に付着する。
ム（９）を約８０〜１００″Ｃで熱圧着して基板（１）
全面に付着する。
次に第１図Ｅに示す如く、多層配線用の孔（５）及び周
辺のドライフィルム（９）を写真蝕刻法により除去しバ
イアホールを形成する。
辺のドライフィルム（９）を写真蝕刻法により除去しバ
イアホールを形成する。
次に第１図Ｆに示す如く、バイアホールに電気メッキを
施し、第１の導電パターン（２）と銅箔（７）とを接続
する。
施し、第１の導電パターン（２）と銅箔（７）とを接続
する。
第１図Ｅの如く、バイアホール及びバイアホールの周辺
の銅箔（７）は露出され、銅の無電解メッキを行い、第
１の導電パターン（２）と銅箔（７）とを接続して、残
りのドライフィルム（９）を除去する。
の銅箔（７）は露出され、銅の無電解メッキを行い、第
１の導電パターン（２）と銅箔（７）とを接続して、残
りのドライフィルム（９）を除去する。
次に第１図Ｇ及び第１図Ｈに示す如く、銅箔り７）をエ
ツチングして笛２の導電パターン（１０）錯形成する。
ツチングして笛２の導電パターン（１０）錯形成する。
ドライフィルム除去後、再び絶縁基板（１）全面にドラ
イフィルムを熱圧着して写真蝕刻法により、第１図Ｇの
如く、第２の導電パターン（１０）となる銅箔（７）上
及び樹脂コート膜（３）内の第１の導電パターン（２）
上のみにドライフィルム（９′）を残して他の部分を除
去した後、鋼箔（７〉をエツチングすることにより、第
１図Ｈの如く、第１の導電パターン（２）上に第２の導
電パターン（１０）を形成することができる。
イフィルムを熱圧着して写真蝕刻法により、第１図Ｇの
如く、第２の導電パターン（１０）となる銅箔（７）上
及び樹脂コート膜（３）内の第１の導電パターン（２）
上のみにドライフィルム（９′）を残して他の部分を除
去した後、鋼箔（７〉をエツチングすることにより、第
１図Ｈの如く、第１の導電パターン（２）上に第２の導
電パターン（１０）を形成することができる。
第１図Ｇに示した工程において、樹脂コート膜（３）内
の第１の導電パターン（２）上にドライフィルム（９′
）を残す場合、写真蝕刻法により微細加工に形成するこ
とができるが、マスクの位置ズレ等でドライフィルム（
９゛）と絶縁樹脂（８）との間に微小に隙間が発生し銅
箔エツチング時に隙間からエッチャントが入り第１の導
電パターン（２）を蝕刻する恐れがあるが本発明では樹
脂コート膜（３）が形成されているので第１の導電パタ
ーン（２）が蝕刻される恐れはない。
の第１の導電パターン（２）上にドライフィルム（９′
）を残す場合、写真蝕刻法により微細加工に形成するこ
とができるが、マスクの位置ズレ等でドライフィルム（
９゛）と絶縁樹脂（８）との間に微小に隙間が発生し銅
箔エツチング時に隙間からエッチャントが入り第１の導
電パターン（２）を蝕刻する恐れがあるが本発明では樹
脂コート膜（３）が形成されているので第１の導電パタ
ーン（２）が蝕刻される恐れはない。
（ト）発明の効果
以上に詳述した如く、本発明に依れば、第２の導電パタ
ーンを銅箔により形成することができ、第２の導電パタ
ーンの断線を防止することができる。
ーンを銅箔により形成することができ、第２の導電パタ
ーンの断線を防止することができる。
また本発明では開口部が設けられているため、第１の導
電パターン上に回路素子を固着することができるので、
熱抵抗を損なうことなく発熱を有する回路素子を搭載す
ることができる。
電パターン上に回路素子を固着することができるので、
熱抵抗を損なうことなく発熱を有する回路素子を搭載す
ることができる。
第１図Ａ乃至第１図Ｈは本発明の実施例を示す断面図、
第２図Ａ乃至第２図Ｃは従来例を示す断面図である。 （１）・・・絶縁基板、 （２）・・・第１の導電パタ
ーン、（３）・・・樹脂コート膜、 （４）・・・開口
部、 （５）・・・孔、 （６）・・・金属箔付き樹脂
、 （７）・・・銅箔、（８）・・・絶縁樹脂、（９）
（９’）・・・ドライフィルム、（１０）・・・第２の
導電パターン。
第２図Ａ乃至第２図Ｃは従来例を示す断面図である。 （１）・・・絶縁基板、 （２）・・・第１の導電パタ
ーン、（３）・・・樹脂コート膜、 （４）・・・開口
部、 （５）・・・孔、 （６）・・・金属箔付き樹脂
、 （７）・・・銅箔、（８）・・・絶縁樹脂、（９）
（９’）・・・ドライフィルム、（１０）・・・第２の
導電パターン。
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に第１の導電パターンを形成する工程
と、前記第１の導電パターン上に前記パターンの一部分
を囲む樹脂コート膜を形成する工程と、前記樹脂コート
膜に対応する開口部及びバイアホール用の孔を金属箔付
き樹脂層に設けた後、前記金属箔付き樹脂層を前記絶縁
基板上に貼着する工程と、前記孔から形成されたバイア
ホールに電気メッキを施し前記第１の導電パターンと前
記金属箔とを接続する工程と、前記金属箔をエッチング
し第２の導電パターンを形成する工程とを具備すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286205A JPH01128493A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286205A JPH01128493A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128493A true JPH01128493A (ja) | 1989-05-22 |
| JPH0450760B2 JPH0450760B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=17701327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62286205A Granted JPH01128493A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128493A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036096A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板 |
| JPH04250694A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62286205A patent/JPH01128493A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036096A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板 |
| JPH04250694A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450760B2 (ja) | 1992-08-17 |
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