JPH0453011A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0453011A JPH0453011A JP16087490A JP16087490A JPH0453011A JP H0453011 A JPH0453011 A JP H0453011A JP 16087490 A JP16087490 A JP 16087490A JP 16087490 A JP16087490 A JP 16087490A JP H0453011 A JPH0453011 A JP H0453011A
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- JP
- Japan
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- magnetic core
- magnetic
- gap
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気記録
装置に用いて好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
装置に用いて好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
(ロ)従来の技術
従来、この種の薄膜磁気ヘッドは、例えば特開昭62−
46415号公報(Gl I B5/31)等に示され
ているように基板上に薄膜堆積法及びフォトリソグラフ
ィー技術を用いて磁気回路、導体コイル、電極等を絶縁
層を介して形成したものであり、従来の磁気コアと巻線
より成るバルク型磁気ヘッドに比べて、小型化、マルチ
チャンネル化が容易である。
46415号公報(Gl I B5/31)等に示され
ているように基板上に薄膜堆積法及びフォトリソグラフ
ィー技術を用いて磁気回路、導体コイル、電極等を絶縁
層を介して形成したものであり、従来の磁気コアと巻線
より成るバルク型磁気ヘッドに比べて、小型化、マルチ
チャンネル化が容易である。
しかし乍ら、このような薄膜磁気ヘッドはギャンプ深さ
を大きくすると磁気コアの磁気飽和が生じやすいため、
VTR等の記録媒体と直接摺動するヘッドとして用いる
と、十分なヘッド摩耗寿命が得られないという問題が生
じる。
を大きくすると磁気コアの磁気飽和が生じやすいため、
VTR等の記録媒体と直接摺動するヘッドとして用いる
と、十分なヘッド摩耗寿命が得られないという問題が生
じる。
第12図は上述の欠点を解消した従来の薄膜磁気ヘッド
の媒体摺接面を示す図である。
の媒体摺接面を示す図である。
この従来の薄膜磁気ヘッドは、非磁性セラミクス等より
なる基板(1)上に溝(2)を形成し、該溝(2)内に
下部磁気コア(3)、ギャップスペーサ(4)、コイル
層、絶縁層(5)、上部磁気コア(6)及び保護膜(7
)を形成し、更に該保護膜(7)上にガラス(8)によ
り保護板(9〉を接合固定した構造である。この薄膜磁
気ヘッドでは、前記下部磁気コア(3)に突起(3a)
を形成し、該突起(3a)により磁気ギャップgを規定
することにより、該磁気ギャップgのトランク幅Tw、
ギャップ深さを高精度に規定している。また、下部磁気
コア(3)と上部磁気コア(6)との間隔を増大させる
ことにより、磁束の漏洩を低減させている。尚、第12
図は媒体摺接面を示す図であるため、コイル層及び該コ
イル層を絶縁する絶縁層は図示されていない。
なる基板(1)上に溝(2)を形成し、該溝(2)内に
下部磁気コア(3)、ギャップスペーサ(4)、コイル
層、絶縁層(5)、上部磁気コア(6)及び保護膜(7
)を形成し、更に該保護膜(7)上にガラス(8)によ
り保護板(9〉を接合固定した構造である。この薄膜磁
気ヘッドでは、前記下部磁気コア(3)に突起(3a)
を形成し、該突起(3a)により磁気ギャップgを規定
することにより、該磁気ギャップgのトランク幅Tw、
ギャップ深さを高精度に規定している。また、下部磁気
コア(3)と上部磁気コア(6)との間隔を増大させる
ことにより、磁束の漏洩を低減させている。尚、第12
図は媒体摺接面を示す図であるため、コイル層及び該コ
イル層を絶縁する絶縁層は図示されていない。
また、上記構造の薄膜磁気ヘッドでは、下部磁気コア(
3)及び上部磁気コア(6)の端部からの擬似信号の発
生を防止するために、前記下部磁気コア(3)の下面及
び前記上部磁気コア(6)の上面を夫々磁気ギャップg
に対して非平行になるように曲面形状にしている。しか
し乍らこのように上部磁気コア(6)の上面が曲面形状
であるため、該上部磁気コア(6)の磁路断面積は−L
面側に行く程小さくなり、記録効率が低下するという間
紡が生じる。また、十分な磁路を得るためには前記」二
部磁気コア(6)の膜yI−1を十分に大きくする必要
があり、量産性に適していないという問題も生じる。
3)及び上部磁気コア(6)の端部からの擬似信号の発
生を防止するために、前記下部磁気コア(3)の下面及
び前記上部磁気コア(6)の上面を夫々磁気ギャップg
に対して非平行になるように曲面形状にしている。しか
し乍らこのように上部磁気コア(6)の上面が曲面形状
であるため、該上部磁気コア(6)の磁路断面積は−L
面側に行く程小さくなり、記録効率が低下するという間
紡が生じる。また、十分な磁路を得るためには前記」二
部磁気コア(6)の膜yI−1を十分に大きくする必要
があり、量産性に適していないという問題も生じる。
くハ)発明が解決しようとする課趙
本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
」一部磁気コアの端部がら擬似信号が発生するのを抑え
、且つ、上部磁気コアの膜厚を大きくすることなしに磁
路断面積を大きくすることが出来、記録効率の低ドを防
止した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
」一部磁気コアの端部がら擬似信号が発生するのを抑え
、且つ、上部磁気コアの膜厚を大きくすることなしに磁
路断面積を大きくすることが出来、記録効率の低ドを防
止した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもの
である。
(ニ)課組を解決するための1段
本発明は基板」二に下部磁気コア、導体コイル層、該導
体コイル層を覆う絶縁層、磁気ギャップとなるギャップ
スペーサ及び上部磁気コアを被着形成してなる薄膜磁気
へソドにおいて、前記上部磁気コアの−E面は磁気ギャ
ップから離れるに従って屈曲部を中心に両側に拡がる第
1、第2」二面により構成され、且つ前記上部磁気コア
の両端間距離が前記磁気ギャップのトランク幅よりも大
きいことを特徴とする。
体コイル層を覆う絶縁層、磁気ギャップとなるギャップ
スペーサ及び上部磁気コアを被着形成してなる薄膜磁気
へソドにおいて、前記上部磁気コアの−E面は磁気ギャ
ップから離れるに従って屈曲部を中心に両側に拡がる第
1、第2」二面により構成され、且つ前記上部磁気コア
の両端間距離が前記磁気ギャップのトランク幅よりも大
きいことを特徴とする。
(ホ)作 用
上記構成に依れば、上部磁気コアの上面は磁気ギャップ
に対して平行な部分を有さす、且つ上部磁気コアの磁路
断面積が大きくなる。
に対して平行な部分を有さす、且つ上部磁気コアの磁路
断面積が大きくなる。
(へ)実施例
以下、図面を参照しつつ本発明の第1実施例を詳細に説
明する。
明する。
第1図は第1実施例の薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示
す図である。
す図である。
図中、(1])は非磁性セラミックス等よりなる基板で
あり、該基板(11)の上面には底面(121)が曲面
形状である溝(12)が形成されている。前記溝(12
)内にはセンダスト等の強磁性金属材料よりなる下部磁
気コア(13)が被着形成されている。前記下部磁気コ
ア(13)の上面は前記基板(11)の上面と面一であ
る。前記下部磁気コア(13)の上面及び前記基板(1
〕)の上面には5iO−等の非磁性材料よりなるギャッ
プスペーサ(]4)が被着形成されている。前記ギャッ
プスペーサ(]4)上にはSiO,等の非磁性材料より
なる絶縁層(151)(152)及びセンダスト等の強
磁性金属材料よりなる上部磁気コア(16)が被着形成
されている。前記上部磁気コア(]6)の下面は前記下
部磁気コア(13)の上面にギャップスペーサ(14)
を介して対向しており、前記−二部磁気コア(16)の
下面の幅が磁気ギャップgのトランク幅Twとなる。
あり、該基板(11)の上面には底面(121)が曲面
形状である溝(12)が形成されている。前記溝(12
)内にはセンダスト等の強磁性金属材料よりなる下部磁
気コア(13)が被着形成されている。前記下部磁気コ
ア(13)の上面は前記基板(11)の上面と面一であ
る。前記下部磁気コア(13)の上面及び前記基板(1
〕)の上面には5iO−等の非磁性材料よりなるギャッ
プスペーサ(]4)が被着形成されている。前記ギャッ
プスペーサ(]4)上にはSiO,等の非磁性材料より
なる絶縁層(151)(152)及びセンダスト等の強
磁性金属材料よりなる上部磁気コア(16)が被着形成
されている。前記上部磁気コア(]6)の下面は前記下
部磁気コア(13)の上面にギャップスペーサ(14)
を介して対向しており、前記−二部磁気コア(16)の
下面の幅が磁気ギャップgのトランク幅Twとなる。
1iij記上部磁気コア(16)は前記磁気ギャップg
から離れるに従って両側に分岐しており、第1、第2下
面(161)(162)は前記絶縁層(151)(15
2)の上面に沿って磁気ギャップgから離れるに従って
両側に拡がる曲面形状をしている。また、前記−E部磁
気コア(16)の上面は中央に屈曲部(16a)を有し
ており、前記磁気ギャップgから離れるに従って前記屈
曲部(1,6&)を中・し・に両側に拡がる曲面形状の
第1、第2上面(163)(164)により構成されて
いる。上記上部磁気コア(16)は上述したように第1
、第2下面061)(162)及び第1、第2上面(1
63)(164)が磁気ギャップgから離れるに従い両
側に絋がるように構成されているので、前記上部磁気コ
ア(16)の両端間距離2は當に磁気ギャップgのトラ
/り幅T wよりも大きい。前記上部磁気コア(]6)
の第1、第2土面(163)(164)上には5iO1
等よりなる保護膜(17)が被着形成されている。
から離れるに従って両側に分岐しており、第1、第2下
面(161)(162)は前記絶縁層(151)(15
2)の上面に沿って磁気ギャップgから離れるに従って
両側に拡がる曲面形状をしている。また、前記−E部磁
気コア(16)の上面は中央に屈曲部(16a)を有し
ており、前記磁気ギャップgから離れるに従って前記屈
曲部(1,6&)を中・し・に両側に拡がる曲面形状の
第1、第2上面(163)(164)により構成されて
いる。上記上部磁気コア(16)は上述したように第1
、第2下面061)(162)及び第1、第2上面(1
63)(164)が磁気ギャップgから離れるに従い両
側に絋がるように構成されているので、前記上部磁気コ
ア(16)の両端間距離2は當に磁気ギャップgのトラ
/り幅T wよりも大きい。前記上部磁気コア(]6)
の第1、第2土面(163)(164)上には5iO1
等よりなる保護膜(17)が被着形成されている。
更に、nij記上部磁気コア(16)上にはガラス(1
8)によりTi酸Ba等よりなる保護板09)が接合固
定されている。
8)によりTi酸Ba等よりなる保護板09)が接合固
定されている。
次に、上記第1実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、第2図に示すように基板(11)の上面に底面(
121)が曲面形状である溝(12)を形成し、該溝(
12)内に下部磁気コア(13)をスパッタリング、イ
オンビームエツチング等により被着形成する。
121)が曲面形状である溝(12)を形成し、該溝(
12)内に下部磁気コア(13)をスパッタリング、イ
オンビームエツチング等により被着形成する。
次に、第3図に示すように前記基板(11)の上面全域
に所望のギャップ長と等しい厚みを有するギャップスペ
ーサ(14)を被着形成し、該ギャップスペーサ(14
)l全域に絶縁層(15)を被着形成する。
に所望のギャップ長と等しい厚みを有するギャップスペ
ーサ(14)を被着形成し、該ギャップスペーサ(14
)l全域に絶縁層(15)を被着形成する。
次に、第4図に示すように前記絶縁層(15)の土。
面のうち上部磁気コア形成予定領域の両側にノボランク
樹脂系のポジ型レジスト(20)(20)を塗布し、該
レジスト(20)(20)を100〜150℃まで加熱
することによりレジストを形成する有機材料の粘度の低
下による形状変化を利用して前記レジスト(20)(2
0)の上側表面(20a)(20a)をなだらかな曲面
形状にする。
樹脂系のポジ型レジスト(20)(20)を塗布し、該
レジスト(20)(20)を100〜150℃まで加熱
することによりレジストを形成する有機材料の粘度の低
下による形状変化を利用して前記レジスト(20)(2
0)の上側表面(20a)(20a)をなだらかな曲面
形状にする。
次に、第4図に示す基板(11)の上方からイオンビー
ムエツチング等を行うことにより絶縁層の余分な部分を
除去して第5図に示すように前記ギャップスペーサ(1
4)の上面のうち上部磁気コア形成予定領域の両側に絶
縁層(151)(152)を残す。
ムエツチング等を行うことにより絶縁層の余分な部分を
除去して第5図に示すように前記ギャップスペーサ(1
4)の上面のうち上部磁気コア形成予定領域の両側に絶
縁層(151)(152)を残す。
前記絶縁層(151,)(152)の上面(151a)
(152a)は前記レジスト(20)(20)と略同形
状となり、上側表面(20a)(20b)はなだらかな
曲面形状となる。
(152a)は前記レジスト(20)(20)と略同形
状となり、上側表面(20a)(20b)はなだらかな
曲面形状となる。
次に、第6図に示すように前記基板(11)のト方全域
、即ちギャップスペーサ(14)が露出している上部磁
気コア形成予定領域から前記絶縁層(151)(152
)の−上面(151a)(152b)全域にかけて上部
磁気コアとなる上部磁気コア層(16’)及び保護層(
17)をスパッタリング等により被着形成する。
、即ちギャップスペーサ(14)が露出している上部磁
気コア形成予定領域から前記絶縁層(151)(152
)の−上面(151a)(152b)全域にかけて上部
磁気コアとなる上部磁気コア層(16’)及び保護層(
17)をスパッタリング等により被着形成する。
次に、第7図に示すように前記上部磁気コア層(16°
)及び保護層(17)の両側部をリアクティブイオンエ
ツチング等により除去して下部磁気コア(16)を形成
する。
)及び保護層(17)の両側部をリアクティブイオンエ
ツチング等により除去して下部磁気コア(16)を形成
する。
以後は、前記下部磁気コア(16)の上方にガラス(1
8)を溶融固化することにより保護板(19)を接合固
定して外形加工を行うことにより第1図に示す薄膜磁気
ヘッドが完成する。
8)を溶融固化することにより保護板(19)を接合固
定して外形加工を行うことにより第1図に示す薄膜磁気
ヘッドが完成する。
上述のような第1実施例の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁
気コア(16)の上面には、磁気ギャップgに対して平
行な部分が存在しないため、前記上部磁気コア(16)
の端部からの擬似信号の発生を防止することが出来る。
気コア(16)の上面には、磁気ギャップgに対して平
行な部分が存在しないため、前記上部磁気コア(16)
の端部からの擬似信号の発生を防止することが出来る。
また、前記上部磁気コア(16)の両端間距離!、が常
に磁気ギャップgのトラック幅Twよ1)大きいため前
記上部磁気コア(16)の厚みを大きくすることなしに
該り部磁気コア(16)の磁路断面積を大きくすること
が出来、記録効率が向上する。
に磁気ギャップgのトラック幅Twよ1)大きいため前
記上部磁気コア(16)の厚みを大きくすることなしに
該り部磁気コア(16)の磁路断面積を大きくすること
が出来、記録効率が向上する。
次に、本発明の第2実施例について説明する。
第8図は第2実施例の薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示
す図であり、第1実施例の第1図と同一部分には同一符
号を付し、その説明は割愛する。
す図であり、第1実施例の第1図と同一部分には同一符
号を付し、その説明は割愛する。
第2実施例の上部磁気コア(26)は前記磁気ギャップ
gから所定量離れた部分から両側に分岐しており、第1
、第2下面(261)(262)は絶縁層(251)(
252)の上面に沿って平面形状をしている。また、前
記上部磁気コア(26)の上面は中央に屈曲部(26a
)を有しており、該屈曲部(26a)を中心に両側に
拡がる平面形状の第1、第2上面(263)(264)
により構成されている。このため、前記上部磁気コア(
26)の両端間距離l、は常に磁気ギャップgのトラッ
ク幅Twよりも大きい。
gから所定量離れた部分から両側に分岐しており、第1
、第2下面(261)(262)は絶縁層(251)(
252)の上面に沿って平面形状をしている。また、前
記上部磁気コア(26)の上面は中央に屈曲部(26a
)を有しており、該屈曲部(26a)を中心に両側に
拡がる平面形状の第1、第2上面(263)(264)
により構成されている。このため、前記上部磁気コア(
26)の両端間距離l、は常に磁気ギャップgのトラッ
ク幅Twよりも大きい。
次に、上記第2実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、第9図に示すように基板<11)の上面に溝(1
2)、下部磁気コア(13)及びギャップスペーサ(1
4)を形成した後、該ギャンブスベーサ(14)上全域
に両側に拡がる平面形状の斜面(251a)(252a
)を有する絶縁層(25)を形成する。
2)、下部磁気コア(13)及びギャップスペーサ(1
4)を形成した後、該ギャンブスベーサ(14)上全域
に両側に拡がる平面形状の斜面(251a)(252a
)を有する絶縁層(25)を形成する。
次に、第10図に示すように前記ギャップスペーサ(1
4)の上面のうち上部磁気コア形成予定領城J−に被着
した絶縁層をリアクティブイオンエツチング等により除
去することにより絶縁層(251)(252)に分断す
る。前記絶縁層(251)(252)の除去面(251
b)(252b)は前記基板(11)−,1:面に対し
て直交する。
4)の上面のうち上部磁気コア形成予定領城J−に被着
した絶縁層をリアクティブイオンエツチング等により除
去することにより絶縁層(251)(252)に分断す
る。前記絶縁層(251)(252)の除去面(251
b)(252b)は前記基板(11)−,1:面に対し
て直交する。
次に、第11図に示すように前記ギャップスペーサ(1
4)が露出している上部磁気コア形成予定領域から前記
絶縁層(251)(252)の斜面(251a)(25
2a)上に下部磁気コア(26)及び保護膜(]7)を
形成する。
4)が露出している上部磁気コア形成予定領域から前記
絶縁層(251)(252)の斜面(251a)(25
2a)上に下部磁気コア(26)及び保護膜(]7)を
形成する。
以後は、前記上部磁気コア輯6)の上方にガラスフ18
)によl)保護板(19)を接合固定して第8図に示す
薄膜磁気ヘッドが完成する。
)によl)保護板(19)を接合固定して第8図に示す
薄膜磁気ヘッドが完成する。
上述のような第2実施例の薄膜磁気−・ノドにおいても
第1実施例と同様に上部磁気コア(26)のL面には磁
気ギャンブgに対して平行な部分が存在しないため擬似
信号の発生が防止され、しかも前記り部磁気コア(26
)の厚みを大きくすることなしに該上部磁気コア(26
)の磁路断面積を大きくすることが出来、記録効率が向
上する。
第1実施例と同様に上部磁気コア(26)のL面には磁
気ギャンブgに対して平行な部分が存在しないため擬似
信号の発生が防止され、しかも前記り部磁気コア(26
)の厚みを大きくすることなしに該上部磁気コア(26
)の磁路断面積を大きくすることが出来、記録効率が向
上する。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、擬似411号の発生を抑え、且−っ記
録効率の低下を防止した薄膜磁気へノドを提供し得る。
録効率の低下を防止した薄膜磁気へノドを提供し得る。
第1図乃至第7図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図、第2図、第3
図、第4図、第5図、第6図及び第7図は夫々薄膜磁気
へノドの製造方法を示す図である。第8図乃至第11図
は本発明の第2実施例に係り、第8図は薄膜磁気ヘッド
の媒体摺接面を示す図、第9図、第10図及び第11図
は夫々薄膜磁気−・ノドの製造方法を示す図である。 第12図は従来の薄膜磁気−\ノドの媒体摺接面を示す
図である。 (11)・・・基板、(14)・・・ギャップスペーサ
、(16)・1一部磁気コア、(163ル・第111面
、(764)・第21−面、(16a)・・・屈曲部、
g・・・磁気ギャップ、T w・・トラック幅、!3、
!、・・・両端間距離。 第4図 第5図 第6図 第7図
は薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図、第2図、第3
図、第4図、第5図、第6図及び第7図は夫々薄膜磁気
へノドの製造方法を示す図である。第8図乃至第11図
は本発明の第2実施例に係り、第8図は薄膜磁気ヘッド
の媒体摺接面を示す図、第9図、第10図及び第11図
は夫々薄膜磁気−・ノドの製造方法を示す図である。 第12図は従来の薄膜磁気−\ノドの媒体摺接面を示す
図である。 (11)・・・基板、(14)・・・ギャップスペーサ
、(16)・1一部磁気コア、(163ル・第111面
、(764)・第21−面、(16a)・・・屈曲部、
g・・・磁気ギャップ、T w・・トラック幅、!3、
!、・・・両端間距離。 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- (1)基板上に下部磁気コア、導体コイル層、該導体コ
イル層を覆う絶縁層、磁気ギャップとなるギャップスペ
ーサ及び上部磁気コアを被着形成してなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記上部磁気コアの上面は磁気ギャップか
ら離れるに従って屈曲部を中心に両側に拡がる第1、第
2上面により構成され、且つ前記上部磁気コアの両端間
距離が前記磁気ギャップのトラック幅よりも大きいこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16087490A JP2725878B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16087490A JP2725878B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453011A true JPH0453011A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2725878B2 JP2725878B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=15724239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16087490A Expired - Fee Related JP2725878B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725878B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP16087490A patent/JP2725878B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725878B2 (ja) | 1998-03-11 |
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