JPH0453045Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0453045Y2 JPH0453045Y2 JP1985171214U JP17121485U JPH0453045Y2 JP H0453045 Y2 JPH0453045 Y2 JP H0453045Y2 JP 1985171214 U JP1985171214 U JP 1985171214U JP 17121485 U JP17121485 U JP 17121485U JP H0453045 Y2 JPH0453045 Y2 JP H0453045Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- fet
- source
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はSHF放送受信装置等に用いられるマ
イクロ波発振回路に関する。
イクロ波発振回路に関する。
(ロ) 従来の技術
近年、放送衛星によるSHF放送が実用化され
つつあるが、SHF放送受信システムにおいては
12GHz帯のSHF波を受信するために次の様なマイ
クロ波発振回路が局部発振回路として用いられ
る。即ち、第３図は発振回路のパターン図、第４
図は高周波における等価回路図を示し、１はGa，
As（ガリウムヒ素）を用いたFET、２，３，４は
このFETのゲートＧ、ドレンインＤ及びソース
Ｓに夫々接続されたストリツプ線路、５は前記ス
トリツプ線路２及び３に結合され共振回路を形成
する誘電体共振器であり、これにより発振周波数
が制御され、発振出力はソースＳから取出されて
次段の混合回路（図示省略）へ印加される。尚
C1はドレンイＤを高周波的に接地するキヤパシ
タC2は直流カツト要のキヤパシタ、RLは負荷抵
抗、Rg，Rdは終端抵抗である。また、Zg，Zdは
ストリツプ線路２，３の夫々特性インピーダンス
である。
つつあるが、SHF放送受信システムにおいては
12GHz帯のSHF波を受信するために次の様なマイ
クロ波発振回路が局部発振回路として用いられ
る。即ち、第３図は発振回路のパターン図、第４
図は高周波における等価回路図を示し、１はGa，
As（ガリウムヒ素）を用いたFET、２，３，４は
このFETのゲートＧ、ドレンインＤ及びソース
Ｓに夫々接続されたストリツプ線路、５は前記ス
トリツプ線路２及び３に結合され共振回路を形成
する誘電体共振器であり、これにより発振周波数
が制御され、発振出力はソースＳから取出されて
次段の混合回路（図示省略）へ印加される。尚
C1はドレンイＤを高周波的に接地するキヤパシ
タC2は直流カツト要のキヤパシタ、RLは負荷抵
抗、Rg，Rdは終端抵抗である。また、Zg，Zdは
ストリツプ線路２，３の夫々特性インピーダンス
である。
更に低周波数での等価回路は第５図の様になり
セルフバイアス用の抵抗RSGによりゲート電圧
をソース電圧に対して負のバイアスとされてい
る。尚、この様なマイクロ波発振回路は例えば特
開昭59−224904号公報に示されている。
セルフバイアス用の抵抗RSGによりゲート電圧
をソース電圧に対して負のバイアスとされてい
る。尚、この様なマイクロ波発振回路は例えば特
開昭59−224904号公報に示されている。
上述のマイクロ波発振回路において、その発振
周波数は、周囲温度変化に起因する種々要因によ
り変動する。例えば、温度変化に依存するFET
のドレイン電流IDの変化によりソース・ゲート
間電圧VSGが変化し、発振周波数が変動する。
周波数は、周囲温度変化に起因する種々要因によ
り変動する。例えば、温度変化に依存するFET
のドレイン電流IDの変化によりソース・ゲート
間電圧VSGが変化し、発振周波数が変動する。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案は上述の点に鑑み為されたものであり、
温度変化によりFETのドレイン電流が変化して
も発振周波数の変動が少ないマイクロ波発振回路
を提供するものである。
温度変化によりFETのドレイン電流が変化して
も発振周波数の変動が少ないマイクロ波発振回路
を提供するものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案はFETのソースに定電圧回路を接続し
てなるマイクロ波発振回路である。
てなるマイクロ波発振回路である。
(ホ) 作用
上述の手段によりFETのソース電圧が常に一
定となりソース・ゲート間電圧（VSG）が固定
される。
定となりソース・ゲート間電圧（VSG）が固定
される。
(ヘ) 実施例
以下図面に従い本考案の一実施例を説明する。
まず、第１図は本考案の原理的な回路図を示し、
FET１のソースＳには定電圧回路６が接続され
ている。従つて、ソース電圧が常に一定となり、
抵抗RSGには定電流が流れるためソース・ゲー
ト間電圧VSGが固定され、温度変化による発振
周波数の変動が緩和される。
まず、第１図は本考案の原理的な回路図を示し、
FET１のソースＳには定電圧回路６が接続され
ている。従つて、ソース電圧が常に一定となり、
抵抗RSGには定電流が流れるためソース・ゲー
ト間電圧VSGが固定され、温度変化による発振
周波数の変動が緩和される。
次に第２図は定電圧回路の具体的回路図を示
し、FET１のドレインＤとソースＳには夫々ト
ランジスタTrのコレクタ及びエミツタが接続さ
れ、ベースにはダイオードD1が接続されている。
また、コレクタとベース間は抵抗R1を介して接
続されている。第２図においてトランジスタTr
のベース電位はベースに接続されたダイオード
D1の順方向降下電圧（一定）となる。そして、
エミツタ電圧即ち、抵抗RSGの端子電圧は前記ベ
ース電圧より一定電圧低い電圧となるため、抵抗
RSGの端子電圧も常に一定となる。よつて、これ
らは低電圧回路６として動作し、FET１のソー
ス電圧を一定とする。
し、FET１のドレインＤとソースＳには夫々ト
ランジスタTrのコレクタ及びエミツタが接続さ
れ、ベースにはダイオードD1が接続されている。
また、コレクタとベース間は抵抗R1を介して接
続されている。第２図においてトランジスタTr
のベース電位はベースに接続されたダイオード
D1の順方向降下電圧（一定）となる。そして、
エミツタ電圧即ち、抵抗RSGの端子電圧は前記ベ
ース電圧より一定電圧低い電圧となるため、抵抗
RSGの端子電圧も常に一定となる。よつて、これ
らは低電圧回路６として動作し、FET１のソー
ス電圧を一定とする。
(ト) 考案の効果
上述の如く本考案に依れば、温度変化によるソ
ース・ゲート間電圧の変動を無くなるため発振周
波数の変動が抑えられる。
ース・ゲート間電圧の変動を無くなるため発振周
波数の変動が抑えられる。
第１図は本考案のマイクロ波発振回路の原理
図、第２図は第１図の具体的実施例を示す回路
図、第３図は従来のマイクロ波発振回路のパター
ン図、第４図は第３図の高周波における等価回路
図、第５図は第３図の低周波における等価回路図
である。 １……FET、Ｇ……ゲート、Ｄ……ドレイン、
Ｓ……ソース、２，３，４……ストリツプ線路、
５……誘電体共振器、６……定電圧回路。
図、第２図は第１図の具体的実施例を示す回路
図、第３図は従来のマイクロ波発振回路のパター
ン図、第４図は第３図の高周波における等価回路
図、第５図は第３図の低周波における等価回路図
である。 １……FET、Ｇ……ゲート、Ｄ……ドレイン、
Ｓ……ソース、２，３，４……ストリツプ線路、
５……誘電体共振器、６……定電圧回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 FETのドレインから誘電体共振器を介して前
記FETのゲートに正帰還をかけてなるマイクロ
波発振回路において、 前記FETのソースに温度変化によらずソース、
ゲート間電圧（VSG）を一定にする定電圧回路
を接続してなるマイクロ波発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985171214U JPH0453045Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985171214U JPH0453045Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280415U JPS6280415U (ja) | 1987-05-22 |
| JPH0453045Y2 true JPH0453045Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=31106637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985171214U Expired JPH0453045Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453045Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50117750U (ja) * | 1974-03-11 | 1975-09-26 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP1985171214U patent/JPH0453045Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6280415U (ja) | 1987-05-22 |
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